「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(347ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device in which a diffusion problem with a surface layer forming metal can be certainly solved, magnetically adverse effects on a semiconductor element, and further are eliminated by realizing a non-magnetic external electrode, deterioration of electrical conductivity is not caused even when the frequency of a transmit signal increases.例文帳に追加

表面層形成金属の拡散問題を確実に解決でき、しかも非磁性の外部電極を実現することにより、磁気的な悪影響を半導体素子に与えることが無く、加えて伝送信号の周波数が増加した場合でも導電率の低下が生じない半導体装置を提供する。 - 特許庁

This capacitive element has a lower electrode 22 formed on a substrate 10 through an interlayer insulation film 12, an upper electrode 24 opposed to the lower electrode 22 through the interlayer insulation film 12, and a lower wiring layer 14 that is formed between the substrate 10 and the lower electrode 22 and electrically connected with the upper electrode 24.例文帳に追加

基板１０上に層間絶縁膜１２を介して形成された下層電極２２と、下層電極２２に対して層間絶縁膜１２を介して対向する上層電極２４と、基板１０と下層電極２２の間に形成され、上層電極２４に電気的に接続された下部配線層１４とを有する。 - 特許庁

This metal separator with improve anti-corrosivity is so formed that the surface of a base metal 1 composed of the iron-based alloy containing at least one kind out of chromium, nickel, titanium, niobium, aluminum and silicon is etched to form the concentration layer 2 having concentrated additive element concentration in the vicinity of the surface.例文帳に追加

クロム、ニッケル、チタン、ニオブ、アルミニウム、ケイ素等のうち、いずれか少なくとも１種類を含む鉄基合金からなる母材１の表層をエッチング処理して、表面近傍における添加元素の濃度を濃縮させた濃縮層２を形成し、耐食性の向上を図った金属セパレータを構成する。 - 特許庁

To be more precise, an organic light emitting element characterised in that an electron injection layer 25 virtually in electric contact with a negative electrode 26 is composed of at least an organic compound and a metal compound, and the metal compound is at least one compound selected from among strontium compounds and barium compounds is provided.例文帳に追加

具体的には、陰極電極２６と電気的に実質接している電子注入層２５が少なくとも有機化合物と金属化合物とから構成され、前記金属化合物がストロンチウム化合物、バリウム化合物の中から少なくとも１つの選択されることを特徴とする有機発光素子を提供する。 - 特許庁

In the hole transporting material, when photo-irradiating a single film element in which merely single layer of the hole transporting material is formed between both electrodes, a voltage ratio in a current-voltage characteristics after 300 hours (voltage value after 300 hours/initial voltage value) is 1.0 or less.例文帳に追加

前記正孔輸送性材料は、両電極間に前記正孔輸送性材料の単層のみを形成してなる単膜素子に光照射して３００時間経過した場合の電流−電圧特性における電圧比（３００時間経過後の電圧値／初期電圧値）が１．０以下であることを特徴とする。 - 特許庁

An anode foil having an oxide film layer formed on the surface is wound along with a cathode foil and a separator to form a capacitor element which is then immersed into PVA aqueous solution of 0.005-1.5 wt% for 5 sec or longer under a temperature between normal temperature and 100°C and dried for 3 min or longer under a temperature between normal temperature and 150°C.例文帳に追加

表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔を陰極箔及びセパレータと共に巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子を０．００５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％のＰＶＡ水溶液に、常温〜１００℃前後の温度で５秒以上浸漬し、常温〜１５０℃で３分以上乾燥する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which a recording layer is formed in a prescribed recessed and projecting pattern, a recording element is formed as a projecting part of the recessed and projecting pattern to have high surface recording density and a crash of a magnetic head hardly occurs to have high reliability, and a magnetic recording and reproducing device provided with such a magnetic recording medium.例文帳に追加

