「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(362ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide electrode paint for producing composite particles where a conductive assistant is applied uniformly to the surface of an active substance with high productivity by dispersing the conductive assistant, as desired, into solvent, composite particles employing it, an electrode having an electrode layer formed of such composite particles, and an electrochemical element having such an electrode.例文帳に追加

溶媒に導電助剤を所望のように分散させることによって、高い生産性をもって、活物質の表面に導電助剤が均一に付着した複合化粒子を製造することができる電極塗料、それを用いた複合化粒子、かかる複合化粒子によって形成された電極層を有する電極、ならびに、かかる電極を備えた電気化学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。 - 特許庁

The nitride system semiconductor laser element 100 comprises: the nitride semiconductor substrate 101 having a main surface of (11-20) surface; a resonator end surface orthogonal to the main surface; and an excavating part 114 as an excavating region for opening to the surface of the nitride semiconductor layer at least at one side of a stripe-shaped waveguide on a cleaving surface comprising the resonator end surface.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１１−２０）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１４を備える構成とする。 - 特許庁

Organic functional material ink is supplied to letterpress convex parts with the use of a printing machine equipped with a plurality of anilox rolls, which then are endowed with at least either the different number of wires, different cell angles, or different sculpturing patterns, and then is transferred from the letterpress to a substrate to form an organic functional layer, in the manufacturing method of the organic functional element.例文帳に追加

複数のアニロックスロールを備え、さらにそのアニロックスロールが、互いに異なる線数、異なるセル角度、異なる彫刻パターン、の少なくともいずれかを備えていることを特徴とする印刷機を用いて、凸版凸部に有機機能性材料インキを供給し、凸版から基板上にインキを転写して有機機能層を形成することを特徴とする有機機能性素子の製造方法。 - 特許庁

The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.例文帳に追加

スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, the pad electrode is disposed at the position except the surface of the light transmissive electrode layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、光透過性電極層と電気的に接続され光透過性電極層を通じて半導体層にキャリアを供給するためのキャリア用電極と、キャリア用電極と電気的に接続された、ワイヤーボンディング用のパッド電極とを含む半導体発光素子であって、パッド電極を光透過性電極層の表面以外の位置に配置させた半導体発光素子である。 - 特許庁

The diffraction grating type optical function element has a Bragg diffraction grating formed halfway in an optical path guiding a light signal along the optical path and uses the transmission peak or reflection peak by the diffraction of the grating, and the diffraction grating is formed by irradiating a high-refractive-index glass material layer on a plane substrate with ultraviolet rays and performing a heat treatment at 510 to 850°C for 10 minutes to 24 hours.例文帳に追加

光信号を導波する光路の途中に、当該光路に沿ってブラッグ回折格子が形成され、その格子の回折による透過ピークあるいは反射ピークを利用する回折格子型光機能素子であって、平面基板上の高屈折率ガラス材料層に対する紫外線照射と、５１０〜８５０℃で１０分〜２４時間の熱処理により回折格子を形成する。 - 特許庁

The thin-film capacitor element 10 comprises the thin-film capacitor 15 having a dielectric layer 13 and two electrodes 12 and 14 sandwiching it, external terminals 23 electrically connected to the electrodes respectively, and resistive layers 30 each being provided between the electrode and the external terminal and adjacent to the electrode and having a resistivity larger than that of the adjacent electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜キャパシタ素子１０は、誘電体層１３とそれを挟む２つの電極１２，１４を有する薄膜キャパシタ１５と、前記電極と電気的に接続される外部端子２３とを備え、前記電極と外部端子との間に設けられ、前記電極に隣接するとともに、前記隣接する電極よりも大きな抵抗率を有する材料からなる抵抗層３０を有する。 - 特許庁

In the substrate manufacturing apparatus used in a process for forming a thin film such as an organic layer or the like in the organic EL element by bonding liquid droplets to a substrate and irradiating the liquid droplet applied substrate with electromagnetic waves such as infrared rays or the like, the indicated region corresponding to the center parts of the liquid droplets or the peripheral parts or the like thereof are selectively irradiated with the electromagnetic waves.例文帳に追加

