「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(349ページ目) - Weblio英語例文検索

The ink composition is used for image-forming apparatus for forming image having ≥650 dpi picture element density at ≥0.5 m^2/min recording rate by dropping it onto media having an image-receiving layer, and contact angle variation at one second in the initial stage when dropping 1μl ink composition onto the media is ≥3.0 degree.例文帳に追加

受像層を有するメディア上に打滴して、画素密度６５０ｄｐｉ以上、記録速度０．５ｍ^2／ｍｉｎ以上で、画像形成する画像形成装置に用いられるインク組成物であって、前記インク組成物１μｌを前記メディアに滴下したときの初期１秒の接触角変化量が３．０度以上である。 - 特許庁

The original plate for the planographic printing plate is characterized by sequentially disposing an interlayer containing a compound which contains a metal element with two or more valences and a photosensitive layer containing an infrared ray absorbent, a radical generator and a radical polymerizable compound on an aluminum support which has a roughened surface with an anodic oxidation coating film formed thereon.例文帳に追加

粗面化し陽極酸化被膜を形成したアルミニウム支持体上に、２価以上の金属元素を含む化合物を含有する中間層、赤外線吸収剤、ラジカル発生剤及びラジカル重合性化合物を含有する感光層を順次設けてなることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁

To provide a flexible wiring board equipped, having an electromagnetic wave shielding layer that can intercept electromagnetic waves irradiated from the wiring board and the incidence of noise from the board, even in electronic equipment in which a liquid crystal displaying element side and main body side are separably and movably formed, and in addition, has durability against frequent bending.例文帳に追加

液晶表示素子側と本体側とが分離・移動可能に形成された電子機器にあっても、フレキシブル配線基板からの電磁波の放射や雑音の入射を遮蔽することができ、かつ頻繁な折り曲げに対して耐久性のある電磁波遮蔽層を備えたフレキシブル配線基板の提供にある。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Since the ink 3 is easily transferred from a stamp 1 in the high surface free energy part 5a, and the ink 3 is hardly transferred from the stamp 1 in the low surface free energy part 5b because surface free energy is small, miniaturization of an electrode pattern and increase of the thickness of an electrode layer are allowed in manufacturing an organic TFT element.例文帳に追加

高表面自由エネルギー部５ａでは、スタンプ１からインク３が転写されやすく、低表面自由エネルギー部５ｂでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ１からインク３が転写されにくくなるため、有機ＴＦＴ素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。 - 特許庁

A first and a second thermistor layer 7 and 8, are formed on the edge faces of a thermistor element 2; a first and a second external electrode 9 and 10, are formed on the thermistor layers 7 and 8 respectively for the formation of a thermistor; and the electrical characteristics of the thermistor can be regulated easily, by selecting those materials that constitute the thermistor layers 7 and 8.例文帳に追加

サーミスタ素体２の端面２ａ，２ｂに第１，第２のサーミスタ層７，８が形成されており、第１，第２のサーミスタ層７，８上に第１，第２の外部電極９，１０が形成されており、サーミスタ層７，８を構成する材料を選択することにより電気的特性を容易に調整し得るサーミスタ１。 - 特許庁

To provide an organic EL device forming an organic thin film layer comprising a plurality of layers by a simple wet method of a manufacturing process by using a material of an arbitrary organic electroluminescent element (EL) and having high light emitting efficiency and long service life, and also to provide its manufacturing method and an organic solution for the organic EL device realizing it.例文帳に追加

任意の有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）の材料を用いて、製造工程の簡便な湿式法により複数層からなる有機薄膜層を形成可能で、高発光効率かつ長寿命な有機ＥＬ素子、その製造方法及びそれを実現する有機ＥＬ素子用有機溶液を提供する。 - 特許庁

The optical information recording apparatus has a light source for recording, a spatial light modulator converting radiation light for recording into information light carrying information and reference light, a condensing part condensing the information light and the reference light on an information recording layer, an imaging element detecting light intensity distribution of the information light and a control means.例文帳に追加

光情報記録装置は、記録用光源と、情報を担持する情報光と参照光に記録用照射光を変換する空間光変調器と、情報記録層へ情報光、参照光を集光する集光部と、情報光の光の強度分布を検出する撮像素子と、制御手段と、を有する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head eliminating the generation of deterioration of the insulation property between leads and upper/lower shields for a magneto-resistive element even though the shield gap layer is thinned for improving the thermal aspirity of the magneto-resistive thin magnetic head, and also capable of accurately reading a minute reproducing signal by lowering the resistance of the lead.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

