「layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(934ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor layer 100, insulating layers 106 and 106A, and a gate electrode 107 are successively formed on a source electrode 102 and a drain electrode 103 arranged on a substrate 101, where the semiconductor layer 100 is a laminated structure composed of an amorphous silicon layer 104 and a polycrystalline silicon layer 105 formed on the silicon layer 104.例文帳に追加

基板１０１上に配置されたソース電極１０２及びドレイン電極１０３の上に半導体層１００、絶縁層１０６，１０６Ａ及びゲート電極１０７を順に形成すると共に、半導体層１００を、アモルフアスシリコン層１０４と、アモルフアスシリコン層１０４の上に配された多結晶シリコン層１０５とから成る積層構造とする。 - 特許庁

A unipolar Gunn effect element has laminated anode layer, travel layer, cathode layer and the gate electrode which is Schottky-jointed to the travel layer and donor impurity concentration is adjusted so that time average electron density in the travel layer is canceled so as to make time average field strength to be constant is installed for solving said problem.例文帳に追加

上記問題を解決するために、本件発明では、積層されたアノード層、走行層、カソード層、走行層にショットキー接合したゲート電極を有し、走行層中の時間平均電子密度を相殺するようドナー不純物濃度を調整することで時間平均電界強度を一定とした、ユニポーラ型ガン効果素子を提供する。 - 特許庁

The article coated with a photocatalyst including a substrate, an intermediate layer disposed on the substrate, and a photocatalyst layer disposed on the intermediate layer, is characterized in that the photocatalyst layer comprises photocatalyst particles including a metal oxide excited by ultraviolet rays, and the intermediate layer comprises a weather resistant resin and a hydroxyphenyltriazine compound.例文帳に追加

基材と、該基材上に設けられる中間層と、該中間層上に設けられた光触媒層とを備えた光触媒塗装体であって、光触媒層には紫外線で励起される金属酸化物よりなる光触媒粒子を有し、中間層には、耐候性樹脂と、ヒドロキシフェニルトリアジン化合物とが含まれている光触媒塗装体。 - 特許庁

A resin material 2a constituted of a resin layer around a rod- shaped mandrel and an intermediate rubber layer 3 are laminated in order, a heat shrinkage member 6 is laminated to correspond to the bellows shaped irregularity pitch on the intermediate rubber layer 3, and a reinforcing thread layer 4 and an external surface rubber layer 5 is then laminated thereon in order, so as to form a laminate 8.例文帳に追加

丸棒状のマンドレル７の回りに樹脂層２を構成する樹脂素材２ａ、中間ゴム層３を順次積層し、中間ゴム層３の上に蛇腹形状の凹凸ピッチに対応するように熱収縮部材６を積層し、さらに、その上に、補強糸層４、外面ゴム層５を順次積層して積層体８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multi-layer plastic container which eliminates exposure of a barrier resin intermediate layer to the inside and the outside of the container in an effective manner and minimizes the presence of a broken-off part of the barrier resin intermediate layer or a container constituent member, when the multi-layer plastic container or a container constituent member is manufactured using a multi-layer parison.例文帳に追加

多層パリソンから多層プラスチック容器乃至容器構成部材を製造するに際して、バリアー樹脂中間層の容器内及び容器外への露出を有効に解消できると共に、バリアー樹脂中間層の欠落部の存在を最小限度に止めることが可能な多層プラスチック容器乃至容器構成部材の製造方法を提供するにある。 - 特許庁

The thermochromic material is obtained by using a laminate of zirconium oxide/tin oxide as a seed layer for vanadium oxide, and consequently by making possible to form a crystalline substance layer suitable for film-forming the vanadium oxide of thermochromic characteristics and a zirconium oxide/tin oxide seed layer of an orientation property by means of a non-heating type film formation, and then by forming a vanadium oxide layer on the seed layer.例文帳に追加

酸化バナジウムのシード層として、酸化ジルコニウム／酸化錫の積層体を用いることで、サーモクロミック特性を有する酸化バナジウムの成膜に適した結晶質層および配向性を有する酸化ジルコニウム／酸化錫シード層を非加熱成膜で形成することを可能にし、そのシード層に酸化バナジウム層を形成したサーモクロミック体を得る。 - 特許庁

In the actuator, the movable part is structured so that a plurality of layers including a first layer, a second layer that performs expansion or shrinking corresponding to heating, which is different from the first layer, and a third heat-generating layer are laminated, and the amount of heat generation of the third layer per specified area of the movable part increases in high heat-releasing areas.例文帳に追加

