「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(334ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element for performing control in a shape of a process at the time of the formation of a ridge stripe and control in etching depth, and for preventing the deterioration of a characteristic and a yield caused by the existence of an ending point detecting layer.例文帳に追加

リッジストライプ形成の際の加工形状の制御性とエッチング深さの制御性とを両立させることができ、かつ、終点検出層が存在することによる特性劣化や歩留りの低下を防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor light-emitting element capable of preventing light absorption on an SiC substrate, easily removing ohmic contact at a side opposite to a side where a nitride semiconductor crystal is laminated on the SiC substrate, and preventing a semiconductor layer containing In from being broken down.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の光吸収が起こらないようにし、ＳｉＣ基板の窒化物半導体結晶を積層する側とは反対側のオーミックコンタクトを取りやすくするとともに、Ｉｎを含む半導体層の破壊を防止することができる窒化物半導体発光素子の製造を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring inspection element for inspecting the state of wiring in a semiconductor integrated circuit having multilayer interconnection, capable of high precision detection of the state (anomaly such as wire breaking or thinning) of the uppermost wiring of the semiconductor integrated circuit (the wiring most susceptible to the level difference in the underlying layer wiring).例文帳に追加

多層配線を有する半導体集積回路の配線の状態を検査する配線検査素子として、半導体集積回路の最も上側の配線（下地配線の段差の影響を受けやすい配線）の状態（断線や細り等の異常）を精度良く検出できるものを提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based LED device capable of improving a thermal resistance characteristic and reliability by using, as an adhesive layer, a plurality of metallic layers each formed of a single element in joining an LED chip to a submount, and applying a soldering process to each of them.例文帳に追加

ＬＥＤチップとサブマウントとの接合時、単一元素よりなる複数の金属層を接着層として用いて各々に半田付け工程を適用することによって、熱抵抗特性及び信頼性を向上することができる窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法を提供する - 特許庁

Each light emitting element U comprises a light emitter 20 composed by the lamination of a plurality of functional layers including a light emitting layer 23 which emits light when a current is applied, and a first wiring 11 (a positive pole) and a second wiring 12 (a negative pole) which face each other while sandwiching the light emitter 20.例文帳に追加

各発光素子Ｕは、電流の供給により発光する発光層２３を含む複数の機能層を積層してなる発光体２０と、当該発光体２０を挟んで相互に対向する第１配線１１（陽極）および第２配線１２（陰極）とを備える。 - 特許庁

In the light-emitting element comprising the light-emitting layers, layered and formed between electrodes, optical distances from each light-emitting layer to the electrodes are set to be odd number multiples of 1/4 wavelength, respectively, by the film thicknesses of layers disposed among the light-emitting layers and electrodes, and light extraction efficiency is enhanced.例文帳に追加

電極間に積層されて形成された発光層からなる発光素子においては、各発光層と電極との光学的距離をそれらの間に設けられた層の膜厚によりそれぞれ１／４波長の奇数倍とし、発光取り出し効率を高めることを特徴とする。 - 特許庁

This element is obtained by arranging the light-emitting layer 3, by applying an obtained dispersive liquid onto the base board by a wet method by respectively dispersing the organic EL material, having the luminescent colors of red, green, and blue thereby making polyvinyl carbazole dissolve in toluene at a rate of 3 wt.% or more.例文帳に追加

この素子は、トルエンに、ポリビニルカルバゾールを３重量％以上の割合で溶解させ、そこに赤、緑および青の発光色を有する有機ＥＬ材料をそれぞれ分散させ、得られた分散液を、基板上に湿式法により塗布し発光層３を設けることにより得られる。 - 特許庁

This conductive liquid crystal element is composed, by forming at least two first liquid crystal layers between two facing electrodes and by forming a second conductive liquid crystal layer 14, having a phase transition temperature to an isotropic phase which is lower than that of the first liquid crystal between the first oriented liquid crystal layers 13 and 15.例文帳に追加

二枚の対向した電極間に少なくとも二つの第一の液晶層を形成し、該第一の配向性液晶層１３，１５の間に第一の液晶よりも等方相への相転移温度が低い第二の導電性液晶層１４を形成してなる導電性液晶素子。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a surface layer of Si dope without affecting a device characteristic even though VI element such as Se attaches on the surface of an epitaxial by memory effect, or removing the surface in a very high Se concentration caused by the memory effect before proceeding to a device forming process.例文帳に追加

