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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
This polymer actuator element includes at least the solvent and ion-exchange resin as polymer electrolyte between opposed metal electrodes, and is so constituted that the metal electrodes are composed of metal having a hydrogen storage capacity and/or a catalytic combustion capacity or a layer including metal having the hydrogen storage capacity and/or the catalytic combustion capacity is provided on the metal electrodes as a plating layer.例文帳に追加
対向する金属電極間に、少なくとも溶媒と高分子電解質としてのイオン交換樹脂とが含まれる高分子アクチュエータ素子において、金属電極を水素吸蔵能力及び/または燃焼触媒能力を有する金属で構成するか、若しくは金属電極上に水素吸蔵能力及び/または燃焼触媒能力を有する金属を含む層をメッキ層として設けた高分子アクチュエータ素子とする。 - 特許庁
A hydrogen storage alloy electrode which uses hydrogen storage alloy particles containing at least nickel and rare earth element is used for the negative electrode 2 of the alkaline storage battery, and a surface layer having more nickel contained than the inside of the hydrogen storage alloy particle is formed on the surface of the hydrogen storage alloy particle, and nickel particles having a particle size of 10-50 nm are made to exist in this surface layer.例文帳に追加
アルカリ蓄電池の負極2に、少なくともニッケルと希土類元素とが含有された水素吸蔵合金粒子を用いた水素吸蔵合金電極を使用し、上記の水素吸蔵合金粒子の表面に、水素吸蔵合金粒子の内部よりもニッケルが多く含まれる表面層を形成すると共に、この表面層に粒径が10〜50nmの範囲にあるニッケル粒子が存在するようにした。 - 特許庁
To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.例文帳に追加
銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a photovoltaic element having a wire electrode of metal wires coated with a conductive coating layer comprises a step of arranging the wire electrodes on a photovoltaic body and then removing the conductive coating layer partially or entirely, except for the joint of the wire electrode arranged on the photovoltaic body.例文帳に追加
導電性被覆層で被覆された金属ワイヤからなるワイヤ電極を有する光起電力素子の製造方法において、光起電力体上に前記ワイヤ電極を配設した後、前記光起電力体上に配設された前記ワイヤ電極の接着部以外の前記導電性被覆層の一部もしくは全てを除去する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor laser element 1 comprises an active layer 5 for emitting light by injecting carriers, an electrode 10 formed on a light radiating surface 9, a photonic crystal area existing on other region than just beneath the electrode 10 for diffracting light generated in the active layer 5 and emitting light in the vertical direction to the light radiating surface 9a, and a light emitting area just beneath the electrode 10.例文帳に追加
半導体レーザ素子1は、キャリアの注入により光を発光する活性層5と、光放出面9aに形成された電極10と、電極10の垂直真下以外に存在し、活性層5で発生した光を回折させるとともに光放出面9aに対して垂直な方向に光を発するフォトニック結晶領域と、電極10の垂直真下に存在する発光領域とを備えている。 - 特許庁
The organic electroluminescent display element 160 comprises a thin-film transistor array 174 formed on a substrate, a first electrode 200 connected to the thin-film transistor, at least one insulation film 180, 182 to expose the first electrode and partition pixels, an organic luminescent layer 178 overlapping the first electrode 200, and a second electrode 170 formed on the organic luminescent layer.例文帳に追加
【解決手段】本発明の有機電界発光表示素子160は、基板上に形成された薄膜トランジスタアレー174と、該薄膜トランジスターに接続された第1電極200と、該第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜180,182と、前記第1電極200に重なる有機発光層178と、該有機発光層上に形成された第2電極170を備えることを特徴とする。 - 特許庁
In this electroluminescent element, a luminescent layer is held between a pair of electrodes, and the luminescent layer is divided into at least three layers in its thickness direction.例文帳に追加
一対の電極間に少なくとも発光層を挟持してなる有機電界発光素子であって、前記発光層が厚み方向に少なくとも3層に分割され、陽極に近い発光層Aの厚み(a)、陰極に近い発光層Cの厚み(c)、および発光層Aと発光層Bの間の発光層Bの厚み(b)としたとき、一つの態様は、a<b<cであって、該分割された発光層間に電子ブロック材料を含有する中間層を有する。 - 特許庁
