「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ１００ｎｍ〜３μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ５〜８０ｎｍ程度のｃ−ＢＮ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のダイヤモンド単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

The AlN semiconductor includes a c-AlN single crystal film 4 having a thickness of about 1-5 μm, and is formed sequentially via a c-TiC single crystal layer 2 having a thickness of about 5-50 nm and a c-TiN single crystal layer 3 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ５〜５０ｎｍ程度のｃ−ＴｉＣ単結晶層２及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のｃ−ＴｉＮ単結晶層３を順に介在して厚さ１〜５μｍ程度のｃ−ＡｌＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁

The GaN semiconductor includes a c-GaN single crystal film 5 having a thickness of about 1-10 μm, and is formed sequentially via a 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of about 100 nm to 1 μm and a BGaN mixed crystal layer 4 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のＢＧａＮ混晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the thickness of the BOX layer 40 can be made more than 2 μm, and the difference between the thickness of the BOX layer 40 and the thickness of the rear face oxide film 22a is reduced, and the high-withstand voltage SOI wafer can be manufactured without carrying out the bonding heat treatment for a long time.例文帳に追加

これにより、ＢＯＸ層４０の膜厚を２μｍ超とすることができ、且つ、ＢＯＸ層４０の膜厚と裏面酸化膜２２ａの膜厚との差が小さくなることから、接着熱処理を長時間行うことなく、高耐圧なＳＯＩウェーハを製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a bedewing prevention device for supporting a pipe, for preventing bedewing generated owing to a reduced thickness by means of supplementing heat retaining performance decreasing in a portion reduced in thickness as well as by preventing a thickness reduction of a thermal covering layer as much as possible when supporting a coolant-carrying cladding copper tube equipped with the thermal covering layer.例文帳に追加

保温被覆層を備えた冷媒用被覆銅管等を支持する際に、保温被覆層の減肉を極力防止すると共に、減肉部分で低下する保温性を補うことで、この減肉により生じる結露を防止することができる配管支持用結露防止具を提供する。 - 特許庁

A light shielding layer 30 is constructed so that a thickness T1 is provided at the further side from an air bearing surface 40 and a thickness T2 which is thicker than the thickness T1 (T2>T1), is provided by projecting the layer to both a trailing side and a leading side at the near side of the air bearing surface 40.例文帳に追加

エアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側およびリーディング側の双方に突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）を有するように、ライトシールド層３０を構成する。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

In the GaN semiconductor, a single-crystal c-GaN film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 50 nm to 1 μm and a single-crystal GaP layer 4 having a thickness of about 1-10 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ５０ｎｍ〜１μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ１〜１０ｎｍ程度のＧａＰ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

With this constitution, the thickness of the insulating layer between the shunt wiring 13 and the transfer electrode 7 (the polysilicon film 7p of the conductive film) is secured, enabling the thickness of the insulating layer 9 that covers the entire surface to be thinner by the thickness of the silicon oxide film 7s and hence reducing intermingled light to reduce a smear factor.例文帳に追加

この構成により、シャント配線１３と転送電極７（導電膜のポリシリコン膜７ｐ）間の絶縁層厚を確保し、全面を覆う絶縁層９の層厚をシリコン酸化膜７ｓの厚さ分薄くでき、混入する光を低減してスミア要因を小さくする。 - 特許庁

In the case the objective lens is focus-controlled so that the focusing state to the recording layer LO is maintained for the first laser beam, when the thickness of the cover layer 103 is being thicker or thinner than the original thickness, this thickness deviation results to be as a defocusing of the second laser beam.例文帳に追加

第１のレーザ光が記録層Ｌ０に合焦状態を保つように対物レンズがフォーカス制御されていると、カバー層１０３の厚みが本来の厚みより厚くなったていたり、薄くなっていたりしていれば、それが第２のレーザ光のデフォーカスとして現れる。 - 特許庁

Additionally, a bottom plate portion 5 as a resistor for the evaluation of the strength is also provided at the leading end of the rolling thickness dimension management rod 2 for managing the rolling thickness dimension of the lowermost layer.例文帳に追加