また、該アクチュエータでは、可動部が、第１層と、加熱に応じて第１層とは異なる膨張または収縮を行う第２層と、発熱する第３層とを含む複数層が積層されて構成されるとともに、放熱性が高い領域ほど、該可動部のうちの所定領域当たりにおける第３層の発熱量が増加するように構成される。 - 特許庁

In this crucible used for manufacturing, in particular, the silicon nitride powder, a covering film formed of a silicon carbide layer and a silicon nitride layer in this order from a graphite crucible body to a surface layer is formed on the surface of the graphite crucible body, and the silicon nitride layer includes an inclined composition having the concentration of the silicon nitride gradually reduced toward the graphite crucible body from the surface layer side.例文帳に追加

黒鉛坩堝本体の表面に、黒鉛坩堝本体から表層に向かって順に炭化ケイ素層及び窒化ケイ素層からなる被覆膜を有し、前記窒化ケイ素層は、表層側から黒鉛坩堝本体に向かって窒化ケイ素の濃度が漸次低下する傾斜組成を有する、特に窒化ケイ素粉末製造のために用いる坩堝。 - 特許庁

The polishing method comprises steps of removing a part of the external side of a conductor layer 14 with chemical mechanical polishing in order to expose the upper surface of a barrier layer 13, and removing the remaining portion of external portion of conductor layer 14 and the external portion of the barrier layer 13 with chemical mechanical polishing in order to expose the upper surface of an insulating material layer 12.例文帳に追加

本発明の研磨方法は、バリア層１３の上面を露出させるべく、導体層１４の外側部分の一部を化学機械研磨により除去する工程と、絶縁体層１２の上面を露出させるべく、導体層１４の外側部分の残部及びバリア層１３の外側部分を化学機械研磨により除去する工程とを含む。 - 特許庁

The synthetic resin layer 11 covers the approximately whole surface of the synthetic resin layer 10, retains the strength of the table 6 by closely contacting with the base material 8 via the synthetic resin layer 10 and, when an impact force or the like is applied to the synthetic resin layer 11 from the outside, the synthetic resin layer 11 can mitigate the impact force to prevent the lack of the table 6.例文帳に追加

合成樹脂層１１は、合成樹脂層１０の略全面にコーティングされており、この合成樹脂層１０を介して基材８と密着することでテーブル６の強度を保持し、この合成樹脂層１１に外部から衝撃力などが作用したときにこの衝撃力を緩和してテーブル６が欠損するのを防止する。 - 特許庁

The transfer medium provides at least the protection and image receiving layer onto the substrate to be transferred by using the heat transfer means, and forms the transfer layer comprising at least the exfoliative protection and image receiving layer and an adhesive layer in this order onto the support, wherein the area of the transfer layer is made smaller than the outer size of the substrate to be transferred.例文帳に追加

被転写基材に対して、熱転写手段により少なくとも保護層兼受像層を設けるための転写媒体であって、支持体上に少なくとも剥離性を有する保護層兼受像層と接着層を順設してなる転写層を、前記被転写基材の外形よりも小さい領域で支持体上に形成してなる転写媒体。 - 特許庁

The sealing plug 17 is formed of a clad material formed by vertically joining an aluminum layer 25 to a nickel layer 26; the aluminum layer 25 is arranged on the battery case 6 side; and a peripheral part 25a of the aluminum layer 25 is projected to the outside of the sealing plug 17 relative to an edge of the nickel layer 26 and welded to a peripheral part of the electrolyte injection hole 16 by laser.例文帳に追加

封止栓１７は、アルミニウム層２５とニッケル層２６とを上下に接合したクラッド材で形成されており、アルミニウム層２５が、電池ケース６側に配されているとともに、アルミニウム層２５の周縁部２５ａが、ニッケル層２６の周縁よりも封止栓１７の外側に突出していて、レーザで注液孔１６の周辺部に溶接されている。 - 特許庁

A dielectric oxide film layer 12 is provided on the surface of a roughened valve metal foil 11 for an anode, and further a three-layered structure of a conductive layer for a cathode consisting of a first conductive high polymer layer 13, a conductive adhesive layer 14, and a second conductive high polymer layer 15, and a current collecting metal body 16 for the cathode are provided in order.例文帳に追加