記録層が所定の凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されて面記録密度が高く、且つ、磁気ヘッドのクラッシュが生じにくく信頼性が高い磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition for a color filter generating no chip or no hiatus even with low exposure, further giving rise to pixels with excellent adhesion property to a substrate and to a light shielding layer and with excellent heat resistance and being excellent in application and development properties, and to provide the color filter formed of the same and a liquid crystal display element provided with the color filter.例文帳に追加

低露光量でも欠けや欠落が生じず、かつ基板および遮光層への密着性、耐熱性に優れた画素を与え、塗布性と現像性に優れるカラーフィルタ用感放射線性組成物、それから形成されたカラーフィルタ、およびそのカラーフィルタを具備する液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁

At a predetermined position on wiring layers 11c, 11d of a substrate part 11, an LED element 12 provided on the packaging surface of bumps 12a, 12b is mounted, and the gap between the lower surface thereof and the upper surface of the substrate part 11 is filled with an insulating layer 13 made of a silicone material so as to bury the bumps 12a, 12b.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic circuit substrate which can reduce burning strain while preventing problems of stamping unnecessary ruggedness on a front layer conductor or a passive element, causing a foreign matter adhesion, or decreasing a plating property and solder wettability in the method of manufacturing the ceramic circuit substrate by the simultaneous burning step using a restricted sheet.例文帳に追加

拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック回路基板の製造方法において、表層導体や受動素子に不必要な凹凸をスタンプ（stamp）したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぎつつ、焼成ひずみをより小さくできる方法を提供する。 - 特許庁

In the cell driving piezoelectric/elctrostrictive actuator 1, the piezoelectric/elctrostrictive element 4 is formed by laying a plurality of layer piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 and film-like electrodes 18, 19 alternately and the end parts of the electrodes 18, 19 are buried in the piezoelectric/elctrostrictive bodies 14 at least on the inside of the cell 3.例文帳に追加

セル駆動型圧電／電歪アクチュエータ１は、圧電／電歪素子４が、複数の層状の圧電／電歪体１４と膜状の電極１８，１９とが交互に積層されてなるとともに、電極１８，１９の端部が、少なくともセル３内側において圧電／電歪体１４内に埋設されていることを特徴とする。 - 特許庁

To suppress formation of a void as a connection defect caused by trapping of a gas in a connection layer by eliminating the need of working, such as, grooving on the reverse surface of a semiconductor element, even when a semiconductor is connected using a conductive adhesive producing an extremely large amount of gas.例文帳に追加

ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。 - 特許庁

For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.例文帳に追加

そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁

In the optical semiconductor element, where an optical semiconductor chip having an active layer which radiates or absorbs a light is bonded on a substratum by using a bonding member, the bonding member is formed so as to have a light-reflecting surface which makes an acute angle with a side surface of the optical semiconductor chip, on the outside the optical semiconductor chip.例文帳に追加

光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなる光半導体素子において、接合部材を光半導体チップの外側に光半導体チップの側面と鋭角をなす光反射面を有するように形成した。 - 特許庁

The circularly polarized light controlling optical element 10 is obtained by adding a chiral agent and a photo-polymerization initiator to liquid crystal molecules with cholesteric regularity and applying them on a glass substrate 12, on which an alignment layer 16 is formed, and by hardening them with weak ultraviolet ray irradiation in the state in which the interface of the side opposite to the glass substrate 12 is exposed to the air.例文帳に追加

配向膜１６が形成されたガラス基板１２上にコレステリック規則性を備えた液晶分子を、カイラル剤及び光重合開始剤を添加して塗布し、ガラス基板１２と反対側の界面を空気に暴露した状態で弱い紫外線で照射して硬化し、円偏光制御光学素子１０を得る。 - 特許庁

To provide an optical sheet pasting material for improvement of light-extraction efficiency for an EL element, with improved light-extraction efficiency as well as lowered visibility of defects of an optical sheet surface, and with easy-to-peel-off performance, that is, a rework property between a pasting layer and a translucent substrate after pasting.例文帳に追加

光取り出し効率を向上させるとともに光学シート表面の傷の視認性を下げるとともに貼合後に貼合層と透光性基板との間にて剥がしやすい性能、即ちリワーク性を有するＥＬ素子用の光取り出し効率向上のための光学シート貼合用材料を提供する。 - 特許庁

