「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(352ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the rolling element has a rolling face, of which the surface is worked by cutting work and burnishing work, of which the roughness is 0.1 μmRa or less, of which the maximum residual compressive stress is -1000 MPa or less, and in which the residual compressive stress layer is formed from the surface to the internal depth of 0.3 mm.例文帳に追加

また、切削加工とバニシング加工とにより転動面の表面が加工され、面粗さが０．１μｍＲａ以下であり、最大圧縮残留応力が−１０００ＭＰａ以下であり、表面から内部深さ０．３ｍｍまで圧縮残留応力層が形成されてなる転動面を備えている。 - 特許庁

This manufacturing method of an optical element, which is formed by providing a color filter on an insulating film, is a method, where the insulating film consisting of a silicon nitride film 8 formed by a plasma CVD(chemical vapor deposition) method is formed and after a surface layer in the film 8 is etched, a color filter 9 consisting of a pigment negative photoresist material is formed on the film 8.例文帳に追加

絶縁層上にカラーフィルタを設けてなる光学素子の製造方法であって、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜８からなる絶縁層を形成し、窒化シリコン膜８の表面層をエッチングした後、窒化シリコン膜８上に顔料系のネガ型フォトレジスト材料からなるカラーフィルタ９を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.例文帳に追加

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁

In the chip-type inductor, a coil 20 made of a spiral conductive film pattern is formed on an outer periphery surface in the longitudinal direction of a chip element body 10 made of an insulating material, the outer periphery of the coil is covered with an insulating layer 24, and an external electrode 26 is provided at both end sections so that each is connected to a coil terminal.例文帳に追加

絶縁材料からなるチップ素体１０の長手方向外周面に螺旋状の導体膜パターンからなるコイル２０が形成され、該コイルの外周が絶縁層２４で覆われ、それぞれコイル端末に接続するように両端部に外部電極２６が設けられている構造のチップ型インダクタである。 - 特許庁

When the core part 94 is formed by selectively radiating an activation energy light beam or the like on a core layer 9 by using a mask 20, the positioning is performed by relatively moving the substrate 2 on which the element 1 has been mounted two dimensionally with respect to the mask 20 so that the point A of the mask 20 coincides with the position of the light emitting part 101.例文帳に追加

マスク２０を用いてコア層９に活性エネルギー光線等を選択的に照射しコア部９４を形成する場合、マスク２０の箇所Ａが発光部１０１の位置に一致するよう、素子１搭載済みの基板２をマスク２０に対し２次元方向に相対的に移動して位置合わせする。 - 特許庁

In a magnetic recording and reproducing apparatus using a perpendicular recording medium having a soft magnetic backing layer, a soft magnetic shield 40 is provided so as to surround upper parts and side planes of magnetic head elements 11, 12, 14, 15, distance between the soft magnetic shield 40 and the medium is made smaller than distance between the soft magnetic shield and the magnetic head element.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層を有する垂直記録媒体を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッド素子１１，１２，１４，１５の上部及び側面を取り囲むように軟磁性シールド４０を設け、軟磁性シールド４０と媒体との距離を、軟磁性シールドと磁気ヘッド素子との距離よりも小さくする。 - 特許庁

The iron nitride powder consists of mainly Fe_16N_2 and has, on at least a part of the powder particle surface, a coating layer including at least one element selected from the group consisting of rare earth metal elements, aluminum and silicon, and cobalt-containing ferrite with a composition represented by (Co_xFe_1-x)Fe_2O_4, wherein 0<x≤1.例文帳に追加

Ｆｅ_16Ｎ_2を主成分とする窒化鉄粉末であって、粉末表面の少なくとも一部に、希土類金属元素、アルミニウムおよびシリコンからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素ならびに（Ｃｏ_xＦｅ_1-x）Ｆｅ_2Ｏ_4（０＜ｘ≦１）で表される組成を有するコバルト含有フェライトを含む被覆層を有する窒化鉄粉末。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric/electrostrictive element is provided with the substrate 1, a plurality of the piezoelectric/electrostrictive parts 2 and 3 and a plurality of electrodes 4, 5 and 6, and the piezoelectric/electrostrictive parts 2 and 3 and the electrodes 4, 5 and 6 are alternately stacked on the substrate 1, and a piezoelectric/electrostrictive part 12 positioned on a lowermost layer is directly fixed on the substrate 1 or through the electrode 4.例文帳に追加