基板上に液滴を付着させ、赤外線等の電磁波を照射して有機ＥＬ素子における有機層等の薄膜を形成する工程に用いられる基板製造装置であって、上記基板製造装置は、液滴の中心部又は周囲部等に対応する指定された領域に対して選択的に電磁波を照射するものである基板製造装置である。 - 特許庁

In this waveguide type optical module 100, a heating and cooling element 32 which controls a temperature of the waveguide type optical device 3 is provided on the waveguide type optical device 3 having temperature dependency via a soaking plate 30 and a heat relaxing layer (heat relaxing material within a recessed part 31), and a least a part of the soaking plate 30 comes into contact with the waveguide type optical device 3.例文帳に追加

温度依存性を有する導波路型光素子３上に、均熱板３０および熱緩衝層（凹部３１内の熱緩衝材）を介して導波路型光素子３の温度を制御する加温冷却素子３２が設けられており、均熱板３０の少なくとも一部が導波路型光素子３に接していることを特徴とする導波路型光モジュール１００。 - 特許庁

It also has a capacity element 20 having a lower electrode 21 formed as a part of the first wiring pattern 14, and a capacity insulating film 22 and an upper electrode 23 formed on the lower electrode 21 one by one; and a protection film 24 covering the capacity insulating film 22, the upper electrode 23, and a part of the lower electrode 21, and covered by the second insulating layer 13.例文帳に追加

また、第１の配線パターン１４の一部として形成された下部電極２１、並びに、下部電極２１上に順次に形成された容量絶縁膜２２及び上部電極２３を有する容量素子２０と、容量絶縁膜２２及び上部電極２３と下部電極２１の一部とを覆い、且つ、第２の絶縁層１３によって覆われる保護膜２４とを備える。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.例文帳に追加

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 - 特許庁

A nickel-hydrogen battery includes a negative electrode furnished with hydrogen storage alloy and a positive electrode equipped with a positive electrode active material layer containing a positive electrode active material using as the base material at least either of nickel hydroxide and nickel oxide and an element having such a property as heightening the rate of utilization of the positive electrode active material when added thereto and a property to make segregation when the cyclic number of charge and discharge increases.例文帳に追加

ニッケル水酸化物およびニッケル酸化物の少なくとも一方を基材とする正極活物質と、正極活物質に添加され正極活物質の利用率を高める性質と充電放電のサイクル数が増加すると偏析する性質とをもつ元素とを含む正極活物質相を備た正極と、水素吸蔵合金を備えた負極とを有するニッケル水素電池である。 - 特許庁

Such a conductive polymer cathode layer is formed by preparing a chemical polymerization liquid formed by mixing a monomer solution of 3, 4-ethylenedioxythiophene with a solution with a ferric salt of sulfonated fullerene C60 as a dopant and oxidizer dissolved in a butyl alcohol solvent, immersing the capacitor element 1 in the chemical polymerization liquid, and thereafter including the sulfonated fullerene C60 as a fullerene compound by oxidation polymerization.例文帳に追加

こうした導電性高分子陰極層は、３，４−エチレンジオキシチオフェンの単量体溶液と、ブチルアルコール溶媒にドーパント兼酸化剤としてスルホン化フラーレンＣ６０の第ニ鉄塩とを溶解した溶液と、を混合した化学重合液を用意し、この化学重合液にコンデンサ素子１を浸漬した後、酸化重合により、フラーレン化合物としてスルホン化フラーレンＣ６０が含まれて形成される。 - 特許庁

The tip 12a of the projected section is brought into contact with a light emitting surface of the organic electroluminescent element via the adhesive layer 25, and arithmetic means roughness Ra of the surface of the projected section is 0.01-0.5 μm.例文帳に追加

光取り出しフィルムと有機エレクトロルミネセンス素子２０を含む面発光体３０において、該光取り出しフィルムは、無機粒子を含有し、かつ少なくとも片面に複数の凸部１２を有し、該凸部の先端部１２ａが有機エレクトロルミネセンス素子の出射面に接着層２５を介して接している構造であり、該凸部表面の算術平均粗さＲａが０．０１μｍ〜０．５μｍであることを特徴とする面発光体。 - 特許庁

