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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

To alleviate an influence of post spacers on liquid crystal alignment, and to moderate disorder of the liquid crystal alignment caused by a switching element in a liquid crystal display device having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates which are separated from each other with the post spacers arranged in a panel and protrusions formed in the panel.例文帳に追加

パネル内に配置された柱状スペーサによって一対の基板を離間して液晶層を狭持しており、またパネル内に突起が形成されている液晶表示装置において、該柱状スペーサによる液晶配向への影響を緩和し、またスイッチング素子による液晶配向の乱れを緩和する。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of capacity elements 41, an upper insulating film 34 and a second layer insulating film 28 composed of different materials and formed on each capacity element 41, and a bit line contact plug 31 formed in a region between the capacity elements 41 and connected to a bit line 33.例文帳に追加

半導体装置は、複数の容量素子41と、各容量素子41の上に形成された互いに異なる材料からなる上部絶縁膜34及び第2の層間絶縁膜28と、容量素子41同士の間の領域に形成され、ビット線33と接続されたビット線コンタクトプラグ31とを備えている。 - 特許庁

To provide an aberration correction optical element capable of correcting not only a spherical aberration and a color aberration caused by a difference from the thickness of cover layers among recording layers in a multi-layered disk and also a spherical aberration caused by film thickness variations of a cover layer of an optical disk and being downsized by designing an objective lens as a separate module.例文帳に追加

光ディスクのカバー層の膜厚変動によって生ずる球面収差のみならず、多層ディスクにおける各記録層間でのカバー層の厚さの違いによって生じる大きな球面収差及び色収差の両方を同時に補正でき、かつ、対物レンズと別体にして装置の小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁

例文

To provide a magnetic detecting element which can have a saturation magnetic field (Hs), a spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) within proper ranges and also has superior heat resistance, especially, without varying the film thickness of a nonmagnetic intermediate layer forming a laminated ferrimagnetic structure.例文帳に追加

特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び及び反強磁性結合エネルギー(J_A)を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁


例文

The number of C atoms per 1 cm^3 in an interface between the group III nitride substrate and the epitaxial layer is ≥2×10^16 and ≤5×10^17, and the number of atoms of a p-type metal element per 1 cm^3 in the interface is ≥2×10^16 and ≤1×10^17.例文帳に追加

III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における1cm^3当たりのC原子の個数が2×10^16個以上5×10^17個以下であり、当該界面における1cm^3当たりのp型金属元素の原子の個数が2×10^16個以上1×10^17個以下である。 - 特許庁

The liquid crystal display includes: an array substrate including a plurality of wiring formed by stacking a plurality of conductive layers 27a, 27b and 27c which are provided on a substrate, and a plurality of pixels connected to the plurality of wiring each of which includes a switching element and a pixel electrode; facing substrates; and a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、基板上に設けられ複数の導電層27a、27b、27cが積層して形成された複数の配線と、それぞれスイッチング素子及び画素電極を含み複数の配線に接続された複数の画素と、を有したアレイ基板と、対向基板と、液晶層と、を備えている。 - 特許庁

To provide a reflection type electrooptical device securely preventing that incident light from a gap of a light reflecting layer reaches a pixel switching element, without using a complicated structure, and to provide a projection type display device with the reflection type electrooptical device and a manufacturing method of the reflection type electrooptical device.例文帳に追加

複雑な構造を用いなくても、光反射層の隙間から入射した光が画素スイッチング素子に到達することを確実に防止可能な反射型電気光学装置、この反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置、および反射型電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The insulation resin layer 2 includes: a thick part 2a having a large thickness; a stepped part 2b thinner than the thick part 2a and an through-hole inner peripheral face 2c for defining a through-hole 7 formed on the stepped part 2b for optically coupling the optical element 10 of the metal wiring 1a and the optical waveguide 11.例文帳に追加

絶縁樹脂層2は、肉厚が厚い肉厚部2aと、肉厚部2aより肉厚が薄い段差部2bと、段差部2bに形成され金属配線1aの光学素子10と光学的に光導波路11と結合させるための貫通孔7を規定する貫通孔内周面2cと、を有している。 - 特許庁

