「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(339ページ目) - Weblio英語例文検索

In the sealed battery in which a battery element is sealed with flexible material, a junction of the packaging material is folded, and adhered with an adhesive layer on the rear face of a label for display except a part from which an electro-conductive tab of electrode as for a sealed port of the material.例文帳に追加

可撓性の外装材によって電池要素を封口した密閉型電池において、外装材の封口部は電極導電タブが引き出される部分を除いて、外装材の接合部は折り曲げられて表示用ラベルの裏面の接着層によって接着した密閉型電池。 - 特許庁

Or, the first thin film transistor is formed on the insulating substrate, the second thin film transistor is formed so as to interpose the inter-layer insulating film between itself and the first thin film transistor, and the first thin film transistor is electrically connected to the second thin film transistor through the contact hole formed in the inter-element insulating film.例文帳に追加

または、絶縁体基板上に第１層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第２層めの薄膜トランジスタが形成され、第１層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２層めの薄膜トランジスタと導通している。 - 特許庁

To provide a substrate for a solar cell, containing a resin in the constituting element of the same and optimum for the continuous formation of respective layers constituting the solar cell while capable of suppressing warpage due to the internal stress of a silicon film layer, and the solar cell employing the substrate for a solar cell as well as the manufacturing method of the solar cell.例文帳に追加

樹脂を構成要素に含み、太陽電池を構成する各層の連続形成に好適で、シリコン膜層の内部応力による反りの抑制が可能な太陽電池用基板、および該太陽電池用基板を用いた太陽電池、並びに該太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The package for electronic element storage comprises at least the base and the frame adhered to each other with an adhesive layer interposed, and has a recess which is 0.01 to 1.0 mm in width, and 0.01 to 0.5 mm in height at an outer peripheral part of a bottom surface of the frame.例文帳に追加

少なくとも、接着剤層を介して接着された基体と枠体とから成る電子素子収納用パッケージであって、該枠体の底面の外周部分に、巾０．０１〜１．０ｍｍ、高さ０．０１〜０．５ｍｍの凹部が存在することを特徴とする電子素子収納用パッケージ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of promoting step relaxation; capable of suppressing polishing residues of an embedding insulating film, peeling of capacitor lower electrode, and occurrence of scratches; and capable of reducing global step difference, in polishing an insulating layer for embedding the capacitor lower electrode of a capacitive element.例文帳に追加

容量素子の下部電極を埋め込む絶縁層の研磨に際して段差緩和が促進され、埋め込み用絶縁膜の研磨残り、下部電極の剥離、及びスクラッチの発生を抑制し、かつグローバル段差を低減させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The overall surface of an edge part of an optical surface (upper spherical surface in the drawing) except for specified width of it is covered with the thin film 11 on an upper spherical surface at the first stage to cover and work a resin layer on the upper spherical surface to form the composite optical element on the base material lens 6 made of glass.例文帳に追加

ガラス製の基材レンズ６は複合光学素子を形成するために上球面に樹脂層を被着加工する前段において、その上球面に予め薄膜１１が基材レンズ６の光学面（図の例では上球面）の縁部の所定幅を除く全面に被着されている。 - 特許庁

The filter element comprises a porous film or a porous layer with open cells which is obtained by mixing a polar solvent soluble polymer of 100 pts.wt. with a functional inorganic material of 20 to 500 pts.wt. in solid ratio, with an average diameter of the open cells being 30 μm or less.例文帳に追加

極性溶媒可溶性高分子材料１００重量部に対して機能性無機材料が固形分比で２０〜５００重量部混合されて得られる、連続気孔を有する多孔質膜又は多孔質層からなり、前記連続気孔の平均孔径が３０μｍ以下であるものとする。 - 特許庁

In an LED array 110, a metal wiring 150 having a belt-shaped part 154 which intersects a step-difference 116 and spans across the surface of a middle insulating film 140 and an exposed part of the surface of a diffusion mask layer 130 is formed on an electrode forming surface 118 in an LED element 110.例文帳に追加

