「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(353ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photodetector which achieves accurate wavelength identification capability and simple layer structure by utilizing a rapid change of the absorptivity at specific wavelength found in an organic semiconductor thin film without use of external wavelength selection element for wavelength detection and by steepening a change in the photoelectric signal.例文帳に追加

波長検出に外部の波長選択素子を使用せず、有機半導体薄膜のもつ特定波長での吸収率の急激な変化を利用し、さらに光電信号の変化を急峻にすることで、精度の良い波長の同定の機能を有し、且つ簡便な層構造の光検出器を提供する。 - 特許庁

Since a metal constituting the intermediate layer has the electronegativity between the electronegativity of the metal constituting the hydrogen separation membrane and the electronegativity of one reduction element constituting the electrolyte membrane, the bias of bonding electrons between the hydrogen separation membrane and the electrolyte membrane is suppressed.例文帳に追加

中間層を構成する金属が水素分離膜を構成する金属の電気陰性度と電解質膜を構成するいずれかの還元元素の電気陰性度との間の電気陰性度を有することから、水素分離膜と電解質膜との間における結合電子の偏りを抑制することができる。 - 特許庁

In an electrode having conductive carbon particles carrying catalyst metal and the catalyst layer containing the hydrogen ion conductive polymer electrolyte adhered to the conductive carbon particles, a unit element piece of the hydrogen ion conductive polymer electrolyte is characterized by that its exterior is occupied by a substantially hydrophobic part.例文帳に追加

触媒金属を担持した導電性炭素粒子および前記導電性炭素粒子に付着した水素イオン伝導性高分子電解質を含む触媒層を有する電極において、前記水素イオン伝導性高分子電解質の単位素片は、その外側が実質的に疎水性部位で占められていることを特徴とする。 - 特許庁

This sliver halide emulsion layer of the photographic element contains a yellow dye forming coupler of an acyl-acetoanilide compound, having an alkoxy or aryloxy substituent on the ortho position to the N atoms of the acetoanilide ring and further, a substituent having a chroman ether group.例文帳に追加

本発明は、アセトアニリド環の窒素原子に対してオルトの位置にアルコキシまたはアリールオキシ置換基を含み、前記環がクロマンエーテル基を含有している置換基をさらに含んでいるアシルアセトアニリド化合物であるイエロー色素形成カプラーを関連して有するハロゲン化銀乳剤層を含んでなる写真要素に関する。 - 特許庁

The display element has an electrolyte containing silver or a compound containing silver in a chemical structure between counter electrodes and drives to operate the counter electrodes to produce dissolution deposition of silver, wherein at least one of the counter electrodes comprises an electrode having nitrogen-containing carbon electrode layer.例文帳に追加

対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該対向電極の少なくとも一つが、含窒素炭素電極層を有する電極であることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

In the transparent electrode for organic electroluminescent elements, comprising a transparent high refractive index thin film 5; a metal thin film 6; and a conductive polymer thin film 7, a film adjacent to an emission layer 3 in the organic electroluminescent element is the conductive polymer thin film 7, where the work function is adjusted.例文帳に追加

透明高屈折率薄膜５と金属薄膜６と導電性ポリマー薄膜７とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極であって、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層３に隣接する膜が、仕事関数が調整された導電性ポリマー薄膜７である有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極とする。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is mounting a surface acoustic wave element 1, having a filter region including an exciting electrode 3, an input pad and an output pad formed on one major surface of a piezoelectric substrate 2 and a semiconductor layer 22 formed on the other major surface, on a mounting substrate while opposing one major surface.例文帳に追加

圧電基板２の一方主面に励振電極３と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域が形成され、他方主面に半導体層22が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装している弾性表面波装置である。 - 特許庁

To explain in details, a light emitting layer is formed using the phosphorescent material having excellent light emission efficiency even when driving by a small current in at least one or more sub-pixel regions requiring large current drive when compared with other pixels in the organic electroluminescent element composed of sub-pixel regions of red, green, and blue colors.例文帳に追加

詳細に説明すると、赤色と緑色と青色のサブ画素領域で構成される有機電界発光素子において、他の画素に比べて高電流駆動を必要とする少なくとも一つ以上のサブ画素領域に低電流駆動時でも発光効率が優れた燐光性物質を用いて発光層を形成する。 - 特許庁

The LED substrate 100 is composed of: a resin substrate 10; a conductor layer formed on the resin substrate 10 and used for supplying electric power to the light emitting element 200 that will be mounted later; and a reflection film 11 formed on the resin substrate 10 and composed of a silicone resin containing reflection material particles.例文帳に追加