The method comprises the step of loading a semiconductor substrate into the reaction chamber for performing deposition, the step of charging nitrogen atmosphere gas which contains a nitrogen element decomposable at low temperature into the reaction chamber to generate a nitrogen atmosphere in the reaction chamber, and the step of charging silicon source gas and oxygen source gas into the reaction chamber to deposit a silicon oxide layer on the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体基板を蒸着工程の行われる反応チャンバ内にローディングする段階、前記反応チャンバ内に低温で分解可能な窒素元素を含む窒素雰囲気ガスを投入して前記反応チャンバ内を窒素雰囲気に形成する段階及び前記反応チャンバ内にシリコンソースガス及び酸素ソースガスを投入して前記半導体基板上にシリコンオキシド層を蒸着する段階を含む。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory.例文帳に追加
非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescence element where the upper electrode side of an organic layer has sufficient transmittance to emitted light in a configuration for taking out the emitted light from an upper electrode side used as a negative electrode, proper electron injection efficiency from the upper electrode side to the organic layer and hole blocking properties are ensured, and hence light-emitting intensity and a luminous life can be increased.例文帳に追加
陰極として用いられた上部電極側から発光光を取り出す構成において、有機層の上部電極側が発光光に対して充分な透過率を有すると共に、当該上部電極側から有機層への適正な電子注入効率と正孔ブロック性が確保され、これにより発光強度および発光寿命の向上を図ることが可能な、有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁
The photovoltaic element is achieved by forming an n-type semiconductor layer 3 composed of a material containing basic dyes with an electron receptive inorganic compound as a main component, between two electrodes (2, 5) of which at least one has translucency; and a p-type semiconductor layer 4 composed of a material containing an electron receptive compound with an electron donor organic compound as a main component.例文帳に追加
少なくとも一方が透光性を有する2つの電極(2,5)の間に、電子受容性無機物を主成分とし、塩基性染料を含有する材料から構成されたn型半導体層3と、電子供与性有機物を主成分とし、電子受容性化合物を含有する材料から構成されたp型半導体層4とからなるヘテロ接合半導体膜を形成し、光起電力素子とする。 - 特許庁
A photochromic layer 12 containing a photochromic compound composed of a 4,4'-bipyridine derivative is placed between a transparent substrate 11 arranged at the front side and a substrate 13 arranged at the back side to obtain a photochromic display element having a visible range absorption spectrum reversibly changing by the irradiation of light containing ultraviolet ray of 830 nm to cause the coloring or fading of the photochromic layer 12.例文帳に追加
4,4′−ビピリジン誘導体から構成されたフォトクロミック化合物を含むフォトクロミック層12を、表面側に配置された透明基板11と裏面側に配置された基板13との間に介在させ、波長830nmの赤外線を含む光を照射すると、可視光領域の吸収スペクトルが可逆的に変化してフォトクロミック層12が着消色するフォトクロミック表示素子として構成する。 - 特許庁
For the organic light emission element having a layer made of a plurality of organic compounds between a positive electrode 2 and a negative electrode 4, a hole transmission layer 5, made of polymerized hole transmission material, formed into a film and polymerized by wet painting method, is formed on the positive electrode 2, further, an electron conductive or light emitting organic compound is laminated by wet painting method.例文帳に追加
陽極2及び陰極4からなる一対の電極間に複数の有機化合物からなる層が挟持された構成を有する有機発光素子において、陽極2上に重合性の正孔輸送層材料を用い湿式塗布法で製膜・重合させて正孔輸送層5を設け、更に電子輸送性或いは発光性の有機化合物を湿式塗布法で積層したことを特徴とする。 - 特許庁
The manufacturing method of the piezoelectric element includes processes of forming a lower electrode 20 above a base 10; forming the dielectric layer by carrying out a pair of a first process of forming a laminar portion 311a above the lower electrode 20 and a second process of making the laminar portion 311a thin by chemical polishing once or a plurality of times; and forming an upper electrode above the dielectric layer.例文帳に追加
本発明にかかる圧電素子の製造方法は、基体10の上方に下部電極20を形成する工程と、下部電極20の上方に層状部311aを形成する第1工程、および、層状部311aを化学的機械研磨により薄くする第2工程の組を1または複数回行い、誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