基体１と、複数の圧電／電歪部２，３と、複数の電極４，５，６とを備え、圧電／電歪部２，３と電極４，５，６とが基体１上に交互に積層され、かつ、最下層に位置する圧電／電歪部１２が、基体１上に直接又は電極４を介して固着されてなる多層型圧電／電歪素子である。 - 特許庁

The O plate 86 is disposed between the liquid crystal display element 51 and a polarization beam splitter 48 in such a way that a direction L8 of the pretilt of a liquid crystal molecule 75 of a liquid crystal layer 69 and the fast axis L6 are parallel to each other, and further the vapor deposition direction 96 and the direction L8 are opposed to each other with respect to the z-axis.例文帳に追加

液晶層６９の液晶分子７５がプレチルトする方向Ｌ８と進相軸Ｌ６とが平行になるように、かつ、蒸着方向９６と方向Ｌ８とがｚ軸に対して反対側となるように、液晶表示素子５１と偏光ビームスプリッタ４８との間にＯプレート８６は配置される。 - 特許庁

To solve the problem that since the TEG (test element group) of a semiconductor integrated circuit is configured of a plurality of shift registers, and the number of terminals of inputs and outputs of the shift registers is relatively smaller than the layout size, the density of wiring is made small after carrying out placing and routing, and the failure detecting sensitivity of a wiring layer is made low as a result.例文帳に追加

半導体集積回路のＴＥＧ（評価素子群）は、複数のシフトレジスタで構成されるが、シフトレジスタではセルレイアウトサイズに比べて相対的に入出力の端子数が少ないため、配置配線を行うと配線の密度が小さくなり、その結果として配線層の不良検出感度が低くなる。 - 特許庁

The surface treatment film deposited on the surface of a zinc-based metal comprises trivalent chromium oxides, supporting salt or acid as the additive element of a surface treatment liquid, and hexavalent chromium oxides in which the concentration of the hexavalent chromium film to the total weight of the film including a zinc-based metal layer is regulated to ≤ 100 ppm.例文帳に追加

亜鉛系金属の表面に形成されている表面処理皮膜であって、３価クロム酸化物と、表面処理液の添加成分である支持塩または酸と、亜鉛系金属層を含む皮膜総重量に対する６価クロム膜中濃度が１００ｐｐｍ以下に規制された６価クロム酸化物とを含んでいる。 - 特許庁

In the dye-sensitized photoelectric conversion element having an electrolyte layer between a semiconductor electrode 3 including semiconductor fine particles on which sensitizing dye is adsorbed and a counter electrode 5, two kinds of dyes are used as dye, and the two kinds of dyes are adsorbed in different portions on the surface of the semiconductor electrode 3.例文帳に追加

増感用の色素が吸着した半導体微粒子などからなる半導体電極３と対極５との間に電解質層６を有する色素増感光電変換素子において、色素として二種類の色素を用い、この二種類の色素を半導体電極３の表面の互いに異なる部位に吸着させる。 - 特許庁

The display device includes a first substrate, a second substrate, a layer including a display element which is interposed between the first substrate and the second substrate, and stacked polarizers on an outer side of the first substrate or the second substrate.例文帳に追加

第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、前記第１の基板または第２の基板の外側に、積層された偏光子と、を有し、前記積層された偏光子は、それぞれ互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置された表示装置に関するものである。 - 特許庁

That electrolyte is used in an electrochemical element, e. g. an electric double layer capacitor or a conductive polymer redox capacitor.例文帳に追加

特定のイオン性液体と特定の有機溶媒をイオン性液体の濃度が２５℃±１℃における電気伝導度最大となる濃度から体積比で±５０％以内の範囲で混合することにより電気伝導度が高い電解質を作製し、これを電気化学素子、例えば電気２重層キャパシタ、導電性高分子レドックスキャパシタの電解液として使用する。 - 特許庁

