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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18197



例文

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

In order to constitute an LDD region having a gradient of impurity concentration as described, a tapered gate electrode 119 is provided to energize ionized impurity element for conductive control through electric field, and to include it to a semiconductor layer via the gate electrode 119 and a gate insulating film 130.例文帳に追加

このような不純物元素の濃度勾配を有するLDD領域211を形成するために、本発明ではテーパー部を有するゲート電極119を設け、イオン化した導電型制御用の不純物元素を、電界で加速してゲート電極119とゲート絶縁膜130を通過させて半導体層に添加する方法を用いる。 - 特許庁

The organic light-emitting element related to this invention has a substrate, a primary electrode, a layered stack which has at least one layer including organic materials and is optimized for emission of electromagnetic radiation during operation, a secondary electrode, and a receiver which takes out the energy from alternating electromagnetic field and is optimized for converting the energy into the electric energy at least in part.例文帳に追加

本発明による有機発光素子は、基板と、第1の電極と、有機材料を含む少なくとも1つの層を有し動作中に電磁放射を放出するのに適した層スタックと、第2の電極と、エネルギーを交番電磁場から取り出し少なくとも部分的に電気的エネルギーに変換するのに適した受信装置とを有する。 - 特許庁

When a region to be sealed such as the organic electroluminescent element formed on a substrate is sealed by joining a sealing plate opposing to the substrate, the substrate, and the sealing plate, and by using a sealing adhesive formed so as to surround the region to be sealed, it is sealed by providing a cushioning layer on the outer periphery of the sealing adhesive.例文帳に追加

基板上に形成された有機電界発光素子などの被封止領域を基板に対向する封止板と基板と封止板とを接合し、かつ、被封止領域を包囲するように形成された封止用接着剤とを用いて被封止領域を封止するに際し、前記の封止用接着剤の外周に緩衝層を設けて封止する。 - 特許庁

例文

Thereafter, a thin film resistance element where the heat sink 2 for heat dissipation is formed just under a resistance film 6 is attained by forming a pattern of insulation film 5 on the flat surface of the heat sink 2 and insulation layer 4, forming a pattern of resistance film 6 from above the insulation film 5 and then connecting the end faces of both patterns respectively on the electrodes 3.例文帳に追加

しかる後、ヒートシンク部2と絶縁体層4の平坦な上面に絶縁膜5をパターン形成し、この絶縁膜5の上から抵抗膜6をパターン形成してその両端部をそれぞれ電極部3上に接続することにより、抵抗膜6の真下に放熱用のヒートシンク部2が存在する薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁


例文

The transparent glass plate 1 held at a constant interval with the electronic element wafer 4 having been rewired on its reverse surface with an adhesive resin layer 5 (adhesive) formed thereupon is cut divided by laser light having passed through a cutting gap formed by full dicing, so chipping is reduced, the quality of a cut surface and the cut dividing speed are improved to improve the yield.例文帳に追加

裏面に再配線された電子素子ウェハ4とその上の接着樹脂層5(接着剤)により一定の間隔で保たれた透明ガラス板1の割断が、フルダイシングにより生じた切断間隙を通したレーザー光により為されるため、チッピングが少なく割断面の品位と割断速度が向上し、歩留まりの向上を図ることができる。 - 特許庁

Consequently, since each semiconductor chip 2 has already prepared an insulating layer 2d differently from a case wherein an insulation film is arranged each time a heat sink 2c stuck on an element portion 2a is fixed to a case 4, the process of forming the insulation film arranged to maintain insulation between the heat sink 2c and case 4 is simplified.例文帳に追加

これにより、素子部2aに貼り合わせたヒートシンク2cを筐体4に固定するたびに絶縁性フィルムを配置する場合と異なり、既に半導体チップ2に絶縁層2dが備えられた状態となっているため、ヒートシンク2cと筐体4との間の絶縁性を保つために配置される絶縁膜の形成工程の簡略化を図ることが可能となる。 - 特許庁

The polarizing separation element comprises a polarization separation layer comprising a plurality of layers having structural birefringent, disposed between two optical members, wherein the layers having structural birefringent are layered with the polarization directions indicating the higher refractive index alternately arranged in an almost orthogonal directions between adjacent layers.例文帳に追加

