「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(356ページ目) - Weblio英語例文検索

The antenna includes a dielectric substrate 25 for an antenna including a layer of a planar element 21 having a side edge portion constituted by either one of a curved line and line segments which are connected to each other while their inclinations are changed stepwise, and a substrate 26 on which the dielectric substrate 25 is placed and a ground pattern 22 having a tapered shape with respect to the dielectric substrate 25 is formed.例文帳に追加

側縁部が曲線と傾きが段階的に変更されて接続された線分とのうちいずれかで構成される平面エレメント２１の層を含むアンテナ用誘電体基板２５と、アンテナ用誘電体基板２５が設置されアンテナ用誘電体基板２５に対して先細り形状を有するグランドパターン２２が形成された基板２６とを含む。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加

素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板５裏面の少なくともリッジ形状のストライプ２０１の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜２０２が形成されてなる。 - 特許庁

In a reproducing head part 20, a first part 181 consisting of one kind or two kinds or more out of tungstic oxide, titanium oxide, tin oxide, and strontium oxide and having specific resistance of 10 kΩcm or less is provided between an upper shield layer 19 and a MR element and between a pair of electrode layers 17L, 17R.例文帳に追加

再生ヘッド部２０では、酸化タングステン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫および酸化ストロンチウムのうちのいずれか１種または２種以上からなり１０ｋΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する第１部分１８１が、上部シールド層１９とＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間に設けられている。 - 特許庁

An optical pickup device 20 has a light source 21 emitting at least light, an objective lens 24 condensing light emitted from the light source 21 on an information recording surface through a light transmission protecting layer 23, and a case 26 housing a light receiving element 25 receiving reflected light reflected by an optical recording medium 22, or the like.例文帳に追加

光ピックアップ装置２０は、少なくとも光を出射する光源２１と、光源２１から出射された光を、光記録媒体２２の光透過保護層２３を介して情報記録面に集光する対物レンズ２４と、光記録媒体２２によって反射された反射光を受光する受光素子２５とを収容する筐体２６を有する。 - 特許庁

A dielectric substrate 25 for an antenna includes a layer of a planar element 21 constituted of either the curve of a side margin portion or a stroke with its slant changed and connected stepwise and a substrate 26 set up by the dielectric substrate 25 for the antenna and formed by a ground pattern 22, having a shape tapered with respect to the dielectric substrate 25 for the antenna.例文帳に追加

側縁部が曲線と傾きが段階的に変更されて接続された線分とのうちいずれかで構成される平面エレメント21の層を含むアンテナ用誘電体基板25と、アンテナ用誘電体基板25が設置されアンテナ用誘電体基板25に対して先細り形状を有するグランドパターン22が形成された基板26とを含む。 - 特許庁

The organic EL element has a host and the phosphorescent layer 5 containing a phosphorescent dopant, wherein the host contains a host material having a substituted or unsubstituted polycyclic condensed aromatic skeleton portion of 14 to 30 in nuclear atomicity and having a minimum excitation triplet energy gap of 2.1 to 2.7 eV, and the phosphorescent dopant has a ligand represented by formula (1).例文帳に追加

ホストおよび燐光ドーパントを含む燐光発光層５を有し、ホストは、置換または無置換で核原子数１４から３０の多環式縮合芳香族骨格部を有し、かつ、最低励起３重項エネルギーギャップが２．１ｅＶ以上２．７ｅＶ以下であるホスト材料を含有し、燐光ドーパントは、下記式（１）で表される配位子を有する。 - 特許庁

In the recorder 10, ink droplets 20A are discharged from an ink jet recorder 20 in an abject region wherein the ink dot corresponding to each element of the image formed on a particle layer 16A formed on an intermediate transfer body 12 is recorded and the ink dots 20B are recorded therein after discharging a wetting liquid 21A from a wetting liquid discharge device 21.例文帳に追加

記録装置１０においては、中間転写体１２上に形成された粒子層１６Ａ上の形成対象の画像の各画素に応じたインクドットの記録される対象領域に、湿し液吐出装置２１から湿し液２１Ａを吐出した後に、インクジェット記録装置２０からインク滴２０Ａを吐出してインクドット２０Ｂを記録する。 - 特許庁

The slitted elastic sealing element 10 is equipped with an elastomer 11 having a slit 14 extending along the piercing direction (x) of a cylindrical member and a resin film 15 including a layer comprising a cyclic olefinic polymer for covering a surface including the puncturing position 16 of the cylindrical member and/or a surface 13 including a piercing position 17.例文帳に追加

