「layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(933ページ目) - Weblio英語例文検索

The photoelectric conversion element is provided with a metal electrode 12, an oxide layer 13 installed adjacent to the metal electrode 12, a dye 15 carried by the oxide layer 13, a counter electrode 11 arranged oppositely on the oxide layer 13 side of the metal electrode 12, and an electrolyte layer 14 installed between the oxide layer 13 and the counter electrode 11.例文帳に追加

金属電極１２と、金属電極１２に隣接して設けられた酸化物層１３と、酸化物層１３によって担持された色素１５と、金属電極１２の酸化物層１３の側に対向配置された対向電極１１と、酸化物層１３と対向電極１１との間に設けられた電解質層１４とを備えている。 - 特許庁

This flexible laminated sheet is composed of a metal layer, which is formed by sintering metal particles, reducing and/or decomposing a metal solution or vapor-depositing and/or plating a metal, and a resin layer formed by coating the metal layer with a resin solution containing a flexible resin and an organic solvent and drying the coating layer on the metal layer.例文帳に追加

金属粒子の焼結、金属溶液の還元および／または分解、もしくは金属の蒸着および／またはメッキにより形成される金属層と、可撓性樹脂および有機溶剤を含有する樹脂溶液を前記金属層上に塗布、乾燥して形成される樹脂層からなることを特徴とするフレキシブル積層板、およびその製造方法。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

A silicon layer 4 as a defect suppressing substance layer is provided between a first nitride-based compound semiconductor layer 3 containing dislocations grown on a substrate 1, and a second nitride-based compound semiconductor layer 5 containing dislocations less than the first nitride-based compound semiconductor layer to manufacture a nitride-based compound semiconductor base material.例文帳に追加

基板１上に成長した転位を含む第一の窒化物系化合物半導体層３と、前記第一の窒化物系化合物半導体層よりも少ない転位を含む第二の窒化物系化合物半導体層５との間に、欠陥抑制物質層であるシリコン層４を介在させて窒化物系化合物半導体基材１０を製造する。 - 特許庁

In the semiconductor device which comprises a wafer, a semiconductor layer formed on the wafer and an electrode layer comprising wiring or an electrode, the semiconductor device includes a portion wherein the semiconductor layer and the electrode layer are directly bonded, and the electrode layer is formed from the aluminum alloy thin film containing transition metals such as nickel, cobalt, iron and the like.例文帳に追加

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。 - 特許庁

The packaging label 1 includes a base layer 20 at least having oil resistance on the surface, no heat shrinkage, and shrinkability, an ink layer 6 formed on the base layer 20, and a heat shrinkable layer formed on the ink layer 6.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明に係るパッケージ用ラベル１の代表的な構成は、少なくとも表面が耐油性を有し、熱収縮性を有さず、かつ収縮性を有する下地層２０と、前記下地層２０の上に形成されたインク層６と、前記インク層６の上に形成された熱収縮層とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another.例文帳に追加

非磁性体の第１障壁層２と、強磁性体の第１量子井戸層４と、非磁性体の第２障壁層６と、強磁性体の第２量子井戸層８と、非磁性体の第３障壁層１０とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第１量子井戸層４及び第２量子井戸層８は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。 - 特許庁

The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.例文帳に追加

半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

A vertical resonator is provided on a substrate 101, and the vertical resonator includes a first reflective layer 102 on the substrate 101, an active layer 104 provided on the first reflective layer 102, a current confinement structure provided over the active layer 104, and a second reflective layer 109 provided over the current confinement structure.例文帳に追加

基板１０１上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板１０１上の第１反射層１０２と、第１反射層１０２上に設けられた活性層１０４と、この活性層１０４の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第２反射層１０９とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating film 4 formed on a semiconductor substrate 6, and an inductor 5 formed on the insulating film 4 wherein the semiconductor substrate 6 has a first conductivity type semiconductor layer 1, a first conductivity type buried layer 2 formed on the semiconductor layer 1, and a first conductivity type surface layer 3 formed on the buried layer 2.例文帳に追加

半導体基板６上に形成された絶縁膜４と、絶縁膜４上に形成されたインダクタ５とを備え、半導体基板６は、第１導電型の半導体層１と、半導体層１上に形成された第１導電型の埋め込み層２と、埋込層２上に形成された第１導電型の表面層３とを有している。 - 特許庁