To provide an ink-jet printer head which solves a problem caused by thickness of a piezoelectric sheet and an electrode, obtains an excellent jet performance by bringing out well a piezoelectric characteristic of the piezoelectric sheet and obtaining full displacement of an active part, and prevents occurrence of defects such as an electrode cut, a laminated layer release and the like, and also to provide its piezoelectric element.例文帳に追加

圧電シート及び電極の厚さに基づく問題を解決し、圧電シートの圧電特性を良好に発揮させて活性部位の十分な変位を得て優れた噴射性能を得るととともに、電極切れや積層剥離等の不具合を発生させることのないインクジェットプリンタヘッドおよび圧電素子を提供すること。 - 特許庁

The microelectronic mechanical system (MEMS) element has a substrate side electrode 23, a beam 27 having a driving side electrode 26 which double as a reflection film driven by an electrostatic force acting between the substrate side electrode 23 and the driving side electrode 26 and a wiring layer 28 connected to the driving side electrode, and the surface roughness of the driving side electrode 26 is 10 nm or smaller.例文帳に追加

基板側電極２３と、この基板側電極２３との間に働く静電力により駆動する反射膜を兼ねる駆動側電極２６を有するビーム２７と、駆動側電極に接続された配線層２８とを有し、駆動側電極２６の表面祖度が１０ｎｍ以下に設定されて成る。 - 特許庁

A region of at least one or more of the luminous limit element is a smaller region than effective luminous flux, when disk discrimination of the optical disk or detection of the number of layers or focus jump to the other layer or spherical aberration is performed, transmissivity of a region being smaller than effective luminous flux is made small.例文帳に追加

光束制限素子の少なくとも１つ以上の領域は、有効光束よりも小さい領域であり、前記光ディスクのディスク判別、もしくは層数の検出、もしくは他の層へのフォーカスジャンプもしくは球面収差補正を行なうときには有効光束よりも小さい領域の透過率を小さくする。 - 特許庁

A near-field light generating element 23 accommodated in the groove 24g of an encasing layer 24 has an outer surface that includes a first end face 23a having a near-field light generating part 23f, a second end face opposite the first end face 23a, and a coupling portion that couples the first end face and the second end face.例文帳に追加

収容層２４の溝部２４ｇ内に収容された近接場光発生素子２３は、近接場光発生部２３ｆを含む第１の端面２３ａと、第１の端面２３ａの反対側に位置する第２の端面と、第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有している。 - 特許庁

Then, the device heat-treats the substrate 11, which is in a state where an organic solution 14x is applied to and filled in the slits 21a, in all columns under reduced pressure, to uniformly and totally dry it to film-deposit an organic EL layer 14, on a pixel electrode 12 exposed to an EL element formation region Re1 of each pixel PIX.例文帳に追加

次いで、全ての列のスリット２１ａ内に有機溶液１４ｘが塗布、充填された基板１１を、減圧した状態で加熱処理して、均一かつ一括して乾燥させて、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１２上に有機ＥＬ層１４を成膜する。 - 特許庁

The solid-state image pickup device is characterized in that the closed space 11 of the light receiving region formed on a solid-state image pickup element as an upper layer of a silicon substrate 1 with a frame wall 6 and a sealing glass plate 7 is filled with transparent inert oil 10 of ≤1.3 in refractive index, especially, fluorine-based oil typically of perfluoro-polyester oil.例文帳に追加

シリコン基板１上層の固体撮像素子の上に枠壁６と封止ガラス板７により形成された受光領域の閉鎖空間１１に、屈折率１．３以下の透明不活性オイル１０、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁

Disclosed is an arrangement device comprising one power semiconductor module 5 and a transport packaging 2, wherein the power semiconductor module has a base element 40, a housing and connection elements while the transport packaging has a cover layer 10 embodied in a planar fashion, a cover film 30 and one trough-like plastic molded body 80 per power semiconductor module.例文帳に追加