構造複屈折を有する層を複数層積層した構成よりなる偏光分離層を、2つの光学部材の間に設けた偏光分離素子において、前記構造複屈折層の高い屈折率を示す偏光方向が、隣り合う層の間で互いにほぼ直交する方向に配置し積層した事を特徴とする偏光分離素子を提供する。 - 特許庁

In the optical phase correcting element constituted by holding a liquid crystal layer between a 1st base and a 2nd base which have transparent electrodes inside and are transparent, at least one transparent electrode is constituted in multi-layered electrode structure having different aberration correction patterns laminated and arranged, and a plurality of kinds of aberrations are corrected individually or.例文帳に追加

内側に透明電極を有する透明性の第1の基台と第2の基台とで液晶層を挟持してなる光学位相補正素子において、少なくとも一方の透明電極が、異なる収差補正パターンが積層配置された多層電極構造により構成され、複数種の収差補正を、個別に、または同時に補正することが出来るようにとした。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In.例文帳に追加

化合物半導体素子の製造方法において、Ga(ガリウム)またはIn(インジウム)を含む化合物半導体ウエハ1またはGaまたはInを含む化合物半導体層15にPt(白金)またはTi(チタン)を含む電極17,19を形成した後、熱処理温度を350℃〜430℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。 - 特許庁

例文

To provide a dye-sensitized photoelectric conversion element and its manufacturing method wherein an antireflection film endures heating in calcination necessary for manufacturing of a dye-sensitized semiconductor layer and it is excellent in its productivity and cost performance and a low reflection ratio is realized at a wide wavelength range of visible light and high photoelectric conversion efficiency is obtained.例文帳に追加

反射防止膜が色素増感半導体層の作製に必要な焼成時の加熱に耐えることができ、しかも生産性・コストパフォーマンスに優れており、また、可視光の広範囲の波長域にわたって低い反射率を実現することができ、高い光電変換効率を得ることができる色素増感光電変換素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The hydrophilic member has a hydrophilic film formed by applying a hydrophilic composition containing (A) a hydrophilic polymer having a specific structural unit and (C) a non-volatile catalyst and preferably (B) an alkoxide compound of an element selected from Si, Ti, Zr and Al, heating and drying, and has an undercoat layer between a substrate and the hydrophilic film.例文帳に追加

(A)特定構造単位を有する親水性ポリマー、及び(C)不揮発性の触媒、好ましくは(B)Si、Ti、Zr、Alから選択される元素のアルコキシド化合物、を含有する親水性組成物を塗布し、加熱、乾燥することにより形成された親水性膜を有し、かつ基板と親水性膜との間に下塗層を有する親水性部材。 - 特許庁

The liquid crystal optical element which has the air bubble held together with a liquid crystal layer between two transparent substrates each having a transparent conductive film and an alignment film laminated has a step portion formed of transparent conductive films or alignment films, or both the films, and the air bubble is fixedly arranged in the liquid crystal by the step portion.例文帳に追加

透明導電膜と配向膜とがそれぞれ積層された2枚の透明性基板に、液晶層とともに気泡が挟持された液晶光学素子において、透明導電膜と、配向膜のいずれか、または両方の膜により段差部が形成されており、この段差部によって、気泡が液晶層の内部に固定配置された構成を採用した。 - 特許庁

Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43.例文帳に追加

ヒューズ素子11のMOSトランジスタのシリサイド層47a、47bは、サイドウォール49a、49bからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層46a、46b上に形成するとともに、シリサイド層47dは、ゲート酸化膜43上のゲート電極44上を避けるようにしてゲート電極44上のコンタクト領域に形成する。 - 特許庁

An array of electron sources (an electron emission element) 16 is formed, on a supporting base 10, by laminating a cathode electrode layer 11 and a holding member 12 having a plurality of small apertures 13 extended to a same direction in order, and needle-like electrode members 14 are inserted into small apertures 13 so as to be arranged to a same direction (an extended direction of small apertures).例文帳に追加

本発明にかかる電子源アレイ(電子放出素子)16は、支持基板10上に、カソード電極層11と、伸長方向が揃った複数の細孔13を有する保持部材12とが順次積層されてなり、細孔13内には一定方向(細孔の伸長方向)に配列して針状の電極部材14が挿入されてなる。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes; a liquid crystal cell 1; polarizers 4 and 5 provided so as to oppose each other via the liquid crystal cell 1 therebetween; a phase compensation element 2 (and 3) provided between the liquid crystal cell 1 and at least one of the polarizers 4 and 5; and an antiglare layer 16 provided on the viewer side of the polarizer 4 provided on the viewer side.例文帳に追加

