「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(350ページ目) - Weblio英語例文検索

The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam.例文帳に追加

無機膜６２ａに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Ｄに沿った長手を有する複数の空孔６２ｂが形成された層６２を含む。 - 特許庁

To provide a reliable laminated coil component, provided with a plurality of coils in an element, where cracking caused by internal stress is prevented and an insulating resistance is prevented from falling even if a pin hole or foreign material is present in a magnetic body layer between the coils.例文帳に追加

素子中に複数のコイルを備えた積層型コイル部品であって、内部応力によるクラックの発生を防止することが可能で、しかも、コイル間の磁性体層にピンホールや異物があるような場合にも、絶縁抵抗の低下を防止することが可能な、信頼性の高い積層型コイル部品を提供する。 - 特許庁

The optical modulation element has: a pair of substrates at least one of which has translucency, arranged to face electrodes provided on surfaces; and the light modulating layer provided between the paired substrates, and containing at least a liquid crystal drop or a liquid crystal microcapsule, a polymer binder, and a resin spacer.例文帳に追加

少なくとも一方が透光性を有し、表面に設けられた電極が対向するように配置された一対の基板と、前記一対の基板間に設けられ、少なくとも液晶ドロップまたは液晶マイクロカプセル、高分子バインダー及び樹脂スペーサーを含む調光層と、を有する光変調素子である。 - 特許庁

Coating liquid for organic EL is used when at least one organic EL layer of organic EL element is formed by printing method, and the coating liquid for organic EL contains at least one kind of solvent of which vapor pressure is not more than 500 Pa.例文帳に追加

有機ＥＬ素子中の少なくとも１層の有機ＥＬ層を印刷法で形成する際に使用される有機ＥＬ用塗液であって、蒸気圧が５００Ｐａ以下である溶媒を少なくとも１種類含んでいることを特徴とする有機ＥＬ用塗液及びそれを用いて形成した有機ＥＬ素子並びにその製造方法。 - 特許庁

Related to a nitride semiconductor device comprising a nitride luminous element layer 9 on a GaN substrate 1, the GaN substrate 1 is doped with Mg, whose doping amount is 1×1017-1×1020 cm-3, with the thickness of the GaN substrate 1 being 100 μm or larger.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上に窒化物系の発光素子層９を有する窒化物系半導体素子において、ＧａＮ基板１はＭｇがドーピングされており、そのドーピング量が１×１０^17ｃｍ^-3以上、１×１０^20ｃｍ^-3以下の範囲であり、且つ前記ＧａＮ基板１の厚みが１００μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

When a liquid crystal layer of the LCOS is transferred from splay alignment to bend alignment, a large voltage is applied as an applied voltage CE to a common electrode of the liquid crystal display element for 0.5 to 60 seconds from the start of transfer.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、画面全体を一度に書き換える一括転送方式のＬＣＯＳを備え、そのＬＣＯＳの液晶層をスプレイ配向からベンド配向へ転移させるときに、液晶表示素子の共通電極への印加電圧ＣＥとして、転移スタート時から０.５秒〜６０秒間、大なる電圧を印加する。 - 特許庁

The light emitting device includes: a light emitting element such as a blue LED chip; and a phosphor-containing resin layer including at least two kinds of phosphors having approximate specific gravities and a transparent resin having the specific gravity of at least 20% of the phosphor of the largest specific gravity among the phosphors.例文帳に追加

本発明の発光装置は、青色ＬＥＤチップのような発光素子と、近似した比重を有する２種類以上の蛍光体と、これらの蛍光体のうちで最も比重が大きい蛍光体の２０％以上の比重を有する透明樹脂を含む蛍光体含有樹脂層とを備えている。 - 特許庁

This dopant containes an emission layer 5 of the organic electroluminescent element and its molecular structure comprises No.1 part and No.2 part as shown below and the No.1 part has a lower excitation energy then that of the No.2 part.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の発光層５にホスト化合物とともに含有させるドーパント化合物であり、その分子構造が、以下に示す（化１）のように、第１の分子パートと第２の分子パートからなり、かつ第１の分子パートが第２の分子パートより低い励起エネルギーを有する分子パートであることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。 - 特許庁