The inductor element is composed of an inductor comprising as least one wiring layer with its wire wound spirally and two pieces of axisymmetrically spiral wire with two pieces of wound wire intersected concentrically, and a shield comprising a conductive layer which is formed without any electrical loop paths and is inserted between the inductor and the silicon substrate at the outer area from the inner side of the spiral wire.例文帳に追加
インダクタ素子は、配線がスパイラル形状に巻かれた少なくとも1つの配線層によって、かつ、2本の配線を同心状に交差させて巻いた線対称の2つのスパイラル形状配線から形成されたインダクタと、電気的なループ経路を持たない形状で、かつ、スパイラル形状の内側配線より外側の部分についてインダクタとシリコン基板との間に挿入された、導電体層からなるシールドとで構成される。 - 特許庁
To provide a laminated element for polishing, which can be used in a polishing pad capable of high speed polishing for giving high uniformity particularly in the case of low pressure polishing, and to solve the problem that in a conventional polishing pad having a polishing layer laminated on a cushion layer, scratches are easily formed on the surface of a workpiece when the surface of a comparatively soft material is polished.例文帳に追加
従来の、クッション層の上に研磨層を積層した研磨パッドの、比較的柔らかい材料の表面を研磨した場合に、被加工物表面にスクラッチが入りやすいという問題を解決するためのもので、その目的とするところは、特に低圧で研磨する場合においても、均一性の高い高速研磨が実現可能な研磨パッドに用いられる研磨用積層体を提供すること。 - 特許庁
In an organic photoelectric conversion element having a transparent electrode, a counter electrode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, the n-type organic semiconductor material of the bulk heterojunction layer is a composition where a crystalline fullerene derivative and an amorphous fullerene derivative are mixed at a ratio of 1:99 to 99:1.例文帳に追加
透明電極、対電極、及びp型半導体材料とn型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のn型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、1:99〜99:1の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁
The organic electroluminescence element including at least a light-emitting layer sandwiched with an anode and a cathode comprises at least a kind of phosphorescence-emitting organic metal complex, a light emitting layer thereof containing a Dendrimer structure as a partial structure, and at least a kind of phosphorescence-emitting organic metal complex that does not have the Dendrimer structure as a partial structure.例文帳に追加
陽極と陰極により挟まれた少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層がデンドリマー構造を部分構造として持つリン光発光性有機金属錯体の少なくとも1種類とデンドリマー構造を部分構造として持たないリン光発光性有機金属錯体の少なくとも1種類とを含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁
For the organic electroluminescent element comprising a pair of electrodes formed on a substrate, and at least a hole injection layer and one or more of organic layers, The hole injection layer is formed by using a solution composed by mixing an organic solution dissolving π-conjugated polymer and an organic solution dissolving a compound obtained by oxidizing the π-conjugated polymer.例文帳に追加
基板上に一対の電極を有し、かつ該電極間に少なくとも正孔注入層と一層以上の有機層を有する有機電界発光素子であって、π共役系高分子が溶解した有機溶液とこれを酸化し得る化合物が溶解した有機溶液とを混合した溶液を用いて、正孔注入層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁
To provide a reliable organic EL element by entirely transferring a patterned ink present on an blanket onto a printed board when forming a pattern of an organic light emitting layer by printing an organic light emitting ink in which an organic light emitting material is dissolved or stably dispersed in a solvent onto the substrate by offset printing, using the blanket for offset printing of which a print surface is a silicon rubber layer.例文帳に追加
印刷面がシリコーンゴム層であるオフセット印刷用ブランケットを用いて、有機発光材料を溶剤中に溶解又は安定して分散させてなる有機発光インキをオフセット印刷法にて基板上に印刷し有機発光層をパターン形成する際に、ブランケット上にあるパターン化されたインキを被印刷基板に対して全て転写させ、信頼性の高い有機EL素子を得ることを目的とする。 - 特許庁
