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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

To provide a substrate for a semiconductor device for easy element isolation of a semiconductor device layer joined to the substrate for a semiconductor device even if the material itself of the substrate for semiconductor device does not have cleavage property, and to provide the semiconductor device and a method of manufacturing the substrate for the semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子用基板の材料自体がへき開性を有していない場合にも、半導体素子用基板に接合された半導体素子層の素子分離を容易に行うことが可能な半導体素子用基板、半導体素子および半導体素子用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which has a multiple quantum well layer formed of an AlGaAs-based material and is improved in COD level using an end surface window structure to improve an output of emitted infrared light, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

多重量子井戸層がAlGaAs系材料によって構成され、赤外光を出射する半導体レーザ素子において、端面窓構造を用いてCODレベルを向上させることができ、出力の向上された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heating body 3 formed of a semiconductor heat generating element is installed on a tabular base plate 2 such as an asphalt, etc. Electric charge from a solar cell 4 is supplied to the heating body 3 through an electric double layer condenser 5 to actuate the heating body 3 through a controller 6 by signals from a temperature sensor 7.例文帳に追加

コンクリート、アスファルト等の板状基板2に半導体熱交換素子からなる発熱体3を設置し、この発熱体3に太陽電池4からの電荷を電気二重層コンデンサ5を介して供給し、温度センサー7からの信号によりコントローラ6を介して発熱体3を作動せしめる。 - 特許庁

The photodetective element 1 has a photodetective part 11 formed on a silicone substrate 9, and a cover layer 3 where a non light-incidence region 5 surrounding the photodetective part 11 is thicker than a light-incidence region 2 on the photodetective part 11 in a view in the normal line direction of the substrate surface of the silicone substrate 9.例文帳に追加

受光素子1は、シリコン基板9上に形成された受光部11と、シリコン基板9の基板面法線方向に見て、受光部11上の光入射領域2より受光部11周囲の非光入射領域5の厚さが厚く形成されたカバー層3とを有している。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device, in which malfunctions such as disconnections or the like do not occur at a wiring or an electrode for external terminal connection which electrically connects a wiring layer and a thin-film element in an integrated circuit portion of a semiconductor device, and consequently reliability can be enhanced, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の集積回路部の配線層と薄膜素子とを電気的に接続する配線または外部端子接続用電極に、断線等の不具合が生じる虞が無く、その結果、信頼性を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a new heater for fixing provided with a protective layer, which excels in heat resistance, insulating property, and wear resistance and whose friction coefficient is low to some extent and whose heat conductivity is high to some extent, as a heating element for a fixing device of an electrophotographic image forming apparatus.例文帳に追加

電子写真方式による画像形成装置の定着装置のための発熱体として、耐熱性、絶縁性、及び、耐磨耗性に優れ、並びに、ある程度摩擦係数も低く、及び、ある程度熱伝導率も高い、保護層を設けた、新規な定着用ヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a method for inspecting an electric circuit, an electronic part, an electronic application device and an image display device in which an element or an electrode is coated with a resinous layer or the like, and on which the electronic part which is difficult to directly connect the electrode with an external circuit is mounted.例文帳に追加

本発明は、素子や電極が樹脂層などにより被覆され、電極と外部回路とを直接接続することが困難な電子部品が実装された電気回路の検査方法、電子部品、電子応用装置及び画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the light emitting element includes a step (S1) of washing an Si substrate, a step (S2) of sticking an erbium solution on the Si substrate, and steps (S3, S4) of heat-treating the Si substrate the erbium solution stucked thereto under a vacuum, and is characterized by forming a light emission layer of an erbium compound on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板を洗浄する工程(S1)と、Si基板にエルビウム溶液を付着させる工程(S2)と、エルビウム溶液が付着したSi基板を真空下で熱処理する工程(S3,S4)とを有し、Si基板上にエルビウム化合物による発光層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The image pickup device is provided with a board 6 that has a light transmission through-hole 9 on an inner wall face 9A on which a reflection prevention layer 15 is provided and with an image pickup element 7 that is mounted on a lower face 6A of the board 6 in a state that an image pickup section 10 is exposed from the through-hole 9.例文帳に追加