ＬＥＤ素子１１０において，電極形成面１１８上には，段差１１６を横切りつつ中間絶縁膜１４０表面と拡散マスク層１３０表面の露出部分とにまたがる帯状部分１５４を有する金属配線１５０が形成される。 - 特許庁

The optical modulation element is such that a flexible thin film which is transparent to light to be modulated is provided opposite to a fixed electrode, the flexible thin film is deformed with an electromechanical action, and the transmissivity is varied, and the flexible thin film is formed in a single layer of an electrically conductive material.例文帳に追加

変調する光に対して透明な可撓薄膜を固定電極に対峙させて設け、この可撓薄膜を電気機械動作により変形させ、光の透過率を変化させる光変調素子であって、可撓薄膜を導電性材料により単層で形成した。 - 特許庁

In the spectroscopic module 1, a light absorption layer 6 having a light passage hole 6a for making light L2 advancing to a spectroscopic part 3 pass therethrough, and a light passage hole 6b for making light L2 advancing to a light detection part 4a of a light detection element 4 pass therethrough is formed integrally therewith by patterning.例文帳に追加

分光モジュール１では、分光部３に進行する光Ｌ１が通過する光通過孔６ａ、及び光検出素子４の光検出部４ａに進行する光Ｌ２が通過する光通過孔６ｂを有する光吸収層６がパターニングによって一体成形される。 - 特許庁

The carrier for developing the electrostatic latent image is characterized by being provided with a core material, and a resin coating layer which covers the core material, and that the maximum increased amount of content of iron element to all elements by etching becomes ≥0.0025 atm%/second and ≤0.025 atm%/second when the surface is etched for 240 seconds.例文帳に追加

芯材と、該芯材を被覆する樹脂被覆層と、を有し、表面を２４０秒エッチングした際に、エッチングによる全元素に対する鉄元素の含有量の最大増加量が、０．００２５ａｔｍ％／秒以上０．０２５ａｔｍ％／秒以下となることを特徴とする静電潜像現像用キャリア。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor epitaxial wafer is a semiconductor epitaxial wafer for light-receiving element for receiving electromagnetic waves of a wavelength of 1.8 μm or longer and 3.0 μm or shorter, and the centerline mean roughness Ra measured in the range of a length of 50 to 200 μm on the uppermost surface of the epitaxial layer of the semiconductor epitaxial wafer is 6 nm or lower.例文帳に追加

また、半導体エピタキシャルウェハは、波長が１．８μｍ以上３．０μｍ以下の電磁波を受信する受光素子用の半導体エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル層の最表面で、長さ５０〜２００μｍの範囲において測定した中心線平均粗さＲａが６ｎｍ以下である。 - 特許庁

An EL light emission distribution W_EL(x) of a luminescent layer in the organic EL element can be estimated based on fairly reliable data, for instance, measurement data I_EL(λ) of an EL spectrum, measurement data I_PL(λ) of a PL spectrum, calculation data η(λ, x) of light-taking-out efficiency.例文帳に追加

十分に信頼できる各データ、例えば、ＥＬスペクトルの測定データＩ_ＥＬ（λ），ＰＬスペクトルの測定データＩ_ＰＬ（λ），光取出し効率の算出データη（λ，ｘ）に基づいて、有機ＥＬ素子における発光層のＥＬ発光分布Ｗ_ＥＬ（ｘ）を推定することができる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal aligning agent that exhibits good liquid crystal aligning property, when applied to not only a TN (twisted nematic) and STN (super-twisted nematic) type but a vertical alignment liquid crystal display element and gives a liquid crystal alignment layer excellent in a voltage retention rate and image retention characteristics.例文帳に追加

ＴＮ型およびＳＴＮ型への適用はもとより、垂直配向型液晶表示素子へ適用した場合でも良好な液晶配向性を示し、且つ電圧保持率および残像特性に優れる液晶配向膜を与える液晶配向剤を提供すること。 - 特許庁