パワー半導体モジュール５と輸送包装２を備えて構成される配列装置であって、パワー半導体モジュールがベース要素４０と、ハウジングと、接続要素とを有し、輸送包装が、平面的に構成されたカバー層１０と、カバーフィルム３０と、パワー半導体モジュール毎に溝状プラスチック成形体８０とを有する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 100 comprises a substrate 11 having a flat surface S, a plurality of semiconductor nanowires 2 which are arrayed on the flat surface S and extend in a tapered shape from the flat surface S, and a semiconductor layer 30 which fills gaps between the plurality of semiconductor nanowires 2 and has a carrier type different from that of the semiconductor nanowires 2.例文帳に追加

平坦面Ｓを有する基板１１と、平坦面Ｓ上に配列され、平坦面Ｓから先細り状に延びる複数の半導体ナノワイヤー２と、複数の半導体ナノワイヤー２同士の間隙を充填し、半導体ナノワイヤー２とは異なるキャリアタイプの半導体層３０と、を備える光電変換素子１００。 - 特許庁

To provide an organic EL element causing little uneven illumination within a pixel due to an uneven film thickness of an organic luminescent medium layer near a barrier rib when a thin film is formed of an organic luminescent material on a substrate provided with the barrier rib by a wet deposition method, and a simple method of manufacturing the same.例文帳に追加

隔壁を設けた基板に対して有機発光材料を湿式成膜法で薄膜形成した場合に、隔壁近傍における有機発光媒体層の膜厚ムラに起因する画素内の発光ムラの発生の少ない有機ＥＬ素子と、それを簡便に製造し得る製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an electrode active material sheet with a support which allows convenient and uniform formation of an electrode active material layer on a collector, especially a perforated collector having front-to-back through-holes such as a punching metal and an expanded metal, and a method for producing an electrode for an electrochemical element by using the same.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一に電極活物質層を形成することができる支持体付電極活物質シートとそれを用いた電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module 10 includes a heat radiating side substrate 11, a thermoelectric element 16 mounted on the heat radiating side substrate 11 by way of a wiring electrode 12, the block electrode 14, a block arrangement electrode 12a to mount the block electrode 14, and the solder layer 13 to joint the block electrode 14 and the block arrangement electrode 12a.例文帳に追加

熱電変換モジュール１０は、放熱側基板１１と、放熱側基板１１状に配線電極１２を介して載置される熱電素子１６と、ブロック電極１４と、ブロック電極１４を載置するブロック配置用電極１２ａと、ブロック電極１４とブロック配置用電極１２ａを接合する半田層１３とを有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element, made by lamination of a conductive thin film, a photoelectric conversion film of an organic layer, and a transparent conductive oxide film on a substrate in this order, has the photoelectric conversion film having a thickness of 150 nm or more and the transparent conductive oxide film having a thickness of 5 nm or more and 10 nm or less.例文帳に追加

基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした。 - 特許庁

To provide a modified OVM stripe structure for preventing a risk in a field in which a card including an OVM stripe has an operational problem relating to a static discharge via a metal layer, specifically to an inter-end discharge electrically connecting a card holder body and a trading device or a conductive element in a reader.例文帳に追加

ＯＶＭストライプを含むカードが、金属層を経由する静電放電、特にカードホルダーの本体と取引装置またはリーダー中の導電性素子を電気的に結ぶ端部間放電に関連した操作上の問題を起こす分野において危険性を除くために、修正されたＯＶＭストライプ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device in which an insulating film having a continuous flat surface on the upper layer side of a pixel electrode, is formed throughout an element substrate, and an insulating film having a uniform film thickness is also formed on each pixel electrode, and also to provide a method for manufacturing the liquid crystal device, and a projection display device.例文帳に追加

素子基板全体にわたって、画素電極の上層側に連続した平坦面を備えた絶縁膜を形成することができるとともに、各画素電極上に均等な膜厚の絶縁膜を設けることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