液晶セル1と、液晶セル1を介して互いに対向するように配設された偏光子4および5と、偏光子4および5と液晶セル1との間の少なくとも一方に設けられた位相差補償素子2(および3)と、観察者側に設けられた偏光子4の観察者側に設けられたアンチグレア層16とを有する。 - 特許庁

The coil element is characterized in that it comprises a first thin film coil 1 spirally formed in the plane of a surface, a second thin film coil 2 spirally formed along and adjacent to the first thin film coil in the same plane where the first thin film 1 is formed, and an insulating layer 3 provided between the first thin film coil 1 and the second thin film coil 2.例文帳に追加

面内にスパイラル状に形成された第1の薄膜コイル1と、第1の薄膜コイル1と同一面内において第1の薄膜コイル1に沿い隣接してスパイラル状に形成される第2の薄膜コイル2と、第1の薄膜コイル1と第2の薄膜コイル2の間に設けられた絶縁層3とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film comprising an organic-inorganic composite material having excellent surface smoothness, excellent heat resistance, excellent solvent resistance and low thermal expansivity and useful as a flat panel display element substrate or the like, to provide a transparent conductive film obtained by laminating a transparent conductive layer to the film or the like, and to provide a flat panel display having the transparent conductive film and the like as constituting elements.例文帳に追加

表面平滑性、耐溶剤性、低熱膨張性及び耐熱性に優れ、フラットパネルディスプレイ素子基板等として有用な有機・無機複合体からなるフィルム等、該フィルム等上に透明導電層が積層された透明導電性フィルム等、及びこの透明導電性のフィルム等を構成要素とするフラットパネルディスプレイを提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display element 100 is provided with a pair of substrates 10 and 20 having alignment layers 12 and 24 on the inside surfaces thereof and provided so as to be opposed to each other and a liquid crystal layer 30 provided so as to be interposed between the pair of substrates 10 and 20 and consisting of a nematic liquid crystal having 0 to 220° twist angle θ intrinsic to its material.例文帳に追加

液晶表示素子100は、各々、内側の面に配向膜14,24を有し相互に対向するように設けられた一対の基板10,20と、一対の基板10,20の間に狭持されるように設けられ材料固有のねじれ角θ(°)が0〜220であるネマチック液晶からなる液晶層30と、を備える。 - 特許庁

Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.例文帳に追加

そして、素子分離領域により前記第1半導体領域および前記第2半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第1導電型を有する第3半導体領域と、前記半導体基板と前記第3半導体領域の間に設けられ、第1導電型を有する第4半導体領域とを備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element having a nitride semiconductor layer that is laminated on a substrate and has a ridge on its surface and an electrode, wherein a first protective film is formed so as to have air gaps in at least a part of regions over surfaces of the nitride semiconductor layers on both sides of the ridge from sides of the ridge.例文帳に追加

基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジの側面から、該リッジの両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを有するように第1の保護膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁

The manufacturing method for the circuit board having an electrode wiring formed at a surface part of a substrate and an electro-thermal conversion element with a heating resistor film formed on the electrode wiring for generating heat energy comprises the steps of forming an electrode wiring layer for forming the electrode wiring, forming the heating resistor film and etching the electrode wiring layer and the heating resistor film altogether to form the electrode wiring.例文帳に追加

基板の表面部に形成された電極配線と、該電極配線上に形成された熱エネルギーを発生するための発熱抵抗体膜を有する電気熱変換素子と、を有する回路基板の製造方法であって、前記電極配線を形成するための電極配線層を形成し、前記発熱抵抗体膜を成膜した後、前記電極配線層と発熱抵抗体膜を一括エッチングすることにより、前記電極配線を形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor element having the foreign material layer disposed in the semiconductor body includes the steps of: producing a trench having two opposite sidewalls and a bottom in the semiconductor body; producing the foreign material layer on a first one of the two sidewalls of the trench; and filling the trench by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.例文帳に追加

半導体基材内に異材料層が配置された半導体素子を製造するための方法であって、対向し合う2つの各側壁と底部とを有するトレンチを上記半導体基材内に作成する工程と、上記トレンチの上記2つの各側壁のうちの第1の側壁に異材料層を作成する工程と、上記トレンチの上記2つの各側壁のうちの第2の側壁および底部に半導体材料をエピタキシャルに堆積することによって上記トレンチを充填する工程とを含んでいる方法。 - 特許庁