Lines for wiring the overlying wiring layer and the underlying wiring layer are formed in an arbitrary pattern in the wiring layer increased as compared with that of a conventional shadow RAM and a structure for connection with the underlying wiring layer and a structure for connection with the overlying wiring layer are set at arbitrary different positions.例文帳に追加

従来型シャドーＲＡＭの配線層よりも増した配線層において上層配線層と下層配線層とを接続するための中継配線を任意のパターン形状に形成し、下層配線層との接続を行うための接続構造と、上層配線層との接続を行うための接続構造を異なる任意の位置に設定する。 - 特許庁

In the heat sensitive recording material comprising at least a heat sensitive recording layer provided on one side of a support and a back coating layer provided on its other side, the back coating layer includes multilayers under the condition that the outermost layer farthermost from the support of the back coating layer includes a polyvinyl alcohol, an inorganic laminar compound and an inorganic pigment.例文帳に追加

支持体の一方の表面に少なくとも感熱記録層を有し、他方の表面にバックコート層を有する感熱記録材料において、前記バックコート層が多層からなり、該バックコート層の支持体から最も離れた最外層が、ポリビニルアルコール、無機質の層状化合物、及び無機顔料を含む感熱記録材料である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a germanium semiconductor layer 14, a gate insulating layer 26 formed on the germanium semiconductor layer 14, a gate electrode 28 formed on the gate insulating layer 26, impurity-doped layers 22, 24 formed in the germanium semiconductor layer 14 and constituting source/drain regions, and silicide layers 32, 34 formed on the impurity-doped layers 22, 24.例文帳に追加

半導体装置は、ゲルマニウム半導体層１４と、ゲルマニウム半導体層１４上に形成されたゲート絶縁層２６と、ゲート絶縁層２６上に形成されたゲート電極２８と、ゲルマニウム半導体層１４に形成された、ソース／ドレイン領域を構成する不純物層２２，２４と、不純物層２２．２４上に形成されたシリサイド層３２，３４と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor layer 50 has the Al-containing compound semiconductor layer 25 containing Al on its second principal surface side, and a laminated-side protective layer 26 composed of the group III-V compound semiconductor containing less Al than the compound semiconductor layer 25 between the compound semiconductor layer 25 and element substrate 7.例文帳に追加

化合物半導体層５０は、第二主表面側にＡｌを含有したＡｌ含有化合物半導体層２５が形成され、かつ、該Ａｌ含有化合物半導体層２５と素子基板７との間に、Ａｌ含有化合物半導体層２５よりもＡｌ含有量が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる貼り合わせ側保護層２６を有する。 - 特許庁

There is provided a packaging material for poultices, bathing agents or spices having a barrier layer, an adhesion layer and a sealant layer laminated in this order, wherein acid modified polyolefin resin containing (metha) acrylic ester component as the adhesion layer is used and an amount of the adhesion layer is in the range of 0.001 to 5 g/m^2.例文帳に追加

バリア層、接着層およびシーラント層がこの順に積層されてなる包装材料であって、前記接着層として（メタ）アクリル酸エステル成分を含有する酸変性ポリオレフィン樹脂を用い、接着層の量が０．００１〜５ｇ／ｍ^２の範囲であることを特徴とする湿布剤、入浴剤または香辛料用の包装材料。 - 特許庁

(3) In a joined structure, a joining section of an aluminum or aluminum alloy member with a copper or copper alloy member comprises a copper or copper alloy layer, a metal layer formed and remaining on the copper or copper alloy layer, a brazing filler metal, a reaction layer of the metal and aluminum, and an aluminum or aluminum alloy layer.例文帳に追加

また、（３）アルミニウムまたはアルミニウム合金製の部材と銅または銅合金製の部材との接合断面が、銅または銅合金層と、この銅または銅合金層に形成され残存した金属層と、ろう材、当該金属及びアルミニウムの反応層と、アルミニウムまたはアルミニウム合金層とから構成されたものである接合構造物である。 - 特許庁

The photoconductor includes a first layer, a supporting substrate thereover, a photo charge generating layer and at least one charge transport layer including at least one charge transport component, wherein the first layer is in contact with the supporting substrate on the reverse surface and the first layer includes a polymer and needle shaped particles with an aspect ratio of 2 to about 200.例文帳に追加