This organic electroluminescent element has an luminescent layer between a back electrode and a transparent electrode, and has: a ceramic sheet having thermal emissivity of not less than 0.8 and a thickness of 50-1,000 μm, a graphite sheet having heat conductivity of not less than 200 W/mK, or the graphite sheet and the ceramic sheet adjacent to it on the back electrode surface opposite to the luminescent layer.例文帳に追加
背面電極及び透明電極からなる電極間に発光層を有する有機電界発光素子であって、背面電極の発光層とは反対側の面に、熱放射率が0.8以上で、かつ厚さが50μm〜1000μmのセラミックシート或いは熱伝導率が200W/m・K以上のグラファイトシート、または上記グラファイトシートとこれに隣接した上記セラミックシートを有する有機電界発光素子。 - 特許庁
In the display element which has an electrolyte layer containing silver or a compound containing silver in its chemical structure between opposed electrodes and wherein driving operation of the opposed electrodes is performed so that dissolution and deposition of silver, the electrolyte layer contains lithium ions and a redox reaction concerning the lithium ions is generated on at least one electrode of the opposed electrodes at the time of the driving operation.例文帳に追加
対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該電解質層がリチウムイオンを含み、かつ、該対向電極の少なくとも1つの電極上でリチウムイオンに係る酸化還元反応を駆動操作時に生じさせることを特徴とする表示素子。 - 特許庁
In the EL element provided with a translucent substrate, and a light-emitting layer fitted on one face of the translucent substrate and pinched by an anode and a cathode, a lens group is fitted to the surface of the translucent substrate, to be structured by pasting an optical sheet having a structure with a plurality of unit lenses arranged in two dimensions to the other face of the translucent substrate through the pasting layer.例文帳に追加
透光性基板と、前記透光性基板の一方の面に設けられ、陽極と陰極に挟まれた発光層とを備えたEL素子において、前記透光性基板の表面にレンズ群を設け、当該レンズ群を、複数の単位レンズを二次元的に配列した構造を備えた光学シートを、貼合層を介して、前記透光性基板における他方の面に貼り合わせることによって構成する。 - 特許庁
In the optical glass element shaping mold having the coating layer on the optical glass shaping surface of an optical glass shaping mold base material 1, 2 having high heat resistance, denseness and thermal conductivity, the coating layer 3 comprises 10-35 mass% molybdenum, 15-40 mass% rhenium, 10-70 mass% in total of platinum and iridium and 1-15 mass% palladium.例文帳に追加
耐熱性があり緻密で熱伝導性の高い光学ガラス成形型基材1,2の光学ガラス成形面にコーティング層3を有する光学ガラス素子成形型において、コーティング層3が、モリブデンを10〜35質量%、レニウムを15〜40質量%、白金及びイリジウムを合計で10〜70質量%、パラジウムを1〜15質量%含むことを特徴とする光学ガラス素子成形型とする。 - 特許庁
The production method of the probe element is characterized in that it contains a first step for preparing a stage having a main surface and one or more recesses, and a second step for forming, on the main surface, a first photoresist layer which is formed by laminating two or more dry photoresist films and has a projection penetrating the first photoresist layer in the thickness direction to reach the recess.例文帳に追加
プローブ要素の製造方法は、主面を有すると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する第1のステップと、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを重ねた第1のホトレジスト層であって当該第1のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記凹所に達する突起部を有する第1のホトレジスト層を前記主面に形成する第2のステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The memory element 1 has the carbon nano-peapod 13 made of a single-layer carbon nano-tube containing fullerene molecules, and the carbon nano-peapod 13 is mounted on an insulating layer 121 laminated on a back gate electrode 11, and connected to a source electrode 14a and a drain electrode 14b provided at a predetermined distance, thereby constituting a memory cell such that the fullerene molecules hold memory information.例文帳に追加
メモリ素子1は、フラーレン分子を内包した単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノピーポッド13を有し、前記カーボンナノピーポッド13が、バックゲート電極11上に積層された絶縁層121上に載置されると共に、所定の距離離間して設けられたソース電極14a及びドレイン電極14bに接続され、前記フラーレン分子が、メモリ情報を保持するメモリセルとなるように構成されている。 - 特許庁