A drive device comprises: a clock generation part to generate a clock signal; and an applied voltage control part to change an area of a potential well 11 in the plane along the surface of an element formation layer 13 by controlling the timing to apply control voltage to an adjacent electrode 10 among the electrodes 10.例文帳に追加

駆動装置は、クロック信号を発生させるクロック生成部と、電極１０のうち隣接する電極１０に制御電圧を印加するタイミングを制御することにより素子形成層１３の表面に沿った面内でのポテンシャル井戸１１の面積を変化させる印加電圧制御部とを備える。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent element comprises a process of forming the inorganic sealing layer having an inorganic sealing film composed of either a silicon oxide, a silicon nitride, or a silicon oxynitride on the second electrode, and a process of applying a plasma treatment on a surface of the inorganic sealing film by using fluorine-containing gas.例文帳に追加

第二電極上に形成する無機封止層が、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のいずれか一つからなる無機封止膜を形成する工程と、該無機封止膜の表面にフッ素含有ガスを用いたプラズマ処理をおこなう工程とにより形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

In this organic EL display device formed by laminating a color conversion filter layer and an organic EL light emitting element on a transparent substrate one by one, the boundary surface between color filter layers of one or two colors selected from a group comprising red (R), blue (B), and green (G) and the transparent substrate in contact with them has a projecting and recessed shape.例文帳に追加

透明基板上に色変換フィルタ層および有機ＥＬ発光素子を順次積層した有機ＥＬディスプレイパネルであって、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）および緑色（Ｇ）よりなる群から選択される一色または二色のカラーフィルタ層と、それらに接する透明基板との境界面が凹凸形状を有する。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride substrate for mounting a light-emitting element, which has superior reflection characteristics in the visible light range, is inexpensive, eliminates the need to form a gap for insulation with wiring on a surface of the aluminum nitride substrate, and has a reflection layer with superior corrosion resistance; and to provide a light-emitting device using the aluminum nitride substrate.例文帳に追加

可視光域で優れた反射特性を有し、安価で、窒化アルミニウム基板表面の配線との間に絶縁用のギャップの形成が不要で、耐食性に優れた反射層を有する発光素子搭載用窒化アルミニウム基板、およびこの窒化アルミニウム基板を用いた発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

The rim guard part 5 has an inner rubber part 8 made of hard rubber positioned inside in the tire width direction and an outer rubber part 9 made of soft rubber positioned outside in the tire width direction, and at least one composite reinforcing layer 10 made from a rubber containing reinforcing element is provided in such a way as covering the outside surface of the inner rubber part.例文帳に追加

リムガード部５は、タイヤ幅方向内側に位置する硬質ゴムからなる内側ゴム部分８と、タイヤ幅方向外側に位置する軟質ゴムからなる外側ゴム部分９とを有し、内側ゴム部分の外面を覆うように、補強素子含有ゴムで構成される少なくとも１枚の複合補強層１０を配設してなる。 - 特許庁

The black layer 46 is subjected to dry etching to integrally form a peripheral light-shielding film 45 covering the peripheral region S of a pixel forming region A of the solid-state imaging element 10, and an aperture pattern to leave a black matrix 41 as boundaries among red, green and blue pixels 40R, 40G and 40B, respectively, on the pixel forming region A.例文帳に追加

黒色層４６をドライエッチングして、固体撮像素子１０の画素形成領域Ａの周縁領域Ｓを覆う周縁遮光膜４５と、画素形成領域Ａ上に赤色・緑色・青色画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ間の境界となるブラックマトリックス４１を残すように開口パターンとを一体形成する。 - 特許庁

A TFT 110 which is a switching element disposed by each of pixels and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the light made incident by transmitting a second electrode 250 consisting of ITO, etc., from a second substrate 200 side onto insulating films covering the TFT 110 are formed on a first substrate 100.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

The filter element is constituted by spirally winding a filter layer, which is formed by alternately laminating filter cloths formed into an envelope shape to house spacers and separate spacers, around a center pipe having a water gathering hole of filtered water and the opening parts of the filter cloths formed into the envelope shape are opposed to the water gathering hole.例文帳に追加