エピタキシャル表面にメモリー効果でＳｅ等のＶＩ族元素が付着しても、デバイス特性に影響を与えないＳｉドープの表面層を形成するか、メモリー効果によって表面のＳｅ濃度が非常に高くなっていても、その部分をデバイス作成プロセスに入る前に予め除去する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element and a method of manufacturing the same in which an organic binder is made easy to be removed (defatted) even if oxygen partial pressure is low, the time needed for the defatting is shortened while oxidation of Cu of an electrode layer is suppressed during defatting to improve the productivity, and piezoelectric characteristics are maintained.例文帳に追加

酸素分圧が低くても有機バインダが除去（脱脂）され易くなり、脱脂の際の電極層のＣｕの酸化を抑制しつつ、脱脂に要する時間を短縮して生産性を向上させ、圧電特性を維持した圧電素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element operating method that can improve the speed of stabilizing the charges and re-coupling electrons and holes, reduce or prevent the reverse charges remaining in the charge trap layer in a programmed state and erased state, and secure the stabilized programmed state and erased state.例文帳に追加

電荷の安定化及び電子と正孔との再結合速度を向上させ、プログラム状態や消去状態で、反対電荷が電荷トラップ層内に残っていることを減らしたりまたは防止し、プログラム／消去状態の安定性を確保させる不揮発性メモリ素子の作動方法を提供する。 - 特許庁

In another embodiment, this light-emitting element contains a group III nitride semiconductor active region, having at least one barrier layer doped uniformly with an impurity or doped with the impurity, in a state where the concentration of the impurity changes in stepwise manner in a direction substantially perpendicular to the active region.例文帳に追加

別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも１つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。 - 特許庁

In short, contact with the semiconductor layer 91 employed as a separating structure between the main element unit 81 of the chip and the current sensing unit 82 is effected through the trench contact 93 whereby an effective contact area is enlarged without increasing the number of contact for preventing latch-up rupture.例文帳に追加

つまり、チップのメイン素子部８１と電流センス部８２との分離構造として用いる半導体層９１へのコンタクトをトレンチコンタクト９３とすることにより、ラッチアップ破壊防止用コンタクトの数を素子面方向に増やすことなく実効的なコンタクト面積を拡大させる。 - 特許庁

The image display element has an inorganic thin film layer formed by a vapor deposition process on a base material film having a glass transition temperature of 150 to 400°C and a coefficient of linear thermal expansion of 40 ppm/°C or less.例文帳に追加

ガラス転移温度が１５０〜４００℃、線熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下である基材フィルム上に、蒸着法により形成した無機薄膜層を有するガスバリア性フィルム、該ガスバリア性フィルムからなる基板、及び該バスバリア性を有することを特徴とする画像表示素子。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 10 includes: the crystal substrate 1 as the piezoelectric substrate; an IDT electrode 2 and reflector electrodes 3a, 3b formed on a front face 1a of the crystal substrate 1; and a diamond layer 5 as a reflection section formed on a rear face 1b of the crystal substrate 1.例文帳に追加

弾性表面波素子１０は、圧電基板としての水晶基板１と、この水晶基板１の表面１ａ上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと、水晶基板１の裏面１ｂ上に形成された反射部としてのダイヤモンド層５とを備えている。 - 特許庁

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The rare-earth magnet 1 can be obtained by forming the protection layer 4 so that, after the magnet element assembly 2 is processed with a first processing agent containing metal ions and subsequently a second processing agent having a different pH from the first processing agent, the inorganic particles 6 separated thereby are covered.例文帳に追加

この希土類磁石１は、磁石素体２を、金属イオンを含む第１の処理液、及び、第１の処理液とは異なるｐＨを有する第２の処理液で順に処理した後、これによって析出した無機粒子６を覆うように保護層４を形成することで得ることができる。 - 特許庁

An inductance element 10 includes a magnetic substance substrate 16, a coil 12a formed on the surface of the magnetic substance substrate 16 with a conductor, and a magnetic substance layer 18 formed by an aerosol deposition method so as to embed the coil 12a on the magnetic substance substrate 16.例文帳に追加

インダクタ素子１０は、磁性体基板１６と、導電体によって磁性体基板１６の面上に形成されたコイル１２ａと、磁性体基板１６上にコイル１２ａを埋め込むようにエアロゾルデポジション法によって形成された磁性体層１８とから構成される。 - 特許庁