This prevents cracks from being generated, suppresses creep-up growth from a bottom side grown part of the trench region to suppress the increase of the film thickness of a side grown part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element with a nitride semiconductor grown layer having good surface flatness at a high yield.例文帳に追加

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。 - 特許庁

Concerning the piezoelectric vibrator constituted by housing a piezoelectric vibrating element in a ceramic package composed of a multi- layer ceramic plate and a ceramic side wall part formed around the outer peripheral edge of this ceramic plate, the ceramic plate is raised from the bottom of the side wall part and a recessed part is formed on the outside bottom of the package.例文帳に追加

多層セラミック板と該セラミック板の外周縁に形成したセラミック側壁部とからなるセラミックパッケージに圧電振動素子を収容して構成する圧電振動子であって、前記セラミック板を前記側壁部底部より底上げし、パッケージの外側底部に凹陥部を形成した圧電振動子とする。 - 特許庁

In the liquid droplet ejection head, a piezoelectric element 144 is constituted of a piezoelectric body 156 and electrode layers 158, 160 provided at the opposite end faces of the piezoelectric body 156 in its thickness direction, with each electrode layer 158, 160 having an insulating tin oxide film 162 and metal films 164, 166 in order from the piezoelectric body 156 side.例文帳に追加

圧電素子１４４は、圧電体１５６と、この圧電体１５６の厚み方向の両端面に設けられた電極層１５８、１６０と、で構成され、それぞれの電極層１５８、１６０は、圧電体１５６側から順に、絶縁性酸化錫膜１６２及び金属膜１６４、１６６を有している。 - 特許庁

In a photoelectric conversion section D1 formed in the element formative layer 11, by controlling voltage to be impressed to the separated electrode 22 and the accumulating electrode 23, a prescribed amount among charges, formed in response to receiving light quantity is weighed as unnecessary charges to draw the remaining effective charges as a received light output.例文帳に追加

素子形成層１１に形成された光電変換部Ｄ１において受光光量に応じて生成された電荷のうちの規定量を分離電極２２と蓄積電極２３とに印加する電圧を制御することにより不要電荷として秤量し残りの有効電荷を受光出力として取り出す。 - 特許庁

A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜２５の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜２３と上部電極２４とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜２３が下部電極２２と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁

The ultrasonic atomizing device 10 is structured by a piezoelectric element and is provided with a PZT vibrator 13 generating ultrasonic wave having 20-80 kHz frequency band and a tacky adhesive layer provided in the outer peripheral edge face of the PZT vibrator 13 and capable of suppressing the oscillation of the PZT vibrator 13.例文帳に追加

超音波霧化装置１０は、圧電素子で構成され、２０ｋＨｚ〜８０ｋＨｚの周波数帯域の超音波を発生するＰＺＴ振動子１３と、ＰＺＴ振動子１３の外周端面に設けられ、このＰＺＴ振動子１３の発振を抑制する粘着層１５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing process of a semiconductor light-emitting element made of a III nitride semiconductor, a manufacturing process is adopted which makes null the number of times of covering a contact layer surface with dielectric films in a step of forming a p-type electrode, and thereby the electrical characteristics of the p-type electrode can be made to have a lower resistance.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体発光素子の製造プロセスにおいて、ｐ型電極を形成する工程におけるコンタクト層表面への誘電体膜の被覆回数を０回とする製造プロセスを採用することにより、ｐ型電極の電気特性を低抵抗化することができる。 - 特許庁

The method is used to manufacture the inductor element 300, and it includes a step to etch a semiconductor substrate 110 to form a pillar-shaped part 140 wherein a face parallel to the semiconductor substrate 110 in the surface direction is apart from its periphery and a step to form an Au layer 320 on the surface of the pillar-shaped part 140.例文帳に追加