ＬＥＤ基板１００は、樹脂基板１０と、樹脂基板１０上に形成され、後に実装される発光素子２００に電力を供給するための導体層と、樹脂基板１０上に形成された反射材粒子を含有するシリコーン樹脂から構成される反射膜１１と、からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic circuit substrate which can reduce burning strain smaller while preventing problems of stamping unnecessary ruggedness on a front layer conductor or a passive element, causing a foreign matter adhesion, or decreasing a plating property and solder wettability in the method of manufacturing the ceramic circuit substrate by a simultaneous burning step using a restricted sheet.例文帳に追加

拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック回路基板の製造方法において、表層導体や受動素子に不必要な凹凸をスタンプ（stamp）したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぎつつ、焼成ひずみをより小さくできる方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the magnetic recording medium includes steps of:forming the hard magnetic layer on the non-magnetic organic support by applying a coating liquid containing the hard magnetic body including the rare-earth element, and forming the soft magnetic area exchange-coupled with the hard magnetic body.例文帳に追加

非磁性有機物支持体上に、希土類元素を含む硬磁性体を含有する塗布液を塗布することにより硬磁性層を形成すること、上記硬磁性層に含まれる硬磁性体表面の少なくとも一部に、該硬磁性体と交換結合した軟磁性領域を形成すること、を含む磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To form a porous layer capable of immobilizing optimally a large amount of, for example, a protein such as an enzyme and an antigen, a catalyst or the like, with a uniform thickness, on a surface of a fine flow passage, without blocking the flow passage, in the surface inside the flow passage of a micro fluid element.例文帳に追加

マイクロ流体素子の微細な流路の内表面に該流路を閉塞することなく、また、例えば酵素や抗原などのタンパク質、あるいは触媒などを最適に多く固定できる多孔質層を該流路の表面に均一な厚さで形成するマイクロ流体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

When forming these element separating part and oxidized part, a silicon-nitride film 22 that has been used as an oxidization blocking mask, is then used as an anti-etching mask in the mark forming area to perform etching upon the oxidized part 26b and a silicon-oxide film 14 to depth such that a first silicon layer 12 is exposed, thereby forming an alignment mark.例文帳に追加

その後、これら素子分離部及び酸化部の形成時に酸化阻止用マスクとして用いたシリコン窒化膜２２をマーク形成領域において耐エッチング用マスクとして用いて、第１のシリコン層１２が露出される深さまで酸化部２６ｂ及びシリコン酸化膜１４のエッチングを行って、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁

In addition, the heater is equipped with a heating furnace 30, a support part 32 which supports the mandrel 10 around which the resin-impregnated fiber layer 11 is formed, inside the heating furnace 30, a heating element 31 for heating the interior of the heating furnace 30 and a coolant circulator 34 for circulating a coolant inside the mandrel 10 arranged in the heating furnace 30.例文帳に追加

また、加熱装置は、加熱炉３０と、周囲に樹脂含浸繊維層１１が形成されたマンドレル１０を加熱炉内において支持する支持部３２と、加熱炉内を加熱するヒータ３１と、加熱炉内に配置されるマンドレル内に冷媒を循環させる冷媒循環機３４とを備える。 - 特許庁

On walls forming exhaust gas channels in a filter body on which the particulates are trapped, in order to promote the burning of the trapped particulates, a catalyst layer containing a mixed oxide in which Ce, Zr and a rare earth element R other than Ce are contained in a Ce/(Ce+Zr) mole ratio between 10% and 90% both inclusive is formed.例文帳に追加

パティキュレートを捕集するフィルタ本体の排ガス通路を構成する壁面に、捕集したパティキュレートの燃焼を促進するために、ＣｅとＺｒとＣｅ以外の希土類元素Ｒとを含有し、Ｃｅ／（Ｃｅ＋Ｚｒ）モル比が１０％以上９０％以下の複酸化物を含有する触媒層を形成する。 - 特許庁

The element includes a substrate 2 having a concave part; an electron emission part 12 positioned by filling the concave part; and a cathode electrode 6 provided on the substrate 2 so as to be electrically connected to the emission part 12; and a gate electrode 10 formed on an upper part of the cathode electrode 6 through an insulation layer separating them.例文帳に追加

本発明の電子放出素子は，凹部を備える基板２と，凹部を満たして位置する電子放出部１２と，電子放出部１２と電気的に連結されるように基板に提供されるカソード電極６と，絶縁層を隔ててカソード電極６上部に形成されるゲート電極１０とを含む。 - 特許庁