第１の層と、その上の支持基板と、光電荷発生層と、少なくとも１つの電荷輸送成分を含む少なくとも１つの電荷輸送層を含む光導電体において、上記第１の層がその裏面で前記支持基板と接触状態にあり、この第１の層はポリマー及びアスペクト比が２〜約２００の針状粒子を含む。 - 特許庁

The electrostatic chuck 100 of the vacuum processing device comprises a base material 110 on which a plurality of protruding parts 111 are formed, an insulating layer 120 formed on the base material 110, an electrostatic layer 130 which is formed on the insulating layer 120 for generating electrostatic force by application of power, and a dielectric layer 140 formed on the electrostatic layer 130.例文帳に追加

真空処理装置の静電チャック１００は、複数の突起部１１１が形成された母材１１０と、母材１１０上に形成された絶縁層１２０と、絶縁層１２０上に形成されて電源の供給により静電気力を発生させる静電層１３０と、静電層１３０上に形成された誘電層１４０とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a step for forming a sacrificial layer 12 for achieving pseudo-lattice matching or lattice matching on an indium-phosphorus (InP) substrate 11, a step for forming a device layer 13 on the sacrificial layer 12, and a step for separating the InP substrate 11 and the device layer 13 with the sacrificial layer 12 removed.例文帳に追加

インジウムリン（ＩｎＰ）基板１１上に擬似格子整合もしくは格子整合する犠牲層１２を形成する工程と、前記犠牲層１２上にデバイス層１３を形成する工程と、前記犠牲層１２を除去することで前記ＩｎＰ基板１１と前記デバイス層１３とを分離する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The transparent electrode with a conductive layer containing metal nanowire on a transparent support body is provided with a polymer layer made of at least either water-soluble polymer or aqueous polymer emulsion at an under-layer adjacent to the conductive layer, with at least a part of the metal nanowire embedded in the polymer layer.例文帳に追加

透明支持体上に金属ナノワイヤを含有する導電層を有する透明電極において、該透明電極が、該導電層に隣接した下層に、水溶性高分子または水性高分子エマルションの少なくとも一つからなる高分子層を有し、該金属ナノワイヤの少なくとも一部が該高分子層に埋没していることを特徴とする透明電極。 - 特許庁

In the concealable information recording medium having a printing layer in which mainly character symbols are printed and a sublimation ink layer for printing out the specific information at least on one side of the substrate of a card, a peelable printing layer is formed in a part in which a specific information recording layer is formed in the sublimation ink layer.例文帳に追加

カードの基体における少なくとも一方の面に、主として文字記号を印刷した印刷層と、固有情報を印字する昇華インク層を備えた隠蔽性情報記録媒体において、前記固有情報を印字する昇華インク層での固有情報記録層を設けた部分に、剥離が可能な印字層を設けた隠蔽性情報記録媒体とする。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is laminated with a curing type protective layer further on a photosensitive layer consisting of a charge generating layer and a charge transfer layer on a conductive support, in which the curing type protective layer includes a curable charge transferable component, a curing binder component and a dispersant having an amine value of 3 to 100 (mgKOH/g).例文帳に追加

導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層からなる感光層に更に硬化型保護層を積層した電子写真感光体において、該硬化型保護層が硬化性電荷輸送成分と硬化型バインダー成分と３〜１００（ｍｇＫＯＨ／ｇ）のアミン価を有する分散剤とを含むことを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

An adhesive layer is formed on a substrate and then a layer coated with adhesive, an intermediate layer, and an expand ring contact layer are formed sequentially thereon to produce a semiconductor wafer processing tape wherein the layer coated with adhesive is composed of resin composition containing 10-25 mass% of styrene-butadiene copolymer added with hydrogen.例文帳に追加

基材上に粘着剤層が形成され、該粘着剤被塗布層と、中間層と、エキスパンドリング接触層とがこの順に積層された半導体ウエハ加工用テープであって、前記粘着剤被塗布層が水素添加したスチレン−ブタジエン共重合体を１０〜２５質量％以上含む樹脂組成物からなることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。 - 特許庁