Resin containing a plurality of conductive particles is made in contact with a wiring layer selectively formed on a main surface of a circuit board (a step S1), and the main surface of the circuit board and an electrode pad arranged on a main surface of the semiconductor element are made to face each other through the resin (a step S2).例文帳に追加

回路基板の主面に選択的に形成された配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させ（ステップＳ１）、前記樹脂を介して、回路基板の主面と半導体素子の主面に配置された電極パッドとを対向させる（ステップＳ２）。 - 特許庁

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

Even if an oscillating circuit, etc., provided in the circuit-element-forming region of the silicon substrate 11 crosses with the re-wiring 20, generation of crosstalks is prevented by the grounding electric potential layer 16, and restriction by the placement of the re-wiring 20 is prevented.例文帳に追加

そして、シリコン基板１１の回路素子形成領域内に設けられた発振回路等と再配線２０とがクロスしても、接地電位層１６によりクロストークが発生しないようにすることができ、ひいては再配線２０の配置に制約を受けないようにすることができる。 - 特許庁

To provide an organic elecroluminescence element capable of using an inexpensive, stable metal usually used as a circuit forming material as a cathode material, with a low energy barrier in electron injection into an organic layer, low driving voltage, high efficiency, and high brightness.例文帳に追加

従来から配線材として一般に用いられてきた安価で安定な金属を陰極材料として用いることができ、有機層への電子注入におけるエネルギー障壁が小さく、駆動電圧が低く、高効率、高輝度の有機エレクトロルミネッセント素子を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode of an insulation gate electric field effect transistor, constituting a peripheral circuit in a logical operation circuit area by patterning the first conductive layer in the logical operation circuit area, is formed while a dummy gate electrode is formed above the element separating area in the logical operation circuit area.例文帳に追加

ロジック回路領域内の第１導電層をパターニングしてロジック回路領域内に周辺回路を構成する絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成するとともに、ロジック回路領域内の素子分離領域の上方にダミーゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide a fixing device having a fixing belt with a resistance heating element layer, using less number of temperature sensors having a wide detection viewing angle, at a low cost, without reducing detection accuracy of an abnormal heat generation part of the fixing belt.例文帳に追加

抵抗発熱体層を有する定着ベルトを有する定着装置において、広い検出視野角を有する温度センサを利用することにより、温度センサの個数を少なくしてコストダウンを図りつつ、定着ベルトにおける異常発熱部の検出精度が劣化しないようにする。 - 特許庁

Also, a ferrorelectric film 13 is provided on the film 11 via a lower electrode 12 formed of a conductive oxide film, thereby enabling to keep oxygen concentration of a ferroelectric capacitance element layer high and the generation of oxygen missing in the film 13 can be prevented.例文帳に追加

また、水素化窒化シリコン膜１１の上に導電性酸化膜により形成された下部電極１２を介して強誘電体膜１３を設けることにより、強誘電体容量素子層の酸素濃度を高く保つことができ、強誘電体膜１３における酸素欠損の発生を防止できる。 - 特許庁

The heat resistant inorganic oxide preferably consists of an oxide containing at least one of CeO2 and ZrO2, or of Al2 O3, and the second coating layer preferably contains at least one element selected from a group consisting of Ba, Ca, Cs, K, Mg, and La.例文帳に追加

好ましくは、耐熱性無機酸化物を、ＣｅＯ_2 およびＺｒＯ_2 のうちの少なくとも一方を含む酸化物、またはＡｌ_2 Ｏ_3 により構成し、また、第２被覆層に、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｓ、Ｋ、Ｍｇ、およびＬａからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含ませた。 - 特許庁

In a magnetoresistive element, electrodes disposed on both sides of a single-crystal MgOx(001) or oxygen vacant poly-crystal MgOx (0<x<1) layer 503 in which the (001) crystal plane is preferentially oriented comprise an amorphous ferromagnetic alloy, such as CoFeB layers 501 and 505.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。 - 特許庁

In the piezoelectric pump 20, the piezoelectric vibrator 10 and a driver circuit board are connected via a FPC substrate, and the FPC substrate includes an annular electrode conductive to a surface opposite to the shim of the piezoelectric element layer at the pump chamber side and at least partially overlapping with the O-ring in a plane view along the whole circumference.例文帳に追加