In the rare earth magnet manufacturing method, reactive chemical species formed from gas molecules which are generated by contacting at least one kind of gas molecules with a solid catalyst are contacted with the surface of a magnet elemental body containing a rare earth element, thereby, a protective layer formed of the reactive chemical species is formed on the surface of the magnet elemental body.例文帳に追加

希土類磁石の製造方法は、１種以上の気体分子を固体触媒に接触させて生成した気体分子に由来する反応性化学種を、希土類元素を含有する磁石素体の表面に接触させて、磁石素体の表面上に、反応性化学種に由来する保護層を形成するものである。 - 特許庁

The gas barrier laminate is constituted by forming the inorganic film and the organic film on one side or both sides of a transparent resin film base material, and the polymer molecule of the surface layer part of the base material contains a fluorine atom and the fluorine compound polymer film containing an element or a metal compound is used as the organic film.例文帳に追加

透明樹脂フィルム基材の片面または両面に形成された無機膜と有機膜の積層体であって、該基材の表層部の重合体分子がフッ素原子を含有しており、有機膜が元素あるいは、金属化合物を含んでいるフッ素化合物重合体膜を用いることによるガスバリア積層体。 - 特許庁

To provide a component incorporated board in which an electronic component such as a semiconductor element is incorporated, the component incorporated board being high in reliability such that the incorporated electronic component is not damaged and an excellent electric connection between the electronic component and an internal-layer circuit electrode of the board is made, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

半導体素子等の電子部品が内蔵される部品内蔵基板であって、内蔵された電子部品の損傷を招くことなく、且つ、電子部品と当該基板の内層回路電極との良好な電気的接続を得ることができる信頼性の高い部品内蔵基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 50 is provided with polysilicon regions 17 and 18 which are so selectively buried and formed as not to contact with a gate insulating film 6 or an element separating insulating film 11, at portions where a drain region 8 and a source region 9 within a major surface of a SOI layer and which has a function as gettering.例文帳に追加

半導体装置５０は、ドレイン領域８及びソース領域９が形成されている部分のＳＯＩ層４の主面内において、ゲート絶縁膜６及び素子分離絶縁膜１１に接触しないように選択的に埋め込み形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコン領域１７，１８を備えている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor integrated element structure for avoiding problems in the structure such as overhanging growth over a mask due to a dielectric mask area and surface orientation dependency of growth speed of a buried regrowing layer and an increase in the growth speed at a mask end, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

光半導体集積素子構造において問題となる、誘電体マスク面積や埋め込み再成長層の成長速度の面方位依存性に起因するマスク上への張り出し成長や、マスク端での成長速度増大を回避する光半導体集積素子構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this solid-state image pickup element, the intra-layer lens 21 is formed in the passivation film 20.例文帳に追加

半導体基板上に形成された光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成されたパッシベーション膜と、層内レンズとを具備した固体撮像素子であって、前記層内レンズ２１が、前記パッシベーション膜２０中に形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and device of an electroluminescent element in which the constituting layer in the emission region that is almost impossible of patterning is formed uniformly and in high quality membrane and the patterning is performed in a wide viscosity range and in wide selections of use of solvent, and which can be implemented in a short time.例文帳に追加

パターニングが不可能とされる発光領域の構成層を均一かつ高膜質にパターン化して形成する上に、そのパターン化を幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に実施可能な電界発光素子の製造方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

At least one diffusion region exists among a plurality of resistor elements made on the element isolating layer, and further the plurality of resistor elements 4 and the diffusion region 1a are arranged so that the intervals between the resistor elements 4 and the surrounding corresponding diffusion region 1a may be equal to each other, in individual resistor elements 4.例文帳に追加

素子分離層上に形成された複数の抵抗素子間には、少なくとも一つの拡散領域１ａが存在し、さらに個々の抵抗素子４において、抵抗素子４と周囲の対応する拡散領域１ａとの距離がそれぞれ等しくなるように複数の抵抗素子４および拡散領域１ａを配置する。 - 特許庁

An electrode layer (6) arranged on the voltage nonlinear variable resistor element (the varistor 2) is connected to an external terminal (a lead wire 12) via an easily meltable metal or a conductive low-melting material (a low-melting material 14), and the easily meltable metal or the conductive low-melting material is covered with a flux resin (16).例文帳に追加