インダクタ素子３００の製造方法であって、半導体基板１１０をエッチングすることにより、半導体基板１１０の面方向に平行な面が周囲から離間した柱状部１４０を形成する工程と、柱状部１４０の表面にＡｕ層３２０を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Moreover, the heating element plate 20 includes a reinforcing metal group 70 not electrically connected to a common electrode 28a on the upper surface between the common electrode 28a formed at a position closer to the circuit board 40 relative to an individual electrode 28b, and an end close to the circuit board 40 in a thermal insulation layer 22b.例文帳に追加

また発熱体板２０は、個別電極２８ｂよりも回路基板４０に近接する位置に形成された共通電極２８ａと、保温層２２ｂにおける回路基板４０に近接する端部との間の上面に、共通電極２８ａと電気的に導通していない補強金属群７０を具備する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 1 comprises: a semiconductor layer 10 having an active region 13 extending along a reference axis A, and a principal surface P1; a first end surface E1 and a second end surface E2 which intersect the reference axis A; and a first groove 24 and a second groove 25 which are provided on the principal surface P1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、基準軸Ａに沿って延在する活性領域１３と主面Ｐ１とを有する半導体積層１０と、基準軸Ａに交差する第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２と、主面Ｐ１に設けられた第１の溝２４及び第２の溝２５とを備える。 - 特許庁

In the flat image display device provided with a cathode substrate with a cold-cathode element formed, an anode substrate with a phosphor formed, and a spacer arranged between the cathode substrate and the anode substrate for supporting the both substrates, the spacer is structured of a matter having a conductive crystallized glass layer on the surface of a base material made of conductive glass.例文帳に追加

冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた平面型画像表示装置において、スペーサを導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有するもので構成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic EL element at least has a process to form a barrier rib pattern on a transparent substrate, and a process to form a layer by transferring hole transport ink to an region surrounded by the barrier rib by a letterpress printing method, and the surface tension of the hole transport ink is 40 mN/m or less.例文帳に追加

透明基板上に隔壁パターンを形成する工程と、上記隔壁で囲まれた領域に凸版印刷法により正孔輸送インキを転写して層を形成する工程とを少なくとも有し、該正孔輸送インキの表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下である有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an X-ray detector and an X-ray CT device using it capable of minimizing the error of the position deviation between a slice thickness direction collimator plate end part and the slice thickness direction of an X-ray detection element block separation layer, improving X-ray utilization efficiency and homogenizing detection characteristics among respective X-ray detection elements.例文帳に追加

スライス厚方向コリメータ板端部とＸ線検出素子ブロック分離層のスライス厚方向との位置ずれの誤差を最小にして、Ｘ線利用効率の向上と各Ｘ線検出素子間の検出特性の均質化が図れるＸ線検出器及びそれを使用したＸ線ＣＴ装置を提供する。 - 特許庁

For example, when the heat conductive layer 21 is made of CuNi and the high melting material layers 22 and 23 are made of Ru, the temperature dependency of the resistance change ratio of the entire heating element 20 can be appropriately made small because in CuNi and Ru, the temperature dependency of a resistance change ratio is inclined to be opposite.例文帳に追加

また発熱導体層２１を例えばＣｕＮｉで形成し、高融点材料層２２，２３をＲｕで形成すると、ＣｕＮｉとＲｕは、抵抗変化率の温度依存性が逆の傾向であるため、前記発熱体２０全体の抵抗変化率の温度依存性を適切に小さくすることができる。 - 特許庁

In the exothermic sheet 1, wherein, in at least one surface of an exothermic layer 21 including electrolytes which is oxidizable metals, fibers, activated carbons and oxidizing auxiliaries, a sheetlike exothermic element 2 having layered activated carbons with an average particle diameter smaller than that of the activated carbons is housed in a chassis 3 with moisture permeability.例文帳に追加

発熱シート１は、被酸化性金属、繊維状物、活性炭及び酸化助剤となる電解質を含む発熱性層２１の少なくとも一面に、前記活性炭よりも平均粒径が小さい活性炭が層状に配されているシート状発熱体２が、透湿性を有する収容体３に収容されている。 - 特許庁