The piezo-electric element includes the Si substrate, a piezo-electric film of niobic acid potassium sodium of perovskite structure whose general formula is (K, Na)NbO_3 formed on the upper portion of the Si substrate, and an intermediate layer formed between the Si substrate and the piezo-electric film, which makes the piezo-electric film generate stress in a compressing direction.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上方に形成され、一般式が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、Ｓｉ基板と圧電膜との間に形成され、圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える。 - 特許庁

A circuit diagram editor having a function for applying a symbol name and a symbol number to elements of same configuration and for collectively describing a plurality of elements of same configuration in one element in a circuit diagram in an upper layer is configured to prepare a terminal connection table 22 for an arbitrary cell 10, and to achieve wiring expressions by using the terminal connection table 22.例文帳に追加

上位階層の回路図において、同一構成の要素にシンボル名とシンボル番号を付与して、複数の同一構成の要素を一つの要素に一括表記する機能を有する回路図エディタに、任意のセル１０について端子接続表２２を作成し、端子接続表２２を用いた配線表現を可能とする。 - 特許庁

This burglar preventing element 1 is provided with a lower-side conducting route 2 consisting of a coil and an upper-side conducting route 3 consisting of a coil, which are wound in the reverse direction, overlap in at least one overlapped area, and with an additional dielectric layer 4 at the overlapped area.例文帳に追加

防犯エレメント１は、巻線からなる下側導通経路２及び巻線からなる上側導通経路３を備え、これら２つの導通経路が逆方向に巻回され、少なくとも１つの重複領域において重複し、２つの導通経路の重複領域に追加の誘電体層４を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された埋込み絶縁膜２と、埋込み絶縁膜２上に形成された活性領域３０と、活性領域３０の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜４と、活性領域３０に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁

To provide a new radiation-sensitive composition for colored layer formation having good storage stability as a solvent-containing liquid composition and giving pixels and a black matrix excellent in solvent resistance to various solvents and in adhesion to a substrate, and to provide a color filter and a color liquid crystal display element.例文帳に追加

溶媒を含有する液状組成物としての保存安定性が良好であり、かつ幅広い溶剤に対する耐溶剤性、基板との密着性等にも優れた画素およびブラックマトリックスを与える新規な着色層形成用感放射線性組成物新規な着色層形成用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter wherein an open circuit voltage and a short circuit current are increased and the photoelectric conversion efficiency is improved without making an n-type conductivity type semiconductor layer contain a high concentration impurity element, and to suppress the discharge amount of carbon dioxide upon manufacturing by providing the photoelectric converter.例文帳に追加

ｎ型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁

A region of the optical element 30 from which light transmitted through the first region 31a is emitted is provided with a second polarization conversion layer 33 configured to convert a polarization direction of the light transmitted through the first region 31a from the different linear polarization (P polarization) into the one linear polarization (S polarization).例文帳に追加

そして、この第１領域３１ａを透過した光が光学素子３０を出射する領域には、第１領域３１ａを透過した光の偏光方向を、他の直線偏光（Ｐ偏光）から一の直線偏光（Ｓ偏光）に変換する第２偏光変換層３３を備えるものである。 - 特許庁

To provide a film-forming composition which is superior in heat resistivity and dielectric constant characteristics, especially, in CMP durability for forming a silicon system film, having a proper uniform thickness suitably available as an inter-layer insulating film in a semiconductor element, and to provide a porous insulating film which uses this film-forming composition and a method for manufacturing the film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも耐熱性、誘電率特性に優れ、特にＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物、これを用いた多孔質絶縁膜、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the light-emitting layer 90 constituted of red color elements 92R, blue color elements 92B, and green color elements 92G, a vibration of a given frequency 170 is added on an interface jointing with at least either color element 92 out of the blue color elements 92B and the green color elements 92G to make a surface of the interface rugged.例文帳に追加

赤の色要素９２Ｒ、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇで構成される発光層９０において、青の色要素９２Ｂおよび緑の色要素９２Ｇの内、少なくとも一つの色要素９２と接合する界面に、所定の周波数１７０の振動を加えて、界面の表面を凸凹にする。 - 特許庁