粗面化された陽極用弁金属箔１１の表面に誘電体酸化皮膜層１２が設けられ、さらに、第一の導電性高分子層１３、導電性接着剤層１４、および第二の導電性高分子層１５からなる三層構造の陰極用導電層と、陰極用集電金属体１６とが順に設けられる。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel that has a phosphor sheet where the stimulable phosphor layer is placed by a gas phase lay-up pattern and a protective layer which is placed so as to cover the surface of the stimulable phosphor layer on a support (substrate), the protective layer is formed after the plasma treatment is given to the surface of the stimulable phosphor layer.例文帳に追加

支持体（基板）上に、輝尽性蛍光体層が気相堆積型により設けられている蛍光体シートと該輝尽性蛍光体層の表面を被覆するように設けられる保護層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の表面をプラズマ処理した後、該保護層を設けることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

The contact part 14 has a structure on which connecting auxiliary layer 8, a diamond state carbon film 10, a cathode wiring layer 12b are sequentially laminated, thereby preventing direct contact of the connecting auxiliary layer 8 and a cathode wiring layer 12b and even in the case a minute amount of oxygen, moisture or the like invades, promotion of oxidation or corrosion of the cathode wiring layer 12b is suppressed.例文帳に追加

コンタクト部１４は、接続補助層８、ダイヤモンド状炭素薄膜１０、カソード配線層１２ｂが順次積層された構造を有し、接続補助層８とカソード配線層１２ｂとが直接接触することを防止し、微量の酸素、水分等が浸入した場合であってもカソード配線層１２ｂの酸化、腐食が促進されることを抑制している。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has a process for forming an insulating film above a semiconductor substrate; a process for forming a recessed part in the insulating film; a process for forming a barrier metal layer on an inner surface of the recessed part; a process for forming a seed layer containing Ru and Cu on the barrier metal layer; and a process for forming a copper layer on the seed layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、ＲｕとＣｕを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

(1) In a heat developable recording material having an image recording layer containing the silver salt of an organic acid, silver halide, a binder and a reducing agent on the base, an image record protecting layer is disposed on the image recording layer and a cellulose ester having 4-20 mass% hydroxyl content is contained as part of a binder in the image recording layer and/or the image record protecting layer.例文帳に追加

支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化銀、バインダー、および還元剤を含有する画像記録層を有する熱現像記録材料において、画像記録層上に画像記録保護層が設けられ、画像記録層および／または画像記録保護層にバインダーの一部としてヒドロキシル基含有量が４〜２０質量％のセルロースエステルを含有する。 - 特許庁

Not only a weight layer 2 damping a sound wave propagated by shifting a resonant point but a buffer layer 4 of a foaming resin is provided to display a sound absorptive action by the weight layer 2 and a sound absorbent effect by the buffer layer 4, the required soundproof efficiency is obtained, and the construction work of the mat can be simplified with the weight reduction by the buffer layer 4.例文帳に追加

共振点をずらすことで伝播される音波を減衰させる重量層２のみならず、発泡樹脂からなる緩衝層４を設けて、重量層２による消音作用と緩衝層４による消音効果を発揮させ、所望の防音性能を得、しかも緩衝層４による軽量化に伴ってマットの敷設作業が簡便化される。 - 特許庁

The forming method of a laminate comprises a first process for forming an intermediate layer on a substrate and a second process for forming a metal layer, having an adhesive force between the substrate, which is smaller than that between the intermediate layer, and a reflection factor, larger than that of the intermediate layer, while the forming speed of the metal layer is increased halfway of the second process.例文帳に追加

基体上に中間層を形成する第１の工程と、前記中間層上に前記基体との密着力が前記中間層よりも小さく、反射率が前記中間層よりも大きい金属層を形成する第２の工程を有し、前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes an n-AlGaInP cladding layer 2, an AlGaInP/GaInPMQW active layer 3, a p-AlGaInP first cladding layer 4, and a single p-Al_xGa_1-xAs-ESL 5, and a p-AlGaInP second cladding layer 7 provided with the protruded stripe 6, and a p-GaAs contact layer 8 stacked on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ装置においては、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、順に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰＭＱＷ活性層３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４と、単層のｐ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ−ＥＳＬ５と、ストライプ状の凸部６を備えたｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８とが積層されている。 - 特許庁

In a manufacturing method of a magnetic disk comprising at least a first base layer of an amorphous material, a second base layer of a crystalline material, and a magnetic layer on a disk shape glass substrate, after depositing the above first base layer by reactive sputtering in atmosphere containing an oxidizing gas, the above second base layer is deposited at the substrate temperature in the range from 100 to 240°C.例文帳に追加