The second isolation region 132 includes a trench 132a and a caulk 132b embedded in the trench 132a, and the structure caulk 132b is formed with an insulating film, thereby reducing an occupied area of the isolation region (second isolation region 132) on a surface of the n-type semiconductor layer where an element region is formed.例文帳に追加

第２分離領域１３２は、トレンチ１３２ａとトレンチ１３２ａに埋め込まれた充填材１３２ｂを有し、構造充填材１３２ｂを絶縁膜とすることで、素子領域が形成されるｎ−型半導体層表面の分離領域（第２分離領域１３２）の占有面積を縮小できる。 - 特許庁

To provide an integrated optical unit which generates a signal having high track servo stability by preventing noise light from entering a light receiving element for TES, the noise light being generated at an information recording layer of a recording medium having at least two information recording layers other than beam-focused information recording layers thereof.例文帳に追加

少なくとも２層の情報記録層を有する光記録媒体の集光している情報記録層以外の情報記録層で発生するノイズ光が、ＴＥＳ用受光素子に入射しないようにして、トラックサーボ安定性が高い信号を生成することのできる光集積ユニットを提供する。 - 特許庁

After a desired part of the separator is carbonized by high-frequency induction heating, the capacitor element is impregnated with a polymerizable monomer and an oxidant, and a conductive high polymer is produced through polymerizing reaction between the polymerizable monomer and oxidant with which the separator is impregnated to manufacture the solid-state electrolytic capacitor including the conductive high polymer as a solid-state electrolyte layer.例文帳に追加

そして、高周波誘導加熱によりセパレータの所望の部分を炭化した後、このコンデンサ素子に重合性モノマーと酸化剤とを含浸し、該セパレータに浸透した重合性モノマーと酸化剤との重合反応により導電性高分子を生成し、これを固体電解質層とした固体電解コンデンサを作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, using an SOI for preventing nonuniformity in coating of a photoresist and disconnection in the step part of metal wiring caused by a sharp step formation, when the step of a silicon active layer and a semiconductor supporting substrate is increased, when forming the opening part of the semiconductor support substrate for forming a protecting element on the semiconductor supporting substrate.例文帳に追加

半導体支持基板に保護素子を形成するための半導体支持基板の開口部の形成時の、シリコン活性層と半導体支持基盤の段差増大時の、フォトレジストのコートムラと、急な段差形成による金属配線の段差部での断線を防止するＳＯＩを用いた半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser element which stably oscillates in the oscillation wavelength longer than the peak wavelength of the optical gain distribution of an active layer, shows a large sub-mode suppression ratio (SMSR), assures good single mode property of vertical mode even when amount of de-tuning is large, and also assures higher resistance for reflected returning beam.例文帳に追加

活性層の光利得分布のピーク波長より長い発振波長で安定して発振し、大きな副モード抑圧比（ＳＭＳＲ）を示し、かつデチューニング量が大きくても縦モードの単一モード性が良好で、反射戻り光耐性が高い分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the present invention relates to a micro-optical element manufacturing method characterized in including a surface light emission laser production step of producing a surface light emission layer by performing step formation processing to form the plurality of steps on the substrate, and a lens formation step of integrally forming the lens over all the top face of each of the steps.例文帳に追加

また、基板上に複数の段差部を形成する段差部形成処理を行い、面発光レーザを作製する面発光レーザ作製工程と、それぞれの前記段差部の頂上面の全面にレンズを一体的に形成するレンズ形成工程とを含むことを特徴とする微小光学素子の製造方法である。 - 特許庁

The oxide superconductor such as a copper oxide superconductor containing a rare earth element is constituted of an oxide super-conductive bulk body impregnated with a low-melting point metal or an oxide super- conductive bulk body impregnated with the low-melting point metal and having a thin layer of the low-melting point metal on the outer surface.例文帳に追加