The method comprises laminating a sheet (1) containing a thermoplastic resin foamed layer (A) and a sheet (2) containing a specified unfoamed thermoplastic resin layer (C) through an adhesive resin layer (B) to produce a thermoplastic resin foamed laminated sheet with the unfoamed thermoplastic resin layer (C) serving as one surface layer.例文帳に追加

熱可塑性樹脂発泡層（Ａ）を含むシート（１）と、特定の非発泡熱可塑性樹脂層（Ｃ）を含むシート（２）とを、接着性樹脂層（Ｂ）を介して積層し、前記非発泡熱可塑性樹脂層（Ｃ）が一方の表層である熱可塑性樹脂発泡積層シートを製造する方法であって、以下の工程を含む熱可塑性樹脂発泡積層シートの製造方法。 - 特許庁

The laminated structure for metal wiring includes a substrate, the barrier layer formed directly or indirectly on the substrate for preventing copper from being diffused over the substrate, and the copper layer mainly composed of copper as a base layer of a copper layer for wiring, and the barrier layer contains at least either TaSiN or WSiN.例文帳に追加

金属配線のための積層構造は、基板と、該基板上に直接又は間接的に形成された、前記基板への銅の拡散を防止するためのバリア層と、該バリア層上に形成された、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層とを含み、前記バリア層はＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含む。 - 特許庁

The construct with the light-shielding dimming function has a transparent conductive layer, an electrochromic layer, an electrolyte layer, and a transparent conductive layer laminated in order, and the transparent conductive layers contain conductive fibers, and the electrochromic layer contains a material which has the infrared transmittance changed by application of a voltage.例文帳に追加

透明導電層、エレクトロクロミック層、電解質層及び透明導電層が順次積層された遮熱調光機能を有する構成体であって、前記透明導電層は、導電性繊維を含有し、かつ、前記エレクトロクロミック層は、電圧を印加することにより赤外線透過率が変化する物質を含有する遮熱調光機能を有する構成体。 - 特許庁

The uneven distribution layer is formed by laminating, from the transparent base side, at least an intermediate layer, a hard coat layer, an antistatic layer that contains a conductive material, and a leveling layer that contains a leveling material in an unevenly distributed manner.例文帳に追加

透明基材の少なくとも一方の面に偏在層と低屈折率層をこの順で積層した反射防止フィルムであって、前記偏在層は、少なくとも透明基材側から中間層、ハードコート層、導電性材料を含む帯電防止層、レベリング材料を含むレベリング層の順に偏在して積層されることを特徴とする反射防止フィルムとした。 - 特許庁

To provide a method of producing a plasma display panel in which a fluorescent substance layer or a reflection layer is formed easily and accurately even for a minute cell structure, and in which the fluorescent substance layer or the reflection layer is formed evenly in the channels between the partition walls formed in stripes, or such a layer is formed also on the sides of the partition walls.例文帳に追加

微細なセル構造の場合でも、容易に精度良く蛍光体層や反射層を形成することができ、且つ隔壁がストライプ状の場合に、隔壁間の溝に蛍光体層や反射層を均一的に形成することができ、更に、隔壁の側面に対しても容易にこれを形成できるＰＤＰの製造方法を提供する。 - 特許庁

After a sacrificial conductor layer CP is formed on a resin layer 15 provided on a base 11, a dry film resist layer R1 having an opening patterned according to the shape of a wiring pattern is formed, the part of the sacrificial conductor layer CP which is exposed from the opening is removed, then a groove 15a is formed at an exposed part of the resin layer 15.例文帳に追加

ベース基材１１上に設けられた樹脂層１５上に犠牲導体層ＣＰを形成後、配線パターンの形状に応じてパターニングされた開口部を有するドライフィルムレジスト層Ｒ１を形成し、上記開口部から露出している犠牲導体層ＣＰの部分を除去後、樹脂層１５の露出している部分に溝１５ａを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 30 formed on the circuit board 20 is sealed with a first seal layer 40, a second resin layer 41 is formed on the first seal layer 40, and thermal expansion coefficient of the circuit board 20 and the second seal layer 41 in an in-plane direction is lower than that of the first seal layer 40 at a glass transition point or higher.例文帳に追加

