「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(361ページ目) - Weblio英語例文検索

A multilayer piezoelectric element comprises a columnar multilayered body manufactured by laying a plurality of ceramic layers and a plurality of internal electrodes alternately, and a pair of external electrodes connected with every other internal electrode alternately wherein such a part as the gap between the internal electrode and the ceramic layer is 2 μm or less substantially occupies 50% or more of an active part.例文帳に追加

複数のセラミック層と複数の内部電極とを交互に積層してなる柱状積層体と、該柱状積層体の側面に設けられ、前記内部電極が一層おきに交互に接続される一対の外部電極とを具備してなる積層型圧電素子であって、前記内部電極とセラミック層との隙間が２μｍ以下である部分が、実質的に活性な部分の５０％以上である。 - 特許庁

The electrooptical device 30 has a translucent substrate 110 which has the substrate-side terminal 150 connected to an electrooptical element and a substrate-side alignment mark 170 having a translucent part 174 formed adjacently to the terminal 150, and a wiring board 60 having a wiring-side terminal 66 connected to the translucent substrate 110 across the anisotropic conductive layer 50.例文帳に追加

電気光学装置３０は、電気光学要素に接続された基板側端子１５０と端子１５０に隣接して形成された透光性部分１７４を有する基板側アライメントマーク１７０を備えた透光性基板１１０と、異方性導電層５０を間に挟んで透光性基板１１０と接続される配線側端子６６を備えた配線基板６０とを有する。 - 特許庁

The liquid crystal device 15 is so constituted that distribution is incorporated in the change of an attitude of a liquid crystal element which constitutes a liquid crystal layer 16 along second and third surfaces 1204 and 1802 by applying driving voltage to first and second electrodes 2602 and 2604 and the focal length of the lens 14 can be adjusted by changing the voltage.例文帳に追加

液晶装置１５は、第１電極２６０２と第２電極２６０４に駆動電圧が印加されることにより、第２面１２０４および第３面１８０２の面に沿って液晶層１６を構成する液晶素子の姿勢の変化に分布を持たせるとともに、前記電圧を変化させることによってレンズ１４の焦点距離の調節が可能となるように構成されている。 - 特許庁

An array board 100 is provided with an organic EL element 40 constituted of 1st electrodes 60 formed in a matrix like independent islands for individual pixels, 2nd electrodes 66 formed in common to all the pixels arranged to face the 1st electrodes and formed in common to all the pixels, and a light emitting layer 64 held between the 1st electrodes 60 and the 2nd electrodes 66.例文帳に追加

アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された発光層６４と、によって構成された有機ＥＬ素子４０を備えている。 - 特許庁

The EL element comprises a rear face substrate 10; an organic EL part 13 having a first electrode, an organic membrane and a second electrode; a sealing layer 11 including a nanocmposite composed of a layered inorganic substance, a polymer and a curing agent to fill up an inner space with the EL part 13 stored therein by joining the substrate 10.例文帳に追加

背面基板１０と、第１電極、有機膜及び第２電極を持つ有機電界発光部１３と、前記背面基板と結合して有機電界発光部１３が収容された内部空間を充填する、層状無機物、高分子および硬化剤からなるナノ複合体を含む封止層１１と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

A variable capacitance element includes a movable electrode 3a including: a substrate 10; a signal line 1 provided on the substrate 10; a fixed electrode 7 provided on the substrate 10; a movable part which straddles the signal line 1 to extend above the fixed electrode 7 and is movable to the fixed electrode 7; and a fixed part which is fixed to the fixed electrode 7 with a dielectric layer 9 in between.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０と、基板１０上に設けられる信号線路１と、基板１０上に設けられる固定電極７と、信号線路１を跨いで固定電極７の上方まで延び、前記固定電極７に対して可動である可動部と、固定電極７に誘電体層９を挟んで固定される固定部と、を含む可動電極３ａとを備える。 - 特許庁