封筒状に形成してスペーサを収納した濾過布とさらに別のスペーサとを交互に積層して形成した濾過層を、濾過水の集水孔を有する中心パイプの周囲にスパイラル状に巻囲した濾過エレメントであって、封筒状に形成した濾過布の開口部が集水孔に対向している濾過エレメント。 - 特許庁

This configuration offers the composite board 1 having a plurality of layers and the manufacturing method for the composite board 1 which eliminate a sharp film thickness change at the end of the dielectric layer that may cause a crack on an electrode, etc., on the board 3 to trigger the breakage of a wiring electrode, and the EL element panel using the composite board.例文帳に追加

基板上の電極等にクラックを発生し、これに伴い配線電極の断線を引き起こす可能性のある、誘電体層の端部の急峻な膜厚変化を解消した、複数層を有する複合基板とその製造方法、および複合基板を用いたＥＬ素子パネルを提供することができる。 - 特許庁

In the belt-shaped inner lead 10 for connecting the solar cell element produced by coating a metal foil 11 with a solder layer 7 and connecting the electrodes of two adjacent solar cell elements by soldering, the surface part of the metal foil 11 opposing the electrode has a substantially convex shape.例文帳に追加

隣接する２つの太陽電池素子の電極を半田付けにて接続するために設けられた、金属箔１１に半田層７を被覆して成る帯状の太陽電池素子接続用インナーリード１０であって、前記金属箔１１の前記電極と対向する面部が略凸形状を成したことを特徴とする。 - 特許庁

On a base body having an active element, the electrooptic device has a plurality of pixel electrodes 141 partitioned by a partition wall 150 made of an insulating material, a laminate including a light emission layer 140B arranged on the pixel electrodes 141, and a counter electrode 154 arranged on the laminate.例文帳に追加

アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁１５０により隔てられた複数の画素電極１４１と、画素電極１４１上に配置された発光層１４０Ｂを含む積層体と、積層体上に配置された対向電極１５４と、を備えた電気光学装置である。 - 特許庁

In a tandem-type organic photoelectric conversion element including at least one layer of a recombination electrode and at least two or more layers of photoelectric conversion layers between a first electrode and a second electrode, the recombination electrode contains metal nanoparticles coated with an organic substance.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極の間に、少なくとも１層の再結合電極と少なくとも２層以上の光電変換層を有するタンデム型の有機光電変換素子において、前記再結合電極が有機物で被覆された金属ナノ粒子を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6.例文帳に追加

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層５とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段６を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。 - 特許庁

The molten-metal-resistant member comprises a silicon nitride-based sintered material having crystals of the silicon nitride and a grain boundary layer containing at least one of a metal element of ≥1,000°C in melting point, wherein the concentration of the metal silicide on the surface of the silicon nitride-based sintered material is made lower than that of the interior thereof.例文帳に追加

窒化珪素の結晶と、融点が１０００℃以上のうち少なくとも１つの金属元素からなる金属珪化物を含む粒界層とを有した窒化珪素質焼結体からなる耐溶融金属用部材であって、前記窒化珪素質焼結体の表面における金属珪化物の濃度が内部より低くする。 - 特許庁

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches.例文帳に追加

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。 - 特許庁

Pixel pitch 26R, 26G, 26B of a pixel circuit corresponding to pixels 20R1, 20G1, 20B1 for R, G, B are set respectively in a pixel circuit layer so as to become inequality in accordance with a ratio of magnitude of display drive currents required for each organic EL element 24 to obtain the same light emission luminance.例文帳に追加

同一の発光輝度を得るために各有機ＥＬ素子２４に必要とされる表示駆動電流の大きさの比に応じて、Ｒ，Ｇ，Ｂ用の画素２０Ｒ１，２０Ｇ１，２０Ｂ１に対応する画素回路の画素ピッチ２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂをそれぞれ、画素回路層内で不均等となるように設定する。 - 特許庁

The semiconductor element 4 is formed in a self-alignment manner in which magnetic contact is made in the first electrode 2 and the second electrode 3 with respect to a source electrode 22 and a drain electrode 23 having a magnetized layer of a magnetic material by connecting the two electrodes so that the field-effect transistor 20 is formed.例文帳に追加