An MEMS element is provided with a substrate-side electrode 45 and a beam 46 which is arranged opposite to the substrate-side electrode 45 and has a drive-side electrode 48 which performs drive with electrostatic attraction or electrostatic repulsive force to be exerted between the drive-side electrode 48 and the substrate-side electrode 45, and the substrate-side electrode 45 is formed of a single crystal semiconductor layer.例文帳に追加

基板側電極４５と、基板側電極４５に対向して配置され、基板側電極４５との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極４８を有してなるビーム４６とを備え、基板側電極４５が、単結晶半導体層で形成されて成る。 - 特許庁

In the wavelength conversion element having a core 32 consisting of a nonlinear optical crystal and the ridge optical waveguide in which the surface of the core 32 not in contact with a substrate 31 is formed of an air layer, the concentration distribution of Li on a cross section of the core 32 shows a gradual increase from the center part 33 of the core 32 to the outer peripheral part.例文帳に追加

非線形光学結晶からなるコア３２と、コア３２の基板３１に接していない面が空気層からなるリッジ型の光導波路を有する波長変換素子において、コア３２断面のＬｉの濃度分布は、コア３２の中央部３３から外周部に向かってなだらかに増加している。 - 特許庁

The electric resistance heating and warming cloth product comprises a cloth layer which has a first face and a second face on the reverse side and an electric resistance heating and warming element that has a configuration of a conductive string mounted on the first face of the cloth, for example, sewn in embroidery and heats and warms when connected with the power source.例文帳に追加

電気抵抗加熱／加温複合布製品は、第１の面及び反対側の第２の面を有する布層と、例えば刺繍縫いで布層の第１の面に取着された導電糸の形態をなし、電源に接続されると加熱／加温を行うようになっている電気抵抗加熱／加温素子とを備えている。 - 特許庁

In an antenna device 1 including a substantially disc like circuit board 3 on which a ground conductor layer 33 is provided, and a sheet-metal antenna element 2 mounted on the circuit board 3, a radiation conductor plate 20 consisting of a metal flat plate is arranged parallel to the circuit board 3 and five metal pieces 21-25 are used to support the radiation conductor plate 20.例文帳に追加

接地導体層３３が設けられた略円板状の回路基板３に板金製のアンテナ素子２が取り付けられたアンテナ装置１であって、金属平板からなる放射導体板２０が回路基板３と略平行に配置されていると共に、５個の金属片２１〜２５が放射導体板２０を支持している。 - 特許庁

In the organic EL element having the planarizing film 50 and the electric field light-emitting layer 40 made of the organic resin, the reflective film 60 and the semi-transmissive film 30, all of the reflective film 60, the semi-transmissive film 30, and auxiliary wiring 70 connected to the semi-transmissive film are formed of a Al-Ni base alloy.例文帳に追加

有機樹脂からなる平坦化膜５０及び電界発光層４０と、反射膜６０と、半透過膜３０とを備える有機ＥＬ素子において、反射膜６０、半透過膜３０、半透過膜に接続する補助配線７０のいずれもがＡｌ−Ｎｉ系合金で形成されていることを特徴する有機ＥＬ素子。 - 特許庁

More specifically, the method for manufacturing the thin film dielectric element comprises a step for forming the thin film dielectric of (Ba_1-xSr_x)_aTiO_3(0≤x≤1, 1.0≤a≤1.2) on a conductive electrode layer, and a step for annealing the thin film dielectric thus formed at 600-1,000°C.例文帳に追加

具体的には、本願発明は、導電性電極層上に（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ａＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、１．０≦ａ≦１．２）からなる薄膜誘電体を形成する工程と、形成した前記薄膜誘電体を６００℃を超えて１０００℃以下でアニールする工程と、を含む薄膜誘電体素子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with an MR element, in which a sufficient bias magnetic field for domain control can be supplied to a magnetization free layer of an MR laminate, consequently, proper linear response having no noise can be performed, a magnetic disk drive device provided with the thin-film magnetic head, and to provide a manufacturing method for the thin-film magnetic head.例文帳に追加

充分な磁区制御用バイアス磁界をＭＲ積層体の磁化自由層に供給することができ、その結果、ノイズのない良好な線形応答が可能なＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is formed into a Schottky type or p-n junction type or Schottky/p-n junction composite type horizontal diode structure which has a horizontal main conductive path in a conductive layer 1, and unit anodes 5u and unit cathode electrodes 2u that are adjacent to each other in horizontally integrated arrangement.例文帳に追加