例文

The sheet 5 for solar cell collector comprises a circuit 54 consisting of a metal wiring part 541 and a non-wiring part 542 arranged, as the internal wiring of a solar cell module 1, on the back side of a solar cell element 4 and formed on the surface of a resin base material 53, and an insulation layer 52 formed on the circuit 54.例文帳に追加

この太陽電池集電用シート5は、太陽電池モジュール1における内部配線用として太陽電池素子4の裏面側に配置され、樹脂基材53の表面に形成され、金属からなる配線部541と非配線部542とからなる回路54と、回路54上に形成される絶縁層52を備える。 - 特許庁

例文

To prevent an irradiation position of reproduction light from being located at a mark non-formation part when a bulk type optical disk which has a reference surface having a position guide element formed and a recording layer formed at a position of different depth therefrom is reproduced from a position where an area having a mark array not formed on near side thereof is present.例文帳に追加

位置案内子が形成された基準面と、これと深さの異なる位置に形成された記録層とを有するバルク型光ディスクにおいて、その手前側にマーク列が非形成とされる領域の存在する位置からの再生を行う場合に、再生光の照射位置がマーク非形成部分に位置することを防止する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head for accurately reading a fine reproduction signal without generating any deterioration of insulating characteristics between a lead to a magnetic resistance element and upper and lower shields even when a shield gap layer is made thin by reducing the resistance of the lead for improving the thermal asperity of a magneto-resistance effect type thin film magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In an organic electroluminescence element having at least one light emitting layer comprising two or more kinds of host compounds and one or more kinds of phosphorescent compounds, HOMO of the phosphorescent compound is -5.15 to -3.50 eV and LUMO is -1.25 to +1.00 eV.例文帳に追加

ホスト化合物を2種以上と燐光性化合物を1種以上含有する発光層の少なくとも1層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該燐光性化合物のHOMOが−5.15〜−3.50eVかつLUMOが−1.25〜+1.00eVであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide an inter-layer connection via structure with small signal distortion which is used to connect coplanar transmission lines isolated with a thick insulating film to each other, or to connect the electrode of an active element such as a signal generator or receiver right above a substrate and a coplanar transmission line on the thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜で隔たれたコプレーナ伝送線路同士を接続する場合、あるいは、基板直上の信号発生器または受信器などの能動素子の電極と厚い絶縁膜上のコプレーナ伝送線路を接続する場合に用いる信号の歪みの少ない層間接続ビア構造を提供すること。 - 特許庁

This is an electroluminescent element that emits light by reunion of the holes injected from the positive electrode and the electrons injected from the negative electrode and comprises one or more layers of the organic compound layers between the positive electrode and the negative electrode, and an inorganic compound is dispersed in at least one layer of the organic compound layers.例文帳に追加

陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電界発光素子であり、陽極と陰極の間に一層または複数層の有機化合物層を有し、この有機化合物層の少なくとも一層に無機化合物が分散されている。 - 特許庁

To provide an organic EL element made possible to take out the light which was impossible to take out due to total reflection at an interface between a light emission layer and first electrode as an anode, of which efficiency of taking out blue color light and red color light inferior in light emitting efficiency and light emission life is improved by a diffraction lattice.例文帳に追加

有機EL素子において、発光層と透明な陽極である第1の電極との界面で全反射されるため外部へ取り出すことができなかった光を取り出せるようにし、発光効率、発光寿命の劣る青色、赤色の光の取り出し効率を回折格子によって向上させる。 - 特許庁

A helical antenna 50 includes a metal plate 54 arranged at the lower end of a helical element 52, a feeding conductor which is electrically connected to a signal processing circuit inside a terminal device at least when an antenna device is inserted into a portable communication terminal device and an insulation layer 56 arranged between the metal plate and the feeding conductor.例文帳に追加