In an organic electroluminescence element having plural organic layers containing at least one light emission layer sandwiched between an anode and a cathode, at least one of the light emission layers contains a phosphorescent compound, and at least one of the organic layers contains a metal complex layer formed by mixing solution containing at least one selected from a metal source and a metal complex with solution containing a ligand and then coating or by separately coating each resolution, thereby forming metal complex polymer.例文帳に追加

陽極と陰極に挟まれた少なくとも1層の発光層を含む複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層の少なくとも1層はリン光発光性化合物を有し、かつ、該有機層の少なくとも1層が、金属ソース及び金属錯体から選ばれる少なくとも1つを含む溶液と配位子を含む溶液を混合した後に、若しくは別々に塗布し、金属錯体ポリマーを形成することにより形成される金属錯体層を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In the surface light source element, the projection tips on the outgoing- light control plate 4 and the outgoing-light surface of the light guide 3 are optically in close contact with each other through an optically transparent layer, and a light-diffusing layer 5 is placed on the outgoing-light surface of the outgoing-light control plate 4.例文帳に追加

上記の課題は、光源2と、リフレクタ8と、リフレクタ8で反射された光源2からの光が少なくとも一つの端面1から入射される導光体3と、出射面からの光を出射面の正面方向に向かわせるための複数の凸部が導光体3と対向する面に設けられた出射光制御板4を備え、該出射光制御板4の凸部先端と導光体3の出射面とが光学的に透明な層を介して密着してなる面光源素子において、該出射光制御板4の出射面に光拡散層5が配されている面光源素子により解決される。 - 特許庁

The transparent electrode and the opposing electrode, and a layer pinched in between are provided on the translucent base material by the plural number, and that an organic EL element with a second alignment mark on is transferred and laminated through the metal foil and the adhesive layer of the sealing component on the translucent base material.例文帳に追加

透明電極と対向電極及びその間に挟持された層が透光性基材上に複数個設けられ、かつ、透光性基材に第二のアライメントマークが設けられている有機EL発光素子を、前記封止部材の金属箔を接着層を介して転写・積層すると、薄い金属箔をしわ等にならずに封止に用いることが可能になり、かつ、一定張力をかけながら封止するために、同一基材上の個々の素子の封止端面が均一となり、従って各素子の耐湿性能の揃った有機EL素子を提供することができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display, the blue light source for emitting blue light, a liquid crystal element having a liquid crystal layer and a pair of deflecting plates holding the liquid crystal layer, and a color filter having a phosphor excited with the blue light to emit red fluorescent light and a phosphor excited with the blue light to emit green fluorescent light are arranged in this order.例文帳に追加

本発明の液晶表装置は、青色光を発光する青色光源と、液晶層及び前記液晶層を挟持する一対の偏向板を有する液晶素子と、少なくとも前記青色光により励起されて赤色の蛍光を発する蛍光体と前記青色光により励起されて緑色の蛍光を発する蛍光体とを有するカラーフィルターとが、この順に配されており、前記一対の偏光板の直交透過率が、波長を450nmとする光に対する直交透過率をTc450としたとき、下記(1)式を満たすことを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁

The self-assembled composition comprising a substantially homogeneous and ordered array of the photographically useful compound and silver and halide atoms in one or more hydrophilic colloid layer of the radiation sensitive image element comprising a support bearing one or more hydrophilic colloid layer, is characterized in that the average minimum distance from each Ag atom in the composition to an atom of the photographically useful compound in the composition is less than 50 Å.例文帳に追加

支持体上に1又は2以上の親水性コロイド層を有してなる感輻射線性画像形成要素において、1以上の親水性コロイド層に、写真的に有用な化合物が、実質的に均質に、かつ、規則的に配列した写真的に有用な化合物と銀原子及びハロゲン化物原子とを含んで成る自己集成型組成物であって、該組成物中の各Ag原子から該組成物中の該写真的に有用な化合物の原子までの平均最短距離が50Å未満であることを特徴とする自己集成型組成物。 - 特許庁

In a metal sheet wherein at least a resin coating film layer using an aminoplast resin as a curing agent is provided on one side or both sides of a metal sheet subjected to chemical conversion treatment, the element concentration distribution in the depth direction of the coating film is measured with respect to a top coating film layer by high frequency discharge type glow discharge emission spectrochemical analysis.例文帳に追加