本発明のスリット入り弾性封止体１０は、筒状部材の挿通方向ｘに沿って伸びるスリット１４を有する弾性体１１と、筒状部材の穿刺位置１６を含む面１２および／または貫通位置１７を含む面１３を被覆する、環状オレフィン系重合体からなる層を含む樹脂フィルム１５と、を備える。 - 特許庁

The light emitting element comprises a plurality of LED chips 13 emitting light of different colors, an inside resin lens 12 for sealing the LED chips 13, an outside resin lens 11 formed around the inside resin lens 12, and a diffusion layer 18 formed of transparent resin mixed with a scattering material at least above the LED chips 13 of the inside resin lens 12.例文帳に追加

異なる色を発光する複数のＬＥＤチップ１３と、ＬＥＤチップ１３を封止する内側樹脂レンズ１２と、内側樹脂レンズ１２の周囲に形成された外側樹脂レンズ１１と、内側樹脂レンズ１２の少なくともＬＥＤチップ１３の上方に散乱材を混入した透明樹脂で形成した拡散層１８とを備えたものである。 - 特許庁

The via contact 18 is not formed on an area within at least twice or less of the disposing pitch of a diffused layer region from the short side of the first connecting wiring 12 at the end of the first connecting wiring 12 opposed to the end of the lead wiring 16 to the second connecting wiring 13 via an element region 11.例文帳に追加

そして、引出し配線１６が第２の接続配線１３に接続されている端部と素子領域１１を挟んで対向する第１の接続配線１２の端部において、第１の接続配線１２の短辺から拡散層領域の配置ピッチの少なくとも２倍以内の領域にはビアコンタクト１８が形成されていない構成とする。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

An A/F sensor includes a sensor element 10 having a solid electrolyte layer and a pair of electrodes sandwiching it, wherein one of the pair of electrodes is used as a gas detection electrode and the other is used as a reference electrode, and generates a sensor output by a current flowing between the pair of electrodes corresponding to the gas concentration of a specific component in a gas under measurement.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサは、固体電解質層及びそれを挟む一対の電極を有し、一対の電極のうち一方をガス検出電極、他方を基準電極とするセンサ素子１０を備え、被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じて一対の電極間に流れる電流によりセンサ出力を生じさせる。 - 特許庁

The liquid crystal display element using a polymer/liquid crystal composite material, which is excellently composed with a polymer content of 10 wt.% or less and is aligned by contact with an alignment layer, necessitates little writing-energy and short writing-in and erasing time, hardly scatters light in the aligned state of the liquid crystal and has memory.例文帳に追加

高分子含有率が１０重量％以下で良好に複合化し、配向層との接触によって配向する高分子／液晶複合材料を用いた液晶表示素子は、書き込みエネルギーが小さく、書き込みと消去に要する時間が短く、液晶が配向している状態で光を散乱しにくく、かつメモリー性を有する。 - 特許庁

The magnetic recording medium, in which a signal is reproduced by a reproducing head using a magnetoresistance effect element, includes a non-magnetic support, a magnetic layer including a granular iron nitride-based magnetic powder with an average particle size of 5 to 50 nm, a binder, and a nitro-triazole derivative on the non-magnetic support.例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を利用した再生ヘッドによって信号が再生される磁気記録媒体であって、非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に、５〜５０ｎｍの平均粒子径を有する粒状の窒化鉄系磁性粉末、結合剤、及びニトロ基を有するトリアゾール誘導体を含有する磁性層とを備える磁気記録媒体。 - 特許庁

A second electrode plate 20 is connected with the other electrode of the film capacitor element, and a portion thereof is led out from an opening on the side of the other sidewall 4 of the case 1 opposing the one sidewall 3 and bent in the direction parallel with the case opening surface 2 to be superimposed on the first electrode plate 10 through an insulating layer 5.例文帳に追加

また、第２電極板２０は、フィルムコンデンサ素子の他方の電極部に接続され、一部がケース１の一方の側壁３とは相対向する他方の側壁４側の開口部から外部に導出され、かつケース開口面２に平行な方向で第１電極板１０と絶縁層５を介して重なるように折曲されている。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of this organic EL element; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as the minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

