「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction having a low resistance value and a MR ratio about equal to that of the ferromagnetic tunnel junction formed by using an aluminum oxide layer by utilizing an aluminum nitride layer having lower insulating barrier than that of the aluminum oxide layer as an insulating layer.例文帳に追加

磁気センサに関し、絶縁層として酸化アルミニウム層よりも絶縁障壁が低い窒化アルミニウム層を用い、しかも、酸化アルミニウム層を用いた強磁性トンネル接合と同程度のＭＲ比をもち、抵抗値が低い強磁性トンネル接合をもつ磁気センサを実現しようとする。 - 特許庁

A quantum well active layer 107 where there are alternately overlapped first conduction-type lower clad layers 103 and 104, a barrier layer formed of an InGaAsP material, and a well layer, and a second conduction-type upper clad layer 110 are laminated on a first conduction-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

第一導電型のＧａＡｓ基板１０１上に、第一導電型の下クラッド層１０３，１０４、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層１０７、および第二導電型の上クラッド層１１０を少なくとも積層する。 - 特許庁

The trim cover is comprised of an outer layer part A comprised of a skin 1 and an upper wadding 2 made of a foam and wholly bonded to a back surface of the skin 1 and an inner layer part B comprised of a lower wadding 3, wherein the periphery of the inner layer part B is connected to the outer layer part A by adhesion or sewing.例文帳に追加

皮革１及びこの皮革１の裏面に全面接着した発泡体製上部ワディング２とからなる外層部Ａと、下部ワディング３からなる内層部Ｂとからなり、内層部Ｂの周縁を外層部Ａに接着又は縫着により結合したことを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, on the opposite side of the heat resistant resin layer (B) on the conductive metallic base material layer (A) of this compound tape for joining, a metallic layer (H) having a density lower than that of the metal which constitutes the conductive metallic base material layer (A) is prepared.例文帳に追加

また、該接合用複合テープであって、導電性金属基材層（Ａ）上の、耐熱性樹脂層（Ｂ）とは逆側に、導電性金属基材層（Ａ）を構成する金属よりも密度が低い金属などからなる金属層（Ｈ）をさらに有することを特徴とする接合用複合テープ。 - 特許庁

This electrode for a fuel cell is composed of a gas diffusion layer and a catalyst layer formed on the surface in contact with an electrolyte membrane of the gas diffusion layer, and the gas diffusion layer contains a water repellent material made from fiberized polytetrafluoroethylene having a molecular weight larger than 1,000,000, and heat treated at a temperature lower than the melting point.例文帳に追加

ガス拡散層およびその高分子電解質膜と接する面に形成された触媒層からなり、前記ガス拡散層が繊維化された、分子量が１００万より大きいポリテトラフルオロエチレンからなる撥水材を含み、その融点以下の温度で熱処理された燃料電池用電極。 - 特許庁

By this configuration, a punch-through voltage V_PT of the P-type well 8 disposed between the deep N-type base layer 32 and the N-type epitaxial layer 3 can be set to be lower than an operation voltage V_t1 of a parasitic lateral bipolar transistor 42 composed of the source layer 12, the P-type well 8 and the drain layer 13.例文帳に追加

これにより、ディープＮ型ベース層３２とＮ型エピタキシャル層３との間に配置されたＰ型ウェル８のパンチスルー電圧Ｖ_ＰＴを、ソース層１２、Ｐ型ウェル８及びドレイン層１３からなる寄生横バイポーラトランジスタ４２の動作電圧Ｖ_ｔ１よりも低くする。 - 特許庁

The rotary disc 10 formed with the groove 11 includes an abrasive layer 18 including abrasive grains comprised of spherical diamond particles having higher hardness than that of a material sphere being a spherical body and a keeper layer 19 formed on the abrasive layer 18 and having lower hardness than that of the abrasive layer 18.例文帳に追加

溝部１１が形成された回転盤１０は、球状体である素球よりも高い硬度を有するダイヤモンド粒子からなる砥粒を含む砥粒層１８と、砥粒層１８上に形成され、砥粒層１８よりも低い硬度を有する保持層１９とを含んでいる。 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、ｎピラー層３、ｐピラー層４、ｎピラー層２１、ｐピラー層２２のうち、連続して配列された３層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

When the die 10 for forging is used, the release material, lubricant or the like pass through the pores of the third layer 20 having a relative density higher than that of the second layer 18 and also set to the value equal to or lower than that of the first layer 16, and is exuded to the surface of the third layer 20.例文帳に追加