透光用の貫通穴9が設けられるとともに、貫通穴9の内壁面9Aに反射防止層15が設けられた基板6と、貫通穴9から撮像部10が露出する状態で基板6の下面6Aに実装された撮像素子7とを備える。 - 特許庁

例文

To provide a polymer heat-sensitive body composition which is used as a heat-sensitive layer of a heat-sensitive detecting wire used in controlling the temperature of a planar heating element of an electric blanket or the like and excels in high-accuracy temperature detecting properties, environmental resistance, long-term stability on operating at high temperatures and the like.例文帳に追加

電気毛布等の面状発熱体の温度制御に用いられる感温検知線の感温層として使用される、高精度な温度検知性,耐環境性及び高温動作時の長期安定性等に優れた高分子感温体組成物を提供する。 - 特許庁

例文

The reflective liquid crystal display device is provided with a first polarizing plate 11, a first optical retardation plate 13, a twisted optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 containing a semitransmissive reflection layer 9 inside, a second optical retardation plate 18, a second polarizing plate 17 and a backlight 16.例文帳に追加

第1の偏光板11と、第1の位相差板13と、ねじれ位相差板12と、半透過反射層9を内在したSTN液晶素子21と、第2の位相差板18と第2の偏光板17とバックライト16とを備えるなる反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element includes the steps of: growing a laminate of GaN based semiconductor layers including light emitting layer, on a GaAs (111) A substrate 1; fixing an electrode surface provided on a surface of the laminate and the conductive substrate with a conductive adhesive; and removing the GaAs (111) A substrate 1.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs(111)A基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs(111)A基板1を除去する。 - 特許庁

An electric conductor 11 is wound in a spiral shape, a rectifying element layer 13 is arranged between wires, resonance with stray capacity generated between the wires is checked or reduced, an increase in resistance of the high frequency area is reduced, and the low loss and inexpensive induction heating system is provided.例文帳に追加

電気導体11を渦巻き状に巻回し、その線間に整流素子層13を設けて線間に発生する浮遊容量との共振を阻止あるいは低減することにより、高周波域の抵抗上昇を低減して、低損失かつ安価な誘導加熱装置を実現している。 - 特許庁

To provide a coating composition which is applied well on a predetermined base material and gets dry in a short time after application into a hole transporting layer as well as to provide a method for manufacturing organic EL element effectively from the comopsition.例文帳に追加

所定の基材上に良好に塗布されるとともに、塗布後に短時間で乾燥して正孔輸送層を形成することができる塗布組成物、ならびに該組成物を用いて効率的な有機EL素子の製造を可能となる有機EL素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element and an illuminator for forming a liquid crystal display device and the like having excellent brightness and visibility by obtaining a circularly polarized light separating layer which realizes improvement of brightness of the liquid crystal device etc., while suppressing the coloring of visualization in the oblique sight and has excellent visual angle characteristic.例文帳に追加

液晶表示装置等の輝度向上を可能としつつ、斜視方向の視認の着色化を抑制した視角特性に優れる円偏光分離層を得て、輝度や視認性に優れる液晶表示装置等を形成できる光学素子や照明装置を得ること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical element having a fine structure whose aspect ratio is high and whose etching shape is a rectangle by making a film to be etched on a lower layer have the same cycle as that of a resist pattern even in using the resist pattern whose cross section is corrugated in the cycle finer than the wavelength of the visible region.例文帳に追加

可視域の波長より微細な周期で、断面が波型をなすレジストパターンを用いても、下層の被エッチング膜に同じ周期をも持たせ、しかも、アスペクト比が高くてエッチング形状が矩形を成す微細構造を有する光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The flip-chip GaN-based semiconductor light emitting element is enabled to be mounted on a flip-chip basis by forming a laminate 2 including a light emission layer 23 made of a GaN-based semiconductor on the top surface of a substrate 1, and has an uneven structure 3 formed on the reverse surface of the substrate 1.例文帳に追加

