「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(336ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate 15 which is provided with the anode electrode 16 and a cathode electrode 17 at positions corresponding to the anode portion and a cathode layer at both ends of each capacitor element 13 as electrodes penetrating front and back surfaces of an insulator 18, is prepared, and the capacitor elements 13 are mounted on the substrate 15.例文帳に追加

コンデンサ素子１３の両端の陽極部及び陰極層に対応した位置に、絶縁体１８の表裏を貫通する電極として陽極電極１６と陰極電極１７とを設けた基板１５を用意し、基板１５に対してコンデンサ素子１３を搭載する。 - 特許庁

Next, these first and second substrates are stuck so that the elements arranged on the first substrate and the layer of adhesives provided on the second substrate are confronted and a laser beam is irradiated only on an element from which the releasing agent is eliminated from the back of the first substrate.例文帳に追加

次に、第１の基板上に配列された素子と第２の基板上に設けられた接着剤層とが対向するように、これら第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ、第１の基板の裏面側から離型剤を除去した素子にのみレーザを照射する。 - 特許庁

The state change promoting material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains at least one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

状態変化促進材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうち少なくとも１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

A method for manufacturing the light-emitting element includes a process for forming the irregularities on the first main surface of the A1_20_3 substrate by using the self-organization pattern of the block copolymer or the graft copolymer and a process for forming the light-emitting layer on the first main surface of the A1_20_3 substrate.例文帳に追加

発光素子の製造方法はブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの自己組織化パターンを用いて、Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面に凹凸を形成する工程と、前記Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面上に発光層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a sheath rod winding structure, where an sheath rod is wound along the periphery of an overhead transmission line, the sheath rod 10 is wound in the direction opposite to the direction of strand of element wires 2 which form the outermost layer of the transmission line 1, and this is suitable when the periphery is grasped by a clamp.例文帳に追加

架空送電線の外周に沿ってアーマロッドを巻き付けるアーマロッド巻付構造において、アーマロッド１０は、送電線１の最外層を形成する素線２の撚り方向と逆方向に巻き付けられているを特徴とし、外周がクランプによって肥持される場合に適している。 - 特許庁

In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.例文帳に追加

Ｓｉ基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、ｐ型ウエル１０２に固定電位を与えるｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５を素子分離層１０１の中に設け、ｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５とｐ型ウエルとの間に容量１０９を設ける。 - 特許庁

To provide a method for producing an R-T-B-based sintered magnet which suppresses a heavy rare-earth element RH from diffusing in the inner part of a main phase particle even in a surface layer region of a sintered magnet body and improves H_cJ without substantially reducing B_r, and to provide a production apparatus used for the method.例文帳に追加

焼結磁石体の表層領域においても重希土類元素ＲＨが主相粒内部に拡散することを抑制し、Ｂ_rを実質的に低下させずにＨ_cJを向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を製造する方法及びそれに用いる製造装置を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the luminous layers constituting the EL element are formed by a printing method and the viscosity of each luminous layer-forming paint for forming the above luminous layers is 0.5 cP or more and 500 cP or less.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ＥＬ素子を構成する発光層を印刷方式で成膜し、上記発光層を形成する各発光層形成用塗工液の粘度が、０．５ｃＰ以上５００ｃＰ以下であることを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Between an end 11B of an anode 11 of a first capacitor element acting as a first layer of laminated four capacitor elements and a first conductive pattern 51A of the printed board 50, a board connecting spacer 62 is provided including a spacer main body 62A made of a copper (Cu).例文帳に追加

積層される４つのコンデンサ素子の第１層をなす第１コンデンサ素子の陽極部１１の端部１１Ｂとプリント基板５０の第１の導電パターン５１Ａとの間には、銅（Ｃｕ）からなるスペーサ本体６２Ａを有する基板接続用スペーサ６２が設けられている。 - 特許庁

A pad of two-layer structure comprising at least two kinds of material, a TiN film 61 and an Al film 62, is provided on a semiconductor element 50 and a wiring 57 through an insulating film 59.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体素子５０や配線５７上に絶縁膜５９を介して、少なくとも２種類の材料、ここではＴｉＮ膜６１、Ａｌ膜６２の２層構造のパッドを備え、下層膜の材料のヤング率が上層膜の材料のヤング率より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element in which a p-type nitride semiconductor layer can be crystal-grown at a low temperature, when Mg is used as a p-type impurity, and the adhesion of an Mg compound on a piping connected to a reaction chamber for executing crystal growing can be suppressed.例文帳に追加