また、最下層の転圧厚さ寸法を管理する転圧厚さ寸法管理棒２の下端部には強度評価用の抵抗体としての底板部５も備えられている。 - 特許庁

(C) is an elastomer layer having thickness of 10-500 μm regardless of total thickness of the layers (A) and (B), with Duro hardness of 90 or less, and the MFR of 30 g/10 min. or less.例文帳に追加

（Ｃ）層の合計厚みに拘わらず、１０〜５００μｍの厚みを有すエラストマー層であり、デュロ硬度が９０以下、ＭＦＲが３０ｇ／１０分以下である。 - 特許庁

The overcoat layer 33 is formed, in such a way that the thickness t1 of a region V0, overlapping with the TFD element 21 in plan view, is made thinner than thickness t2 of a region in its periphery.例文帳に追加

オーバーコート層３３は、ＴＦＤ素子２１に平面的に重なる領域Ｖ０の厚さｔ１が、その周辺の領域の厚さｔ２に比べて薄く形成される。 - 特許庁

The thickness of the interlayer insulating film positioned in the colored layer of R is set to be thinner than the thickness of the interlayer insulating film positioned in the colored layers of G and B.例文帳に追加

また、Ｒの着色層に位置する層間絶縁膜の厚さは、Ｇ及びＢの着色層に位置する層間絶縁膜の厚さより薄く設定されている。 - 特許庁

A bonded layer in an optical film thickness of 0.01 λ or less and the silicon nitride film in an optical film thickness of 0.25 λ are formed from the side of the end face of a resonator, and a low-reflecting film is formed.例文帳に追加

共振器端面側から、光学膜厚が0.01λ以下の接着層および光学膜厚が0.25λの窒化シリコン膜を形成して低反射膜とする。 - 特許庁

A resin is potted to about 50 μm thickness with respect to the thickness of the IC chip 2 to form a resin layer 3a (b).例文帳に追加

次に、ＩＣチップ２の周辺を囲うように、ＩＣチップ２の厚さに対してア５０μｍ程度の厚みに樹脂をポッティングして樹脂層３ａを形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

In the porous laminated film, a plurality of porous films with thickness of ≤20 μm are laminated, and a thickness ratio per one layer is 0.3-0.7 to the whole layers.例文帳に追加

厚みが２０μｍ以下の多孔性フィルムを複数層積層してなり、１層あたりの厚み比率が全層に対して０．３〜０．７である多孔性積層フィルムとする。 - 特許庁

When the total of the thickness of each layer of the plate material in the most overlapping portion is made L, the thickness x of the whole gasket 80 satisfies 1.1 L≤x<1.45 L.例文帳に追加

最多重なり部位における板材の各層の厚みの合計（合計厚み）をＬとしたとき、ガスケット８０全体の厚みｘが１．１Ｌ≦ｘ≦１．４５Ｌを満たす。 - 特許庁

The impurity region has a region of large film thickness as compared with the channel formation region, and the conductive layer is connected with the impurity region in the region of large film thickness.例文帳に追加

不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜厚が大きい領域で導電層が接続されている。 - 特許庁

In this case, the thickness (d) of the second layer is set at a thickness in which the light-emitting point 62 of the laser diode 6 is higher than the light-receiving surface of the element 7.例文帳に追加

ここで第２層の厚みｄは、レーザダイオード６のリア側発光点６２がモニタ用光検出素子７の受光面よりも高くなるような厚みとする。 - 特許庁

When the thickness of the first polymer layer of this coextrusion molding film is A, and the thickness of the whole film is B, the relative values of A and B satisfies A/B≥0.3.例文帳に追加

該共有押出成形フィルムの第一ポリマー層の厚みをＡとし、フィルムの全体の厚みをＢとすると、ＡとＢの相対値はＡ／Ｂ≧０．３を満足する。 - 特許庁

The poled piezoelectric material layer 154 has a first thickness 190 and the acoustic 150 has an output electric impedance based on the first thickness 190.例文帳に追加

有ポール圧電材料層１５４は第１の厚さ１９０を有し、また音響スタック１５０はこの第１の厚さ１９０に基づいた出力電気インピーダンスを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulating gate type bipolar transistor for precisely controlling the thickness of a collector layer connected to a collector electrode to predetermined thickness.例文帳に追加