GaN系半導体からなる発光層23を含んだ積層体2が基板1の上面に形成され、フリップチップ実装可能な構成とされた、フリップチップ型のGaN系半導体発光素子であって、該基板1の下面には、凹凸構造体3が形成されている。 - 特許庁

The connecting component metal material that uses a square wire material 1 made of copper or a copper alloy as the base material and has a tin alloy layer containing an element selected from one of the following two groups (A) and (B) on the outermost surface 2, in total by 0.01 to 2 mass%.例文帳に追加

銅または銅合金の角線材1を母材とし、その最表面2に、以下の(A)(B)の2つの群のうち少なくとも1つの群から選ばれる元素を総量で0.01質量%以上2質量%以下含有するスズ合金層が形成されている接続部品用金属材料。 - 特許庁

This liquid crystal display element is characterized in that an insulating layer having a specified range of surface resistivity lower than that of a substrate is provided between the substrate and electrodes or between the substrate and the electrodes, on the backside of the face on which the electrodes are formed of the substrate and on the side face of the substrate.例文帳に追加

基板の表面抵抗率より小さい特定範囲の表面抵抗率を有する絶縁層が該基板と電極間、または該基板と電極間、かつ該基板の電極形成面の裏面、かつ該基板の側面に設けたことを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁

The light modulation element 20 is provided with a pair of substrates 1,2 having electrodes 3,4 and a light modulating layer composed of a liquid crystal composition containing (a) a nematic liquid crystal substance and (b) an associative organosiloxane having at least one associative site having an optically active site, both placed between the substrates.例文帳に追加

本発明の光変調素子20は、電極3,4を設けた一対の基板1,2の間に、(a)ネマティック液晶物質、及び、(b)光学活性部位を有する会合性部位を少なくとも1か所有する会合性オルガノシロキサン、を含有する液晶組成物からなる調光層を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display element is formed by sealing liquid crystals between a pair of the substrates disposed to face each other, in which the spacers of the spacer image patterns arranged on the substrate in order to maintain the specified thickness of the liquid crystal layer are formed of the above resin composition for the spacers.例文帳に追加

互いに対向して配される一対の基板間に液晶が封入された液晶表示素子において、前記液晶層の厚さを一定に保つために基板上に配置されるスペーサー画素パターンのスペーサーが前記スペーサー用樹脂組成物から形成された液晶表示素子である。 - 特許庁

To provide an EL element and its manufacturing method eliminating the need for a partition wall or the like for enabling a high-accuracy patterning as when patterning a luminous layer with the use of a discharge method such as an ink-jet method, with little soil on a substrate or the like.例文帳に追加

本発明は、インクジェット法等の吐出法を用いて発光層をパターニングする際、高精度なパターニングを可能とするために設けられる隔壁等を不要とし、かつ基板等の汚損の少ないEL素子およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

After a mask insulation film 5 and a basic insulation film 4 having an opening 11 for forming element separation on a semiconductor layer 3 are formed, the basic insulation film 4a is retreated from the end of the mask insulation film 5 by etching to form a recess part 12 downward of the end of the mask insulation film 5.例文帳に追加

半導体層3上に素子分離を形成するための開口部11を有するマスク絶縁膜5と下地絶縁膜4を形成した後、エッチングにより下地絶縁膜4aをマスク絶縁膜5の端部から後退させてマスク絶縁膜5の端部下にくぼみ部12を形成する。 - 特許庁

At least one kind of a diazo metallic chelate compound consisting of a diazo compound shown by a general formula (1) and a bivalent or trivalent metal or the salt of the same or the compound and an organic color element having the maximum absorbing wave length of 680-750 nm are contained in a recording layer.例文帳に追加

下記一般式(I)で示されるアゾ化合物と2価又は3価の金属又はその塩からなるアゾ金属キレート化合物の少なくとも1種あるいは該化合物と680〜750nmに最大吸収波長を有する有機色素とを記録層に含有させる。 - 特許庁

In addition, this process of forming the polymer structure 32 is carried out while potentials of a signal wire 15 and a counter electrode 22 are properly adjusted to put an equipotential line EQ to be generated in the liquid crystal layer 30 between a pixel element electrode 12 on a first substrate 10 and the signal wire 15.例文帳に追加