帯磁した磁性体層を有するソース電極２２およびドレイン電極２３に対し、両電極間をつなぎ、それぞれの電極に対し第１の電極部２および第２の電極部３において磁力で接触する配置を、半導体素子４に自己整合的に形成させ、電界効果トランジスタ２０を作製する。 - 特許庁

The multilayer piezoelectric ceramic element 1 has a driving part 2 formed by stacking piezoelectric units each composed of piezoelectric ceramic and an internal electrode alternately, and dummy parts 3, 4 fixed to the driving part 2, wherein the dummy parts 3, 4 are provided with at least one layer of a dummy internal electrode 16 and formed in a part not in contact with an external electrode 5.例文帳に追加

圧電セラミックスと内部電極からなる圧電ユニットを交互に積層させた駆動部２と、駆動部２に固着させたダミー部３，４とを備えた積層圧電セラミックス素子１において、ダミー部３，４にはダミー内電極１６を少なくとも１層設け、かつ、外部電極５接触していない部分で形成されている。 - 特許庁

An organic electroluminescent element 100 has a luminous layer 104 formed by attaching or distributing particles 104b, 104d of the guest material discontinuously and a molecular state in host material layers 104a, 104c, and the attachment of the particles of the guest material is controlled by vapor deposition time.例文帳に追加

発光層１０４が、ホスト材料層１０４ａ、１０４ｃに、ゲスト材料の粒子１０４ｂ、１０４ｄが不連続に分子状に付着若しくは分布してなる構造を有していることを特徴とする有機電界発光素子１００と、蒸着時間によってゲスト材料の粒子の付着を制御する製造方法。 - 特許庁

At the pixel electrode 27, a connection region to which a connection wiring is connected in order to electrically connect the pixel electrode 27 and a power supply are installed, and an arrangement region where a functional layer in which at least one part of a region aside from the region of the connection region is constituted of the electrooptical element is installed.例文帳に追加

画素電極２７には画素電極２７と電源電位とを電気的に接続するための接続配線が接続された接続領域が設けられるとともに、接続領域以外の領域のうち少なくとも一部の領域が電気光学素子を構成する機能層が配置される配置領域が設けられている。 - 特許庁

The submount has an insulating substrate 2 having a mounting part of the semiconductor element on one main face, a through hole 6 formed from one main face to the other main face of the insulating substrate 2, and a wiring conductor layer 3 formed from one main face to the other main face of the insulating substrate 2 at an inner wall of the through hole 6.例文帳に追加

一方の主面に半導体素子の搭載部を有する絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の主面から他方の主面にかけて形成された貫通孔６と、貫通孔６の内壁に、絶縁基板２の一方の主面から他方の主面にかけて形成された配線導体層３とを有する。 - 特許庁

In the piezoelectric element 12, part or all of an outer circumferential shape of the electrode 11 is formed to be a shape corresponding to distributions of a vibration mode of a target order or their sum and an insulation layer 13 comprising an insulating member is formed over an entire face of at least a lower face or an upper face of the electrode 11.例文帳に追加

電極１１における外周形状の一部または全部を、着目する次数の振動モード分布またはそれらの和に対応した形状に構成する一方、電極１１の下面側または上面側の少なくとも何れか一方の全面に亘って、絶縁部材からなる絶縁層１３を形成する。 - 特許庁

To prevent a decrease in infrared absorptivity of a solar heat collecting structure, erosion in a high-temperature atmospheric environment, shortening of a device lifetime, and inter-layer peeling due to thermal stress of an interface in a high-temperature difference cycle environment; and to efficiently supply an infrared wavelength range of irradiation and absorption to a thermoelectric power generating element.例文帳に追加

太陽熱集熱構造における赤外線吸収率の低下、高温度大気環境下における侵食、装置寿命の低下、高温度落差サイクル環境下での界面の熱応力による層間剥離を防止し、照射、吸収された赤外線波長領域を効率良く熱電発電素子に供給する。 - 特許庁