ヘリカルアンテナ50は、ヘリカル素子52の下端に配置されている金属板54と、少なくともアンテナ装置が携帯通信端末器に挿入された時に端末器の内部の信号処理回路に電気的に連結される給電導体と、金属板と給電導体との間に配置される絶縁層56とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic solid electrolyte high in ion conductivity, high in thermal and electrochemical stability, which is expected to be applied to a battery material such as a lithium ion secondary cell etc., an electric storage material such as an electrolysis condenser, an electric double layer capacitor etc. and an electrochemical device such as an indicating element etc.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池等の電池用材料、電解コンデンサ、電気二重層キャパシタ等の蓄電材料や表示素子等の電気化学デバイスへの応用が期待される高いイオン伝導性、熱的・電気化学的に安定性が高い固体電解質の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ultrasonic sensor 104 is installed on the outer surface or the like of a steam turbine wheel chamber in order to detect cracks 102 in the cast steel article present in the steam turbine wheel chamber and cooled using a heat conductor 105 and a thermocouple element 106 both of which are thermally connected in the recess of a heat insulating layer.例文帳に追加

蒸気タービン車室にある鋳鋼物内部の亀裂102を探傷するため、蒸気タービン車室の外表面等に超音波センサ104を設置し、保温層の凹部において熱的に結合した熱伝導体105および熱電素子106を用いて超音波センサ104を冷却する。 - 特許庁

A magnetic element 190 comprises a magnetically responsive stack 192 shielded from magnetic flux and biased to a predetermined default magnetization by at least one lateral side shield 206 that includes a transition metal layer 208 disposed between first and second ferromagnetic layers 210 and 212.例文帳に追加

磁気素子190は、少なくとも1つの横側方シールド206によって、磁束からシールドされるとともに所定の初期磁化にバイアスされる、磁気的に応答する積層体192を有し、少なくとも1つの横側方シールドは、第1および第2の強磁性層210、212の間に配置される遷移金属層208を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a package substrate for mounting a semiconductor element capable of forming a fine outer layer circuit having adhesion by forming an embedded circuit, and also forming configurations of various conductor circuits such as a bump, a pillar, and a dummy terminal by forming a three-dimensional circuit in any position.例文帳に追加

埋め込み回路を形成することにより微細で密着力のある外層回路が形成可能であり、しかも任意の箇所に立体回路を形成することによりバンプやピラー、ダミー端子等の種々の導体回路の構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A power generation element 1 comprises a laminate 12 composed of a dielectric polarization body 10 and a dielectric elastomer layer 11 which are laminated one on another and a pair of electrodes 21 and 22 which are disposed at top and bottom in a laminated direction of the laminate 12, where the dielectric polarization body 10 is assumed to consist of a ferroelectric substance having crystal orientation.例文帳に追加

発電素子1を、誘電分極体10と誘電エラストマー層11とが積層されてなる積層体12、および積層体12の積層方向の上下に配された一対の電極21、22を備え、誘電分極体10が結晶配向性を有する強誘電体からなるものとする。 - 特許庁

The press forming die for the optical glass elements is the optical element forming die to be used for press forming of the optical elements consisting of glass and has a cutting layer consisting of free-cutting ceramics on the surface of a die matrix for forming and the optical glass elements manufactured from this forming die.例文帳に追加

ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる光学素子成形用型において、該成形用型母材上に快削性セラミックスからなる切削加工層を成形面に有することを特徴とする光学ガラス素子のプレス成形用型及び該成型用型から作製された光学ガラス素子。 - 特許庁

The LED element comprises on a growth substrate of a semiconductor a light emission part composed by laminating semiconductor layers including an active layer, and a reflection part, provided on the outer side of the light emission part with a slope, whose surface facing the side face of the light emission part, is inclined with respect to the substrate horizontal plane.例文帳に追加

半導体の成長基板上に、活性層を含む半導体層が積層されてなる発光部と、発光部の外側に設けられ、発光部の側面と対向する側の面が基板水平面に対して傾斜する斜面である反射部とが形成されていることを特徴とするLED素子である。 - 特許庁

A porous element 6, formed with dielectric coating of the oxide film of a valve operation metal on the surface, is brought into contact with an oxidizer solvent 7 and makes contact with a monomer/oxidization and polymerization retardant mixed solvent 8 later, and an electrolytic layer composed of conductive high polymers is formed on the surface of dielectric coating, by oxidizing and polymerizing reaction.例文帳に追加