コレクタ電極に接続するコレクタ層の厚さを所定の厚さに精度良く制御することが可能な絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductor layer 34P on a core substrate 30 is formed to have a thickness of 30 μm, and a conductor circuit 58 on an interlayer resin insulation film 50 is formed to have a thickness of 15 μm.例文帳に追加

コア基板３０上の導体層３４Ｐを厚さ３０μｍに形成し、層間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８を１５μｍに形成する。 - 特許庁

To provide a conductive roller and a method for manufacturing the roller having a favorable and stable resistance, in which the film thickness of an elastic layer can be maintained to an appropriate thickness.例文帳に追加

弾性層の膜厚を容易に適切な厚みに確保でき、さらに、良好で安定した抵抗を有する導電性ローラおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The adhesive layer 22 has a water permeability of 800g/(m^2day) or less at a thickness of 25 μm under 40°C and 90%RH and a thickness of 10μm or less.例文帳に追加

接着剤層２２は、厚み２５μｍでの水分透過率が４０℃、９０％ＲＨにおいて８００ｇ／ｍ^２ ・ｄａｙ以下であり、厚みが１０μｍ以下である。 - 特許庁

A thickness Y of the conductive material layer 22 and a thickness X of the dots 26 satisfy conditions of 0.5 μm≤X≤1 μm, 0.01 μm≤Y≤0.5 μm, and Y≤1/2X.例文帳に追加

導電材料層２２の厚みＹおよびドット２６の厚みＸは、０．５μｍ≦Ｘ≦１μｍ、０．０１μｍ≦Ｙ≦０．５μｍ、かつＹ≦１／２Ｘの条件を満たす。 - 特許庁

To form the intermediate layer held between information recording layers of two or more with uniform thickness by suppressing variations in thickness in the manufacturing method of an optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体の製造方法において、２層以上の情報記録層の間に挟まれた中間層を厚さばらつきを抑制して均一な厚さで形成する。 - 特許庁

If possible, it is recommended to maintain a difference between the thickness of an approximate middle point between the adjacent wires of the cover insulating layer 2 and the thickness of a part on them to be in a range from 1 to 5 μm.例文帳に追加

好ましくは、カバー絶縁層２の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分と、配線上に在る部分との厚みの差を１〜５μｍとする。 - 特許庁

Moreover, in the case of a polyethylene resin layer having a thickness of 0.3 mm or more does not increase the oil resistance and wear resistance, so conversely, this is a useless thickness. 例文帳に追加

更には０．３ｍｍ以上の層の厚さにあっては、耐油性、耐摩耗性がこれ以上効果を増すということもなく、逆に言えば無駄な厚さということにもなる。 - 特許庁

In the support layer on the fin surface of the adsorbent, a thickness t [mm] and a thickness-directional thermal conductivity λ[W/mK] satisfies a relation t/λ≤10.例文帳に追加

そして、吸着剤のフィン表面の担持層において、その厚さｔ［ｍｍ］と厚さ方向の熱伝導率λ［Ｗ／ｍＫ］との関係はｔ／λ≦１０を満たしている。 - 特許庁

Hence, the amount of decreased film thickness of the surface layer 18B is precisely estimated, compared with the amount of decreased film thickness estimated only by the charging section 20.例文帳に追加

これにより、帯電部２０のみで膜厚の減少量を見積もったものに比べて、表面層１８Ｂの膜厚の減少量を精度良く予測することができる。 - 特許庁

Thickness of the field insulation film 4 can be set regardless of the thickness of the base layer 10 and the width of an intrinsic base, i.e., the width of the second opening, can be reduced.例文帳に追加

フィールド絶縁膜４の厚みはベース層１０の厚みに関係なく設定でき、また、真性ベースの幅、即ち第２の開口の幅を縮小することができる。 - 特許庁

The laminate for a flexible circuit board has an ultra-thin metal foil having a thickness of 0.1-5 μm on one side or both sides of a polyimide insulating layer of a thickness of 3-7 μm.例文帳に追加