At least in a display region 20 where a plurality of display pixels PIX (respective color pixels PXr, PXg, PXb) are two-dimensionally arranged, a partition wall layer 17 is formed to include boundary regions among the display pixels PIX, and cover regions other than EL element formation regions Rel (corresponding to application regions of an organic compound-containing liquid) of the respective display elements PIX.例文帳に追加

少なくとも、複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）が２次元配列された表示領域２０において、隔壁層１７は、表示画素ＰＩＸ相互の境界領域を含み、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒel（有機化合物含有液の塗布領域に相当する）以外の領域を被覆するように設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIT type switching element, by which a gate electrode, which has a sufficiently small gate hole, in which the gate hole is formed uniformly and which has superior durability, can be obtained easily and which displays superior switching characteristics, when a gate electrode for an SIT using an organic semiconductor, capable of being manufactured at a low temperature as an active layer is manufactured.例文帳に追加

本発明は、低温で製造可能な有機半導体を活性層に用いたＳＩＴのゲート電極を作製するにあたり、ゲート孔が十分小さくかつゲート孔を均一に形成し耐久性に優れたゲート電極を容易に得ることができ、良好なスイッチング特性を示すＳＩＴ型のスイッチング素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The optical element wherein a transparent conductive film 12 is disposed on a transparent substrate 11 is characterized by including: an electrode member made by laminating a Cr film, a Ni film and an Au film in the order; and an anti-reflection member made by laminating at least one layer of high-refractive index film and low-refractive index film are each disposed on the transparent conductive film.例文帳に追加

透明基板１１上に透明導電性膜１２が設けられた光学素子であって、前記透明導電性膜上に、Ｃｒ膜とＮｉ膜とＡｕ膜とが順次積層された電極部材と、少なくとも１層以上の高屈折率膜と低屈折率膜とが積層された反射防止部材とが設けられていることを特徴とする光学素子。 - 特許庁

In the organic light emission element which has at least a pair of electrodes which consist of an anode and a negative electrode, and one or two or more organic compounds sandwiched between the pair of electrodes, at least one layer of the layers which consist of the above organic compound consists of a polymerization film of the organic compound which has at least two or more polymerization nature double bond group in the molecule.例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物からなる層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物からなる層の少なくとも一層は、分子内に少なくとも２個以上の重合性二重結合基を有する有機化合物の重合膜から成る。 - 特許庁

A silicon layer 22(22s and 22d) wherein a single crystal silicon is crystal-grown by touching a silicon-contained metal molten liquid is provided on a p-well region 13 where one component (source region, drain region of silicon of a semiconductor element (MOS transistor 1) formed on a silicon substrate 11 is formed, with a source region 17 and a drain region 18 formed thick.例文帳に追加

シリコン基板１１に形成した半導体素子（ＭＯＳトランジスタ１）のシリコンからなる一構成部品（ソース領域、ドレイン領域）が形成されるｐウエル領域１３上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで単結晶シリコンを結晶成長させたシリコン層２２（２２ｓ、２２ｄ）を設け、ソース領域１７、ドレイン領域１８を厚く形成したものである。 - 特許庁

The organic EL display includes a filter part that includes a transparent support substrate and at least one kind of color conversion membrane which absorbs the light of a certain wavelength and outputs a fluorescence or phosphorescence of wavelengths including ones different from absorbed wavelength, and the organic EL element including a positive electrode, the organic EL layer, and a negative electrode in which membrane thickness d_ccm of the color conversion membrane is defined by the following formula.例文帳に追加

透明な支持基板と、ある波長の光を吸収し、吸収波長と異なる波長を含む蛍光または燐光を出力する、少なくとも１種の色変換膜とを含むフィルター部と、陽極、有機ＥＬ層、および陰極を含む有機ＥＬ素子とを具え、上記色変換膜の膜厚ｄ_ccmが、下記式で定義される、有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display element having a liquid crystal layer interposed between a pair of substrates having electrodes is characterized in that a reflection film 13 is electrically isolated by slits 13B to be electric insulation parts having gap t and a plurality of stripe-shaped reflection films 13A having width W are provided in the direction parallel to the scanning electrode direction COM-D.例文帳に追加