回路基板２０上の半導体素子３０を第１の封止層４０で封止し、第１の封止層４０の上に第２の封止層４１を形成し、回路基板２０及び第２の封止層４１の面内方向の熱膨張率を第１の封止層４０のガラス転移点以上での熱膨張率よりも低くさせた。 - 特許庁

This is a thickening and reinforcing structure for a concrete structure having a thickening and reinforcing layer 4 formed at least in a part of a surface of the concrete structure, the thickening and reinforcing layer is constituted of at least either one layer of a layer containing cement, amorphous silica, aggregate, and synthetic resin or a layer containing cement, amorphous silica, aggregate synthetic resin, and fiber material.例文帳に追加

コンクリート構造物の表面の少なくとも一部に増厚補強層４を形成したコンクリート構造物の増厚補強構造であって、前記増厚補強層をセメント、アモルファスシリカ、骨材、及び合成樹脂を含む層、セメント、アモルファスシリカ、骨材、合成樹脂、及び繊維材料を含む層の少なくとも１層にて構成する。 - 特許庁

The sign display object 1 is provided with a sign display layer 10a and an external layer 20 made of translucent resin provided on both sides or one side of the sign display layer 10a, wherein the sign display layer 10a is a layer in which many foaming dots in air bubbles with diameter of 20 μm or less gather are arranged by a predetermined pattern of signs.例文帳に追加

本発明のサイン表示体１は、サイン表示層１０ａと、サイン表示層１０ａの両面または片面に設けられた透光性樹脂製の外側層２０とを備え、サイン表示層１０ａは、透光性樹脂製のシートに、直径２０μｍ以下の気泡が集合した発泡ドットが、所定のサインのパターンで多数配置された層である。 - 特許庁

The magnetic oscillator includes: an oscillating field-generating unit 1 configured to generate an oscillating field; and a magnetoresistive element 2 including a magnetoresistive film including a first magnetic pinned layer 10 of which the magnetization direction is pinned, a first magnetic free layer 8 of which the magnetization direction oscillates with the oscillating field, and a first spacer layer 9 interposed between the first magnetic pinned layer and the first magnetic free layer.例文帳に追加

振動磁場を発生する振動磁場発生部１と、磁化の向きが固定された第１磁化ピンド層１０、振動磁場によって磁化の向きが振動する第１磁化フリー層８、および第１磁化ピンド層と第１磁化フリー層との間に設けられた第１スペーサ層９を有する磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗素子２と、を備えている。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

The white laminated polyester film is obtained by laminating a white pigment-containing polyester resin layer (A-layer) on at least the single surface of a polyester resin layer (B-layer) and the optical density thereof is 1.0 or more (in terms of 100 μm) and the 60° gloss value of the surface of the A-layer is 50% or less.例文帳に追加

本発明の白色積層ポリエステル系フィルムは、ポリエステル系樹脂層（Ｂ層）の少なくとも片面に白色顔料を含むポリエステル系樹脂層（Ａ層）を積層した白色ポリエステル系フィルムからなり、光学濃度が１．０以上（１００μｍ換算）であり、該Ａ層表面の６０°グロス値が５０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a glass ceramic multi-layer wiring board with a built-in capacitor for suppressing the inter-diffusion of components in a dielectric layer configuring a capacitor part and components in an insulating layer or glass components in an electrode layer, and for preventing the deterioration of the capacity of a capacitor part formed in the glass cermaic multi-layer wiring substrate, and for suppressing the variation.例文帳に追加

コンデンサ部を構成する誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分あるいは電極層中のガラス成分との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。 - 特許庁

The transistor element having a first electrode 20, a collector semiconductor layer 30, the base electrode 40, an emitter semiconductor layer 31, and a second electrode 21 stacked in order on a substrate 10 is characterized in that the base electrode is present between the collector semiconductor layer and emitter semiconductor layer, and the collector semiconductor layer is made of metal oxide.例文帳に追加

基板１０上に、第一電極２０と、コレクタ半導体層３０と、ベース電極４０と、エミッタ半導体層３１と、第二電極２１とを順次積層するトランジスタ素子において、コレクタ半導体層とエミッタ半導体層の間にベース電極が存在するようにするとともに、コレクタ半導体層が金属酸化物よりなることを特徴とする。 - 特許庁