In the photosensitive element having a plastic film A, a photosensitive resin layer and a plastic film B in this order for forming a photosensitive resin pattern on a substrate, the plastic film A is a polyethylene terephthalate film or a polypropylene film and is removed in sticking to the substrate and the thickness of the plastic film A is larger than that of the plastic film B.例文帳に追加

基板上に感光性樹脂パターンを形成するための、プラスチックフィルムＡ、感光性樹脂層、プラスチックフィルムＢをこの順で有する感光性エレメントにおいて、前記プラスチックフィルムＡがポリエチレンテレフタレートフィルム又はポリプロピレンフィルムであり、前記プラスチックフィルムＡは基板貼り合わせ時に除去されるフィルムであり、前記プラスチックフィルムＡの厚さが前記プラスチックフィルムＢの厚さよりも厚い感光性エレメント。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an element structure is refined and reliability is improved by being provided with an uniformly formed gate insulating film together with a refined semiconductor layer, and its manufacturing method, and to provide a display device wherein high definition display is possible and the reliability is improved by using the semiconductor device, and its manufacturing method.例文帳に追加

微細化された半導体層と共に均一に成膜されたゲート絶縁膜を備え、これにより素子構造の微細化と共に信頼性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法を提供すること、さらにはこの半導体装置を用いることにより高精細な表示が可能で信頼性の向上が図られた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a ceramic wiring board in which a semiconductor component and a wiring structure can be formed conveniently with high precision even if the wiring structure is complicated or shrunk due to reduction in size or high integration of the semiconductor component being mounted, a dielectric layer around a conductor element is scarcely deformed, and flatness on the major surface of a substrate for forming component connection pads can be enhanced.例文帳に追加

実装される半導体部品の小型化ないし高集積化に伴い、組み込まれる配線構造が複雑化ないし微細化しても、これらを簡便かつ高精度に形成でき、また、導体要素の周囲にてセラミック誘電体層の変形がほとんど生じず、部品接続用のパッドが形成される基板主表面の平坦性を大幅に向上できるセラミック配線基板を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element includes a pair of p and n thermoelectric semiconductors 14 and 15 which are sandwiched between a pair of electrodes 11 and 12 facing each other and includes a metal for reducing the degree of anisotropy of heat conduction and electrical conductivity between the electrodes and the thermoelectric semiconductors and has a stress-relaxing layer which includes carbon nanotubes 13, to which flexibility is imparted by introducing a proper quantity of gaps.例文帳に追加

対向する一対の電極１１，１２に挟まれたｐ、ｎ熱電半導体対１４，１５からなる熱電変換素子であって、該電極と該熱電半導体間に熱伝導と電気伝導性の異方性を少なくする金属を内包すると共に、適量の空隙を導入して可撓性を付与したカーボンナノチューブ１３からなる応力緩和層を有することを特徴とする熱電変換素子。 - 特許庁

This integration type multilayer chemical analytical element for measuring the concentration of glucose, cholesterol or lactic acid in blood has a reagent layer 21 containing a composition comprising an oxidase selected from the group consisting of a peroxidase, a leuco pigment having absorption peaks at 600-700 nm wavelengths and exhibiting color development, glucose oxidase, cholesterol oxidase and lactic acid oxidase and having 30-80% porosity.例文帳に追加

ペルオキシダーゼ、６００〜７００ｎｍの範囲の波長に吸収ピークを有する発色を示すロイコ色素、及びグルコースオキシダーゼ、コレステロールオキシダーゼ又は乳酸オキシダーゼからなる群より選ばれる酸化酵素を含む組成物を含有する、空隙率が３０〜８０％の範囲の多孔質材料からなる試薬層を有する全血中のグルコース、コレステロール又は乳酸の濃度測定用一体型多層化学分析要素。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell provided with a metal oxide semiconductor electrode made of metal oxide with dyes absorbed on the surface, a charge transfer layer, and an opposing electrode in that order on a conductive base material, the metal oxide contains needle crystal of alkali metal titanate having a platinum-group element on the surface and alkaline earth metal titanate.例文帳に追加