The pneumatic radial tire includes a carcass 1 as a skeleton which stretches toroidally between a pair of bead parts 11 and is structured so that at least one belt layer 2 formed by lining with rubber the steel cords consisting of a plurality of steel element wires is laid on the outside in radial direction of the crown part of the carcass.例文帳に追加

一対のビード部１１間でトロイド状に延びるカーカス１を骨格とし、カーカスのクラウン部ラジアル方向外側に、複数本のスチール素線から構成されるスチールコードをゴム引きしてなる少なくとも１層のベルト層２が配置された空気入りラジアルタイヤである。 - 特許庁

This light emitting device 11 is configured by forming an organic EL element 16 where an organic EL layer 14 is interposed between a transparent electrode 13 and an opposed electrode 15 as a light emitter 17, and provided with a plurality of first regions 19 and a second region 20 interposed between the first regions 19.例文帳に追加

発光装置１１は透明電極１３と対向電極１５との間に有機ＥＬ層１４が挟まれた有機ＥＬ素子１６を発光部１７とし、複数の第１の領域１９及び第１の領域１９に挟まれた第２の領域２０を備えている。 - 特許庁

The catheter is constituted of a metallic tubular body including a substrate part and a tip end part, which are formed with the same wire made of the alloy of Cu-Al-Mn and obligatory impurity element, and partially having the compatible phase tissue of two-layer structures, i.e., an α phase and a β phase.例文帳に追加

カテーテルであって、その金属管状体がＣｕ−Ａｌ−Ｍｎおよび不可避不純物元素から構成された合金からなる同一線で形成された基質部と先端部とを持ち、その少なくとも一部にα相とβ相の２層構造の混相組織を備えている。 - 特許庁

Protection layers 1a, 1b are formed and arranged to be congruent with upper faces of the measuring electrodes 3,4, in a sensor element having the protection layers 1a, 1b, a measuring system 2 having the first measuring electrode 3 and the second measuring electrode 4 engaged with each other comb-likely, and an insulating layer 5.例文帳に追加

保護層１ａ；１ｂと、櫛状に相互に係合する第１の測定電極３および第２の測定電極４を有する測定電極システム２と、絶縁層５とを有するセンサ素子において、保護層１ａ；１ｂを測定電極３，４の上面と合同に形成および配置する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a semiconductor chip, where the electrode part is sequentially formed on an element forming face 15a of a semiconductor substrate 15 via an interlayer insulating film 17, and a conductor member bonded to a Ni layer via a bonding member having electrical conductivity.例文帳に追加

半導体基板１５の素子形成面１５ａ上に、層間絶縁膜１７を介して、電極部が順に形成された半導体チップと、電気伝導性を有する接合部材を介して、Ｎｉ層と接合された導体部材とを備える半導体装置の構造を以下のようにする。 - 特許庁

To provide an inexpensive filler layer for solar battery modules that has improved adhesion properties with a solar battery element, can prevent moisture from entering into the case of a solar battery module, and can obtain the solar battery module, without using back protective sheets.例文帳に追加

本発明は、太陽電池素子との接着性に優れ、太陽電池モジュールとした場合における水分の浸入を防止することができ、背面保護シートを用いない太陽電池モジュールを得ることが可能である安価な太陽電池モジュール用充填材層を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A wavelength conversion layer for converting a part of visible light emitted by a semiconductor light emitting element includes a first phosphor having an emission peak in a predetermined visible light range and a second phosphor having an emission peak in each of the predetermined visible light range and a predetermined near infrared light range.例文帳に追加

半導体発光素子の発する可視光の一部を変換する波長変換層が、所定の可視光域に発光ピークを有する第１の蛍光体と、所定の可視光域と所定の近赤外光域にそれぞれ発光ピークを有する第２の蛍光体とを含む。 - 特許庁