電圧非直線性抵抗素子（バリスタ素子２）に設置された電極層（６）には易溶融性金属又は導電性低融点物質（低融点物質１４）を介在させて外部端子（リード線１２）が接続され、前記易溶融性金属又は前記導電性低融点物質はフラックス樹脂（１６）で被覆されている。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a structure in which a charge accumulating region 4 configuring a photodiode is formed in a semiconductor layer 3, and a reflection film 16 for reflecting light transmitting through the charge accumulating region 4 and allowing the light to propagate toward the center of the charge accumulating region 4 is formed in or below the charge accumulating region 4.例文帳に追加

半導体層３の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域４が形成され、この電荷蓄積領域４の内部又は下に、電荷蓄積領域４を透過した光を反射させて電荷蓄積領域４の中央部に向かわせる反射膜１６が設けられている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

This thin-film electric part is provided with a thin-film element 3 having an insulator layer 5 and electrode layers 6 and 7 which are formed on supporting members 1 and 21, and the supporting members 1 and 21 is formed of a silicon nitride film transmitting a visible light or a silicon nitride film 25 transmitting a visible light in a visible light transmitting base 23.例文帳に追加

支持部材１、２１上に、絶縁体層５と電極層６、７とを有する薄膜素子３が形成された薄膜電子部品であって、支持部材１、２１が、可視光を透過する窒化珪素膜、もしくは可視光透過基体２３に可視光を透過する窒化珪素膜２５を形成してなるものである。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent display having a life time of an element secured, without generating unevenness in the luminance by a voltage drop caused by an upper-part translucent electrode even in an enlarged size, and having a high production efficiency capable of forming an organic luminescent layer, without using a deposition mask having a precision open-hole pattern.例文帳に追加

素子の寿命を確保しつつ、上部透明電極に起因する電圧降下による発光輝度むらを大形化しても生じさせず、かつ精密な開孔パターンを持つ蒸着マスクを用いずに有機発光層形成可能な生産効率の高い有機ＥＬ表示装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an element for a color plane display high in contrast by forming a material such as iron or nickel in place of conventional carbon and boron on a fluorescent substance layer laminated on base glass to prevent halation by re-entry of rear face scattered electrodes from a fluorescent substance of a display device utilizing an electron beam.例文帳に追加

ペースガラス上に積層された蛍光体層上に従来の炭素及び硼素の代りに鉄又はニッケルなどの材料を形成することで、電子ビームを利用した表示装置の蛍光体からの後面散乱電子の再突入によるハレーションを無くし、コントラストの高いカラー平面ディスプレイ用素子を提供しようとする。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the organic EL element including a process of forming a first electrode at a flexible base body, a process of forming a spacer on a light emitting face after the process of forming the first electrode, a process of forming an organic layer after the process of forming the spacer, and a process of forming a second electrode.例文帳に追加

フレキシブル基体に第１の電極を形成する工程と、第１の電極を形成する工程の後に、発光面にスペーサを形成する工程と、スペーサを形成する工程の後に、有機層を形成する工程と、第２の電極を形成する工程とを含む有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an organic EL element with its performance improved by the use of a fluorocarbon system (CFx) as a material for a hole injection layer, particularly, with the improvement of a sealing property of a sealing cap which becomes a problem when the CFx is used, its manufacturing method, and an organic EL display device.例文帳に追加

正孔注入層の材料にフルオロカーボン系（ＣＦｘ）を用いて有機ＥＬ素子の性能の向上を図るとともに、特にＣＦｘを用いたときに問題となる封止キャップの封止性を向上させた有機ＥＬ素子およびその製造方法並びに有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized by having a deposition process for forming, by deposition, a layer formed of one metal material out of at least one or more metal layers constituting at least one-side electrode 50 within a pair of electrodes 23 and 50 catching the organic EL element 60; and by carrying out the deposition process by changing deposition conditions.例文帳に追加

有機ＥＬ素子６０を狭持している一対の電極２３、５０のうち少なくとも一方の電極５０を構成する少なくとも一つ金属層のうち一の金属材料からなる層を蒸着により形成する蒸着工程を有し、蒸着工程を蒸着条件を変化させて行うことを特徴とする。 - 特許庁

The electroluminescent element is composed of a positive electrode containing a positive electrode substance, a negative electrode containing a negative electrode substance and at least one layer between the positive electrode and the negative electrode, and the positive electrode substance has a work function of practically the same or less than the negative electrode substance has.例文帳に追加

本発明は陽極物質を含む陽極;陰極物質を含む陰極;及び前記陽極と前記陰極の間の少なくとも一つの層を含み、前記陽極物質が前記陰極物質の仕事関数と実質的に同一であるか、それ未満の仕事関数を有することを特徴とする電界発光素子である。 - 特許庁