To realize a nitride semiconductor element, wherein an alumina film having proper dielectric characteristics, similar to that of conventional silicon oxide films or silicon nitride films, and a characteristic that a lateral selective growth rate of a nitride semiconductor layer grown on the alumina film is high is used; the production process of the device is easy; and the performance of the device is high.例文帳に追加

従来の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜と同等の優れた絶縁性を持ち、その上に成長される窒化物半導体層の横方向の選択成長速度が速いという特性を持つアルミナ膜を用い、素子の作製工程が容易で、かつ高性能の窒化物半導体素子を実現する。 - 特許庁

A thermistor 10 comprises a pair of electrodes 2 and 3 opposite to each other, and a thermistor element body layer 1 which is arranged between the pair of electrodes 2 and 3 and contains a cured material of curing resin composition containing thermo-setting resin and conductive particles, with average particle size of 3.8-17.0 μm in secondary particle of the conductive particles.例文帳に追加

対向する１対の電極２，３と、当該１対の電極間２，３に配置され熱硬化性樹脂及び導電性粒子を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物を含んだサーミスタ素体層１と、を備え、導電性粒子の２次粒子の平均粒径が３．８〜１７．０μｍである、サーミスタ１０。 - 特許庁

An I/O cell 14 includes a pad 2, an output buffer and input buffer connected to the pad 2, a power supply wiring 3 formed by using the same wiring layer as that of the pad 2, and a clamp diode (an anode region 29 and a cathode region 31) being the protection element connected between the pad 2 and the power supply wiring 3.例文帳に追加

Ｉ／Ｏセル１４は、パッド２と、それに接続する出力バッファおよび入力バッファ、およびパッド２と同じ配線層を用いて形成された電源配線３と、パッド２と電源配線３との間に接続する保護素子であるクランプダイオード（アノード領域２９およびカソード領域３１）とを備える。 - 特許庁

An incidence-side equipotential portion 131 is lower in resistance than other areas in the incidence-side resistance element layer 13 and provided in the middle of an incidence-side electrode couple 14 in a Y direction and cancels a Y-directional potential difference to hold the potential nearly uniform and corrects an equipotential line into an equipotential line parallel to the Y direction.例文帳に追加

入射側等電位部１３１は、入射側抵抗体層１３内の他の領域より低抵抗であって入射側電極対１４の中間にＹ方向に沿って設けられており、Ｙ方向の電位差を打ち消して電位をほぼ均一に保ち等電位線を、Ｙ方向に平行に矯正する。 - 特許庁

In a laminating body wherein a substrate, a negative electrode, a positive electrode arranged to face the negative electrode via a spacing, and a light-emitting layer arranged between both electrodes and made of a specific oxide, the light-emitting element using a doped TiO_2 thin film is provided as the negative electrode.例文帳に追加

本発明は、基板と、負電極と、負電極と間を介して対向して配置された正電極と、両電極間に設ける特定の酸化物からなる発光層とが積層された積層体であって、負電極として、ドーピングされたＴｉＯ_2薄膜を用いることを特徴とする発光素子を提供するものである。 - 特許庁

The liquid crystal display element is formed by laminating a plurality of structural units each having, on a substrate, a liquid crystal layer containing at least one dichroic dye and a host liquid crystal, at least one transparent thin film transistor, transparent pixel electrodes disposed in a matrix shape and a transparent counter electrode.例文帳に追加

基板上に、少なくとも１つの二色性色素とホスト液晶とを含む液晶層と、少なくとも１個の透明な薄膜トランジスタと、マトリクス状に配置された透明な画素電極と、透明な対向電極と、を有してなる構造単位を複数個積層してなることを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁

A capacitor element 12 is configured by a pair of conductive layers 14, 16, a plurality of dielectric materials 18 substantially in the form of a tube, a first electrode 20 on the outside of the dielectric material 18 and a second electrode 24 inside the dielectric material 18, and an insulating cap 28 that insulates the first electrode 20 from the conductive layer 14.例文帳に追加

コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６と、複数の略チューブ状の誘電体１８と、該誘電体１８の外側の第１電極２０及び内側の第２電極２４と、前記第１電極２０と導電体層１４を絶縁する絶縁キャップ２８により構成されている。 - 特許庁