There is provided a method for manufacturing the organic EL element which includes a process of forming an organic layer by adhering coating liquid prepared in an inert gas of a 5% or less moisture content and a 4,000 ppm or less oxygen concentration to a body to be treated, and by making a thin film of the liquid on the object.例文帳に追加

水分含有率５％以下、かつ、酸素濃度４０００ｐｐｍ以下の不活性ガス中で調製した塗布液を被処理体に付着し前記被処理体上で薄膜化させることによって有機層を形成する工程を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Coulombic fore is generated between a wafer W and the ceramic dielectric layer 4 by a DC power supply 12, the wafer W is attracted to a wafer- attracting surface 6, the resistance electrical heating element 3 is energized for generating heat from the wafer-attracting surface 6, and the attracted wafer W is heated.例文帳に追加

直流電源12によってウエハーＷとセラミックス誘電体層４との間にクーロン力を発生させ、ウエハーＷをウエハー吸着面６へと吸着し、抵抗発熱体３に通電してウエハー吸着面６から発熱させ、吸着されたウエハーＷを加熱する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electro-chemical element in which a high thickness electrode active material layer can be formed easily and simply, uniformly and with superb adhesiveness on a current collector, especially a perforated current collector having front-to-rear through-holes such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く高厚みの電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ti film 2 is formed on the surface of an alumina substrate 1, a Cu film 3 is formed in film thickness of 3-4 μm by an electroplating method using the Ti film 2 as a foundation layer, and a spiral inductor element I is formed by the pattern shape of the Cu film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１の表面にＴｉ膜２を形成した後、このＴｉ膜２を下地層としてＣｕ膜３を電気メッキ法によって３〜４μｍの膜厚に形成し、このＣｕ膜３のパターン形状によって例えば渦巻き形状のインダクタ素子Ｉを形成する。 - 特許庁

To provide a receiver element for a thermal dye transfer process, which includes a release agent providing excellent heat stability in extrusion, which is excellent in dye capture amount and retransfer resistance, and which is equipped with an image accepting layer enabling effective print in a thermal printer.例文帳に追加

押出時の優れた熱安定性を提供する剥離剤を含み、優れた色素取り込み量および再転写耐性を有し、しかもサーマル・プリンタ内で効果的にプリントすることができる画像受理層を備えた、感熱色素転写プロセスのための受理要素を提供する。 - 特許庁

The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.例文帳に追加

熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁

This light-emitting element has at least a light-emitting layer, including a light emitting material and a host material and in which lowest excitated triplet energy level of the host material is higher than the lowest excitated triplet energy level of the light emitting material.例文帳に追加

発光材料とホスト材料とを含有する発光層を少なくとも有し、発光極大波長が５００ｎｍ以下であり、且つ前記ホスト材料の最低励起三重項エネルギー準位が前記発光材料の最低励起三重項エネルギー準位よりも高いことを特徴とする発光素子である。 - 特許庁

By executing corrugating work or embossing work to the capacitor element 10; a recessed and projected structure is imparted, the opposing area of a positive pole electrode body 12a and a negative pole electrode body 12b is increased, the internal resistance is reduced, and the characteristics of the electric double-layer capacitor due to the internal resistance are improved.例文帳に追加

キャパシタ素子１０に、コルゲート加工やエンボス加工を施すことで、凹凸構造を付与し、正極電極体１２ａと負極電極体１２ｂとの対向面積を増加させ、内部抵抗を低減させ、内部抵抗に起因する電気二重層キャパシタの特性を向上する。 - 特許庁

Then, the electric double layer capacitor 18, by using the electric energy, operates the circuit of modulation/demodulation circuit 11, CPU 12, memory 13, controller IC 14, driver IC 15 and the like, and rewrites information to be displayed on a display element 16 using a cholesteric liquid crystal, a ferroelectric liquid crystal or the like.例文帳に追加