ｐ型不純物をＭｇとする場合に、ｐ型窒化物半導体層を低温度で結晶成長させることができるとともに、結晶成長を行う反応室に接続されている配管へのＭｇ化合物の付着を抑制することができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an acting electrode capable of manufacturing the acting electrode in which an increase in internal resistance due to the partial presence of an electrolyte when used for a photoelectric conversion element is prevented by a simple method, by eliminating nonuniformity of a surface irregularities of an oxide semiconductor porous layer.例文帳に追加

酸化物半導体多孔質層の表面凹凸の不均一性をなくし、光電変換素子に用いた場合に、電解液の偏在による内部抵抗の増大を防止した作用極を、簡便な方法で製造することができる作用極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal type element having a structure of forming a bridge of a thin layer on a cavity 30 provided in a substrate 20, includes: a function member whose size is changed with a temperature; and a size increase and decrease member 60 whose size is changed with a temperature so as to absorb the size change of the function member.例文帳に追加

基板２０に設けた空洞３０上に薄層を架橋する構造の熱型素子は、温度によって寸法が変化する機能部材と、機能部材の寸法の変化を吸収するように、温度によって寸法が変化する寸法増減部材６０と、を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for electrochemical element, in which an electrode active material layer can be formed simply, uniformly, and with good adhesion on a current collector, in particular, on a porous current collector having a through-hole front and rear such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12 contains a negative electrode active material 12A of particle-form containing a simple substance or a compound of an element capable of forming an alloy with Li, a binder 12B of particle-form containing a copolymer of vinilydene fluoride or polyvinylidene fluoride, and a conductive agent 12C.例文帳に追加

負極活物質層１２は、Ｌｉと合金を形成可能な元素の単体あるいは化合物を含む粒子状の負極活物質１２Ａと、フッ化ビニリデンの共重合体あるいはポリフッ化ビニリデンを含む粒子状の結着剤１２Ｂと、導電剤１２Ｃとを含有している。 - 特許庁

The dopant concentration of a scheduled region for forming the side surface of a trench for element isolation in an SOI layer 3 is made 1×10^18 cm^-3 or higher and the dopant concentration of a scheduled region for forming the side surface of a gate trench in the trench gate type MOS transistor is made under 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ＳＯＩ層３における素子分離用トレンチの側面の形成予定領域の不純物濃度を１×１０^18ｃｍ^-3以上にするとともにトレンチゲート型ＭＯＳトランジスタでのゲートトレンチの側面の形成予定領域の不純物濃度を１×１０^18ｃｍ^^-3未満にする。 - 特許庁

The optical filter circuit is provided with: an input-side optical fiber 11 and an output-side optical fiber 12 which face each other across a groove 13; and a band-pass type or band elimination type optical filter element 100 which is arranged in the groove 13 and includes a substrate 101 and a filter layer 102 provided on its surface.例文帳に追加

溝１３を介して対向する入力側光ファイバ１１及び出力側光ファイバ１２と、溝１３に配置され、基板１０１及びその表面に設けられたフィルタ層１０２を含むバンドパス型又はバンドエリミネーション型の光フィルタ素子１００とを備える。 - 特許庁

The roller covered with a shock absorbing material is constituted by pressure-fitting/forming a covering layer of the shock absorbing material on a surface by heating/contracting a heat contractable elastic element tube 2 on the surface of the belt conveyor roller 1 and by forming a recess/projection surface 3 on the surface of the roller 1.例文帳に追加

緩衝材被覆ローラを、ベルトコンベア用ローラ１の表面に熱収縮性弾性体チューブ２を加熱収縮させて上記表面に緩衝材の被覆層を圧着形成してなり、かつ上記ローラ１の表面に凹凸面３を形成することにより構成する。 - 特許庁

To solve a problem that it is very difficult to improve adhesion between a current collector and an active material by diffusing current collector component to the active material, in an electrode for electrochemical element where the active material layer that does not form chemical bond with the current collector is formed on the current collector directly.例文帳に追加