一対の電極付き基板間に液晶層が挟持された反射型液晶表示素子であって、反射膜１３が間隙ｔを有する電気的絶縁部であるスリット１３Ｂで電気的に分離され、幅Ｗを有するストライプ状反射膜１３Ａが走査電極方向ＣＯＭ−Ｄに平行な方向に、複数設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

In a laminated piezoelectric element which laminates a plurality of unit laminates 11, formed by alternately laminating ceramic layers 12 and internal electrode layers 21 and 22 and has a ceramic laminate 10 formed, by adhering unit laminates 11 to each other by adhesive layers 3, a surface roughness of the ceramic layers holding the adhesive layer 3 is Rz of 1.5 μm or larger.例文帳に追加

セラミック層１２と内部電極層２１，２２とを交互に積層してなるユニット積層体１１を複数積み重ねると共にユニット積層体間１１を接着剤層３により接着してなるセラミック積層体１０を有する積層型圧電体素子において，接着剤層３を挟む上記セラミック層の表面の面粗さは，Ｒｚが１．５μｍ以上である。 - 特許庁

An ore powder layer 12 formed of one or both of tourmaline ore powder and natural radioactive ore powder is made to appear on the surface of the charcoal formed body 11 to manufacture a compound formed body 10, and then the compound formed body 10 is integrated with a heating means 40 composed of a ceramic formed body 41 and an electric resistance heating element 42.例文帳に追加

前記炭成型体１１の表面にトルマリン鉱石粉末又は天然放射性鉱石粉末のいずれか一方もしくは両方からなる鉱石粉末層１２を現出させることにより複合成型体１０を製造した後、前記複合成型体１０をセラミック成型体４１と電気抵抗発熱体４２からなる発熱手段４０に一体化する。 - 特許庁

This light emitting device has a light emitting element in which a charge injection transport medium containing an organic compound or inorganic compound and a light emitting medium are formed between a first electrode and a second electrode, the first electrode has an opening part on it, a barrier layer to cover the periphery part of the first electrode is provided, and the corner part of the opening part has a roundish shape.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極の間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が形成された発光素子を有し、前記第１の電極上には開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、前記開口部の角部は丸みを帯びた形状であることを特徴とする。 - 特許庁

Inside a fuel assembly for a fast reactor, a core fuel region 10 consisting of a core fuel element charged with high Pu enrichment U-Pu mixed fuel is arranged and the outside of the core fuel region is surrounded with a blanket fuel region consisting of a layer of or a plurality of layers of blanket fuel elements 2 charged with depleted uranium fuel to make a heterogeneous fuel assembly.例文帳に追加

高速炉用の燃料集合体内部に、高Ｐｕ冨化度Ｕ−Ｐｕ混合燃料を充填した炉心燃料要素１からなる炉心燃料領域１０を配設し、劣化ウラン燃料を充填したブランケット燃料要素２の１層または複数層からなるブランケット燃料領域２０で炉心燃料領域の外周を取り囲んだ非均質燃料集合体とする。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffraction optical element 3 divides a light from a light source 1 to generate optical beams corresponding to at least the number of information recording layers of an optical disk 7 so that the interval of optical beams in an optical axis direction is the same as the information recording layer interval of the optical disk 7, and light receiving components 12a and 12b individually receive the return lights of optical beams.例文帳に追加

回折光学素子３が、光源１からの光を分割して少なくとも光ディスク７の情報記録層数の光ビームを、この複数の光ビームの各集光点による光軸方向の間隔が光ディスク７の情報記録層間隔と一致するように生成するともに、受光部品１２ａ，１２ｂが、各光ビームの戻り光を個別に受光する。 - 特許庁

In the plasma display panel, as the protective film 14 of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric glass layer 13, by forming the protective film 14 of magnesium oxide (MgO) to which oxide containing an element having electric negativity of 1.4 or more is added, adsorption of impure gas to the protective film 14 is suppressed, and stabilization of the discharge sustaining voltage and reduction of the panel brightness deterioration can be realized.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体ガラス層１３上に形成される酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜１４として、電気陰性度が１．４以上の元素を含む酸化物を添加した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜１４を形成することによって、保護膜１４の不純ガス吸着を抑制し、放電維持電圧の安定化と、パネル輝度劣化の低減を図ることができる。 - 特許庁