Comb-shape electrodes VLC, HLC are formed integrally combined, respectively at the vicinity of the intersection of a vertical scanning electrode VL and a horizontal scanning electrode HL which intersect each other via an insulating layer, and a large number of nanotubes NT are bridged between these both interdigital electrodes VLC, HLC to constitute a nanotube light-emitting element EMS of a bridge structure.例文帳に追加

絶縁層を介して交差された垂直走査電極ＶＬと水平走査電極ＨＬとの交差部分の近傍にそれぞれ一体的に櫛型電極ＶＬＣ，ＨＬＣを組み合わせ形成し、これらの両櫛型電極ＶＬＣ，ＨＬＣ間には多数本のナノチューブＮＴを橋絡させて橋渡し構造のナノチューブ発光素子ＥＭＳを構成する。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

To provide an optical element capable of condensing and collimating the incident light from a light source to parallel beams of light by arranging a layer of a specific phase difference between circularly polarized light type reflection polarizers and capable of suppressing the transmission of the light made incident at a large angle with a normal direction, improving front luminance and reducing coloring.例文帳に追加

円偏光型反射偏光子の間に特定位相差の層を配置して、光源からの入射光を集光化、平行光化できる光学素子であって、法線方向に対し大きな角度で入射した光の透過を抑えることができ、正面輝度の向上と色付きを低減させることができる光学素子を提供すること。 - 特許庁

To suppress variation in characteristics of an element formed on a processing circuit part for processing a value detected by a detection part, even if the processing circuit part is mounted on a semiconductor chip, in a manufacturing method of a dynamic quantity detector in which a semiconductor chip with a detection part for detecting an application of dynamic quantity is joined to a base via a junction layer.例文帳に追加

力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置の製造方法において、検出部が検出した値を処理する処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制すること。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, a step (b) for depositing an SiC:H film by repeating growth and stopping growth two times or more under a low pressure atmosphere, and a step (c) for forming an insulating cap layer on the SiC film or the SiC:H film.例文帳に追加

（ａ）半導体基板に半導体素子を形成する工程と、（ｂ）ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜方法は、成長、成長停止を繰り返して、減圧雰囲気下で２回以上に分割してＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する工程と、（ｃ）前記ＳｉＣ膜またはＳｉＣ：Ｈ膜上に絶縁キャップ層を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing apparatus of a solar battery element, wherein a wafer carrier 2 contains a plurality of the solar battery elements 1 on the surface of which the electrodes are formed, an arm 3 supports the wafer carrier which is dipped in solder melting liquid to form a solder layer on the surface of the electrodes, a cleaning plate 5 is provided on the upper part of the solar battery elements.例文帳に追加

表面に電極が形成された複数の太陽電池素子１をウエハキャリア２に収容し、このウエハキャリアをアーム３で保持し、はんだ融液に浸漬して前記電極の表面にはんだ層を形成する太陽電池素子の製造装置において、前記太陽電池素子の上部にクリーニング板５を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A phosphor layer including two or more kinds of phosphor particles different from each other in average particle sizes, is formed on a base, and the phosphor particles include at least one rare earth element selected from Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb, and has a crystalline size of 10-100 nm.例文帳に追加

支持体上に、平均粒子径の異なる蛍光体粒子を２種以上含有する蛍光体層を有し、該蛍光体粒子が希土類元素のＮｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも一つの希土類元素を含有し、かつ結晶子サイズが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

In the main part of the ink jet recording head H, a nozzle plate 100 and a diaphragm 300 are separately bonded to one side and the opposite side of an ink chamber plate 200 for forming a plurality of ink chambers 210, and a piezoelectric element 400 is bonded to each position of the diaphragm 300 in accordance with each ink chamber 210 via a base layer 700.例文帳に追加

インクジェット式記録ヘッドＨの主要部は、複数のインク室２１０を形成するインク室基板２００の一方の面にノズル板１００が、他方の面に振動板３００がそれぞれ接合され、振動板３００には、各インク室２１０に対応する位置に圧電素子４００が下地層７００を介して接合されている。 - 特許庁

By this heat treatment, a ceramic hard layer 51 containing the oxide or/and nitride of at least one constituent element of a base material 50 itself can be formed in such a way that the content of the oxide or/and nitride is gradually decreased in the direction of depth from the surface toward the base material in ≤10 μm surface roughness variation and/or size variation.例文帳に追加

このような熱処理により、１０μｍ以下の表面粗さ変化量及び／又はサイズ変化量で、母材５０自体の少なくとも１種の構成元素の酸化物又は／及び窒化物を含むセラミック系硬質層５１を、酸化物又は／及び窒化物の含有割合が表面から母材に向う深さ方向に漸次減少するように形成できる。 - 特許庁