集電体と化学結合を形成しない活物質層が集電体上に直接形成されている電気化学素子用電極においては、集電体成分を活物質に拡散させて集電体と活物質との密着性を向上させることが非常に困難である。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, where an active layer 18 is formed between a semiconductor substrate 10 and a transparent conductive film 28, a small-gauge wire electrode 32 is formed while it is connected to an electrode pad 30, that is provided on the transparent conductive film 28 and is extended to an area near the end of the transparent conductive film 28.例文帳に追加

半導体基板１０と透明導電膜２８との間に活性層１８が形成された半導体発光素子において、透明導電膜２８上に設けられた電極パッド３０に接続され、透明導電膜２８の端近傍まで延びる細線電極３２を形成する。 - 特許庁

To provide a discharge controlling method of a liquid drop discharge head, with which uneven discharge caused by discharge characteristics of a nozzle is reduced and a liquid is discharged, a liquid discharging method, a color filter manufacturing method, an organic EL element manufacturing method, and an alignment layer manufacturing method.例文帳に追加

ノズルの吐出特性に起因する吐出ムラを低減して液状体を吐出することができる液滴吐出ヘッドの吐出制御方法、液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬ素子の製造方法、配向膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An electro-optic device is configured such that a sensor array region 12 in which a large number of pixels 20 having a photoelectric conversion section 22 and a switching element section 21 are formed is formed on the front surface 11a side of a substrate 11, and a conductor layer 16 for shielding is formed on the back surface 11b side of the substrate 11.例文帳に追加

基板１１の表面１１ａ側に光電変換部２２及びスイッチング素子部２１を有する画素２０が多数形成されたセンサアレイ領域１２を形成し、前記基板１１の裏面１１ｂ側にシールド用導電体層１６を形成した構成を有する。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, an organic layer having a luminescent region is formed between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加

発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層のうちの少なくとも一部が、例えば下記構造式（１）で表されるビス（バソフェナントロリン）（トルエンジチオレート）亜鉛錯体のような混合配位子錯体からなることを特徴とする、有機電界発光素子。 - 特許庁

To eliminate generation of charge leakage between vertically-adjacent light receiving sensors in reading the charge of light sensor to transfer to a vertical transfer register, and additionally can extend the electrode width be tween light receiving sensors of transfer electrodes on a second layer in a CCD solid-state image pickup element.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、受光センサ部から垂直転送レジスタへの電荷読み出し時における垂直方向に隣り合う受光センサ部間での電荷リークの発生をなくし、且つ２層目の転送電極の上記受光センサ部間における電極幅の拡大を可能にする。 - 特許庁

To provide an optical glass element shaping mold which has excellent durability, and exhibits a good release property between glass and itself in repeated shaping of phosphate glass having strong reactivity or a high softening point, and in which the adhesion strength between each of various mold base materials and a coating layer is high.例文帳に追加

反応性が強い、あるいは軟化温度が高い、リン酸塩ガラスの繰り返し成形において、ガラスと成形型の離型性が良好で、種々の成形型基材とコーティング層との密着強度が高く、耐久性に優れた光学ガラス素子成形型を提供することを目的とする。 - 特許庁

The solid state image sensor has a pixel region where pixels 38, each consisting of a photoelectric conversion part PD and a plurality of pixel transistors, are arranged two-dimensionally, and an element isolation region 41 which isolates between pixels formed in the pixel region and constituted of a semiconductor layer 43 embedded in a trench 42 by epitaxial growth.例文帳に追加

光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect memory element of multilayer film structure comprising two ferromagnetic layers 24 and 26 and a nonmagnetic layer sandwiched between, at least one of the ferromagnetic layers 24 and 26 is composed of an aggregate of crystal grains 31 and grain boundaries 32.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６とこれらの間に挟まれる非磁性体層とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、結晶粒３１および結晶粒界３２の集合体からなるものとする。 - 特許庁

A seed layer of a magnetic recording medium is formed with a sputtering target comprising an alloying element having solubility to tantalum (Ta) and a tantalum (Ta) phase of a body-centered cubicle ≤10 atom% at room temperature and mass susceptibility ≤1.5×10^-7m^3/kg on a substrate.例文帳に追加

磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ^3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。 - 特許庁

In this radiation exposure control indicator belt 1, a radiation discoloring composition containing layer 13 and/or a radiation detection element is fractionated in a lattice shape or in a stripe shape and simultaneously attached in accordance with a position on a fabric 10 wound around the position of a body where the radiation exposure dose is to be detected.例文帳に追加

放射線被ばく管理インジケータ帯１は、放射線被ばく量を検知すべき身体の位置に巻き付ける生地１０へ、放射線変色性組成物含有層１３および／または放射線検知素子が、格子状または縞状に分画されつつ該位置に合わせて付されている。 - 特許庁

A stimulating light source 22 is configured as an aggregate of a large number of semiconductor layer elements 22a, and a light emission plane 22b of each semiconductor laser element 22a is arranged on a circular arc along in the axial direction of the solid-state laser medium 1 to uniformly stimulate the plane 1a of the solid-state laser medium 1.例文帳に追加

励起光源２２を多数の半導体レーザ素子２２ａの集合体として構成するとともに、固体レーザ媒質１の励起面１ａが均一に励起されるよう、各半導体レーザ素子２２ａの発光面２２ｂを固体レーザ媒質１の軸方向に沿う円弧上に配設したものである。 - 特許庁

This liquid crystal-displaying element having a structure of nipping for holding the liquid crystal by a pair of base substrates and being equipped with at least an orientation-controlling layer, a transparent electrode and a polarizing plate is characterized by using a liquid crystalline composition obtained by incorporating ≥5 % compound having 1,4-bicyclooctanediyl group in the liquid crystal.例文帳に追加

一対の基板に液晶を狭持した構造を有し、少なくとも配向制御層、透明電極及び偏光板を備えた液晶表示素子において、液晶中に1,4-ビシクロオクタンジイル基を有する化合物を5%以上含有する液晶組成物を用いることを特徴とする。 - 特許庁

By forming the electroce non-formation sections of the specified width (h) at the ends in the wind-up direction of the first and second electrodes 12, 16, there is no short circuit generated between the first and second electrodes 12, 16 even if a difference in contraction is generated between each layer of the piezoelectric element laminated body when firing the laminated body.例文帳に追加

第１電極１２と第２電極１６の巻き上げ方向端部に所定幅ｈの電極非形成部を形成することで、焼成の際に圧電素子積層体の各層間に収縮差が生じても、第１電極１２と第２電極１６との間で短絡することがない。 - 特許庁

To achieve high-performance display with improved brightness by specifying arrangement of a reflective color selective layer, a reflective polarization selective plate, an optical path conversion element or the like, for obtaining a liquid crystal display device having a wide viewing angle and for reducing absorption loss by a polarizing plate and a color filter.例文帳に追加

広視野角な液晶表示装置を実現するために、偏光板，カラーフィルタによる吸収損失を低減するために、反射型色選択層，反射型偏光選択板，光路変換素子等の配置規定し、明るさを向上した高性能な表示の実現。 - 特許庁

In a process of forming the organic functional layer in a plurality of pixel regions 33 of element substrate 30 provided with the pixel regions 33, a vapor deposition boat 10 is used which is partitioned by a barrier rib BH coping with the plurality of pixel regions 33 and which has a plurality of material arranging parts 20 at which a heater 50 is installed.例文帳に追加

複数の画素領域３３を備える素子基板３０の画素領域３３に有機機能層を形成する工程で、複数の画素領域３３に対応して隔壁ＢＨにより区画され、ヒータ５０が設けられた複数の材料配置部２０を有する蒸着ボート１０を用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable manufacturing of an organic EL element which is superior in wetproofness and which has a superior productivity without a dark spot by being provided with a transparent conductive substrate in which there is no defect of a transparent electroconductive layer, and which is suitable for a roll winding working method, and which is superior in the wetproofness.例文帳に追加

本発明の課題は、透明導電層の欠陥がなく、ロール巻取り工法に適し、耐湿性に優れた透明導電性基材を提供することにより、ダークスポットがなく耐湿性に優れ生産性の良い有機ＥＬ素子の製造を可能とするものである。 - 特許庁