さらに、ポリマー構造物32を形成する工程は、液晶層30内に生成される等電位線EQが第1基板10の画素電極12と信号配線15との間に落ち込むように、信号配線15および対向電極22の電位が調整された状態で行われる。 - 特許庁

The SAW element 1 of this invention is formed by layering a diamond film 3, a metallic film 4, a piezoelectric film 5, and a silicon oxide film 8 on a silicon substrate 2 from the lower layer, and an IDT electrode 6 and a reflector 7 are provided between the piezoelectric film 5 and the silicon oxide film 8.例文帳に追加

本発明のSAW素子1は、シリコン基板2上に下層側からダイヤモンド膜3、金属膜4、圧電体膜5、シリコン酸化膜8が積層されるとともに、圧電体膜5とシリコン酸化膜8との間にIDT電極6および反射器7が設けられたものである。 - 特許庁

To provide an organic EL display device and its manufacturing method capable of preventing an organic EL element from deteriorating due to the infiltration of moisture from a flattened insulating film into an EL layer, causing no problems by forming of an inorganic insulating film at low temperature, and free from complexifying a manufacturing process.例文帳に追加

平坦化絶縁膜からEL層への水分侵入による有機EL素子の劣化を防ぐことができ、無機絶縁膜を低温で成膜しても問題が生じず、製造工程が複雑とならない有機EL表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

GaAs基板1と、GaAs基板1の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ3Aと、GaAs基板1の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路7とから構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device may be equipped with a backlight 30 which is provided on the back side of the heater 20 and emits sheet-like light to the back side of the liquid crystal display element 10 and in this case, translucent materials having are used for the heater 20 and far-infrared radiation substance layer 23.例文帳に追加

更に、ヒータ20の背面側に設けられ、液晶表示素子10の背面側へ向けて面状光を照射するバックライト30を更に備えてもよく、この場合はヒータ20および遠赤外線放射物質層23は、透光性を有する材料を用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing the element has a process of printing an aqueous solution or aqueous dispersion having, for example, an electronic functional substance, such as the conductive polymer, such as PEDOT-PSS, and a surface tension-lowering agent, on the hydrophobic surface formed by, for example, a ferroelectric high-polymer layer.例文帳に追加

例えば、PEDOT−PSSなどの導電性高分子などの電子機能物質と、表面張力低下剤とを有する水溶液又は水分散液を、例えば強誘電高分子層によって形成される疎水性表面上に印刷する工程を有する、素子の製造方法である。 - 特許庁

A power supply by a non-contact antenna and an optical power generation element 8, for example and a system for complementing to each other an electric double layer capacitor 6 for accumulating supply voltage quickly and a high capacity secondary battery 7 accompanied by chemical reaction, which battery 7 is slow to storing power are mounted on an IC card 1.例文帳に追加

非接触アンテナ、光発電素子8等による給電と、供給電力を素早く蓄える電気二重層キャパシタ6等及び化学反応を伴い蓄電は遅いが大容量の二次電池7等をお互いに補完するシステムをICカード1上に搭載する。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a photoelectric conversion element which comprises a layer of semiconductor fine particles to which a dye is adsorbed and a conductive support body, the semiconductor fine particles are treated with a compound represented by a general formula (I) Si(R^1)(R^2)(R^3)(R^4).例文帳に追加

色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、半導体微粒子を下記一般式(I)により表される化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。 - 特許庁

This dielectric element comprises a substrate 1 and a dielectric thin film, KTa_xNb_1-xO_3 (0≤x≤1) formed on the substrate 1, and has a buffer layer, KTa_yNb_1-yO_3 (0≤y≤1) in which a composition (y) varies in a growth direction, between the substrate 1 and the dielectric thin film 3.例文帳に追加

基板1と、基板1上に形成された誘電体薄膜KTa_xNb_1−xO_3(0≦x≦1)からなる誘電体素子において、基板1と誘電体薄膜3との間に、成長方向において組成yが変化するバッファ層KTa_yNb_1−yO_3(0≦y≦1)を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electro-optical device using a liquid phase method in which such a trouble that the unevenness of a functional layer formed by the liquid phase method fluctuates for each picture element is eliminated and the optical property of the electro-optical device manufactured can be improved.例文帳に追加