In the liquid crystal display, the display viewing side first substrate 15 provided with a pixel electrode 3 and the TFT element 5 formed on the inner surface side and a second substrate 14 having a display electrode 18 formed on the inner surface side are disposed opposite to each other and a liquid crystal layer 12 is disposed in a gap between both substrates 14 and 15.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、内面側に画素電極３及びＴＦＴ素子５を形成した表示視認側の第１の基板１５と、内面側に表示電極１８を形成した第２の基板１４とを対向して配置し、前記両基板１４、１５の間隙に液晶層１２を配置して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

To provide a multilayered rubber bearing having both hardening characteristic and the damping function, without risk of causing rupture and breaking of a multilayered rubber body by stress concentration, without burdening excessive stress to a rubber elastic layer and an adhesive interface, by enabling a designer to use the hardening characteristic as a design element, that is, as a quantitative value.例文帳に追加

設計的要素として、つまり定量的な値としてハードニング特性を設計者が利用でき、ゴム弾性層並びに接着界面へ過大な応力負担をさせず、且つ当該応力集中による積層ゴム体の破断、破壊を惹き起こす虞がないハードニング特性を有する上に減衰機能をも有した積層ゴム支承を提供すること。 - 特許庁

In the evaluation method for the optical characteristics of the optical compensation element using a liquid crystal molecular material, the surface of an optical compensation layer is observed by a polarization microscope, the dimension of each granular domain formed by differences between the axial orientations of liquid crystal molecules are evaluated, and the dimension of the domains has a diameter of 5 μm or less.例文帳に追加

液晶性分子材料を用いた光学補償素子の光学特性の評価方法において、偏光顕微鏡により光学補償層の表面を観察し、液晶性分子の軸方位の違いにより形成された粒状のドメインの大きさを評価し、該ドメインの大きさが直径５μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device 9 by bonding a reinforcing member 14a to a thin semiconductor element 1a, the reinforcing material for the semiconductor device used as a material of the reinforcing member 14a is composed of a thin planar main plate, and an adhesive layer 4b of resin adhesive material having a low elastic modulus formed on one side of the main plate.例文帳に追加

薄型の半導体素子１ａに補強部材１４ａを接合して成る半導体装置９の製造工程において補強部材１４ａの素材として用いられる半導体装置用の補強材を、薄板形状の主板とこの主板の一方側の面に形成され低弾性係数の樹脂接着材より成る接着層４ｂとで構成する。 - 特許庁

Furthermore, the element 4 and circuit electrode 31 are arranged on the intermediate layer 3aM or on reverse surface 3a2 in a region F of the wiring board 3 directly below the leads 2a to integrate the integrated circuit device to high density and also easily detected the foreign matters, etc., which can possibly short-circuits by optically seeing through between the leads 2a.例文帳に追加

また、リード２ａの直下となる配線基板３の領域Ｆ内の中間層３ａＭまたは裏面３ａ２に、素子４、回路電極３１を配置すれば、集積回路装置を１高密度高集積化することと、リード２ａ間を光学的に透視による短絡しうる異物等の検出が容易になることが両立可能となる。 - 特許庁

This optical sheet 40 includes: a body part 42; a plurality of unit shape elements 45 disposed side by side at the light emission side of the body part and respectively extended linearly in the direction intersecting the array direction; and a reflection layer 50 provided on a first area including the apex most separated from the body part in the light emission surface of the unit shape element.例文帳に追加

光学シート４０は、本体部４２と、本体部の出光側に並べて配置され、各々が配列方向と交差する方向に線状に延びる、複数の単位形状要素４５と、単位形状要素の出光面のうちの本体部から最も離間した頂部を含む第１領域上に設けられた反射層５０と、を有する。 - 特許庁

The invention relates to the organic electroluminescence element having a plurality of organic compound layers held between an anode and a cathode, at least one of the organic compound layer containing at least one kind of metal complex compound composed of a nitrogen-containing heterocyclic ring and transition metal; and the display device and lighting device.例文帳に追加

陽極と陰極の間に、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも１層が含窒素複素環と遷移金属からなる金属錯体化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 includes an electrode pair made up of a first electrode 32 and a second electrode 34, and an active layer 40 sandwiched between the electrodes of the electrode pair, wherein any one of the electrodes of the electrode pair contains a conductive material, and an alkaline metal salt or alkaline earth metal salt.例文帳に追加