そして電気二重層キャパシタ１８は、この電気エネルギを用いて変復調回路１１、ＣＰＵ１２、メモリ１３、コントローラＩＣ１４、ドライバＩＣ１５等の回路を動作させ、また、コレステリック液晶や強誘電性液晶等を用いた表示素子１６に表示する情報の書き換えを行う。 - 特許庁

To cope with this problem, the end side face is taper shaped with two stages unlike a conventional single face taper shape and the end side faces of p and n layers in the photoelectric conversion layer are not placed on the same surface, resulting in leak current reduction in the photoelectric conversion element.例文帳に追加

そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しない構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has its light extraction efficiency improved as compared with a configuration wherein only fine unevenness 109 is provided since a surface of an n-type layer 106 on the side of n-type electrodes 107 is subjected to unevenness processing in two stages of recessed portions 108 and fine unevenness 109 which differ in depth and width.例文帳に追加

発光素子１００は、ｎ型層１０６のｎ電極１０７側の面に、凹部１０８と微細な凹凸１０９とによる、深さ、幅の異なる２段階の凹凸加工が施されているため、微細な凹凸１０９のみを施した場合に比べて光取り出し効率が向上している。 - 特許庁

To provide a method for solving a display failure, such as stain/unevenness and image persistence due to a chromatographic phenomenon of an impurity coming from materials constructing a liquid crystal display device on an alignment layer surface, or that due to lowering of the voltage holding ratio, in a nematic liquid crystal display element.例文帳に追加

ネマチック液晶表示素子において、液晶表示装置を構成する材料由来の不純物の配向膜表面でのクロマト現象に起因するシミ・ムラ、焼き付き又は電圧保持率の低下に伴う表示不良などの表示不良を解決する方法を提供する。 - 特許庁

To lower element resistance by broadening the current path width specified by the width of an active mesa stripe top, including an active layer of an optical semiconductor device having a current restricting structure, thereby improving the operating speed, the operating efficiency, the high-temperature operation characteristics, the high power operation characteristics, the modulation band, etc.例文帳に追加

電流狹窄構造を有する光半導体装置において、活性層を含む活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減し、動作速度、動作効率、高温動作特性、高出力動作特性、変調帯域等を向上する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an insulated gate bipolar transistor (IGBT) (semiconductor element) 11 mounted on an electrical circuit; a circuit pattern 21 that is formed on an electrical circuit 100 and electrically connected to the IGBT 11; and a connection layer 30 that is interposed between the IGBT 11 and the circuit pattern 21 and connects them electrically.例文帳に追加

電気回路に実装されるＩＧＢＴ（半導体素子）１１と、電気回路１００に形成されＩＧＢＴ１１との間で電気的に接続される回路パターン２１と、ＩＧＢＴ１１と回路パターン２１との間に介在して両者を電気的に接続する接続層３０と、を備える。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistance element, a reproducing head, and a record reproduction system which have proper values for S/N and bit error rate, in comparison to conventional structures, and allow sensing current to flow accurately, as well as longitudinal bias to be applied accurately to a free layer.例文帳に追加

従来構造と比較して再生出力、Ｓ／Ｎ、及びビットエラーレートの値が良好で磁気抵抗効果膜部をセンス電流がきちんと流れることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加することを両立することができる磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。 - 特許庁

To prevent a metal intermediate layer of a sheath body from contacting a lead tab for a terminal, in a power storage element with a lead tab for a positive electrode terminal and a lead tab for a negative electrode terminal drawn out via a heat seal part in an outside of the sheath body formed by heat-sealing a laminate film.例文帳に追加

ラミネートフィルムがヒートシールされて形成された外装体の外部に、ヒートシール部を介して正極端子用リードタブおよび負極端子用リードタブが引き出された蓄電素子において、外装体の金属製中間層と端子用リードタブの接触を防止する。 - 特許庁

In the optical fiber cable layer 7 having the mirror converting incident light from a vertical direction in a core in the optical path in a core end, the mirrors are concave mirrors 4 and 6, and the focal distance is substantially accorded with a distance up to the light emitting point of a light emitting element 40 installed in the vertical direction.例文帳に追加