In the film substrate 1 for the liquid crystal display element, having the transparent conductive film 5 formed on one surface of a film base 2 consisting of a transparent polymer material, a reinforcing layer 6 consisting of a material having heat elongation and contracting characteristics nearly same as the transparent conductive film 5 is formed on the surface opposite to the one surface on which the transparent conductive film 5 of the film base 2 is formed.例文帳に追加

透明な高分子材料からなるフィルムベース２の一方の面に透明導電膜５を形成してなる液晶表示素子用フィルム基板１において、前記フィルムベース２の前記透明導電膜５が形成された一方の面の反対側の面に、その透明導電膜と５ほぼ同じ熱伸縮特性をもつ材料からなる補強層６を形成する。 - 特許庁

An IR light cut filter layer 313 having openings 313a permeable to the visible light and the IR light and non-openings 313b permeable to the visible light but impermeable to the IR light, and a color filter group 314 for separating the visible light region into the components R, G, B, are disposed integrally on a solid state imaging element 312.例文帳に追加

可視光および赤外光に対して透過性を有する開口部３１３ａと可視光に対して透過性を有するとともに赤外光に対して非透過性を有する非開口部３１３ｂとが設けられた赤外光カットフィルタ層３１３と可視光領域をＲ，Ｇ，Ｂ成分に分離する色フィルタ群３１４を、固体撮像素子３１２上に一体的となるように配置する。 - 特許庁

In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.例文帳に追加

この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁

The optical network element of this invention is provided with an optical transmitter that is similarly connected to the spatial switching matrix to recover a clock signal of a frame configuration digital signal FP and to reconfigure the signal FP to be transmitted so that a multiplexed unit inter-nested to a transfer frame is integrated with a fixed column of the reconfigured frame that is not changed by each frame according to a multiple layer.例文帳に追加

本発明による光ネットワークエレメントでは、多重階層に従って、移送フレームにインターネストされる多重ユニットが、フレームごとに変化しない、再構成されるフレームの固定カラムに組み込まれるように、空間スイッチングマトリックスに同様に接続され、送信されるべきフレーム構成デジタル信号ＦＰの再クロックおよび再構成を行う、さらなる光送信機が供給される。 - 特許庁

The plated product excellent in the corrosion resistance is peculiarly coated with a plated layer distributing one or more kinds of the intermetallic compounds constituted of one element selected among Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, and Si and having 1-50 μm grain diameter in a matrix composed of ≤10 mass% Al and the balance Zn with unavoidable impurities at 1-30% by volume ratio on the surface.例文帳に追加

Ａｌ：１０質量％以下を含有し、残部Ｚｎおよび不可避不純物からなるマトリックス中に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｅの中から選択される１元素とＳｉから構成される粒径１〜５０μｍの金属間化合物１種類以上が、体積率で１〜３０％分散されためっき層を表面に有することを特徴とする耐食性に優れためっき製品およびその製造方法。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a structure in which embedded insulating layers 12 and 13 consisting of oxide films are made on both sides of a silicon substrate 11, and that silicon layers 14 and 15 to serve as element forming regions for the formation of circuit elements are made severally thereon, and it becomes possible to form twice as many circuit elements as before by forming circuit elements in each silicon layer 14 and 15.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１１の両面に酸化膜からなる埋め込み絶縁層１２，１３を形成し、さらにそれぞれ上層に回路素子を形成するための素子形成領域となるシリコン層１４，１５を形成した構造を有し、各シリコン層１４，１５に回路素子を形成することにより、２倍の回路素子数を形成することが可能となる半導体基板である。 - 特許庁

A plurality of organic EL elements 3 interposing an organic luminous layer 6 between a pair of electrodes 4, 5 are formed on a single substrate 2, and the organic EL element 3 is sealed by a sealing member 7, and the pair of electrodes 4, 5 are respectively drawn out on the substrate 2 outside of the sealing member 7, and are formed as external terminal parts 2t, 3t for wiring connection.例文帳に追加