化成処理を施した金属板の片面もしくは両面に、1層以上のアミノプラスト樹脂を硬化剤として用いた樹脂塗膜層をトップ塗膜層として有する金属板において、トップ塗膜層について高周波放電式グロー放電発行分光分析で塗膜の深さ方向の元素濃度分布を測定し、トップ塗膜層の空気に接している表面をゼロ点とし、ここから深さ方向の距離をTとし、更に、Nc=[窒素のスペクトル強度]/{[窒素のスペクトル強度]+[酸素のスペクトル強度]+[炭素のスペクトル強度]}と定義したときに、Ncの値が次の(A)0μm≦T≦0.5μmのいずれかの深さにおけるNcの値が0.45以上である。 - 特許庁

To provide a GaN light emitting element formed on an n-type SiC substrate doped with nitrogen, which can be improved in brightness by keeping the SiC substrate conductive, restraining the light emitted from a light emitting layer from being reabsorbed, and specifying the range of electron concentration in the SiC board, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒素ドープされたn型SiC基板上に形成されたGaN系半導体発光素子における、SiC基板の導電性を保ち、かつ発光層より発光した光の再吸収を抑制することが可能な、SiC基板中の電子濃度範囲を規定することにより、輝度の向上を可能とするGaN系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can form semiconductor dots as desired, while making a semiconductor film polycrystalline without spoiling the planarity of the top surface of a polycrystalline silicon layer and a tunnel oxide film and can easily manufacture a memory element, having a fine particle floating gate easily at a low cost, even when the substrate is made of glass or plastic.例文帳に追加

結晶化シリコン層の表面の平坦性やトンネル酸化膜を損なうことなく、半導体膜を所望のように多結晶化する一方で、所望のように、半導体ドットを形成することができ、基板がガラスあるいはプラスチックで形成されている場合にも、容易に、かつ、低コストで、微粒子フローティングゲートを有するメモリ素子を製造することができるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic electroluminescence element includes a stage for providing a substrate on which pixel electrodes are formed, a stage for laminating a donor substrate on the whole surface of the substrate, and a stage for scanning a laser beam on a predetermined area of the donor substrate by using the laser irradiation apparatus to form the organic film layer pattern.例文帳に追加

本発明に係る有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、前記レーザー照射装置を用いて前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the organic light-emitting element having a pair of electrodes composed of an anode and a cathode in which at least one is transparent or translucent and one or a plurality of organic layers containing an organic compound interposed between the pair of the electrodes, at least one layer of the organic layers containing the organic compound contains one or more kinds of organic radical metal complexes.例文帳に追加

少なくとも一方が透明または半透明な陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機化合物を含有する1または複数の有機層を有する有機発光素子において、前記有機化合物を含有する有機層のうち少なくとも一層が1種以上の有機ラジカル金属錯体を含有する有機発光素子である。 - 特許庁

To provide a precess film for producing a ceramic green sheet which is used in the production of the ceramic green sheet used in a ceramic capacitor, a laminated inductor element, etc., with the layer of a cured silicone resin composition good in adhesion to a substrate film formed, is excellent in ceramic slurry coating properties and ceramic green sheet peeling properties, and has high flatness and good antistatic properties.例文帳に追加

セラミックコンデンサや積層インダクタ素子などに用いられるセラミックグリーンシートを製造する際に使用され、基材フィルムとの密着性が良好なシリコーン樹脂組成物の硬化層が形成され、セラミックスラリー塗工性及びセラミックグリーンシート剥離性に優れると共に、従来にない高平坦性を有し、かつ帯電防止性の高いセラミックグリーンシート製造用工程フィルムを提供すること。 - 特許庁

The light emitting element comprises: a substrate (10) made of sapphire or SiC and including a region (10a) not containing a fluorescent substance on a rear surface side and a region (10c) containing a fluorescent substance on a surface side; and a nitride semiconductor layer (30) provided on the surface of the substrate (10) for emitting light for exciting the fluorescent substance.例文帳に追加

本発明は、サファイアまたはSiCからなり、裏面側に蛍光物質を含有しない領域(10a)と表面側に蛍光物質を含有する領域(10c)とを有する基板(10)と、基板(10)の表面上に設けられ、蛍光物質を励起するための光を発光する窒化物半導体層(30)と、を具備する発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