ディスク状ガラス基板上に、少なくとも、非晶質の第１下地層と、結晶質の第２下地層と、磁性層とを有する磁気ディスクの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気において反応性スパッタリングにより前記第１下地層を成膜した後、１００℃から２４０℃の範囲の基板温度で前記第２下地層を成膜する。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

In the ink jet recording sheet wherein an undercoat layer is provided on a substrate, at least one ink receptive layer is provided thereon and the ink receptive layer is mirror finished by pressure welding by a mirror surface drum heated while the ink receptive layer is in a damp state, the undercoat layer contains titanium dioxide and a solvent based adhesive.例文帳に追加

支持体上に下塗り層を設け、その上に少なくとも一層のインク受容層を設けてなり、該インク受容層が湿潤状態にある間に加熱された鏡面ドラムに圧接して鏡面仕上げされてなるインクジェット記録シートにおいて、該下塗り層が二酸化チタン及び溶剤系接着剤を含有することを特徴とするインクジェット記録シート。 - 特許庁

The surface of the multilayer printed wiring board is made flat when resin for forming an interlayer resin insulation layer 60 is applied on the layer of a plane layer 53 in a manufacturing process because the resin is escaped into the recess 50a of a via hole 50A of the plane layer 53 and the thickness of the interlayer insulation layer 60 can be made uniform.例文帳に追加

また、製造工程においてプレーン層５３の上層に層間樹脂絶縁層６０を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層５３のバイアホール５０Ａの窪み５０ａ内へ樹脂を逃がすこができるため、層間樹脂絶縁層６０の厚みを均一にでき、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first conductivity type semiconductor substrate 7, an intrinsic semiconductor layer 8, a first semiconductor layer 9 adjusted to second conductivity type, a first impurity layer 11 formed in the first semiconductor layer with first conductivity type, bipolar transistors 3 and 4 formed in the first semiconductor layer, and MIS type transistors 5 and 6.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板７と、真性半導体層８と、第２導電型に調整された第１半導体層９と、第１半導体層内に第１導電型により形成された第１不純物層１１と、第１半導体層に形成されたバイポーラ型トランジスタ３、４、及びＭＩＳ型トランジスタ５，６とを備える。 - 特許庁

The polyimide coated image fiber is characterized in that an inner polyimide covering layer not including carbon particles is provided on an image fiber for picture transmission, a polyimide covering layer including carbon particles composed of polyimide including carbon particles is provided on the inner covering layer, and further an outer polyimide covering layer composed of polyimide not including carbon particles is provided on the covering layer including carbon particles.例文帳に追加

画像伝送用のイメージファイバ上に、カーボン粒子を含まないポリイミドからなる被覆内層が設けられ、該被覆内層上に、カーボン粒子を含むポリイミドからなるカーボン入り被覆層が設けられ、該カーボン入り被覆層上に、カーボン粒子を含まないポリイミドからなる被覆外層が設けられたことを特徴とするポリイミド被覆イメージファイバ。 - 特許庁

In this multilayer ceramic capacitor, a first internal electrode layer 3 is formed in the width being exposed to both side faces of a dielectric layer 1, a second internal electrode layer 4 is formed in the width leaving a side margin region between both side faces of a dielectric layer 2, and a slit part 7, which is inclined with respect to the first internal electrode layer 3.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサにおいて、前記第１内部電極層３が、誘電体層１の両側面に露出する幅に形成されており、前記第２内部電極層４が、誘電体層２の両側面との間にサイドマージン領域を残す幅に形成されており、かつ前記第１内部電極層３に傾斜したスリット部７が形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic electroluminescent panel is composed by successively carrying out a process of forming a first electrode layer on the board, a process of forming an organic layer including at least one layer of light emitting layer, a process of forming a second electrode layer, a mounting process of the mounting member including the wiring member or the driving circuit, and a sealing process.例文帳に追加

基板上に第一の電極層を形成する工程、少なくとも一層の発光層を含む有機層を形成する工程、第二の電極層を形成する工程、配線部材または駆動回路を含む実装部材の実装工程、及び封止工程、を順次行うことからなる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, at least one layer of the stimulable phosphor layer is formed with a gas phase method (also referred to vapor phase deposition method) and a contact layer having SiOx (x=1.3 to 1.7) is provided in between the stimulable phosphor layer and the support.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により形成され、該輝尽性蛍光体層と支持体との間にＳｉＯｘ（ｘ＝１．３〜１．７）を有する接着層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