例えば“希土類元素を含む銅酸化物超電導体”等の酸化物超電導体を、低融点金属が含浸した酸化物超電導バルク体、あるいは低融点金属が含浸しかつ外表面に低融点金属の薄層を有した酸化物超電導バルク体からなる構成とする。 - 特許庁

An ND filter 10 which forms a nonreflective cycle layer 23 made of a large number of minute rugged cyclic structures 21 at an imaging element side on a substrate 11 and forms an ND film 15 at the other side of the substrate 11, is placed in a photographic optical system of the camera to improve the antireflection function.例文帳に追加

カメラの撮影光学系内にＮＤフィルタ１０を配置し、このＮＤフィルタ１０は基板１１上の撮像素子側に多数の微細凹凸周期構造体２１による無反射周期層２３を形成し、基板１１の他面にＮＤ膜１５を成膜することにより、反射防止機能を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加

半導体素子７００は、主面１ｐおよび裏面１ｒを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板１と、炭化珪素バルク基板１における裏面１ｒに形成され、炭化珪素バルク基板１よりも高い濃度で不純物を含む第１導電型の高濃度不純物エピタキシャル層３とを備える。 - 特許庁

A light-emitting element 100 comprises: an n-type GaN semiconductor substrate 113; a plurality of n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 formed apart from one another in an upright state on the n-type GaN semiconductor substrate 113; and a p-type GaN semiconductor layer 123 covering the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121.例文帳に追加

この発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３と、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１を覆うｐ型ＧａＮ半導体層１２３とを備えた。 - 特許庁

The light emitting device comprises a substrate 5 having a recess, a light emitting element 2 arranged in the recess, and a phosphor layer 3 composed of phosphor particles having a mean particle diameter (D50) of 15-30 μm and transparent resin having viscosity of 1-3 Pa s before curing and filling the recess.例文帳に追加

凹部を有する基材５と；前記凹部内に配置された発光素子２と；平均粒径（Ｄ５０）が１５μｍ以上、３０μｍ以下の蛍光体粒子および硬化前の粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下の透明樹脂を有してなり、前記凹部内に充填された蛍光体層３と；を具備することを特徴とする。 - 特許庁

Nodes of the competitive layer are divided into a plurality of class from the weight element to the biological activity obtained through learning, and biomarkers effective for estimation of the biological activity is recognized by comparing weight elements corresponding to the expression amount of the protein of the node of the competitive layers belonging to each class.例文帳に追加

学習を通じて獲得した生理活性値に対応する重み要素の値に基づいて、競合層のノードを複数のクラスに分割し、各クラスに属する競合層のノードが持つ蛋白質発現量に対応する重み要素を比較して、生理活性の推定に有効なバイオマーカーと認定する。 - 特許庁

Rod shaped lamps 21 extending in a direction normal to the direction of conveyance of the photo-alignment layer, trough shaped condensers 22, and polarization element units 10, 10' comprising a plurality of wire-grid polarizing elements aligned along a direction of extension of the rod shaped lamps 21 are mounted on the respective light irradiating portions 20A, 20B arranged in the multistage manner.例文帳に追加

多段に配置された各光照射部２０Ａ，２０Ｂに、光配向膜の搬送方向に対して直交する方向に伸びる棒状のランプ２１と樋状集光鏡２２と、複数のワイヤーグリッド偏光素子を上記線状のランプ２１の伸びる方向に沿って並べた偏光素子ユニット１０，１０’を設ける。 - 特許庁

A transmission element 1 has a structure of a heating body 23 laminated via an insulating layer 22 on a board 21 made of a radiative material, and locally changes the temperature of a medium contacted with the heating body 23, to generate a compressional wave according to the density change accompanying with the temperature change, when the heating body 23 is energized.例文帳に追加

送信素子１は、放熱性材料で形成された基板２１に、断熱層２２を介して発熱体２３を積層した構造を有し、発熱体２３に通電することにより、発熱体２３に接触している媒体の温度を局所的に変化させ、この温度変化に伴う密度変化によって疎密波を発生させる。 - 特許庁