この離型材や潤滑材等は、鍛造用金型１０が使用される際、相対密度が第２層１８に比して大きく、且つ第１層１６の相対密度以下に設定された第３層２０の気孔を経由して該第３層２０の表面に滲出する。 - 特許庁

Then, the upper electrode layer 19, a photoelectric conversion layer 16, and the lower electrode layer 12 are simulteneously removed in the intermediate part in the widthwise direction of the insulating and isolating area, by using a laser light, thus forming a splitting groove 21 for insulating and isolating the upper electrode layer 19.例文帳に追加

そして、上記絶縁分離領域の幅方向中間部において、レーザ光によって上部電極層１９,光電変換層１６および下部電極層１２を一括して除去して、上部電極層１９を絶縁分離する分離溝２１を形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescent device includes an organic electroluminescent part including at least an anode, a light emitting layer, and a cathode, a sealing layer coating a cathode surface of the organic electroluminescent part, and a lens provided on the sealing layer and controlling an optical path of a light emitted from the light emitting layer where a low refractive index layer having a refractive index lower than that of the sealing layer is formed between the sealing layer and the lens.例文帳に追加

陽極と、発光層と、陰極と少なくとも含む有機電界発光部と、前記有機電界発光部の陰極表面を被覆する封止層と、前記封止層上に設けられ、前記発光層から発光される光の光路を制御するレンズとを有し、前記封止層と前記レンズの間に、前記封止層の屈折率より低屈折率である低屈折率層を有する有機電界発光装置である。 - 特許庁

The hetero junction field effect transistor includes: a nitride semiconductor layer including a barrier layer 40 and a cap layer 50 formed on the barrier layer 40; a gate electrode 90 provided on the nitride semiconductor layer so that a lower part of the gate electrode 90 is embedded in the nitride semiconductor layer; and a surface protection film 100 formed on the nitride semiconductor layer and made of an insulation film that does not contain Si.例文帳に追加

本発明に係るヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層４０及びバリア層４０上に形成されたキャップ層５０を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層に下部を埋没するようにして前記窒化物半導体層上に設けられたゲート電極９０と、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉを含まない絶縁膜からなる表面保護膜１００とを備える。 - 特許庁

The low temperature co-fired ceramic substrate includes: a first ceramic layer formed of a material having a first dielectric constant; a second ceramic layer formed of a material having a second dielectric constant lower than the first dielectric constant; and a diffusion barrier layer interposed between the first ceramic layer and the second ceramic layer and formed of the first ceramic layer material, the second ceramic layer material, and a barium (Ba) compound.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第１誘電率を有する物質からなる第１セラミック層と、上記第１誘電率より低い第２誘電率を有する物質からなる第２セラミック層と、上記第１セラミック層と第２セラミック層の間に介在し、上記第１セラミック層物質、上記第２セラミック層物質及びバリウム（Ｂａ）化合物からなる拡散防止層を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower electrode, a first ferroelectric layer formed on the lower electrode and containing Pb, Zr and Ti, a second ferroelectric layer formed on the first ferroelectric layer and containing Pb, Zr and Ti, and an upper electrode formed on the second ferroelectric layer, the composition ratio of Ti of the second ferroelectric layer being larger than that of the first ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置は、下部電極と、前記下部電極上に形成されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第１の強誘電体層と、前記第１の強誘電体層上に形成され、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された上部電極と、を含み、前記第２の強誘電体層のＴｉの組成比は、前記第１の強誘電体層のＴｉの組成比より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

There are laminated, on a plug 11a composed of polysilicon, a titanium layer 13 silicified by silicon diffused from the plug 11a, a lower layer 141 composed of titanium silicide, a middle layer 142 composed of titanium silicide oxidized, an upper layer 143 obtained by further nitriding the oxidized titanium silicide, a capacitor lower electrode 15 composed of platinum, and an oxide dielectric 17, in this order.例文帳に追加