垂直方向からの入射光をコア内に光路変換するミラーをコア端部に有する光配線層７において、該ミラーが凹面鏡４、６であり、かつ、その焦点距離が垂直方向に設置する発光素子４０の発光点までの距離とほぼ一致させる。 - 特許庁

The pieces of the electrode wiring 19a and 19b connected electrically to the lower electrode 6a or the upper electrode 6c upward of the capacity element 6 from among each wiring 12, 19a and 19b are provided in an n+1-th layer interlayer insulating film 15 provided on the interlayer insulating film 8.例文帳に追加

各配線１２，１９ａ，１９ｂのうち、容量素子６の上方で下部電極６ａまたは上部電極６ｃに電気的に接続された電極用配線１９ａ，１９ｂは、層間絶縁膜８の上に設けられた第ｎ＋１層目の層間絶縁膜１５内に設けられている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element has a structure in which a plurality of compound semiconductor light-emitting units U that have a truncated cone shape and are made of a compound semiconductor having an active layer 232 serving as a light-emitting region are arranged via a reflective metal film 26 above a supporting substrate S having electrical conductivity.例文帳に追加

導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 - 特許庁

An optical waveguide substrate 10 to which an optical fiber 5 like an optical element is connected includes a core layer 32 which is formed above an upper surface 22a of a substrate 20 and serves as an optical waveguide to be optically connected to the optical fiber 5, and a guide part 40 formed above the upper surface 22a of the substrate 20.例文帳に追加

光素子のような光ファイバ５が接続される光導波路基板１０は、基板２０の上面２２ａの上方に形成された、光ファイバ５に光学的に接続する光導波路であるコア層３２と、基板２０の上面２２ａの上方に形成されたガイド部４０と、を備える。 - 特許庁

The package for storing the electronic element includes at least the base and frame joined together with the joining layer, and 30% or more of a bottom surface of the frame is inclined at an angle of 0.5 to 15° in the inside-outside direction of the frame.例文帳に追加

少なくとも、接合層により接合された基体と枠体とから成る電子素子収納用パッケージであって、該枠体の底面の３０％以上が、枠体の内側−外側方向に．０．５〜１５度の傾斜角度で傾斜していることを特徴とする電子素子収納用パッケージ。 - 特許庁

To prevent the occurrence of seal failure caused by the filling resin's covering the sealant in an organic electroluminescence (EL) display device in which an element substrate in which an organic EL layer is formed is sealed by a sealing substrate through a sealant and in which a display area is filled with a filling resin.例文帳に追加

有機ＥＬ層が形成された素子基板を、シール材を介して封止基板によって封止し、表示領域に充填用樹脂が充填された有機ＥＬ表示装置において、充填用樹脂がシール材を覆ってシール不良が発生することを防止する。 - 特許庁

A vapor deposition apparatus for producing an organic light emitting element is equipped with an organic compound layer on a substrate 1 having an electrode, wherein a film thickness correction plate 23 arranged between a vapor deposition source 20 and the substrate 1 is relatively moved in an X direction with respect to the substrate 1 together with the vapor deposition source 20.例文帳に追加

電極を有する基板１上に有機化合物層を備えた有機発光素子を製造する蒸着装置において、蒸着源２０と基板１の間に配置した膜厚補正板２３を蒸着源２０とともに基板１に対してＸ方向に相対的に移動させる。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a liquid crystal cell provided with a homogeneous alignment type liquid crystal layer containing liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy, a pair of polarizing plates provided on the outside of the liquid crystal cell and at least one phase difference compensating element and performs display in a normally black mode.例文帳に追加

正の誘電異方性を有する液晶分子を含む水平配向型の液晶層を備える液晶セルと、液晶セルの外側に設けられた一対の偏光板および少なくとも１つの位相差補償素子とを有し、ノーマリー・ブッラクモードで表示を行う。 - 特許庁