The method of manufacturing the nitride-based compound semiconductor light-emitting element comprises steps of: laminating the nitride-based compound semiconductor layer including the light emitting layer 4 on at least a portion of a substrate to form the laminated semiconductor 36; forming the holding electrode 700 on a portion on the main surface 60 at the opposite side to the substrate of the laminated semiconductor 36; and removing the substrate.例文帳に追加
基板上の少なくとも一部に、発光層4を含む窒化物系化合物半導体層を積層して積層半導体36を形成する工程と、積層半導体36において上記基板と反対の位置にある主面60側の一部に保持電極700を形成する工程と、上記基板を除去する工程とを有する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 特許庁
The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor; a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.例文帳に追加
プラスチック基板と、該プラスチック基板上に、接着剤を介して形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ上に形成された保護絶縁膜と、該保護絶縁膜上に形成されたカラーフィルタと、該カラーフィルタ上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され、当該薄膜トランジスタと電気的に接続する白色発光素子と、を有する発光装置である。 - 特許庁
In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65°C or lower.例文帳に追加
下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方法において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的気相堆積法を用い、基板温度を650℃以下の条件下でCaRuO_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を50nm以下とする製造方法。 - 特許庁
The photographic element comprises a support bearing one or more hydrophilic colloidal layers including at least one photographic silver halide emulsion layer, wherein sequestered silver ions are contained in at least one hydrophilic colloidal layer in the form of a silver ion-containing material that sequesters silver ions before photographic processing and releases silver ions when exposed to a photographic processing solution.例文帳に追加
少なくとも一層の写真ハロゲン化銀乳剤層を含む一層以上の親水性コロイド層を支承する支持体を含む写真要素であって、当該写真要素には、隔離された銀イオンが、写真処理前では銀イオンを隔離して、写真処理溶液に曝されると銀イオンを放出する銀イオン含有材料の形態で、少なくとも一層の親水性コロイド層に含まれている写真要素。 - 特許庁
To obtain an organic EL element capable of taking out light in high efficiency by lowering adverse effects from absorption, reflection, dispersion or the like of light in an electrode, with a type in which an organic luminous layer 4 is provided between a pair of electrodes 2, 4 and light emitted from the organic luminous layer 4 is irradiated outside at least through one of the pair of the electrodes 2, 4.例文帳に追加
1対の電極2,4の間に有機発光層4が設けられた構造を有し、有機発光層4で発光された光が1対の電極2,4の少なくとも一方を通過して外部に出射される有機EL(有機エレクトロルミネッセント)素子において、電極4における光の吸収、反射、散乱等の影響を低減し、高い効率で光を取り出すことのできる有機EL素子を得る。 - 特許庁
The laminated piezoelectric element comprises a laminate 1 having a plurality of piezoelectric layers 2 laminated in the direction of a prescribed axis A, and internal electrode layers 4, 5 formed between the adjacent piezoelectric layers 2; an underlayer 3 that is provided on the surface of the laminate 1 and is connected to the internal electrode layer 4 electrically; and a conductive reinforcement layer 10 joined to the underlayer 3.例文帳に追加
積層型圧電素子は、所定軸A方向へと向かって積層されている複数の圧電層2と、隣接する圧電層2の間に形成されている内部電極層4、5とを備えている積層体1、この積層体1の表面に設けられており、内部電極層4に対して電気的に接続されている下地層3、およびこの下地層3と接合されている導電性補強層10を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device is equipped with a support 21, which has two or more recesses formed through reticulate projections provided on its rear side and is formed of semiconductor having first impurity concentration, a semiconductor layer 3 which is formed on the surface of the support 21 opposite to its rear side and has a second impurity concentration lower than the first impurity concentration, and a semiconductor element formed on the semiconductor layer 3.例文帳に追加