ポリシリコンからなるプラグ１１ａ上には、プラグ１１ａから拡散したシリコンによってシリサイド化されたチタン層１３と、チタンシリサイドからなる下層１４１と、酸化されたチタンシリサイドからなる中層１４２と、酸化されたチタンシリサイドに更に窒化を施して得られる上層１４３と、白金からなるキャパシタ下部電極１５と、酸化物誘電体１７とが、この順に積層される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a substrate; a lower layer wiring 12 with a graphene nano-ribbon layer 121 that is provided in an upper substrate and composed of a multiple graphene nano-ribbon sheet 122 laminated; and a via 14 and barrier metal 15 that penetrate at least one of multiple graphene nano-ribbon sheets 122 and connect the lower layer wiring 12 with an upper layer wiring 13.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１００は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート１２２からなるグラフェンナノリボン層１２１を含む下層配線１２と、複数のグラフェンナノリボンシート１２２の少なくとも１枚を貫通し、下層配線１２と上層配線１３とを接続するビア１４およびバリアメタル１５と、を有する。 - 特許庁

An allowable range of a contraction percentage of the intermediate layer 16, specified by a contraction percentage lower limit and contraction percentage upper limit, are obtained to set a contraction percentage of a solid electrolyte 14, preferably contraction percentages of both of the anode electrode layer 12 and the solid electrolyte 14 (the electrolyte layer) between the contraction percentage lower limit and the contraction percentage upper limit of the intermediate layer 16.例文帳に追加

中間層１６の収縮率の許容範囲、すなわち、収縮率下限値及び収縮率上限値を求め、少なくとも固体電解質１４の収縮率、好ましくはアノード電極層１２及び固体電解質１４（電解質層）の双方の収縮率を、中間層１６の収縮率下限値〜収縮率上限値の間に設定する。 - 特許庁

The carbon fiber is separated by adding a resin containing an aromatic ring or a heterocyclic ring and soluble in a solvent into a dispersion comprising the carbon fiber having ≤300 nm average diameter and the solvent to obtain a resin solution, forming an upper layer and a lower layer in the resin solution, and collecting separately an upper layer component and a lower layer component.例文帳に追加

平均直径が３００ｎｍ以下の炭素繊維と溶媒とからなる分散液中に、芳香環あるいは複素環を含有しかつかかる溶媒に溶解可能な樹脂を加えて樹脂溶液を得た後、樹脂溶液の上下層を形成させ、上層成分と下層成分とを分取して炭素繊維の分離を行うことを特徴とする炭素繊維の精製方法。 - 特許庁

The suspension substrate includes: an insulation layer, a pair of wirings consisting of an upper wiring formed on one surface of the insulation layer and a lower wiring formed on the other surface of the insulation layer, and a metal substrate formed on the surface of the insulation layer on the lower wiring side.例文帳に追加

本発明は、絶縁層と、上記絶縁層の一方の表面上に形成された上部配線および上記絶縁層の他方の表面上に形成された下部配線からなる一対の配線と、上記下部配線側の上記絶縁層の表面上に形成された金属基板と、を有することを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The separate type liquid seasoning is such that oil-in-water emulsified substance as a lower layer and an oil phase as an upper layer are layered, the oil phase composing the emulsified substance at the lower layer contains edible oil and fat containing ≥15 mass% of diacylglycerol, and the oil phase at the upper layer contains aroma components and edible oil and fat consisting mainly of triacylglycerol.例文帳に追加

水中油型乳化物を下層とし、上層として油相を積層した分離型液体調味料であって、下層の乳化物を構成する油相がジアシルグリセロールを１５質量％以上含む食用油脂を含有し、上層の油相がトリアシルグリセロールを主成分とする食用油脂及び香気成分を含有する分離型液体調味料。 - 特許庁

An insulating layer 12 constituting the MIM type diode element is an amorphous oxide film formed by anodically oxidizing a surface of a lower electrode 11, the lower electrode 11 is formed with a single layer film of aluminum or an aluminum alloy or a laminated film having either of them as an outermost layer, and the anodically oxidized single layer film of aluminum or an aluminum alloy is formed into an amorphous body.例文帳に追加

ＭＩＭ型ダイオード素子を構成する絶縁層１２が下部電極１１の表面を陽極酸化により形成した非晶質な酸化膜であり、下部電極１１をアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜、あるいはそれらの何れかひとつを最表層にもつ積層膜で形成し、陽極酸化されるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜を非晶質体とした。 - 特許庁

The semiconductor device has a switching element 30, a pixel electrode layer 34 connected to a drain region 44 of the switching element 30, a lower electrode 52 for the capacitor connected to the drain region 44 and formed on a layer different from the pixel electrode layer 34 and the upper electrode 56 for the capacitor placed opposite to the lower electrode 52 for the capacitor via a dielectric layer 54.例文帳に追加