In the inductor built-in component 10 incorporating a planar coil layer 12 (inductor element), n layers (n is an integer ≥1) of planar coil layers 12 are formed on a substrate 11, and a magnetic flux leakage prevention metal cap 14 provided with a recess 14a is mounted so as to house the substrate 11 by the recess 14a.例文帳に追加

平面コイル層１２（インダクタ素子）を内蔵したインダクタ内蔵部品１０において、基板１１上にｎ層（ｎは１以上の整数）の平面コイル層１２を形成し、凹部１４ａを有する磁束漏洩防止金属キャップ１４を、その凹部１４ａで基板１１を収容するようにして装着する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor, forming a solid electrolyte layer consisting of a conductive polymer onto a flat-plate-shaped anode electrode element by chemical oxidation polymerization of a two-liquid method readily applicable to mass production to have favorable ESR (Equivalent Series Resistance) characteristics and capacitance characteristics and free of degradation of LC (Liquid Crystal) characteristics.例文帳に追加

平板状の陽極電極体に対し、量産工程に適用しやすい二液法の化学酸化重合により導電性高分子からなる固体電解質層を形成し、良好なＥＳＲ特性と静電容量特性を有するとともに、ＬＣ特性の劣化もない固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a vertical group III nitride semiconductor light-emitting element capable of solving problems of a lateral structure and a flip-chip structure, and increasing the amount of light emitted from the front surface by efficiently reflecting light traveling toward the rear surface out of ultraviolet light generated by a light-emitting layer; and a method of producing the same.例文帳に追加

ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The light source device 100 includes a light emitting element 10 which emits first light L1, a substrate 20 which is irradiated with the first light L1 and has an irradiation region 21 with an irregular surface formed, and a fluorescent light emitting layer 30 formed in the irradiation region 21, excited by the first light L1, and emitting second light L2.例文帳に追加

光源装置１００は、第１の光Ｌ１を出射する発光素子１０と、第１の光Ｌ１により照射され、凹凸が形成された照射領域２１を有する基板２０と、照射領域２１に形成され、第１の光Ｌ１により励起されて第２の光Ｌ２を発する蛍光発光層３０と、を含む。 - 特許庁

In the solid-state image pickup element, a step is formed in the vicinity of a boundary between both parts that a front surface of a light receiving plane of the pixel part area is positioned lower than the upper surface of the multilayer wiring part area, and a sloped transparent resin layer whose surface protrudes downward is provided on a surface ranging from the step to the pixel part.例文帳に追加

固体撮像素子において、画素部領域の受光面表面が多層配線部領域の上面より低い位置となるように両部の境界付近に段差が形成され、段差から画素部にいたる表面上に、その表面が下に凸なスロープ状の透明樹脂層を設けた。 - 特許庁

The light-reflective conductive particle for this anisotropic conductive adhesive used for subjecting a light-emitting element to anisotropic conductive connection to a wiring board is formed with: a core particle coated with a metal material; and a light-reflective layer located on a surface thereof and formed of light-reflective inorganic particles each having a refractive index of ≥1.52.例文帳に追加

発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する異方性導電接着剤用の光反射性導電粒子は、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に屈折率が１．５２以上の光反射性無機粒子から形成された光反射層とから構成される。 - 特許庁

The solid-state imaging device 10A including a photoelectric conversion element 101 includes, on the solid-state imaging device 101, a near-infrared absorbing layer 107 composed of crystallites of oxide including at least Cu and/or P and containing near-infrared absorbing particles of 5 to 200 nm in number average agglomerated particle size.例文帳に追加

光電変換素子１０１を備えた固体撮像素子１０Ａであって、固体撮像素子１０１上に、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する近赤外線吸収層１０７を具備する。 - 特許庁

It is built to electrically separate one of the first electrode and the second electrode 21Y into a number of predetermined areas so that the lens effect is turned on/off respectively for the predetermined areas in the lens array element, and capable of applying the voltage to the liquid crystal layer for every predetermined area.例文帳に追加