網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第1の不純物濃度を有する半導体からなる支持体21と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度を有する半導体層3と、前記半導体層3に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
In a combined magnetic head 20 in which a magnetoresistive reproducing head part 22 for reproducing a signal recorded on the magnetic recording medium and an inductive recording head part 23 for recording a signal onto the magnetic recording medium are combined, magnetoresistive element parts 29, 30 and 31 have step parts at their both end parts and the upper surface of an upper layer gap layer 28 formed thereon is flattened.例文帳に追加
磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッド部22と、磁気記録媒体に対して信号を記録するインダクティブ型の記録ヘッド部23とが組み合わされてなる複合型磁気ヘッド20であって、磁気抵抗効果素子部29、30,31は、その両端部に段差部を有し、この上に形成される上層ギャップ層28の上面が平坦化されている。 - 特許庁
The photoelectric conversion element 1 comprises a porous photoelectrode 2 including a semiconductor where colorant is adsorbed, a solid or solidified charge transport layer 3 arranged in contact with the photoelectrode 2 and including an ion liquid and high specific surface active carbon, a first electrode 4 electrically connected with the photoelectrode 2, and a second electrode 5 electrically connected with the charge transport layer 3.例文帳に追加
光電変換素子1は、色素が吸着された半導体を含む多孔質状の光電極2と、該光電極2に接して配置され、イオン液体および高比表面積活性炭を含む固体状または擬固体状の電荷輸送層3と、前記光電極2に電気的に接続される第1の電極4と、前記電荷輸送層3に電気的に接続される第2の電極5とを含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device having a structure with a crystalline semiconductor layer with a catalitic element added, a gate insulating film, and a gate electrode laminated on an insulating substrate in this order includes a light irradiating process for irradiating the light that passes through the crystalline semiconductor layer and is absorbed by the gate electrode to the gate electrode.例文帳に追加
絶縁基板上に、触媒元素が添加された結晶性半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、結晶性半導体層を透過し、かつゲート電極に吸収される光をゲート電極に対して照射する光照射工程を含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
In an MIS(Metal Insulator Semiconductor) type semiconductor device by the manufacturing method of forming a mixed layer composed of Si and one or more kinds of metal elements, oxidizing the mixed layer, and forming a gate insulation film; a high capacity MIS transistor element with suppressed low dielectric constant SiO_2 formation is manufactured between an Si single crystal substrate and the gate insulation film.例文帳に追加
本発明は、MIS(Metal Insulator Semiconductor)型半導体装置において、Siと一種以上の金属元素からなる混合層を形成し、前記混合層を酸化処理しゲート絶縁膜を形成する製造方法により、Si単結晶基板とゲート絶縁膜間に低誘電率なSiO_2形成を抑制した高容量なMISトランジスタ素子を作製することができるものである。 - 特許庁
The electron-emitting element using the spiral nanocarbon material composite contains a substrate, a conductive layer provided on the substrate and the spiral nanocarbon material composite prepared by forming the nanocarbon material having the spiral structure directly or through a metal or a metal compound and the spiral nanocarbon material composite is provided on the conductive layer and electron are emitted by a strong electric field.例文帳に追加
らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体と基体上に設けた導電層と、ダイヤモンド粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料を形成してなるらせん状ナノ炭素材料複合体とを含み、らせん状ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the while light emitting organic electroluminescent element which has an anode, a cathode, and a light emitting layer including at least one layer of phosphorescent light emitting dopant between the anode and cathode formed on a substrate, a direct current having current density 5-50 times that during drive is applied for one second or longer to ten minutes or shorter to actualize aging.例文帳に追加