単一の基板２上に、一対の電極４，５間に有機発光層６を介在させてなる有機ＥＬ素子３の複数個が形成され、かつ、有機ＥＬ素子３は、封止部材７によって封止されると共に、一対の電極４，５がそれぞれ封止部材７の外部の基板２上に引き出されて配線接続用の外部端子部２ｔ，３ｔとして形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel including a top-gate TFT as a switching element and a light shielding film shielding the TFT from light, which prevents disappearance of the light shielding film due to over-etching even when Mo is used as a material of the light shielding film and a coating insulating layer of the light shielding film is dry-etched to expose a surface of Mo.例文帳に追加

スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するための遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

The photosensitive element comprises a support whose haze is ≤1.5% and a photosensitive resin composition layer containing (A) a binder polymer using styrene or a styrene derivative as an essential polymerization component, (B) a photopolymerizable compound having at least three polymerizable ethylenically unsaturated groups within a molecule, and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

ヘーズが１．５％以下である支持体と、該支持体上に形成された、（Ａ）スチレン又はスチレン誘導体を必須の重合成分とするバインダーポリマー、（Ｂ）分子内に少なくとも３つの重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物層と、を備えることを特徴とする感光性エレメント。 - 特許庁

Film deposition is performed using an oxide semiconductor target containing an insulator (an insulating oxide, an insulating nitride, silicon oxynitride, aluminum oxynitride, or the like), typically SiO_2, so that the semiconductor device in which the Si-element concentration in the thickness direction of the oxide semiconductor layer has a concentration gradient which increases in accordance with an increase in a distance from a gate electrode is realized.例文帳に追加

絶縁物（絶縁性酸化物、絶縁性窒化物、若しくは酸窒化シリコン、酸窒化アルミニウムなど）、代表的にはＳｉＯ_２を含む酸化物半導体ターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度が、ゲート電極に近い側からゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有する半導体装置を実現する。 - 特許庁

This surge absorber 1 is used by respectively connecting a metallic terminal 3 to the surge voltage generating side and another one metallic terminal 4 to the surge voltage absorbing side, and a surge absorbing element 2 between the metallic terminals 3 and 4 has cloth 21 woven with high insulating fiber and a metallic layer 22 by sticking metal to the surface of the cloth 21 by sputtering.例文帳に追加

サージアブソーバ１は、金属端子３をサージ電圧が発生する側に、もう一方の金属端子４をサージ電圧を吸収する側に、それぞれ接続して使用され、金属端子３，４の間のサージ吸収素子２は、絶縁性の高い繊維で織られた布２１と、布２１の表面にスパッタリングによって金属を付着させてなる金属層２２と、を備えている。 - 特許庁

To provide an electron emitting element and its manufacturing method, capable of realizing satisfactory surface flatness of an anodic oxide insulating layer, of realizing enhanced withstand voltage properties, and of stabilizing the trajectories of emitted electrons, and providing an electron source, a photographing device and an image forming device, each using the same and capable of improving the reproducibility (resolution) of information signals to be handled.例文帳に追加

陽極酸化絶縁層について表面の平面性を良好にできて耐圧性も向上でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置について、扱う情報信号の再現性（解像度）を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁

In a method of forming a photovoltaic element, which enables the precipitation of a silicon layer 110 on a substrate 103 by contacting the substrate 103 with a supersaturated solution obtained by dissolving a silicone in a metal solvent 109, before the substrate 103 contacts the supersaturated solution, a silicon thin film 107 is formed on the surface of the substrate 103 using a high-frequency plasma CVD method.例文帳に追加

金属溶媒１０９にシリコンを溶解した過飽和溶液に基板１０３を接触させることにより基板１０３上にシリコン層１１０を析出させる光起電力素子の形成方法において、過飽和溶液に基板１０３と接触させる前に、基板１０３表面にシリコン系薄膜１０７を高周波プラズマＣＶＤ法を用いて形成しておく。 - 特許庁