導電性基材上に、色素が表面に吸着された金属酸化物からなる金属酸化物半導体電極と、電荷移動層と、対向電極とを順次有する色素増感型太陽電池において、該金属酸化物が、表面に白金族元素を有するチタン酸アルカリ金属の針状結晶と、チタン酸アルカリ土類金属とを含有することを特徴とする色素増感型太陽電池。 - 特許庁

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.例文帳に追加

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁

In the reflective liquid crystal display element comprising a polarizer 11, a birefringent film layer 12, forward scattering film layers 10a, 10b with scarce backward scattering characteristics and with strong forward scattering characteristics and a liquid crystal cell 13 with a mirror reflection plate, the forward scattering film layers are characterized by including at least one film having an angular range of scattering asymmetric with respect to the film normal.例文帳に追加

偏光子11と、複屈折フィルム層12と、後方散乱特性がほとんどなく前方散乱特性が強い前方散乱フィルム層10a，10bと、鏡面反射板を有する液晶セル13とから構成される反射型液晶表示素子において、前記の前方散乱フィルム層には散乱角度範囲がフィルムの法線方向に対して非対称であるものを少なくとも１枚含んでなることを特徴とするものである。 - 特許庁

The image forming element includes an image forming layer and a base, the base includes a closed-cell foam core sheet and upper and lower flange sheets bonded to the core sheet, the upper flange sheet contains an oriented polystyrene or polypropylene polymer, the modulus of the upper flange sheet is 1,000-3,500 MPa and the roughness of the upper surface of the base is <0.4 μm Ra.例文帳に追加

画像形成層とベースとを含んで成る画像形成要素であって、前記ベースが、独立気泡フォームコアシートとそれに接着された上部および下部フランジシートとを含んで成り、前記上部フランジシートが配向ポリスチレンまたはポリプロピレンポリマーを含んで成り、前記上部フランジシートのモジュラスが１０００〜３５００ＭＰａの間であり、前記ベースの上部表面の粗さが０．４μｍＲａ未満である画像形成要素。 - 特許庁

In the liquid crystal display element having a liquid crystal interposed between a pair of substrates, the satisfactory alignment and the satisfactory contrast characteristics can be made compatible with each other and the simplification of the stages and the reduction of the material cost can be provided by forming a protrusion for controlling the alignment and a light shielding layer shielding light on the same substrate by using the same material.例文帳に追加

一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶表示素子において、同一基板上に配向を制御する突起物と光を遮光する遮光層が形成されており、前記突起物と前記遮光層を同一材料で形成することにより、良好な配向と良好なコントラスト特性を両立すると共に工程の簡略化と材料費の低減を提供することができる。 - 特許庁

By forming the cross section shape of the upper surface of the inorganic pixel defining film in the curved shape having no discontinuous point, adhesion between the first electrode and an organic film layer is increased in a transfer process, transfer is made possible even with the laser beams having low energy, transfer efficiency is enhanced and moreover, the light emitting efficiency and the life of the organic electroluminescence element are increased.例文帳に追加

無機画素定義膜の上面の断面形態が不連続点のない曲線形態を持つように形成することにより、転写工程の際に第１の電極と有機膜層との密着を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写が可能であり、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。 - 特許庁

The display element displaying full colors with two liquid crystal layers laminated with each other, comprises two upper coloring regions containing pigments, assuming respectively different hue values and placed optically in parallel to one another in one out of the two liquid crystal layers and two lower coloring regions containing pigments, assuming respectively different hue values and placed optically in parallel to one another in the other liquid crystal layer.例文帳に追加

フルカラーを表示する表示素子であって、積層された２つの液晶層と、２つの液晶層のうち一方の液晶層には、色素を含有してそれぞれ異なる色相をあらわす２つの上方着色領域が光学的に並列に配置され、他方の液晶層には、色相を含有してそれぞれ異なる色相をあらわす２つの下方着色領域が光学的に並列に配置されている。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁

A basic cell wall 2a, which is the basic one of the cell walls 2 and the cell wall being an element for forming the substantially perfect hexagonal cell 3a by six cell walls 2 without being combined with the skin layer 4, has ≤110 μm average thickness and ≥0.9 mm cell pitch.例文帳に追加

セル壁２のうち、スキン層４と組み合わせられることなく６つのセル壁２によって実質的に完全な六角形状のセル３ａを形成する要素となるセル壁である基本セル壁２ａの平均厚みが１１０μｍ以下であり、かつ、セルピッチが０．９ｍｍ以上であり、３つの基本セル壁２ａ同士の交点部分における、３つのセル開口部の輪郭に接する円の直径Ｄａと、セルピッチＰとの関係が、Ｄａ／Ｐ≧０．１３である。 - 特許庁

The electronic paper display element includes: a first electrode 110; a second electrode 120 facing the first electrode 110; a barrier layer 130 interposed between the first and second electrodes 110 and 120 to define a plurality of cells; and a microcapsule 140 disposed in each cell between the first and second electrodes 110 and 120 and maintaining a ratio of minor axis to major axis of 0.9 to 1.例文帳に追加

本発明の電子ペーパ表示素子は、第１の電極１１０と、第１の電極１１０と向き合う第２の電極１２０と、第１の電極１１０と第２の電極１２０との間に介在し、多数のセルを画定する隔壁層１３０と、第１の電極１１０と第２の電極１２０との間の各セルに配置され、長軸と短軸との比率が０．９〜１を維持するマイクロカプセル１４０とを含む。 - 特許庁

A drying apparatus and a drying method are characterized in that a lid for suppressing drying is arranged directly above each pixel when drying a coating film in a method of manufacturing a functional element including a drying step in which a solvent-containing coating solution for forming the functional layer is applied to the inside of the partition wall formed on a substrate to form the coating film on the substrate and then the coating film is hardened by drying.例文帳に追加

溶媒を含む機能層形成用塗工液を、基板上に形成された隔壁内部に塗布することにより基板上に塗膜を形成した後、前記塗膜を乾燥させて固化させる乾燥工程を有する機能性素子の製造方法において、乾燥時に各画素の直上に乾燥を抑えるための蓋を配置することを特徴とする乾燥装置および乾燥方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide: a metal substrate with an insulating layer which has high insulation, and superior heat resistance, bending resistance, and long-term reliability and a manufacturing method thereof; a semiconductor device using the substrate and a manufacturing method thereof; a solar cell using the substrate and a manufacturing method thereof; an electric circuit using the substrate and a manufacturing method thereof; and a light-emitting element using the substrate and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高い絶縁性を有し、かつ耐熱性、耐曲げ性、長期信頼性に優れたフレキシブルな絶縁層付金属基板およびその製造方法、この基板を用いた半導体装置およびその製造方法、この基板を用いた太陽電池およびその製造方法、この基板を用いた電子回路及びその製造方法、ならびにこの基板を用いた発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pattern region of each layer constituting at least the piezoelectric element 300 is covered by an insulation membrane 100 formed of an inorganic insulation material.例文帳に追加

液滴を吐出するノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室１２が形成される流路形成基板１０と、流路形成基板１０の一方面側に振動板を介して設けられる下電極６０、圧電体層７０及び上電極８０からなる圧電素子３００とを具備し、少なくとも圧電素子３００を構成する各層のパターン領域が、無機絶縁材料からなる絶縁膜１００によって覆われているようにする。 - 特許庁

In the optical element, the base member is formed from a material (glass, metals, ceramics or the like) having a smaller coefficient of linear expansion than the resin which forms the above resin layer.例文帳に追加

連続的な曲面部を有するベース部材Ｂ１と、このベース部材の曲面部上に樹脂（熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂）により一体形成され、表面にそれぞれ反射面Ｒ１〜Ｒ３となる互いに不連続な複数の曲面を有する樹脂層Ａ１とを備えた反射光学素子において、ベース部材を上記樹脂層を形成する樹脂よりも線膨張係数が小さな材料（ガラス、金属、セラミック等）により形成する。 - 特許庁