The electro-optical element includes an electro-optical material which is interposed between a pair of substrates that are arranged mutually opposite ; a gate wiring formed on either substrate; a plurality of auxiliary capacitance wiring, formed on the same layer as the gate wiring by a first metal membrane mutually separated; and an aggregated lead out wiring, mutually separated from the plurality of auxiliary capacitance wiring.例文帳に追加

電気光学素子では、対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の基板上に形成されたゲート配線と、ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離された第1の金属薄膜で形成された複数の補助容量配線と、複数の補助容量配線と互いに分離されている集合引出し配線とを備える。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11, a pixel area 2 including a photodiode 13 and charge transfer electrode 18 and a surrounding circuit area 3 including a surrounding circuit electrode 21 are separately formed, and a reference potential supplying layer 14 to supply a reference potential to the element in the pixel area 2 is formed in the area interposed between those areas.例文帳に追加

半導体基板11上に、フォトダイオード13や電荷転送電極18を含む画素領域2と、周辺回路電極21を含む周辺回路領域3とが離隔形成されるとともに、これらの両領域に狭持される領域内に画素領域2内の素子に対して基準電位を供給するための基準電位供給層14が形成される。 - 特許庁

Therein, the partial pressure of a group III element raw material gas in a gas charged into a reaction vessel is reduced, while the constant composition layer is grown in the gas phase.例文帳に追加

単結晶基板上に、それぞれGa、AsおよびPを構成元素として含む組成変化層および一定組成層を基板側からこの順に含むIII-V族化合物半導体層を気相成長させて、エピタキシャルウエハを製造する方法において、該一定組成層の気相成長中に、反応容器内に導入されるガス中のIII 族原料ガスの分圧を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.例文帳に追加

また、第1導電型半導体領域12の表面に第2導電型半導体領域13が形成されたセンサ部2を有し、第2導電型半導体領域13下の第1導電型半導体領域12内に、第2導電型半導体領域13より小さい面積の第2導電型半導体層6が形成されて成る固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁

After a process in which a thermal diffusive organic compound donor containing a binder and the thermal diffusive organic compound, and a receptor base material are superposed and heated, and a process in which the thermal diffusive organic compound donor is peeled off from the receptor base material, this manufacturing method of the organic thin film element has a process in which the organic compound layer is formed on the receptor base material.例文帳に追加

バインダーと熱拡散性有機化合物を含む熱拡散性有機化合物供与体と受容体基材を重ね合わせて加熱する工程、該熱拡散性有機化合物供与体を該受容体基材から剥離する工程を経て、前記受容性基材上に有機化合物層を形成する工程を有することを特徴とする有機薄膜素子の製造方法。 - 特許庁

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、(1)遮光性による加工性の低下、(2)光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、(3)熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁

In this electron emitting element having a field effect transistor(FET) formed on the surface of a semiconductor layer and a conical emitter having a sharpened tip, an emitter forming area 11 is formed into a circular shape or a polygon, and a FET gate electrode 4 and a FET source electrode 9 in the form of a circular ring or a polygonal ring are disposed in the peripheral area of the emitter forming area.例文帳に追加

半導体層の表面に形成された電解効果型トランジスタ(FET)と、先端が先鋭化されたコーン型エミッタを有する電子放出素子において、エミッタ形成領域11を円形または多角形状とし、エミッタ形成領域の周辺に円形環または多角形環型のFETゲート電極4とFETソース電極9を配置する。 - 特許庁

In this electroluminescence element, at least one layer of electric charge carrier and light emitting layers contains a microphase separable electric charge carrier block copolymer or graft copolymer having a convoluted electric charge carrier passage structure or contains a cross-linking-curing material of an electric charge carrier and/or light emissive compound having a cross- linking-curing group in a molecule.例文帳に追加

電荷輸送性及び発光性を有する層の少なくとも1層が、回旋状電荷輸送路構造を有する、ミクロ相分離型電荷輸送性ブロック共重合又はグラフト共重合体を含有してなる、又は、分子中に架橋硬化性基を有する電荷輸送性及び/又は発光性化合物の架橋硬化物を含有してなる電界発光素子である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a rugged structure, the method forming a uniform fine rugged structure by directly performing etching without performing development after abrasion or irradiation of laser light in the method of manufacturing the rugged structure using a resist layer made of a heat mode type recording material, and to provide a light-emitting element formed by applying the manufacturing method and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ヒートモード型の記録材料で構成されたレジスト層を用いた凹凸構造体の製造方法において、アブレーションやレーザ光の照射後に現像を行うことなく直接エッチングを行って均一な微細凹凸構造を形成することができる凹凸構造体の製造方法、この製造方法を応用した発光素子、発光素子の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition for a barrier rib for obtaining an active driving type organic EL element capable of corresponding to an image in high resolution without disconnection of electrodes, and an active driving type organic EL display device having a barrier rib formed using the photosensitive composition for a barrier rib, in the active driving type organic EL display device forming an organic layer in a region partitioned by barrier ribs.例文帳に追加