The lamination structure of the bonding layer 130 is designed so that a difference in energy between the lower end of mini band formed by the bonding layer 130 and the Fermi level of the waveguide layer 140 may be smaller than that between the lower end of mini band formed by the active layer 120 and the Fermi level of the waveguide layer 140.例文帳に追加

前記接合層１３０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差が、前記活性層１２０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差に比べて小さくなるように、前記接合層１３０の積層構造は設計されている。 - 特許庁

The organic photoreceptor has at least an intermediate layer, a charge generating layer and a charge transport layer on a conductive support, contains at least an adduct of titanyl phthalocyanine to a diol having hydroxyl groups on two adjacent respective carbon atoms as a charge generating material in the charge generating layer and contains inorganic particles in a binder resin in the intermediate layer.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層を有し、該電荷発生層に、電荷発生物質として少なくともチタニルフタロシアニンと２つの隣接する各炭素原子に水酸基を有するジオールとの付加体を含有し、且つ中間層が、バインダー樹脂中に無機粒子を含有することを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

An organic electroluminescence element comprises an anode 2, a hole transport layer 31 doped with acceptor 23, an electron injection suppressing layer 4, a light emitting layer 52, a hole injection suppressing layer 6, an electron transport layer 71 doped with donor 17, and a cathode 8 formed sequentially on a substrate 1.例文帳に追加

基板１側から、陽極２、アクセプター２３がドープされた正孔輸送層３１、電子の注入を抑制する電子注入抑制層４、発光層５２、正孔の注入を抑制する正孔注入抑制層６、ドナー１７がドープされた電子輸送層７１及び陰極８とから構成される有機エレクトロルミネッセンス素子により上記課題を解決する。 - 特許庁

The sanitation fixture is distinguished by that the first glaze layer containing a color pigment is formed on a ceramic ware foundation, further a second glaze layer is formed thereon, an engobe layer is formed between the foundation and the first glaze layer and the engobe layer has gas cavities due to containment of inorganic microballoon in an engobe raw material.例文帳に追加

陶器素地上に着色顔料を含む第一の釉薬層が形成され、さらにその上に第二の釉薬層が形成されており、かつ前記素地と前記第一の釉薬層の間にはエンゴーベ層が形成されており、該エンゴーベ層はエンゴーベ原料中に無機系マイクロバルーンが含有されていることに起因する気孔を有することを特徴とする衛生陶器。 - 特許庁

In the compound lens in which the first resin layer made by curing ultraviolet curable resin and a second resin layer are successively formed on a lens base body, the second resin layer is formed so as to cover the first resin layer and the outermost margin of the radial direction of the first resin layer is extended to the outside of effective diameter.例文帳に追加

第１の発明は、レンズ基体に紫外線硬化樹脂を硬化させてなる第１の樹脂層及び第２の樹脂層を順次形成した複合レンズにおいて、前記第２の樹脂層は前記第１の樹脂層を覆って形成されると共に、前記第１の樹脂層の半径方向の最外縁は有効径の外側にまで延在している複合レンズである。 - 特許庁

This heat exchange laminated pipe for the drink for letting the drink or foods pass therethrough in the drink feeder or a food cooker comprises the intermediate layer formed of metal, a resin external layer laminated outside the intermediate layer, and a resin internal layer laminated inside the intermediate layer.例文帳に追加

飲料供給装置もしくは食品調理器において飲料もしくは食品が通過する熱交換積層管であって、金属で形成された中間層と、この中間層の外側に積層されている樹脂外層と、前記中間層の内側に積層されている樹脂内層とから成る飲料用熱交換積層管を用いる。 - 特許庁

The reflection mask 20 comprises a reflection layer for reflecting extreme ultraviolet rays formed on a mask substrate, an extreme ultraviolet absorbing layer for absorbing extreme ultraviolet rays selectively formed on the reflection layer, and an infrared absorption layer formed at least on an area on which the extreme ultraviolet absorbing layer is not formed.例文帳に追加

反射型マスク２０は、マスク基板の上に形成された極紫外線を反射する反射層と、反射層の上に選択的に形成され極紫外線を吸収する極紫外線吸収層と、反射層の上における少なくとも極紫外線吸収層が形成されていない領域に形成された赤外線吸収層とを有している。 - 特許庁