有機光電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極、及び前記一対の電極間に挟持される活性層４０を備える有機光電変換素子において、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極が、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩と導電体とを含む。 - 特許庁

The electrochromic display element is formed by laminating a plurality of structural units each having an electrochromic layer containing at least one or more electrochromic dyes and an electrolyte, at least one or more transparent thin film transistors, transparent pixel electrodes disposed in a matrix shape and a transparent counter electrode on a substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも１種以上のエレクトロクロミック色素と電解質とを含むエレクトロクロミック層と、少なくとも１個以上の透明な薄膜トランジスタと、マトリクス状に配置された透明な画素電極と、透明な対向電極と、を有してなる構造単位を複数個積層してなることを特徴とするエレクトロクロミック表示素子。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow.例文帳に追加

六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The reflection surface of the pixel electrode 200 formed by the manufacturing method of the liquid crystal display element is a flat surface on which no recess R exists since a pixel electrode via hole Ca is filled up with an embedded member 210 and a surface of a lower alignment layer 208 formed on the pixel electrode 200 is similarly a flat surface.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示素子の製造方法により形成された画素電極２００の反射面は、画素電極ビアホールＣａが埋込部材２１０で充填されているためリセスＲの存在しない平坦な面となり、この画素電極２００上に形成される下部配向膜２０８の表面も同様に平坦な面となる。 - 特許庁

The step of making the mother alloy includes a step of forming a solidified alloy layer which contains several R_2Fe_14B type crystals (R is at least one element selected from the group consisting of rare earth elements and yttrium) having rare earth-rich phases dispersed inside, by cooling the molten alloy through contacting it with a cooling member.例文帳に追加

母合金を作製する工程は、合金の溶湯を冷却部材に接触させることにより、合金の溶湯を冷却し、内部に希土類リッチ相が分散した複数のＲ_2Ｆｅ_14Ｂ型結晶（Ｒは希土類元素およびイットリウムからなる群から選択された少なくとも１種の元素）を含む凝固合金層を形成する工程を含む。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element with one or more organic compound layers pinched between a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode at least one of which is transparent or translucent, at least one layer from the organic compound layers includes one or more kinds of compounds expressed in formula (I).例文帳に追加

少なくとも一方が透明又は半透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極間に、一つ又は複数の有機化合物層が挾持されてなる有機電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を１種以上含有することを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an EL device having a spectral band width of emission wavelength greatly narrower that that of a usual organic EL light emitting element and superior wavelength selectivity and capable of emitting light with directivity being applicable to not only a display but also optical communication and easily guiding the output light into a core layer of an optical fiber portion with high efficiency.例文帳に追加

発光波長のスペクトル幅が従来の有機ＥＬ発光素子に比べて格段に狭く、波長選択性に優れ、かつ指向性持って光を出射でき、表示体だけでなく光通信などにも適用でき、しかも、出力光を光ファイバ部のコア層に容易に高効率で導入することができるＥＬ装置を提供する。 - 特許庁

An auxiliary capacitor 17 is a capacitor interposed between the auxiliary capacity line 17 and pixel electrode 16 and has a 2nd electrode part 182 which is coupled with a 2nd conductive layer 142 of the two-terminal type nonlinear element 14 and a 1st electrode part 181 branching off from the auxiliary capacity line 17 to overlap the 2nd electrode part 182.例文帳に追加

補助容量１７は、補助容量線１７と画素電極１６との間に介在する容量であり、二端子型非線形素子１４の第２導電層１４２に連結された第２電極部１８２と、この第２電極部１８２と重なり合うように補助容量線１７から分岐した第１電極部１８１とを有する。 - 特許庁

In this case, since formation of the capacitive element having the ferroelectric film on the lower electrode 8 is executed only by bonding the ferroelectric film 12 previously formed on the other substrate on the conductive adhesive layer 11, even if the processing temperature in forming the ferroelectric film 12 is comparatively high, the protective film 5 can be prevented from suffering thermal damage.例文帳に追加

この場合、下部電極８上への強誘電体膜を有する容量素子の形成は、導電性接着層１１の上面に予め別の基板に形成した強誘電体膜１２を接着するだけであるので、強誘電体膜１２を形成する際の処理温度が比較的高温であっても、保護膜５が熱的ダメージを受けることはない。 - 特許庁