レンズアレイ素子において複数の所定の部分領域ごとにレンズ効果のオン・オフ制御が可能となるように、第１の電極および第２の電極２１Ｙのうちいずれか一方を、複数の所定の部分領域に電気的に分離し、所定の部分領域ごとに液晶層に電圧を印加することが可能な構造とする。 - 特許庁

In the camera module, a side wall of the camera module formed by laminating at least one lens body on a solid imaging element through a glass spacer is coated by a shielding layer, and a shielding film is formed by some of an electroless plating method, a vacuum film forming method and an application method.例文帳に追加

固体撮像素子の上にガラススペーサを介して少なくとも一枚のレンズ体を積層してなるカメラモジュールの側壁を遮光層により被覆したことを特徴とするカメラモジュールであって、該遮光膜は無電界めっき法、真空製膜法、塗布法のいずれかにより製膜されることを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the photoelectric converter 10 has steps of: making a source solution containing an organic solvent, metal salt, a chalcogen-element-containing compound, and organic onium salt; and bringing a support B into contact with the source solution to let the first semiconductor layer 4 containing the metal chalcogenide deposit on the support B.例文帳に追加

また、光電変換装置１０の製造方法は、有機溶媒と、金属塩と、カルコゲン元素含有化合物と、有機オニウム塩と、を含む原料溶液を作製する工程と、支持体Ｂを原料溶液に接触させ、支持体Ｂ上に金属カルコゲン化物を含む第１の半導体層４を析出させる工程と、を具備する。 - 特許庁

The ink jet recording element comprises a substrate, on which a porous image receiving layer consisting of (a) particles having the primary grain size of 7-40 nm whose diameter can be agglomerated to the maximum 300 nm and (b) cationic polymer grains, containing at least 20 mol% of cationic mordant portion insoluble to water, is provided.例文帳に追加

（ａ）最大３００ｎｍまで凝集してもよい直径が７〜４０ｎｍの一次粒径を有する粒子、（ｂ）少なくとも２０モル％のカチオン性媒染剤部分を含む水不溶性のカチオン性ポリマー粒子を含んで成る多孔性画像受容層を上に有する支持体を含んで成るインクジェット記録要素。 - 特許庁

A charge trapping memory cell whose band gap structure has been designed includes a charge trapping element that is separated from a metal or metal compound gate, such as a platinum gate, by a blocking layer of material having a high dielectric constant, such as aluminum oxide, and separated from a semiconductor body including a channel by an improved tunneling dielectric material.例文帳に追加

バンドギャップを構造設計した電荷捕捉メモリーセルは、プラチナゲートのような金属又は金属化合物のゲートから、酸化アルミニウムのような高い誘電定数を有する材料のブロッキング層によって隔離され、チャンネルを含む半導体本体から改良されたトンネリング誘電体によって隔離される電荷捕捉素子を有する。 - 特許庁

The first semiconductor device 20 has: a first wiring substrate 21; a first semiconductor element 23 arranged on the top surface of the first wiring substrate 21; a first electrode 25 arranged on the top surface of the first wiring substrate 21; and an insulating layer 29 having an opening 29a that exposes part of the first electrode 25.例文帳に追加

第１の半導体装置２０は、第１の配線基板２１、第１の配線基板２１の上面に設けられた第１の半導体素子２３、第１の配線基板２１の上面に設けられた第１の電極２５及び第１の電極２５の一部を露出する開口部２９ａを有する絶縁層２９を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a porous layer 4, containing a compound obtained through hydrolysis or a condensation reaction between at least one kind of alkoxysilane selected from a group of monoalkoxysilane, dialkoxysilane and trialkoxysilane, and a tetraalkoxysilane, and having density of 0.7 g/cm^3 or less which is formed between the substrate 2 and the semiconductor element 3.例文帳に追加

半導体装置１を、基板２と半導体素子３との間にモノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルコキシシランと、テトラアルコキシシランとの加水分解・縮合反応により得られる化合物からなり、０．７ｇ／ｃｍ^3以下の密度を有する多孔質層４を備えたものとする。 - 特許庁