The thin polarizing plate is provided with a protection layer 2 on at least a surface of a polarizer 3 and an adhesive layer 1 on the protection layer 2 and satisfies following inequalities among thickness A of the polarizer 3, thickness B of the protection layer 2, an elastic modulus C of the adhesive in the adhesive layer 1 and following (numerical value 1) and (numerical value 2).例文帳に追加

偏光子３の少なくとも片面に保護層２を有し、その保護層２の上に粘着剤層１を有する偏光板であって、前記偏光子３の厚さＡ、前記保護層２の厚さＢ、前記粘着剤層１の粘着剤の弾性率Ｃ及び下記（数値１）、（数値２）との間に下記関係式が成立する薄型偏光板とする。 - 特許庁

A substrate 1 for suspension includes an insulating layer 10, a metal support layer 11 provided on the insulating layer 10, and a wiring layer 12 provided on the insulating layer 10 to have a plurality of wiring lines and a wiring connection part 16 provided in a connection structure area to be electrically connected to an actuator element 44 through a conductive adhesive.例文帳に追加

サスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０に設けられ、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部１６と、を有する配線層１２と、を備えている。 - 特許庁

The electrode structure comprises an n-type GaN substrate 1, and an n-side ohmic electrode 10 including an Al layer 10a formed on the rear surface of the n-type GaN substrate 1, a Pt layer 10b formed to touch the surface of the Al layer 10a, and an Au layer 10c formed on the surface of the Pt layer 10b.例文帳に追加

この電極構造は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面上に形成されたＡｌ層１０ａ、Ａｌ層１０ａの表面に接触するように形成されたＰｔ層１０ｂおよびＰｔ層１０ｂの表面上に形成されたＡｕ層１０ｃを含むｎ側オーミック電極１０とを備えている。 - 特許庁

A first antenna diode AD1 and a gate electrode 16 of an nMIS are electrically connected to each other through wiring M1 of a first layer, and a second antenna diode AD2 and another semiconductor element are electrically connected to each other through wiring M4 of a fourth layer (wiring one layer below top-layer wiring in an antenna block) from wiring M1 of a first layer.例文帳に追加

第１アンテナダイオードＡＤ１とｎＭＩＳのゲート電極１６とを第１層目の配線Ｍ１を介して電気的に接続し、第２アンテナダイオードＡＤ２と他の半導体素子とを第１層目の配線Ｍ１から第４層目の配線（アナログブロック内の最上層配線から１層下の配線）Ｍ４を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The method for manufacturing a battery comprises: a lamination step of producing a laminate including a structure in which a plurality of collector substrates and a plurality of power generating elements each comprising a cathode layer, an anode layer, and a solid electrolyte layer disposed between the cathode layer and the anode layer are alternately laminated; and a pressurization step of pressurizing the laminate in a laminating direction.例文帳に追加

集電基板、並びに、正極層と負極層と該正極層及び該負極層の間に配設される固体電解質層とを有する発電要素、を交互に複数積層した構造を含む積層体を作製する積層工程と、積層体を積層方向に加圧する加圧工程と、を有する電池の製造方法とする。 - 特許庁

The fuel cell stack is made by stacking a plurality of unit cells 2 comprising a solid electrolyte layer 21, a fuel electrode layer 22 on one side of the solid electrolyte layer 21, and an air electrode layer 23 on the other side of the solid electrolyte layer 21, with intervening separators; and has collectors 4a and 4c between the unit cell 2 and the separator.例文帳に追加

燃料電池スタックは、固体電解質層２１と、固体電解質層２１の一方面に設けられた燃料極層２２と、固体電解質層２１の他方面に設けられた空気極層２３とを備えた単セル２を、セパレータを介して複数積層してなり、単セル２とセパレータとの間に集電体４ａ、４ｃを有する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a substrate; a source electrode and a drain electrode on the substrate; an oxide active layer between the source electrode and the drain electrode; a gate electrode on one side of the oxide active layer; a gate insulating film between the gate electrode and the oxide active layer; and a buffer layer between the gate insulating film and the oxide active layer.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスターは、基板、基板上のソース電極、及びドレーン電極、ソース電極、及びドレーン電極間の酸化物活性層、酸化物活性層の一面の上のゲート電極、ゲート電極と酸化物活性層との間のゲート絶縁膜、及びゲート絶縁膜と酸化物活性層との間の緩衝層を含む。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode provided on a substrate, a gate insulating film provided to cover the gate electrode, a channel layer provided on the gate insulating film and including a microcrystal Si layer and an amorphous Si layer, a source electrode provided on one side on the channel layer, and a drain electrode provided on the other side on the channel layer.例文帳に追加