隔壁で仕切られた領域に有機層を形成するアクティブ駆動型有機EL表示装置において、電極の断線がなく、高解像度の画像に対応出来るアクティブ駆動型有機EL素子を得るための隔壁用感光性組成物、およびその隔壁用感光性組成物を用いて形成された隔壁を有するアクティブ駆動型有機EL表示装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display element has a second liquid crystal layer formed to be brought into contact with the same electrode keeping a third liquid crystal for selecting and reflecting a second wavelength band, and a fourth liquid crystal for selecting and reflecting a third wavelength band different from the first wavelength band and the second wavelength band, and allowing a threshold voltage required for drive to differ from the third liquid crystal arranged in a pixel unit.例文帳に追加

液晶表示素子は、第二波長帯域を選択反射する第三液晶と、第一波長帯域及び第二波長帯域とは異なる第三波長帯域を選択反射し、駆動に要する閾値電圧が第三液晶とは異なる第四液晶とが、画素単位で配置される同一の電極に接して形成される第二液晶層を有する。 - 特許庁

In an SBD element including an active region of an SBD formed on a principal surface of a semiconductor substrate and a PSG film coating region formed from an end thereof to an outer peripheral part thereof, a boundary part between an organic final passivation film complementarily formed on an aluminum-based metal film constituting an anode electrode and a UBM layer is formed in the PSG film coating region.例文帳に追加

本願発明は、半導体基板の主面に設けられたSBDの活性領域および、その端部から外側の周辺部に設けられたPSG膜被覆領域を有するSBD素子において、アノード電極を構成するアルミニウム系メタル膜上に相補的に設けられた有機系ファイナル・パッシベーション膜とUBM層の境界部分をPSG膜被覆領域に設けたものである。 - 特許庁

The surface light-emitting device includes a polygonal transparent substrate 1 and a light-emitting element 7 disposed on one surface of the transparent substrate 1 and constituting a laminate, including a transparent electrode 2 as an anode; a negative electrode 6 as a cathode opposite to the transparent electrode 2; and a light-emitting layer 4 sandwiched between the transparent electrode 2 and the negative electrode 6.例文帳に追加

本発明の面発光装置は、多角形の透明基板1と、透明基板1の一方の面上に配置されている発光素子7であって、陽極となる透明電極2、透明電極2と対向する陰極になる陰電極6、および透明電極2と陰電極6とに挟まれている発光層4を含む積層体である発光素子7とを有する。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes two substrates disposed oppositely, an interlayer insulating film laminated on an inner face side of at least one of the substrates, and a liquid crystal layer disposed between the substrates and formed from a polymerizable liquid crystal composition, in which a resin constituting the interlayer insulating film has a crosslinked moiety of a polymer expressed by the formula (1).例文帳に追加

本発明は、対向に配置された2枚の基板、この基板の少なくとも1枚の内面側に積層された層間絶縁膜、及び上記基板間に配設され、重合性液晶組成物から形成された液晶層を備え、上記層間絶縁膜を構成する樹脂が、下記式(1)で表される重合体の架橋部分を有する液晶表示素子である。 - 特許庁

例文

The display device 100 includes: a display unit 200 having a display element layer 220 and a pixel driving thin film transistor 230 on a first flexible board 210; and a thin film device 300 which is bonded to a first surface of the display unit 200 to drive the display unit 200 and has a display controlling thin film transistor 320 on a second surface.例文帳に追加

ディスプレイ装置100は、第1フレキシブル基板210上に表示素子層220及び画素駆動用薄膜トランジスタ230を有するディスプレイユニット200と、ディスプレイユニット200の第1面上に接合され、当該ディスプレイユニット200を駆動するデバイスであって、第2面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ320を有する薄膜デバイス300と、から形成されている。 - 特許庁




  
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