厚さ３〜７μｍの範囲のポリイミド絶縁層の片側又は両側に、厚さ０．１〜５μｍの範囲の極薄金属箔を有するフレキシブル回路基板用積層体。 - 特許庁

To provide a coating thickness secured material which exhibits excellent workability and can reinforce a coating layer composed of a coating material while securing a predetermined coating thickness of the coating material relative to a backing material.例文帳に追加

施工性に優れ、下地材に対する塗材の所定塗厚を確保しつつ塗材からなる塗材層を補強することができる塗厚確保の提供。 - 特許庁

Consequently, the thickness of the reinforcing fiber layer 40 occupying in the circuit board 20 can be suppressed to the minimum and, accordingly, the thickness of the fiber reinforced electronic circuit board 20 can be reduced.例文帳に追加

これにより、基板内部に占める強化繊維層４０の厚さを最小限に抑えることができ、繊維強化型電子回路基板の薄型化を図ることができる。 - 特許庁

This double-side copper clad laminated sheet is constituted by integrally laminating a rolled copper material 1 with a thickness of 200 μm-5 mm and a electrolytic copper foil 2 with a thickness of 70 μm or below through an insulating resin layer 3.例文帳に追加

厚み２００μｍ〜５ｍｍの圧延銅材１と厚み７０μｍ以下の電解銅箔２とが絶縁樹脂層３を介して積層一体化されている。 - 特許庁

Then, a mutual ratio in each wavelength is determined and compared with a film thickness-interference ratio characteristic acquired beforehand, to thereby estimate the film thickness of the thin film layer of the measuring object 31.例文帳に追加

その後各波長ごとの相互比率を求め，予め取得していた膜厚−干渉比特性と比較して，測定対象物３１の薄膜層の膜厚を推定する。 - 特許庁

In order to make the driving voltage of each cell equal, dielectric anisotropy of each liquid crystal composition and thickness of a liquid crystal layer and/or thickness of a protective film are controlled.例文帳に追加

各セルは駆動電圧を等しくするために、各液晶組成物の誘電率異方性、液晶層の厚み及び／又は保護膜の厚みが調整されている。 - 特許庁

As such, a thickness of the first paste layer 16 is increased near the corner portions 9, so that a thickness of an external electrode 3 near the corner portions 9 is sufficiently secured.例文帳に追加

以上によって、第一ペースト層１６の厚みを角部分９付近で大きくすることで、角部分９付近の外部電極３の厚みを十分に確保する。 - 特許庁

The inner liner layer 4 comprises a thermoplastic resin containing a rubber composition and a thickness dimension d in a shoulder part is larger than a thickness dimension in a tire crown part.例文帳に追加

このインナーライナー層４は、ゴム組成物を含む熱可塑性樹脂から成ると共に、ショルダー部における厚さ寸法ｄがタイヤクラウン部における厚さ寸法よりも大きい。 - 特許庁

The intermediate layer 105 is not limited to the film thickness of 2 nm, but may have such a film thickness that the film is present without having a pinhole etc., and can be tunneled by an electron.例文帳に追加

中間層１０５は、膜厚２ｎｍに限るものではなく、ピンホールなどがなく膜が存在している範囲で、電子がトンネル可能な範囲の膜厚とされていればよい。 - 特許庁

By forming the passage for allowing the cooling medium to pass therein in each organic bank layer 36, the need of increasing the thickness of the organic EL device 1 is obviated, whereby the reduction of its thickness can be achieved.例文帳に追加

また、冷媒を流通させる流通路を有機バンク層３６内に設けたことで、有機ＥＬ装置１を厚く形成しなくても済むので、薄型化を実現できる。 - 特許庁

The electroluminescent film 103 has thickness similar to the conventional one (an order of about 100 nm), and the electron transmit auxiliary layer 105 may have similar thickness to the electroluminescent film 103.例文帳に追加

電界発光膜１０３は従来の膜厚程度（１００ｎｍ程度のオーダー）であり、電子輸送補助層１０５も電界発光膜１０３と同程度の膜厚でよい。 - 特許庁

The i layer 4 has a film thickness of 300-1,000 nm, and each of the amorphous thin film 41 and the crystal thin film 42 has a film thickness of 10-20 nm.例文帳に追加

そして、ｉ層４は、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚を有し、非晶質薄膜４１および結晶薄膜４２の各々は、１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。 - 特許庁