半導体素子１０を、導電層１内において水平方向に主導通経路を有し、かつ、単位アノード部５ｕと単位カソード電極２ｕとを互いに隣接する形で横方向に集積化してなる、ショットキー型もしくはＰ−Ｎ接合型の、あるいはこれらが複合された横型ダイオード構造とする。 - 特許庁

In the semiconductor transistor element 10 in manufacturing, a source electrode 18 and a drain electrode 20 have configurations each having a concave portion P holding semiconductor ink drops, and a semiconductor layer 22 is formed by dropping a semiconductor ink drop 22A between the source electrode 18 and the drain electrode 20, each having the concave portion P.例文帳に追加

半導体トランジスタ素子１０においては、製造時において、ソース電極１８及びドレイン電極２０を、半導体インク滴を保持しうる凹部Ｐを有する構成とし、この凹部Ｐを有するソース電極１８及びドレイン電極２０の間に、半導体インク滴２２Ａを滴下することで半導体層２２を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric element has a piezoelectric film 14 principally comprising Pb and at least two elements out of Ti, Zr, Zn, Nb and Mg, and a seed layer 13 having principal components identical to those of the piezoelectric film 14 and stronger against corrosion than the piezoelectric film 14 is formed on the piezoelectric film 14.例文帳に追加

Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、およびＭｇのうち少なくともいずれか二つの元素、ならびにＰｂを主成分として含む圧電性膜１４を有する圧電素子であって、上記圧電性膜１４とその主成分が同一で、かつ圧電性膜１４より腐蝕に強いシーズ層１３が圧電性膜１４と積層された構成である。 - 特許庁

The polyelectrolytic element is manufactured by applying to a supporting body a resin, a polymerizable compound having one or more ethylenic unsaturated bond in its molecule, a photo polymerization initiator or heat polymerization initiator, and a polyelectrolytic layer containing an electrolytic solution and then radiating the supporting body with light or electron ray or heating the supporting body.例文帳に追加

樹脂、エチレン性不飽和結合を分子内に１個以上有する重合性化合物、光重合開始剤若しくは熱重合開始剤、及び電解液を含有する高分子電解質層を支持体上に塗布し、光照射、電子線照射又は加熱してなる高分子電解質エレメント。 - 特許庁

To achieve a modulator integrated laser satisfying both a highly reliable DWDM optical transmission laser having an oscillation wavelength invariant with time regardless of the material system of an active layer forming a semiconductor optical element, and a low capacity external modulator capable of high speed operation with high yield and low cost.例文帳に追加

半導体光素子を形成する活性層の材料系を問わず、経時的に発振波長が変動しない高信頼性を有するＤＷＤＭ光伝送用レーザと、高速動作が可能な低容量な外部変調器とを両立する変調器集積レーザを高歩留・低コストで実現する。 - 特許庁

To suppress a crack in a cathode layer of a capacitor element and a rise in interface resistance caused by stress generated by the expansion of an exterior resin by a heat history and exposure to a high temperature caused by the solder mounting of the solid electrolytic capacitor to a printed board and contraction on cooling.例文帳に追加

固体電解コンデンサのプリント基板上へのはんだ実装の際、高温下に曝される為、この熱履歴により、外装樹脂が膨張、冷却時の収縮により発生する応力が原因となって、コンデンサ素子の陰極層に亀裂が発生し、界面抵抗が上昇することを抑制すること。 - 特許庁

In the electron emission element 1, an electron acceleration layer 4 disposed between an electrode substrate 2 and a thin film electrode 3 contains conductive fine particles 8, insulator fine particles 7 larger than the conductive fine particles 8 in mean diameter, and crystalline electron carrying agent 9.例文帳に追加

本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。 - 特許庁

A rear-surface film 2 for a flip-chip semiconductor to be provided for protecting a rear surface of a semiconductor element which is mounted on an adherend by flip chip comprises at least a layer containing at least a thermoset resin component and not containing a thermoplastic resin component.例文帳に追加

フリップチップ型半導体裏面用フィルム２は、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、少なくとも熱硬化性樹脂成分により形成され、かつ、熱可塑性樹脂成分を含まない層を少なくとも備えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a diode 7 that is formed on a semiconductor substrate and serves as a temperature detection element to detect abnormal heat generation, and a thermal conduction layer 102 that is formed between the diode 7 and the semiconductor substrate and has a thermal conductivity higher than that of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、半導体基板上に形成された、異常発熱を検出するための温度検出用素子であるダイオード７と、ダイオード７と半導体基板との間に形成され、半導体基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層１０２と、を備えるものである。 - 特許庁