基板上に少なくとも陽極、陰極、及び該陽極と陰極間に少なくとも1層のリン光発光ドーパントを含む発光層を有する白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、駆動時の5〜50倍の電流密度の直流電流を1秒以上10分以下印加することでエージングすることを特徴とする白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁
The wavelength converter 1 contains a light absorption layer film with a wavelength band absorbing the signal light beam 5 and transmitting a light beam 6 for conversion, and converts a wavelength by utilizing a thermal lens forming element using a thermal lens based on a refractive index distribution reversibly generated due to a temperature rise occurring in a region in which the light absorption layer film has absorbed the signal light beam and a peripheral region thereof.例文帳に追加
波長変換器1は、信号光5に対し吸収性を示し、変換用光6に対し透過性を示す波長帯域を持つ光吸収層膜を含み、この光吸収層膜が信号光を吸収した領域及びその周辺領域に起こる温度上昇に起因して可逆的に生ずる屈折率の分布に基づいた熱レンズを用いた熱レンズ形成素子を利用して波長変換を行う。 - 特許庁
The process for forming a titanium based barrier metal layer comprises a step for preparing a substrate, a step for forming an IC element on the substrate, a step for forming a titanium based barrier metal precursor using a solution of about 5 vol% of tetrax (methyl ethyl amino) titanium (TMEAT) and about 95 vol% of octane, and a step for depositing a titanium based barrier layer on the substrate by MOCVD.例文帳に追加
チタンベースバリアメタル層を形成する方法は、基板を準備するステップであって、基板上にIC素子を形成するステップを包含する、ステップと、約5容量%のテトラキス(メチルエチルアミノ)チタニウム(TMEAT)および約95容量%のオクタンの溶液を用いてチタンベースバリアメタルプリカーサを形成するステップと、MOCVDによって基板上にチタンベースバリア層を堆積させるステップとを包含する。 - 特許庁
A photographic element provided includes a substrate with a polypropylene coating on each of the 1st and 2nd side faces, at least one silver halide emulsion layer laminated on the 1st side face of the substrate and an antistatic layer laminated on the 2nd side face of the substrate and containing a conductive agent, colloidal silica and a polymer film forming binder having ≥200 g peeling strength on the surface of the polypropylene.例文帳に追加
本発明は、第1側面および第2側面にポリプロピレンコーティングを有する支持体、前記支持体の第1側面に重ねられている少なくとも1層のハロゲン化銀乳剤層、並びに上記支持体の第2側面に重ねられている、伝導剤、コロイド状シリカ、およびポリプロピレン表面での剥離強さが 200g以上である高分子フィルム形成性バインダー、を含む帯電防止層、を含んでなる写真要素である。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition which, when a photosensitive resin composition layer comprising a photosensitive resin composition is formed on a substrate, forms a photosensitive resin composition layer which has low tackiness and excellent workability, is alkali-developable with high resolution, can form a cured film having small warpage and excellent flexibility after curing, and can impart flame retardancy, and to provide a photosensitive element using the composition.例文帳に追加
基板上に感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層を形成した際に、感光性樹脂組成物層のタック性が小さく作業性に優れ、また高解像度でアルカリ現像可能であり、また硬化後に、反りが小さく可撓性に優れた硬化膜を形成でき、また難燃性を付与することも可能な感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性エレメントを提供する。 - 特許庁
To provide an optical glass element shaping mold which exhibits a good release property between glass and the shaping mold, high adhesion strength between each of various mold base materials and a coating layer, excellent durability and suppressed degradation and discoloration of the coating layer in repeated shaping of not only phosphate glass having strong reactivity and a high softening point, but boric acid-lanthanum based glass having high glass transition point and strong reactivity.例文帳に追加
反応性が強く軟化温度が高いリン酸塩ガラスだけでなく、ガラス転移点が高く反応性の高いホウ酸ランタン系ガラスの繰り返し成形においても、ガラスと成形型の離型性が良好で、種々の光学ガラス成形型基材とコーティング層との密着強度が高く、耐久性に優れ、かつ、コーティング層の劣化及び変色を抑制した光学ガラス素子成形型を提供することを目的とする。 - 特許庁