This prevents cracks from occurring, suppresses creep-up growth from a bottom side growth part of the trench region to restrain the film thickness of a side face growth part, thereby obtaining a nitride semiconductor laser element formed with a nitride semiconductor growth layer having excellent surface flatness at a high yield.例文帳に追加

このことにより、クラックの発生を防止し、併せて、前記掘り込み領域の底面成長部からの這い上がり成長を抑制し、側面成長部の膜厚を抑えることで、表面平坦性の良好な窒化物半導体成長層が形成された窒化物半導体レーザ素子を高い歩留まりで得ることができる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に溝１４を形成した後に、溝１４の内表面１４ａを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝１４の内表面１４ａの欠陥層１５を除去する。 - 特許庁

The nonlinear element 1 is provided with a first electrode 6 to which a voltage V1 is applied by a first voltage applying means 61, a second electrode 5 to which a voltage V2 is applied by a second voltage applying means 62, set on a lower layer 22, and an insulative thin film 24 which insulates the first electrodes 5 from the second electrode 5.例文帳に追加

非線形素子１は、第１の電圧印加手段６１により電圧Ｖ_1を印加される第１の電極６と、下部層２２の上に設けられ、第２の電圧印加手段６２により電圧Ｖ_2を印加される第２の電極５と、第１の電極６と第２の電極５とを絶縁する絶縁性薄膜２４とを有する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module 10 comprises a heat radiation side substrate 11, a thermoelectric element 16 placed on the heat radiation side substrate 11 by way of a wiring electrode 12, a block electrode 14, a block arrangement electrode 12a on which the block electrode 14 is placed, and a solder layer 13 for jointing the block electrode 14 to the block arrangement electrode 12a.例文帳に追加

熱電変換モジュール１０は、放熱側基板１１と、放熱側基板１１状に配線電極１２を介して載置される熱電素子１６と、ブロック電極１４と、ブロック電極１４を載置するブロック配置用電極１２ａと、ブロック電極１４とブロック配置用電極１２ａを接合する半田層１３とを有する。 - 特許庁

A diffusion sheet 18 is structured of an anisotropic diffusion layer (an anisotropic diffusion sheet) with a larger light diffusion angle in a direction (an X direction) parallel to a forming direction of prism grooves 12a, 12b than in a direction (a Y direction) vertical to a forming direction of prism grooves 12a, 12b of a deflection separation element 10.例文帳に追加

本発明では、拡散シート１８として、偏光分離素子１０のプリズム溝１２ａ，１２ｂの形成方向に対して垂直な方向（Ｙ方向）よりも、プリズム溝１２ａ，１２ｂの形成方向に対して平行な方向（Ｘ方向）に大きな光の拡散角を有する異方性拡散層（異方性拡散シート）で構成する。 - 特許庁

The element has a structure in which an intermediate layer 13 with a periodic structure is sandwiched between a first and a second optical waveguide 12A, 12B formed on a first and a second substrate 11A, 11B, respectively, wherein a recess 12a is periodically formed on the opposing face side of the first and second optical waveguides 12A, 12B.例文帳に追加

第１および第２の基板１１Ａ，１１Ｂ上にそれぞれ形成された第１および第２の光導波路１２Ａ，１２Ｂによって周期構造を有する中間層１３をサンドイッチした構造を有し、第１および第２の光導波路１２Ａ，１２Ｂの対向する面側に凹部１２ａが周期的に形成されている。 - 特許庁

A core layer being a prepreg prepared by impregnating fiber cloth with a resin and drying the impregnated fiber cloth is held between two surface layers, each of which is formed by coating a metal foil with a thermosetting resin, so that the thermosetting resin becomes inside and, after the whole is molded under heating, the metal foil is removed to manufacture the plastic substrate for the display element.例文帳に追加

繊維布に樹脂を含浸・乾燥させたプリプレグであるコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし熱硬化させた表面層２層で前記熱硬化性樹脂が内側になるようにして挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する表示素子用プラスチック基板の製造方法。 - 特許庁