基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を被覆するように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、微結晶Ｓｉ層と非晶質Ｓｉ層とを含むチャネル層と、チャネル層上の一方に設けられたソース電極と、チャネル層上の他方に設けられたドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタに関する。 - 特許庁

The method is intended to form the thin-film solar cell and has a period to simultaneously form a transparent electrode layer and metal layer on a single substrate 10 when forming a laminated structure with the transparent electrode layer and metal layer as the back electrode layer on the surface opposite to an optical incident side of the thin-film solar cell.例文帳に追加

薄膜太陽電池を形成する太陽電池の製造方法であって、薄膜太陽電池の光入射側とは反対側の面に裏面電極層として透明電極層及び金属層の積層構造を形成する際に、１つの基板１０に対して透明電極層と金属層とを同時に成膜する期間を設ける。 - 特許庁

In the glossy inkjet recording sheet having at least one layer of recording layer on a support, the uppermost layer of the recording layer contains cationic colloid particle, hydrophilic adhesive, higher aliphatic primary amine with melting points ranging between 30°C and 100°C or a salt thereof, the above problem is solved by arranging the layer subjected to the cast processing.例文帳に追加

支持体上に少なくとも1層以上の記録層を有する光沢インクジェット記録用紙において、該記録層の最表層が、カチオン性コロイド状粒子と、親水性接着剤と、融点が３０乃至１００℃の高級脂肪族第１級アミンあるいはその塩を含有し、キャスト加工された層を設けることによって、これらの問題が解決される - 特許庁

The organic electroluminescent device includes a pair of electrodes including an anode and a cathode, and an array of pixels each including a single-layer or multi-layer organic layer provided between the pair of electrodes, a reflection layer contacting either the anode or the cathode, and an insulating layer 22 contacting either the anode or the cathode and defining an area S_nl of a light emitting region 21.例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に備えられている一層または複数層からなる有機層と、該陽極及び陰極のいずれかに接する反射層と、該陽極及び陰極のいずれかに接し発光領域２１の面積Ｓ_nlを規定する絶縁層２２と、を備えた画素を複数配置してなる。 - 特許庁

This method includes step for: forming an amorphous carbon layer 102 on a graphite substrate 101; growing a c-axis orientation film 103 of AlN by a MOCVD method on the amorphous carbon layer; forming a low-temperature growing buffer layer 104 formed of GaN on the c-axis orientation AlN; and forming a GaN layer 105 on the low-temperature growing GaN buffer layer.例文帳に追加

グラファイト基板１０１上にアモルファスカーボン層１０２を設け、該アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜１０３を成長させた後、該ｃ軸配向ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層１０４を形成し、該低温成長ＧａＮバッファ層上にＧａＮ層１０５を形成する。 - 特許庁

The electrode for external connection includes a pad metal layer 8 whose upper surface is exposed, a first metal layer 2 that is formed between the pad metal layer 8 and the semiconductor substrate 1, and at least two first vias 22 that penetrate the interlayer dielectric 21 and electrically connect the pad metal layer 8 and the first metal layer 2, and are formed in the interlayer dielectric 21.例文帳に追加

外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。 - 特許庁

A light-emitting device 1 of the present invention includes: a substrate 10; a compound semiconductor layer 11, which includes an active layer 14, provided on the substrate 10; and a reflector 20, which reflects light from the active layer 14 emitted from the surface of the compound semiconductor layer 11 in a horizontal direction to the substrate 10, provided on the compound semiconductor layer 11.例文帳に追加

本発明に係る発光素子１は、基板１０と、基板１０の上に設けられ、活性層１５を有する化合物半導体層１１と、化合物半導体層１１の上に設けられ、化合物半導体層１１の表面から放射される活性層１４からの光を基板１０に水平な方向に向けて反射する反射部２０とを備える。 - 特許庁

The thin-film element 102 and a first insulating layer 103 are arranged on a substrate 101 at an interval in a surface direction of the substrate 101, a second insulating layer 104 is arranged astride the thin-film element 102 and the first insulating layer 103, and the second insulating layer 104 is arranged between the thin-film element 102 and the first insulating layer 103.例文帳に追加

基板１０１上に薄膜素子１０２と第一の絶縁層１０３とが基板１０１の面方向に間をあけて配設され、薄膜素子１０２および第一の絶縁層１０３にまたがって第二の絶縁層１０４が配設されると共に、第二の絶縁層１０４が薄膜素子１０２と第一の絶縁層１０３との間に配設される。 - 特許庁