In the method for manufacturing the group III nitride semiconductor layer, a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, and a gas for forming a plasma is introduced into the chamber, for forming the group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant on the substrate, by a reactive sputtering process, wherein a silicon hydride is added into the gas for forming the plasma.例文帳に追加
チャンバ内に基板及びIII族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてSiが添加されたIII族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Si水素化物を添加させることを特徴とするIII族窒化物半導体層の製造方法。 - 特許庁
The spare element region has p-channel transistor regions 111 to 113, n-channel transistor regions 121 to 123, a plurality of gate electrodes 131 to 134 and 141 to 144 prepared on the p-channel transistor regions and n-channel transistor regions, bypass wires 151 to 155 formed on a wiring layer higher than the gate electrodes, and a principal wiring layer located still higher than the bypass wiring.例文帳に追加
予備素子領域は、Pチャンネルトランジスタ領域111〜113と、Nチャンネルトランジスタ領域121〜123と、Pチャンネルトランジスタ領域上及びNチャンネルトランジスタ領域上に設けられた複数のゲート電極131〜134、141〜144と、ゲート電極よりも上層の配線層に形成されたバイパス配線151〜155と、バイパス配線よりも上層に位置する主配線層とを備える。 - 特許庁
The kit for analyzing the target nucleic acid fragment includes an element of at least one kind complementary to a part of the target nucleic acid fragment, at least one deoxynucleoside triphosphate, at least one polymerase and a dry analysis element for determining pyrophosphoric acid, wherein the dry analysis element for determining pyrophosphoric acid has a reagent layer comprising xanthosine or inosine, pyrophosphatase, purine nucleoside phosphorylase, xanthine oxidase, peroxidase and a coloring agent.例文帳に追加
分析するターゲット核酸断片の一部と相補的な少なくとも一種のプライマー、少なくとも一種のデオキシヌクレオシド3リン酸、少なくとも一種のポリメラーゼ、及びピロ燐酸定量用乾式分析素子の各要素を含むターゲット核酸断片の分析キットであって、前記ピロ燐酸定量用乾式分析素子が、キサントシンまたはイノシン、ピロホスファターゼ、プリンヌクレオシドホスホリラーゼ、キサンチンオキシダーゼ、ペルオキシダーゼ及び発色剤を含有する試薬層を備えるピロ燐酸定量用乾式分析素子であることを特徴とする、ターゲット核酸断片の分析キット。 - 特許庁
The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order.例文帳に追加
一対の電極2,7と、一対の電極2,7間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層5と、バッファ層4と、p型半導体を含むキャリア注入層3と、をこの順で備える発光素子100であって、発光素子100のエネルギーバンド図において、発光層5の価電子帯頂部のエネルギーレベルをVBM_i(eV)及びキャリア注入層3の価電子帯頂部のエネルギーレベルをVBM_p(eV)としたときに、バッファ層4の価電子帯が、下記式(1)の条件を満たすエネルギーレベルVBM_b(eV)の価電子帯頂部を有することを特徴とする。 - 特許庁
The membrane electrode complex for the fuel cell is manufactured by forming a catalyst electrode layer on each surface of a solid electrolyte membrane, and at least an air electrode (a positive electrode) of the catalyst electrode layer is an oxygen adsorption-desorption catalyst electrode layer containing an oxygen adsorption-desorption metal catalyst having a nitrogen-containing polymer, at least one kind of metal element of Co and Fe, and oxygen adsorption-desorption properties.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明は、固体電解質膜のそれぞれ表面に触媒電極層が形成されてなる燃料電池用膜電極複合体であって、上記触媒電極層の少なくとも空気極側(正極側)が、窒素含有高分子と、CoおよびFeの少なくとも1種の金属元素を有し、かつ酸素吸脱着性を有する酸素吸脱着性金属触媒とを含む酸素吸脱着性触媒電極層であることを特徴とする燃料電池用膜電極複合体を提供する。 - 特許庁
The filler layer for solar battery modules arranged at the back side of the solar battery element contains a silane-modified resin, where an ethylenic unsaturated silane compound and polyethylene for polymerization are polymerized, and the content of the silane modified resin on a surface at the side of the solar battery element is larger than that of the silane modified resin on the surface at the opposite side.例文帳に追加
本発明は、太陽電池素子の裏側に配置される太陽電池モジュール用充填材層であって、エチレン性不飽和シラン化合物と重合用ポリエチレンとを重合させてなるシラン変性樹脂を含有し、太陽電池素子側表面の上記シラン変性樹脂の含有量が、反対側表面の上記シラン変性樹脂の含有量よりも多いことを特徴とする太陽電池モジュール用充填材層を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁
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