In the printing original plate having an image recording layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorbent on a supporting body, the plate is manufactured by applying and drying a coating liquid containing a surfactant having a reactive group and an F or Si element.例文帳に追加

水不溶且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含む画像記録層を支持体上に設けた印刷版用原板において、反応性基と、Ｆ又はＳｉ元素とを含む界面活性剤を含有する塗布液を塗布乾燥してなることを特徴とする平版印刷版用原板。 - 特許庁

To reduce equivalent series resistance (ESR) without upsizing a capacitor element which comprises a metal anode body 1 for valve action, a dielectric film formed to the anode body, and a solid electrolyte layer 4 stacked on the dielectric film of the anode body.例文帳に追加

弁作用金属製の陽極体１と、この陽極体に対して形成した誘電体膜と、前記陽極体に対して前記誘電体膜に重ねて形成した固体電解質層４とから成るコンデンサ素子において、このコンデンサ素子における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を、その大型化を招来することなく低くする。 - 特許庁

To provide an electron emission element and its manufacturing method for suppressing diode light emission owing to a crack by preventing generation of the crack in an insulating layer when a cathode electrode is patterned and lowering a drive voltage as well as improving screen brightness by enhancing conductivity of the cathode electrode.例文帳に追加

カソード電極をパターニングする時に，絶縁層にクラックが生じないようにすることにより，クラックによるダイオード発光を抑制し，カソード電極の導電性を高めることにより，画面輝度を向上させると同時に，駆動電圧を下げることができる電子放出素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element is fabricated through such procedures that a transparent metal oxide film consisting of indium-tin oxide is laminated on a glass base board and that the metal oxide is subjected to a plasma surface processing using oxygen where the fluorine content is below 1 wt.%, and thereby an anode layer 10 is formed.例文帳に追加

ガラス基板上にインジウム錫酸化物から成る透明性金属酸化物膜を積層した後に、この金属酸化物に対してフッ素含有量を１重量％以下とする酸素を用いたプラズマ表面処理を施して形成した陽極層１０を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element has at least organic compound layers including an organic luminescent layer caught between a pair of electrodes, and characterized by forming all the organic compound layers with organic compound materials each formed of a halogen-containing compound and having a concentration of impurity less than 1,000 ppm.例文帳に追加

少なくとも一対の電極間に挟持された有機発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、全ての有機化合物層をハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が１０００ｐｐｍ未満の有機化合物材料で形成した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

Thermal barrier layers 3, 5 consisting of zirconium oxide are formed on the surface of a base material 1 formed of alloy mainly consisting of nickel, cobalt or iron via a metallic bond layer 2 of alloy which contains at least one of nickel, cobalt and iron and consists of at least one element of chromium, aluminum and yttrium.例文帳に追加

ニッケル、コバルトもしくは鉄を主成分とする合金からなる基材１の表面に、ジルコニウム酸化物からなる遮熱層３，５を、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１つを含み、これとクロム、アルミニウム、イットリウムの少なくとも１つの元素とからなる合金の金属結合層２を介して形成する。 - 特許庁

By separating the semiconductor substrate having a bad thermal conductivity from the Gunn diode, heat generated by the Gunn diode active layer of the thin film Gunn diode element 1 can be easily dissipated to the millimeter wave resonator substrate side, resulting in the suppression in rise in temperature of the Gunn diode and subsequent stabilization of millimeter wave output strength.例文帳に追加

ガンダイオードから熱伝導性の低い半導体基板を分離したことによって、薄膜ガンダイオード素子１のガンダイオード活性層で発生した熱を容易にミリ波共振器基板側へ放熱することが可能であり、ガンダイオードの温度上昇を抑制してミリ波出力強度を安定化することができる。 - 特許庁

The present invention provides: an organic electronics material containing a) charge transporting compound with at least one cation polymerizable substituent group, b) cationic polymerization initiator, and c) radical polymerization initiator; and an organic electronics element having a layer formed by applying and depositing the organic electronics material on a substrate.例文帳に追加

ａ）１つ以上のカチオン重合性置換基を有する電荷輸送性化合物と、ｂ）カチオン重合開始剤と、ｃ）ラジカル重合開始剤と、を含有することを特徴とする有機エレクトロニクス用材料、及び該有機エレクトロニクス用材料を基板上に塗布し、成膜した層を有する有機エレクトロニクス素子である。 - 特許庁

To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。 - 特許庁