A photoelectric conversion element consists of a lamination structure including a photoreceptor with a semiconductor fine particle layer in which a dye is suctioned onto a conductive supporting body, a charge mobile body, and a counter electrode.例文帳に追加

導電性支持体上に色素が吸着された半導体微粒子層を有する感光体、電荷移動体、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子であって、色素が一般式（１）の構造を有する色素と、一般式（２）で表される構造を有する色素とを含有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

In the electrochemical light-emitting element employing a transition metal complex (ruthenium complex, in particular) for its light-emitting layer, a high-polymer solid electrolyte is utilized that comprises a high-polymer compound obtained by hardening a compound having polymerizing property, the compound containing a specific functional group with polymerizing property in the form of an ion conductive substance, as well as an electrolyte salt.例文帳に追加

遷移金属錯体（特にルテニウム錯体）を発光層に用いる電気化学的発光素子において、イオン伝導性物質として特定の重合性官能基を有する重合性化合物を硬化させて得られた高分子化合物と電解質塩を含む高分子固体電解質を用いる。 - 特許庁

After performing a nitriding treatment on the surface of the iron alloy material, actually nitrided material to be treated is heated and retained in 400-700 °C molten salt, thereby forming the surface hardened layer consisting of a nitride or a carbonitride of one or more types of elements such as a group 4-7 element in the fourth to sixth period in the periodic table on the material to be treated.例文帳に追加

鉄合金材料の表面に、窒化処理を実施した後、本窒化した被処理材を、４００〜７００℃の溶融塩中に加熱保持し、周期表第４〜６周期の４〜７族元素などの一種または二種以上の元素の窒化物あるいは炭窒化物からなる表面硬化層を被処理材に形成する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the microstructure and the electric circuit for controlling the microstructure can be provided over the one substrate by manufacturing the microstructure in a such way that a structural layer having polycrystalline silicon obtained by thermal crystallization or laser crystallization by using a metal element is formed and processed at low temperature.例文帳に追加

半導体装置が有する微小構造体は、金属元素を用いて熱結晶化又はレーザ結晶化された多結晶シリコンを有する構造層を形成し低温プロセスで作製することにより、微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に備えることができる。 - 特許庁

In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.例文帳に追加

第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁

The head cleaning process is carried out by pressing the thermal head into contact with a blank part or the like of a color thermal recording paper, transferring the color thermal recording paper by only a predetermined length in a state in which the thermal head heats to a temperature where a cyan thermal coloring layer does not color, and sliding the color thermal recording paper and the heating element array into contact with each other.例文帳に追加

このヘッドクリーニング処理は、サーマルヘッドをカラー感熱記録紙の余白部分等に圧接させ、サーマルヘッドをシアン感熱発色層が発色しない温度に発熱させた状態でカラー感熱記録紙を所定長さだけ搬送して、カラー感熱記録紙と発熱素子アレイとを摺接させることにより行なう。 - 特許庁

The shift mask has a region containing a metal silicide produced by coupling a metal and silicon as the main structural element in the substances constituting the single layer film or multilayered film, and at least one of the metal not silicified and silicon not forming a compound with metal elements is incorporated into the aforementioned region.例文帳に追加

前記単層膜若しくは多層膜を構成する物質の内、金属とシリコンの間で結合した金属シリサイドを主要構成要素とする領域中に、シリサイド化されていない金属及び金属元素と化合物になっていないシリコンの少なくとも一方が含有されていることを特徴とする。 - 特許庁

The catalyst chemical element is moved from the crystalline semiconductor film formed by the catalyst chemical element to the semiconductor film including an inert gas chemical element via a barrier layer.例文帳に追加

第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設けられた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触媒元素を移動させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the light-emitting element includes steps of: forming a semiconductor film including an active layer on a substrate; forming division grooves sectioning the semiconductor film into semiconductor light-emitting element regions; forming buried protective portions by filling the division grooves with a resist material; forming a metal film for plating start, covering surfaces of the semiconductor film and buried protective portions; and forming a metal support of metal plating on the metal film.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、基板上に活性層を含む半導体膜を形成する工程と、半導体膜を半導体発光素子領域に区画する分割溝を形成する工程と、分割溝にレジスト材を充填して埋め込み保護部を形成する工程と、半導体膜および埋め込み保護部の表面を覆うメッキ開始用の金属膜を形成する工程と、金属膜上に金属メッキからなる金属支持体を形成する工程と、を含む。 - 特許庁