The display element is constituted by charging a medium which changes in optical anisotropy when applied with an electric field between a couple of transparent substrates, and has a signal electrode 14 and a counter electrode 15 for applying the electric field on a surface of one substrate which faces the medium, the signal electrode 14 and counter electrode 15 being put one over the other across an insulating layer are overlapped.例文帳に追加

透明な一対の基板間に、電界を印加することにより光学的異方性が変化する媒質が封入されている表示素子であって、上記基板の一方の媒質と接する表面に、上記電界を印加するための信号電極１４・対向電極１５を有しており、信号電極１４と対向電極１５とが絶縁層を介して重なっている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

To provide an ITO electrode to form by a sputter method a film of ITO which maintains excellent ohmic contact resistance between the ITO film and a semiconductor electrode layer using GaN as a main material, which has low sheet resistance, and which is excellent in transparency and crystal quality, its manufacturing method, and a nitride semiconductor light-emitting element having the ITO electrode.例文帳に追加

本発明の課題は、ＩＴＯ膜とＧａＮを主原料とする半導体電極層のオーミック接触抵抗を良好に保持するとともにシート抵抗が低く、透明性及び結晶品質で優れたスパッタ法によるＩＴＯの成膜を可能にするＩＴＯ電極及びその作製方法、並びにＩＴＯ電極を有する窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

This exothermic element is obtained by encapsulating an exothermic composition causing exothermic reaction in the presence of air in an air-permeable package of a desired form such as a bag or sheet and providing the package with an adhesive layer comprising a hydrous hydrophilic gelling agent obtained from a hydrophilic high-molecular thickening agent, wherein an organic filler is included in the hydrous hydrophilic gelling agent.例文帳に追加

空気の存在によって発熱反応を起こす発熱組成物を、袋状、シート状等の所望形体の通気性収容体内に封入し、前記収容体に親水性高分子増粘剤から得られる含水親水性ゲル剤からなる粘着剤層を設けてなる発熱体であって、前記含水親水性ゲル剤に有機質充填剤を含ませたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having such a structure as internal quantum efficiency is enhanced by enhancing crystallinity of a semiconductor layer being laid when light of short wavelength of 400 nm or less is emitted, and external quantum efficiency is also enhanced by absorbing the emitted light as much as possible through a substrate, and the like, and thereby total emission efficiency can be enhanced.例文帳に追加

４００ｎｍ以下の短波長の光を発光させる場合に、積層する半導体層の結晶性を向上させて内部量子効率を高くすると共に、発光した光を基板などでできるだけ吸収させないで外部に取り出すことにより外部量子効率も向上させ、総合的に発光効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The photosensitive element 1 comprises a support film 10 and a layer 20 comprising a photosensitive resin composition disposed on the first principal surface 12 of the support film 10, wherein the support film 10 has a haze of ≤1.0% and the second principal surface 14 of the support film 10 has a surface resistivity of ≤10^13 Ω.例文帳に追加

本発明は、支持体フィルム１０と、その支持体フィルム１０の第１の主面１２上に設けられた感光性樹脂組成物からなる層２０とを備える感光性エレメント１であって、支持体フィルム１０のヘーズは１．０％以下であり、且つ支持体フィルム１０の第２の主面１４の表面抵抗率は１０^１３Ω以下である感光性エレメント１を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display element has a liquid crystal sheet layer 4 having liquid drop particles 6 containing a nematic liquid crystal material and a chiral material dispersed in a solid phase binder resin 5, interposed between a pair of electrodes 3, 7, wherein the nematic liquid crystal material contains a halogen atom-containing liquid crystalline compound by 30 wt.% or more with respect to the whole nematic liquid crystal material.例文帳に追加

ネマチック液晶材料およびカイラル材料を含む液滴粒子６が固相バインダー樹脂５中に分散されてなる液晶シート層４を一対の電極３，７間に有し、ネマチック液晶材料がハロゲン原子含有液晶性化合物をネマチック液晶材料全量に対して３０重量％以上含むことを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