An insulating film 11 is provided in a region from the top face of a word line 5x which is the closest to a plurality of the first injection diffusion layers 7a among a plurality of the word lines 5 to the end of the first injection diffusion layer 7a side of the diffusion bit line 2 and the element isolation region 8.例文帳に追加

複数のワード線５のうち、複数の第１の注入拡散層７ａに最も近いワード線５ｘの上面上から拡散ビット線２の第１の注入拡散層７ａ側の端部上及び素子分離領域８上に至る領域に絶縁膜１１が設けられている。 - 特許庁

In this application, a light emitting element is formed by carrying out deposition while moving a deposition source toward a large-area substrate 100 equipped with a pixel part (or a driving circuit) having TFTs using, as an active layer, an amorphous semiconductor film, a semiamorphous semiconductor film or an organic semiconductor film.例文帳に追加

本発明は、アモルファス半導体膜、セミアモルファス半導体膜、または有機半導体膜を活性層とするＴＦＴを備えた画素部（または駆動回路）が設けられた大面積基板１００に向けて、蒸着源を移動させながら蒸着を行って発光素子を作製する。 - 特許庁

The laminated piezo-electric element has a ceramic laminated body 10 where a piezo-electric layer 11 and inside electrodes 21, 22 are laminated alternately and where a first side electrode 31 and a second side electrode 32 are located on the sides 101, 102 of the ceramic laminated body 10.例文帳に追加

積層型圧電体素子１は、圧電層１１と内部電極２１、２２とを交互に積層してなるセラミック積層体１０を有し、セラミック積層体１０の側面１０１、１０２に第１側面電極３１及び第２側面電極３２を設けた積層型圧電体素子である。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, an organic layer having a luminescent region is formed between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加

発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層のうちの少なくとも一部が、例えば下記構造式（１）で表される（フェナントロリン）（ベンゼンジオレート）白金錯体のような混合配位子錯体からなることを特徴とする、有機電界発光素子。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, an organic layer having a luminescent region is formed between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加

発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層のうちの少なくとも一部が、例えば下記構造式（１）で表される（フェナントロリン）（トルエンジチオレート）白金錯体のような混合配位子錯体からなることを特徴とする、有機電界発光素子。 - 特許庁

An ink jet head using a silicon wafer is formed on the major surface (110) thereof with an etching stop layer 350 composed of a material represented by SiXm (X is an element selected from among a group of O, N and C; m is an arbitrary number).例文帳に追加

シリコンウェハを用いたインクジェットヘッドであって、（１１０）面を主表面とするシリコンウェハ表面に、ＳｉＸ_m （Ｘは、Ｏ、ＮおよびＣからなる群から選ばれるいずれかの元素；ｍは任意の数）で表わされる材料からなるエッチングストップ層３５０が形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, an organic layer having a luminescent region is formed between a positive electrode and a negative electrode.例文帳に追加

発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層のうちの少なくとも一部が、例えば下記構造式（１）で表される（バソフェナントロリン）（トルエンジチオレート）亜鉛錯体のような混合配位子錯体からなることを特徴とする、有機電界発光素子。 - 特許庁

When the retrograde well 3 is formed in an nMOS with a low dielectric strength deeper than an element separation insulating film, this semiconductor device has a punch-through top layer which is formed deeper than a channel region 12 and shallower than the retrograde well 3 into the same conduction type with the retrogade well 3.例文帳に追加

低耐圧なｎＭＯＳに、素子分離絶縁膜よりも深くまで形成されたレトログレードウェル３が備えられている場合に、チャネル領域１２よりも深く、かつレトログレードウェル３よりも浅くに、レトログレードウェル３と同じ導電型で構成されたパンチスルーストップ層１０を備える。 - 特許庁

To provide a III-V mixed crystal semiconductor of good crystalline by improving efficiency by which N is brought in, together with a method for manufacturing it, and to provide a semiconductor light-emitting element with III-V mixed crystal semiconductor as a light-emitting layer together with the method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明はＮの取り込まれ効率を向上させて結晶性の良好なIII −Ｖ族混晶半導体、III −Ｖ族混晶半導体の製造方法、III −Ｖ族混晶半導体を発光層とする半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