液相法を用いた電気光学装置の製造方法において、該液相法にて形成される機能層の膜厚ムラが画素毎にバラツクような不具合を解消し、製造される電気光学装置の光学特性を高めることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element in which a mineral layer in a highly precise and uniform pattern can be formed with a superior workability and a manufacturing method of the mineral pattern wherein the mineral pattern in the highly precise and uniform pattern using this can be manufactured with a superior yield, as well as providing that mineral pattern.例文帳に追加

高精度で均一なパターン形状の無機物層を作業性良く形成できるエレメント及びこれを用いた高精度で均一なパターン形状の無機物パターンを歩留まりよく製造できる無機物パターンの製造法、並びにその無機物パターンを提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element, which is formed by forming a metal electrode, a photoelectric conversion layer and a transparent electrode on a flexible film substrate with a stepping roll system or roll-to-roll system, is heated in the form of a roll within a heating furnace under the condition where the flexible substrate having formed the elements up to the transparent electrode is wound around a winding roll.例文帳に追加

ステッピングロール方式もしくはロールツーロール方式により、可とう性のフィルム基板に、金属電極、光電変換層、透明電極を形成した光電変換素子を、透明電極まで形成して可とう性基板が巻取りロールに巻かれた状態で、ロールごと加熱炉で加熱する。 - 特許庁

To provide a tunnel-type magnetic detecting element that can make the absolute value of a VCR (Voltage Coefficient of Resistivity) reduced, in particular, when an insulation barrier layer formed of Ti-O can be reduced, and in particular, low RA and high resistance change rateR/R) can be secured, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

特に、絶縁障壁層をTi−Oで形成した際のVCR(Voltage Coefficience of Resistivity)の絶対値の低減、ならびに、低RAと高抵抗変化率(ΔR/R)を確保することが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the optical waveguide element (1), a photosensitive composition (25) for forming the optical waveguide (20) in an optical waveguide forming region (12) on the base material (10) is used to form a protective layer (31) to be an etching mask for the guide groove, in a guide groove forming region (13) on the base material (10) excluding the guide groove (30).例文帳に追加

光導波路素子(1)は、基材(10)上の光導波路形成領域(12)に光導波路(20)を形成する感光性組成物(25)を用いて、基材(10)上のガイド溝形成領域(13)にガイド溝用のエッチングマスクとなる保護層(31)をガイド溝(30)を除いて形成した。 - 特許庁

The electronic component 10 is constituted of a first region α, in which a first member 12, a second member 13 and the light functioning element 11 are superposed, a second region β, in which the first member 12, the second member 13 and an adhesive layer 14 arranged between the first member 12 and the second member 13 exist while excluding the first region α.例文帳に追加

電子部品10は、第一部材12、第二部材13および光機能素子11が重なる第一領域αと、この第一領域αを除き、第一部材12、第二部材13、および、これらの間に配された接着層14が在る第二領域βとからなる。 - 特許庁

In an anthracene compound where a phenyl group and a naphthyl group are bonded, respectively, to the ninth and tenth positions, a compound where a specific aryl substitutes, especially, for the seventh position of a naphthyl group (bonded to anthracene at the second position) is used as a material for the luminous layer thus manufacturing an organic electroluminescent element.例文帳に追加

9位と10位にそれぞれフェニル基とナフチル基が結合したアントラセン化合物において、ナフチル基(その2位においてアントラセンと結合)の特に7位に特定のアリールを置換させた化合物を発光層用材料として用いて、有機電界発光素子を製造する。 - 特許庁

The film density of an AR coat film 18, formed on at least the laser beam emission end face 16 among coat films formed on the resonator end face of the nitride semiconductor layer element 10, is selected to be 3/4 of the ideal density of a material forming the AR coat film 18 or over.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子10の共振器端面に形成されるコート膜のうち、少なくともレーザ光出射端面16に形成されるARコート膜18の膜密度を、ARコート膜18を形成する材料の理想密度の3/4以上とする。 - 特許庁