圧電振動子とドライバ回路基板とが、ＦＰＣ基板を介して接続されており、該ＦＰＣ基板が、ポンプ室側の圧電体層のシムと反対側の面に導通しかつ平面的に見てＯリングとその全周に沿って少なくとも一部が重なる環状電極を有する圧電ポンプ。 - 特許庁

The heat-resistant filter element used for separating and collecting fine particles is constituted by forming a coating layer of a fluororesin on the surface of an open-cell porous member, which is obtained by heating and baking a mixture prepared by compounding 30-60 wt.% of an inorganic filler with polyphenylene sulfide.例文帳に追加

微粒子を分離捕集するために用いる耐熱性フィルタエレメントであって、ポリフェニレン・サルファイドに対して無機フィラーを３０〜６０重量％の割合で配合した混合物を加熱焼結して得た連通多孔体の表面に、フッ素樹脂のコーティング層を形成した。 - 特許庁

To enable to have an electrode connecting part suitably exposed without the use of protective film forming by metal mask or a wet process, in a manufacturing method of an organic EL element where, an electrode and an organic layer are coated with a protective film and the electrode connecting part is made exposed from the protective film.例文帳に追加

電極及び有機層を保護膜で被覆し、当該保護膜から電極接続部を表出させるようにした有機ＥＬ素子の製造方法において、メタルマスクによる保護膜成膜やウェットプロセスを用いることなく、電極接続部を適切に表出させることができるようにする。 - 特許庁

The liquid crystal composition has ≤320 nm maximum absorption wave length, and ≥10 GΩcm initial value of the specific resistance of a liquid crystal layer in a liquid crystal element.例文帳に追加

最大吸収波長が３２０ｎｍ以下であり、かつ、液晶光学素子中における液晶層の比抵抗の初期値が１０ＧΩｃｍ以上の液晶組成物、特に、一般式（１）で表される１種類以上の化合物を９０重量％以上含む液晶性組成物。 - 特許庁

Since the bamboo-made thin plate material 12 itself is an insulation, a conductive layer 16 into which carbon powder is impregnated is formed on the surface of the bamboo-made thin plate material 12 in order to take out electrode terminals from the electrode films 22b, 24b of the piezoelectric element 10 on the bamboo-made thin plate material 12 side.例文帳に追加

竹製薄板材１２そのものは絶縁体であるので、圧電素子１０における竹製薄板材１２側の電極膜２２ｂ，２４ｂから電極端子を取り出すために、竹製薄板材１２の表面に炭素粉末を含浸させた導電層１６を形成している。 - 特許庁

In an element 101 having first and second conductivity type layers 1 and 2 sandwiching an emission layer 3, a light emitting structure sandwiched by electrodes provided on the first and second conductivity type layers has first and second light emitting structures wherein the second light emitting structure has a region partially sandwiched by first and second electrodes.例文帳に追加

第１，２導電型層１，２とその間に発光層３を有する素子１０１において、該第１、２導電型層に設けられた電極ではさまれた発光構造部が、第１と２を有し、第二発光構造部は、一部だけ第１、２電極ではさまれた領域を有する。 - 特許庁

The carbon layer is formed by: generating a carbon plasma beam with arc discharge using graphite as a cathode; bending the orbit with a magnetic field; and irradiating either of a pair of substrates forming a liquid crystal display element with the carbon plasma beam from a direction inclined with respect to the substrate surface.例文帳に追加

グラファイトをカソードとするアーク放電によって炭素プラズマビームを発生させ、磁場によって軌道を曲げ、前記炭素プラズマビームを液晶表示素子を形成する一対の基板のいづれかに、基板の面に対して斜めの方向から照射することにより、カーボン膜を形成する。 - 特許庁

An ink channel part 12 provided with an ink ejection opening 20 and a second ink chamber 64, and a substrate section 14 provided with a heating resistor element 24, an ink supply opening 44 and a first ink chamber 62 are fabricated independently on a dummy substrate 50 through a resist layer 52.例文帳に追加

ダミー基板５０上にレジスト層５２を介して、インク吐出口２０と第２インク室６４とが形成されたインク流路部１２と、発熱抵抗素子２４とインク供給口４４と第１インク室６２とが形成された基板部１４とを各々別々に製造する。 - 特許庁

The translucent reflecting layer for an optical information recording medium comprises an Al-based alloy containing at least one kind of element selected from a group composed of Ti, Ta and Cr by 0.2 to 3.0 at.% in total and has excellent durability.例文帳に追加