In the organic TFT element having a first and a second transistor each including a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer connecting the electrodes to each other, cells which are formed of regions between electrodes of the first and second transistors and in a length direction of the electrodes and where organic semiconductor layers are disposed are all in the same shape and intervals between adjacent cells are all constant.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、第１及び第２のトランジスタの電極間及び電極の長手方向の領域とで形成され有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状でありかつ隣り合うセルの間隔は全て一定であることで解決できる。 - 特許庁

To provide a method for removing a standing wave caused by the variation of ArF light and the thickness of photoresist by preventing the reflection from a lower film layer in the process for forming an ultrafine pattern using a lithographic photoresist in the production process of a semiconductor element, an antireflection composition containing the organic antireflection polymer, an antireflection film produced by using the composition and a method for forming the antireflection film.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中におけるリソグラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程において、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波の除去法および、このような有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face.例文帳に追加

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。 - 特許庁

To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加

第１発熱導体の周囲に絶縁層を介して第２発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第１発熱導体と第２発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁

The thermosensitive lithographic printing original plate comprises a thermosensitive layer containing at least one component selected from the group consisting of thermoplastic polymer fine particles, thermosetting polymer fine particles, polymer fine particles having a heat reactive functional group and a microcapsule containing a compound having a heat reactive functional group on a surface of a compound of at least one metal element selected from the groups 4A to 6A of the periodic table.例文帳に追加

周期律表の４Ａ族から６Ａ族から選択される少なくとも１つの金属元素の化合物の表面上に、熱可塑性ポリマー微粒子、熱硬化性ポリマー微粒子、熱反応性官能基を有するポリマー微粒子、及び熱反応性官能基を有する化合物を内包するマイクロカプセルから選ばれた少なくとも一つの成分を含有する感熱層を有する感熱性平版印刷用原板。 - 特許庁

In the flat battery manufactured by sealing a power generation element on the inside of an outer jacket formed by fitting an inside container and an outside container with each side wall, a fitting part of the outside container and the inside container is sealed with an adhesion layer containing synthetic resin or synthetic rubber, and the side wall of the inside container has pressing force to the outer circumferential direction.例文帳に追加

内側容器と外側容器とを、それぞれの側壁で嵌合してなる外装体内部に発電要素を封入した扁平形電池であって、上記外側容器と上記内側容器との嵌合部は、合成樹脂または合成ゴムを含む接着層により封止されており、上記内側容器の側壁が外周方向への押圧力を有していることを特徴とする扁平形電池である。 - 特許庁

The light distribution control element (100) comprises a transparent base material (104), a plurality of microlens arrays (transparent beads 105) densely arranged on the surface of the transparent base material and a light absorption layer having microapertures in the approximate focal positions of the microlenses, in which the transparent base material is composed of an approximately optically isotropic transparent body or uniaxially optically anisotropic transparent body.例文帳に追加

透明基材（１０４）と、前記透明基材面上に密に配置された複数の微小レンズアレイ（透明ビーズ１０５）と、前記微小レンズの略焦点位置に微小開口部を有する光吸収層とから構成される配光制御素子（１００）において、前記透明基材が光学的に略等方な透明体、もしくは、一軸性光学異方性の透明体で構成された配光制御素子。 - 特許庁

The laminated impedance element 1 is provided with a high permeability coil 35 having a first winding L1 and a third winding L3 which are constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively high permeability, a low permeability coil 36 having a second winding L2 constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively low permeability, and an intermediate layer 37 constituted of an intermediate sheet.例文帳に追加

積層型インピーダンス素子１は、相対的に高透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第１の巻回部Ｌ１及び第３の巻回部Ｌ３を有している高透磁率コイル部３５と、相対的に低透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第２の巻回部Ｌ２を有している低透磁率コイル部３６と、中間シートにて構成した中間層３７とが積層されたものである。 - 特許庁