表面に弁作用金属の酸化膜の誘電体皮膜が形成された多孔質体素子6を酸化剤溶液7に接触させた後、モノマー/酸化重合遅延剤混合溶液8に接触させ誘電体皮膜表面に導電性高分子からなる電解質層を酸化重合反応によって形成する。 - 特許庁

This glow plug-integrated cylinder internal pressure sensor 13 is provided by constituting a pressure receiving part of the cylinder internal pressure sensor for detecting pressure in a combustion chamber 11 of the internal combustion engine, out of the heating tube 17 for internally storing a heater element of a glow plug, and forms a PM oxidation promoting layer 34 on the surface of the heating tube 17.例文帳に追加

内燃機関の燃焼室11内の圧力を検出するための筒内圧センサの受圧部がグロープラグのヒーターエレメントを内部に収容した発熱チューブ17にて構成された本発明によるグロープラグ一体型筒内圧センサ13は、発熱チューブ17の表面にPM酸化促進層34を形成している。 - 特許庁

The organic EL element is manufactured by using, as a material for a light-emitting layer, a compound as a basic skeleton having a condensed ring formed of an indole ring and a fluorene ring, where the compound has arbitrary hydrogen (preferably hydrogen at the 9-position of the fluorene structure) replaced by alkyl, aryl or the like and has an N atom substituted with aryl in the indole structure.例文帳に追加

インドール環とフルオレン環とで形成される縮合環を基本骨格として、この縮合環の任意の水素(好ましくはフルオレン構造の9位の水素)をアルキルやアリールなどで置換すると共に、インドール構造のNにアリールを置換させた化合物を発光層用の材料として用いて、有機EL素子を製造する。 - 特許庁

To provide a lithography for a photosensitive resin plate for appropriately and easily carrying out a post-exposure process to reduce an eluted material from a letterpress plate for printing having a letterpress part made of a photosensitive resin layer, and to provide a letterpress plate for printing produced by the above device, and an organic electroluminescence element manufactured by using the letterpress plate for printing.例文帳に追加

凸部が感光性樹脂層で構成されている印刷用凸版からの溶出物を低減するための後露光工程を、適切かつ簡便におこなうための感光性樹脂版用露光装置、及び該装置により製版された印刷用凸版、該印刷用凸版を用いて製造された有機EL素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium is characterized in that a nano particle layer containing nano particles consisting of a CuAu type or Cu_3Au type hard magnetic regular alloy is formed on a substrate consisting of any one of Al, an Al alloy, carbon and ceramics containing substantially no light metal element having specific gravity of ≤2.6 other than carbon.例文帳に追加

Al、Al合金、カーボン、および炭素を除く比重2.6以下の軽金属元素を実質的に含まないセラミックス、のいずれかからなる支持体上に、CuAu型あるいはCu_3Au型硬磁性規則合金からなるナノ粒子を含有するナノ粒子層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head, wherein when formation of a narrow pattern exceeding a limit of resolution of an imaging layer is required, a lift-off resist of a narrow pattern is applied and an angle of an end part of a GMR film is made steep so as to be45° by a lift-off method to form a GMR element.例文帳に追加

イメージング層の解像度の限界を超える狭いパターンを形成する必要がある場合に、狭いパターンのリフトオフレジストを適用し、リフトオフ方法によって,GMR膜端部の角度を45度以上に急峻にして、GMR素子を作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.例文帳に追加

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places.例文帳に追加

この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド4の上面にメッキ処理でバンプ電極6を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン10に絶縁層3aが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head preventing side reading of a track (side track) adjacent to the track to be reproduced while stabilizing the magnetic domain control of a free layer by disposing ferromagnetic films on both side faces of a magneto-resistance effect element, its manufacturing method, and a magnetic recording device equipped with the same.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けてフリー層の磁区制御を安定化させる構成を採りながら、再生するトラックに隣接するトラック(サイドトラック)に対するサイドリーディングを防ぐことのできる薄膜磁気ヘッド、その製造方法、およびその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともCu層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁

An electric insulating layer 61 side is made to face a piezoelectric element 13 side to set the terminal 57 oppositely to the common electrode 19, and a liquid conductive adhesive 79 is filled in the through-hole 67 in a state that the first liquid stopper 69-1 is interposed in the gap between the terminal 57 and the common electrode 19.例文帳に追加

電気絶縁層61側を圧電素子13側に望ませて端子部材57を共通電極19に対面させ、端子部材57と共有電極板19との間隙に第1の液止め部材69−1を介在させた状態で、貫通孔67内に導電性接着剤液79が充填されている。 - 特許庁

In the respective ridge parts 13, a central position in the width direction of the Au plating layer 14 is intentionally displaced to a central position in the width direction of its lower light emitting part 7, and the shear strain is applied to the respective light emitting parts 7 in a stage before mounting the semiconductor laser element array 8 on the sub-mount 6.例文帳に追加

各リッジ部13において、Auメッキ層14の幅方向の中心位置は、その下方の発光部7の幅方向の中心位置に対して意図的に変位され、半導体レーザ素子アレイ8をサブマウント6に実装する前の段階で各発光部7に剪断歪みが加わるようになっている。 - 特許庁

The magnetic head includes a read head and a write head and is formed by grounding the read element 5 for constituting the read head to a substrate 4 via a resistor 10, wherein a shield pattern 7a as an electromagnetic wave shield layer is integrally formed to a lower shield 7 with arrangement for two-dimensionally covering a region where the resistor 10 is formed.例文帳に追加

リードヘッドとライトヘッドとを備え、前記リードヘッドを構成するリード素子5を、抵抗10を介して基板4に接地して形成した磁気ヘッドであって、前記抵抗10が形成された領域を面的に覆う配置に、下部シールド7に電磁波シールド層としてシールドパターン7aを一体に形成している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which there is offered a technique capable of raising a bonding property of the semiconductor device, by forming an element isolation film and a gate line after forming a polysilicon layer for plug especially including a dopant on a semiconductor substrate, and capable of simplifying a process.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に半導体基板上に不純物を含むプラグ用ポリシリコン層を形成したあと、素子分離膜とゲートラインを形成して半導体素子の接合特性を向上させることができ、工程を単純化することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing light-emitting diode device capable of suppressing the increase of manufacturing cost, emitting white light uniformly, improving light extraction efficiency, while preventing deterioration of light-emitting efficiency of an optical semiconductor layer, and a light-emitting diode element used in the manufacturing method.例文帳に追加

製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に用いられる発光ダイオード素子を提供すること。 - 特許庁

To remove a plurality of layers of reaction products generated in trenches while holding the desired characteristics of each element in a semiconductor device in a manufacturing method for forming the trenches and embedding insulating films in the trenches and isolating the elements after forming a gate insulating film and a gate electrode layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜およびゲート電極層を形成した後、溝を形成し当該溝内に絶縁膜を埋込んで素子分離するための製造方法において、半導体装置内の各素子の所望の特性を保持しつつ溝内に生成された複数層の反応生成物を除去することを可能とする。 - 特許庁

The circuit module 10 comprises a mounting board 110, and a circuit device 11 plug-in mounted on the mounting board 110 wherein the circuit device 11 has a structure including a wiring board 12 provided with a wiring layer on the surface, and a circuit element connected electrically with the wiring board 12.例文帳に追加

本実施の形態の回路モジュール10は、実装基板110と、この実装基板110に差込実装された回路装置11とを具備し、回路装置11は、表面に配線層が設けられた配線基板12と、配線基板12に電気的に接続された回路素子とを含む構造となっている。 - 特許庁

To suppress formation of a void as a connection defect caused by trapping of a gas in a connection layer by eliminating the need of working, such as, grooving on the reverse surface of a semiconductor element, even when a semiconductor is connected using a conductive adhesive producing a very large amount of gas.例文帳に追加

ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。 - 特許庁

To present a method for growing a light emitting element structure in a selective region on a substrate, and variously changing the shape of a nitride semiconductor layer selectively grown in this manner, and to provide a vertical type light emitting device which realizes an optical high extraction efficiency by using such a structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上の選択的な領域で発光素子構造を成長させ、このように選択的に成長された窒化物半導体層の形状を多様に変化させる方法を提示し、かかるな構造を用いて高い光抽出効率を実現できる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic luminescent layer manufacturing process in this manufacturing method of the organic EL element uses a printing cylinder on the surface circumference of which at least a plurality of solvent resistant projecting parts are continuously formed, and an organic luminescent material is printed on a substrate to be transferred.例文帳に追加

有機EL素子の製造方法における有機発光層製造工程が、少なくとも複数の耐溶剤性の凸部が表面円周上に連続形成された印刷用シリンダーを用い、被転写基板へ有機発光材料の印刷を行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The photodetection element 1 is provided with a silicon substrate 9 where a photodetector 11 is formed, a circuit board 7 mounting the silicon substrate 9, at least one wirings 15 connecting the silicon substrate 9 with the circuit board 7 electrically, a cover layer 3 covering the wirings 15, and an exposed part 4 where the photodetector 11 is exposed.例文帳に追加

受光素子1は、受光部11が形成されたシリコン基板9と、シリコン基板9を実装する回路基板7と、シリコン基板9と回路基板7とを電気的に接続し、少なくとも1つ以上の配線15と、配線15を覆うカバー層3、受光部11が露出する露出部4を備えている。 - 特許庁

The rare-earth-doped optical fiber is composed of a core doped with a rare earth element and at least a layer of clad surrounding the core, wherein the difference between a loss of a wavelength of 1,240 nm and a loss of a wavelength of 1,200 nm is within a range between 20 dB/km-300 dB/km.例文帳に追加

希土類元素が添加されたコアと、該コアを囲む少なくとも1層のクラッドとからなる希土類添加光ファイバにおいて、波長1240nmの損失と波長1200nmの損失との差が20dB/km〜300dB/kmの範囲内であることを特徴とする希土類添加光ファイバ。 - 特許庁

Then the compound semiconductor layer 50 is stuck to the element substrate 7 by pressurizing the laminate 130 through the softened pressurizing cushion layers 150 and 111 between the first and second pressurizing members 51 and 52, while the laminate 130 is heated to a sticking temperature at which the cushion layers 150 and 111 are softened.例文帳に追加

そして、加圧クッション層150,111が軟化する貼り合わせ温度に積層体130を加熱しつつ、第一加圧部材51と第二加圧部材52との間で該積層体130を、軟化した加圧クッション層150,111を介して加圧することにより、化合物半導体層50と素子基板7とを貼り合わせる。 - 特許庁

In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.例文帳に追加

前記絶縁膜4a、4b中には、半導体基板2の単結晶層表面2aよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜(抵抗素子)6、及び多結晶シリコン膜(キャパシタ下部電極)8が形成され、STIを含む半導体基板2の表面は平坦化されている。 - 特許庁

A frame-like frame body 7 having liquid-repellent properties is formed around the outer-periphery surface of a flat sealing substrate 6 that opposes a flat element substrate 1; a moisture-absorbing material solution is applied to the inside of the flat sealing substrate 6 surrounded by the frame body 7; and a layer 8 containing a moisture absorbing substance is formed by curing.例文帳に追加

平板素子基板1と対向する平板封止基板6の外周面を周回して撥液性を有する枠状の枠体7を形成し、この枠体7で囲まれた平板封止基板6の内側に吸湿材溶液を塗布し、硬化して吸湿性物質を含む層8を形成する。 - 特許庁

例文

The light emitting layer 5 contains (1) a host material having electron carrier property and/or positive hole carrier property, (2) a compound A showing phosphorescent light emission at a room temperature, and (3) a compound B showing phosphorescent light emission and/or fluorescent light emission at a room temperature, and the maximum light emission wavelength of the element is derived from (3).例文帳に追加

発光層5は、(1)電子輸送性および/または正孔輸送性を有するホスト材料、(2)室温で、燐光発光を示す化合物A、及び、(3)室温で、燐光発光および/または蛍光発光を示す化合物Bを含有し、該素子の最大発光波長が上記(3)由来であることを特徴とする。 - 特許庁




  
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