Ｔｉ，Ｔａ，及びＣｒよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．２〜３．０％（原子％の意味、以下同じ）含有するＡｌ基合金で構成されていることに要旨を有する耐久性に優れた光情報記録媒体用の半透明反射層。 - 特許庁

A piezoelectric element 17 formed on the plane of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 includes a piezoelectric member 31, consisting of an upper piezoelectric member 34 and a lower piezoelectric member 35 stacked each other, and an electrode layer 33, 36, 37 for generating an electric field applied to the piezoelectric member 31.例文帳に追加

圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子１７は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備える。 - 特許庁

To prevent the increase in DC drift of an optical waveguide element in which opening part formed by etching a buffer layer and exposing the primary face of a substrate is located at least between electrodes on which a DC bias is applied for the purpose of controlling an operating point.例文帳に追加

バッファ層をエッチングして基板の主面を露出することにより形成される開口部が、少なくとも動作点制御のためにＤＣバイアスが印加される電極を構成する電極間に位置する構造を有する光導波路素子の、ＤＣドリフトの増大を防止する。 - 特許庁

To provide a green light emitting composition which can give an organic electroluminescent element capable of initiating light emission at a low voltage and having high luminous intensity, high luminous efficiency and high durability, and which can easily form an organic material layer by a wet process.例文帳に追加

発光開始電圧が低く、発光輝度および発光効率が共に高く、高い耐久性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができ、しかも、有機材料層を湿式法により容易に形成することができる緑色系の発光性組成物を提供すること。 - 特許庁

The method is for manufacturing the organic EL display device provided with an organic EL element having a first electrode and second electrode formed on a substrate and at least one of which is transparent, and an organic light-emitting layer formed between the first electrode and second electrode for emitting light when a current is applied.例文帳に追加

基板の上に形成され、少なくとも一方が透明な第一電極及び第二電極と、該第一電極と該第二電極との間に形成され電流印加により発光する有機発光層とを有する有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法である。 - 特許庁

This light emitting element is provided with a base material 100; a transparent electrode 120 formed on the base material 100; a luminescent material layer 140 provided on the transparent electrode 120 and having at least one corrugated surface; and an electrode 160 formed on the luminescent material.例文帳に追加

基材１００、前記基材１００上に形成された透明電極１２０、該透明電極１２０上に設けられ少なくとも１つの波型表面を有する発光材料層１４０、および該発光材料上に形成された更なる電極１６０を具備する発光素子。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaN thin film for growing high quality GaN on a large area substrate by utilizing an electrode layer suspended on the substrate, and to provide a GaN thin film structure manufactured by the method, and a semiconductor element containing the GaN thin film structure.例文帳に追加

基板上に懸架されている電極層を利用して大面積基板上に高品質のＧａＮを成長させるＧａＮ薄膜の製造方法、前記方法で製作されたＧａＮ薄膜構造物及び前記ＧａＮ薄膜構造物を含む半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the patterning method of a substrate for the display element having a gas barrier layer formed of at least one organic region and at least one inorganic region, wet etching is carried out, and for the etching, etching liquid of weak acid or weak base is used.例文帳に追加

少なくとも１つの有機領域と、少なくとも１つの無機領域とからなるガスバリア層を有する表示素子用基板のパターニング方法であって、ウェットエッチングを行い、かつ、該エッチングに、弱酸または弱塩基のエッチング液を用いることを特徴とする表示素子用基板のパターニング方法。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a liquid crystal display panel having a configuration of holding a liquid crystal layer between an array substrate and a counter substrate, wherein the array substrate is provided with a pixel electrode EP connected to a switching element W and a counter electrode ET opposing the pixel electrode EP via an interlayer insulation film.例文帳に追加

アレイ基板と対向基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、アレイ基板は、スイッチング素子Ｗに接続された画素電極ＥＰと、画素電極ＥＰと層間絶縁膜を介して対向する対向電極ＥＴと、を備えている。 - 特許庁

The present invention is related to a method for forming a storage electrode of a semiconductor element, and it is a technology of increasing the surface area of a storage electrode region by using especially a hard mask layer pattern and preventing the damage to an oxide film for the storage electrode and the bridge phenomenon between contacts.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、特にハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用は酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止することができる技術である。 - 特許庁