By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.例文帳に追加

このような構成のLCDドライバIC14を用いることにより、製造過程においてSTI分離層32に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域43上に抵抗素子34が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display element, a first substrate 21 including at least laminated switching elements 39 and a plurality of pixel electrodes 31, 32 and a second substrate 22 including at least laminated colored layers 62 and a common electrode 33 face each other on both sides between a liquid crystal layer 12.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、積層されたスイッチング素子39と複数の画素電極31、32とを少なくとも含む第1の基板21と、積層された着色層62と共通電極33を少なくとも含む第2の基板22とが、液晶層12を挟んで対向している。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, functional layers containing a luminous layer are sandwiched between a pair of electrodes, at least one of the functional layers contains at least one type of a compound expressed by general formula (1) and/or that expressed by general formula (2).例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む機能層を挟持してなる有機電界発光素子であって、前記機能層の少なくとも一層は、一般式(1)で表される化合物および/または一般式(2)で表される化合物の少なくとも一種を含有する、有機電界発光素子。 - 特許庁

The sensor element is manufactured by a process wherein gold is laminated on a support and silicon is laminated thereon to obtain a laminate and this laminate is once exposed to an oxygen-containing atmosphere to be heated to 50-500°C to form a mixed layer containing gold and silicon.例文帳に追加

支持体上に金を積層し、その上にシリコンを積層した後、得られた積層体を一旦酸素含有雰囲気に露出させてから、50℃ないし500℃の温度で加熱に付して、金とシリコンとを含む混合層を形成する工程を含んでなる方法によってセンサ素子を製造する。 - 特許庁

In manufacturing the organic electro-luminescence element having one or more organic layers 13, 14, 15, and 16 formed of organic compounds formed between the hole injecting electrode 12 and the electron injecting electrode 17, surfaces on which the organic layers are formed are heated when at least one organic layer is formed.例文帳に追加

ホール注入電極12と電子注入電極17との間に、有機化合物からなる1以上の有機層13,14,15,16が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、少なくとも1つの有機層を設ける際に、この有機層を設ける面を加熱するようにした。 - 特許庁

This is the manufacturing method of an organic EL element which comprises a hole injecting electrode, an electron injecting electrode, and one kind or more of organic layers provided between these electrodes, and it is characterized that a heating treatment is carried out in an inactive liquid after formation of the organic layer.例文帳に追加

ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有する有機EL素子の製造方法であって、前記有機層を形成した後、不活性液体中で加熱処理を行う有機EL素子の製造方法。 - 特許庁

In a microstrip line filter circuit, a conductor layer 6 is formed on one surface of a dielectric substrate having the other surface on which microstrip resonance element conductors 21 and 22, an input section 24, an output section 25, and a transmission line 23 coupling the resonance elements 21 and 22 are formed.例文帳に追加

マイクロストリップ線路型フィルタ回路においては、誘電体基板一方の面には、導体層6が形成され、他方の面にマイクロストリップで形成された共振素子導体21、22、入力部24及び出力部25並びに共振素子21、22間を結合する伝送線路23が形成されている。 - 特許庁

This method for manufacturing a photovoltaic element comprises a process for fixing plurality of metallic body electrodes 15 held by a holding tool with a prescribed clearance on a layered product 11 where a photovoltaic layer is formed on a substrate, and a process for dividing the layered product 11 according to the clearance.例文帳に追加

所定の間隙を持って保持具に保持された複数の金属体電極15を、基板上に光起電力層が形成された積層体11の上に固定する工程と、前記間隙において積層体11を分割する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

The reflective liquid crystal display device consisting of a first polarization plate 11, a second optical retardation plate 13, a first optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 with an inherent transflective layer 9, a third optical retardation plate 18, a second polarization plate 17 and a backlight 16 is provided.例文帳に追加

第1の偏光板11と、第2の位相差板13と、第1の位相差板12と、半透過反射層9を内在したSTN液晶素子21と、第3の位相差板18と第2の偏光板17とバックライト16とからなる反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁




  
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