スイッチング素子３０と、スイッチング素子３０のドレイン領域４４に接続される画素電極層３４と、ドレイン領域４４に接続され、画素電極層３４とは異なる層に形成されるキャパシタ用下部電極５２と、キャパシタ用下部電極５２に対して誘電体層５４を介して向き合うキャパシタ用上部電極５６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

A recording layer consisting of a lower layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble polyurethane resin, and an upper layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble resin and a development inhibitor and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure is disposed on a support, wherein an IR absorbent is comprised in at least one of the lower and upper layers of the recording layer.例文帳に追加

支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性のポリウレタン樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び現像抑制剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、からなる記録層を設け、該記録層の下層および上層の少なくとも一方に赤外線吸収剤を含有することを特徴とする。 - 特許庁

This printed wiring board 1 is provided with: a flexible substrate 10 having flexibility; a rigid substrate 20 formed on the upper and lower surfaces of the flexible substrate 10 and having an insulating layer 22 and a conductor layer 23 laminated; and a blocking layer 30 arranged between the flexible substrate 10 and the rigid substrate 20 and having water-vapor permeability lower than that of the insulating layer 22 of the rigid substrate 20.例文帳に追加

このプリント配線基板１は、可撓性を有するフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の上面上および下面上に形成され、絶縁層２２および導体層２３が積層されたリジッド基板２０と、フレキシブル基板１０およびリジッド基板２０の間に配置され、リジッド基板２０の絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層３０とを備える。 - 特許庁

A hologram seal 6 is laminated on a base 2 and the function to prevent forgery can be further enhanced by imparting information relevant to intrinsic information per base or/and intrinsic information per hologram to the record 65a by the variation of a reflective layer 65 as a lower layer of a hologram layer 64, and preferably storing a dye image 66a or a pigment image 66b in the lower layer.例文帳に追加

基材２上にホログラムシール６が積層されており、ホログラム層６４の下層の反射層６５の変化による記録６５ａが、基材毎に固有な情報と関連付けられた情報、または／および、ホログラム毎に固有な情報を有することにより、さらに好ましくは、下層に、染料画像６６ａ、顔料画像６６ｂを有することにより、課題を解決した。 - 特許庁

A recording layer consisting of a lower layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble polyvinyl acetal resin, and an upper layer comprising a water-insoluble and alkali-soluble resin and a development inhibitor and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure is disposed on a support, wherein an IR absorbent is comprised in at least one of the lower and upper layers of the recording layer.例文帳に追加

支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性のポリビニルアセタール樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び現像抑制剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、からなる記録層を設け、該記録層の下層および上層の少なくとも一方に赤外線吸収剤を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes the stages of: forming a lower electrode including nobel metal; forming a first ferroeelctric layer on the lower electrode at a first speed; forming a second ferroelectric layer on the first ferroelectric layer at a speed faster than the first speed; and forming an upper electrode on the second ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、貴金属を含む下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、第１の速度で第１の強誘電体層を形成する工程と、前記第１の強誘電体層上に、前記第１の速度より速い速度で第２の強誘電体層を形成する工程と、前記第２の強誘電体層上に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

For the formation of a lower layer wire, a thin pattern is formed using a halftone mask and a wire 50 which is located immediately under a pad 48 and which connects the pad and the lower layer wire and a pad reinforcement wire 52 that connects to the pad are formed so that they are wide using a normal photomask.例文帳に追加

下層配線の形成には、ハーフトーンマスクを用いて細いパターンを形成し、パッド４８直下に位置するパッドと下層配線とを連絡する配線５０と、パッドと接続するパッド補強用配線５２とを、ノーマルフォトマスクを用いて大きい幅で形成する。 - 特許庁

An adhesive layer 21 and an adhesive filling layer 22 are continuously provided around the rivet joined portion 20 of both bottom wall surfaces 12, 13, joined with a rivet 10, among an upper plate embossed portion 4 formed on an upper plate 2 and a lower plate embossed portion 3 formed on a lower plate 1.例文帳に追加

上板２に形成した上板エンボス部４と下板１に形成した下板エンボス部３のうち、その底壁面１２，１３同士をリベット１０にて締結したリベット締結部２０の周囲に接着剤層２１と接着剤充填層２２を連続して設ける。 - 特許庁

To provide a composition for resist lower-layer film formation that forms a resist lower-layer film which is suitably buried in a via or trench, easily formed based upon a desired pattern, and superior in etching resistance, and a method of forming a dual-damascene structure using the same.例文帳に追加

ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device in which an image data with deep directory structure having a folder in a lower-level layer of a folder is displayed as hierarchical structure where only a file exists in the lower-level layer, GUI design is made easy, and a user-friendly interface is available.例文帳に追加

フォルダの下位にフォルダが存在するような深いディレクトリ構成を有する画像データをフォルダの下位にファイルのみが存在するような階層構造として表示し、ＧＵＩの設計を容易とし、ユーザフレンドリーなインターフェースを有する画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a thermally decomposable lower layer film for a multi-layered resist process used to form the thermally decomposable lower layer film which eliminates the need for an ashing treatment, can be decomposed and removed through a simple heat treatment, and never damages an inorganic film such as a Low-K film.例文帳に追加

アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-Ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがない熱分解性下層膜の形成に用いられる多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a monitoring PD 20 for monitoring an amount of output light of the LD 16 is mounted on a top surface of the lower ceramic layer 3, and an optical component 23 like a prism is mounted between the sub-mount 14 on the top surface of the lower ceramic layer 3 and the monitoring PD 20.例文帳に追加

また、下部セラミック層３の上面には、ＬＤ１６の出力光量をモニタするモニタ用ＰＤ２０が実装され、下部セラミック層３の上面におけるサブマウント１４とモニタ用ＰＤ２０との間には、プリズム等の光学部品２３が実装されている。 - 特許庁

A trapezoidal trench is formed on the surface of a semiconductor substrate by using a LOCOS method and wet etching, and a lower electrode layer 5 is formed on the surface of the trapezoidal trench, and a capacitance insulating film 6 and an upper electrode 7 are laminated in this order over the lower electrode layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にＬＯＣＯＳ法およびウェットエッチングを用いて台形状トレンチを設け、台形状トレンチ表面に下部電極層５を形成し、下部電極層の上に容量絶縁膜６と上部電極７を順次積層する。 - 特許庁

The second adhesive layer 9 consists of an insulation resin layer of which a glass transition temperature is 135°C or higher, a linear expansion coefficient is 100 ppm or lower at the glass transition temperature or lower, and an elastic modulus at room temperature is 500 MPa to 2 GPa.例文帳に追加

第２の接着剤層９はガラス転移温度が１３５℃以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が１００ｐｐｍ以下であると共に、常温弾性率が５００ＭＰａ以上２ＧＰａ以下である絶縁樹脂層で構成されている。 - 特許庁

The structure is made by arranging a heating resistor along a pattern formed on the surface of a metal base material, and the heating resistor is the structure with the heater pinching an upper part insulating layer and a lower part insulating layer fitted at its upper part and lower part.例文帳に追加

金属製基材の表面に形成したパターンに沿って発熱抵抗体を配置してなるものであって、この発熱抵抗体は、その上部および下部に設けた上部絶縁層および下部絶縁層を介して挟持したヒーター付構造体を提案する。 - 特許庁

The lamp device includes a fluorescent layer formed on an upper plate with unevenness; a lower plate forming a sealed space having a fixed gap with the upper plate; an electrode formed on the lower plate; and an insulating layer formed on the electrode.例文帳に追加

平板発光ランプ装置は、凹凸を有する上板上に形成される蛍光層と、前記上板と一定のギャップをもって密閉空間を形成する下板と、前記下板上に形成される電極と、前記電極上に形成される絶縁層とを含んでいる。 - 特許庁

The optical waveguide substrate with the optical fiber fixation groove includes the optical waveguide which contains a lower cladding layer on a base substrate, wherein the lower cladding layer has an optical fiber fixation groove and a core groove, and a weir is provided between the optical fiber fixation groove and the core groove.例文帳に追加

光ファイバ固定溝付き光導波路基板は、ベース基板上に、光ファイバ固定溝とコア溝とを有する下部クラッド層であって、光ファイバ固定溝とコア溝との間に堰が設けられている下部クラッド層を含む光導波路が形成されている。 - 特許庁

The protective film includes a base material and an adhesive agent layer thereon, wherein the surface of the adhesive agent layer has a contact angle θ_1 of 70° or lower as measured immediately after contacted with methylene iodide and a contact angle variation rate Δθ of 8% or lower as measured 30 sec after contacted with methylene iodide.例文帳に追加

基材上に粘着剤層を備え、その粘着剤層の表面のヨウ化メチレンに対する接触直後の接触角：θ_１が７０°以下であり、ヨウ化メチレンに対する接触角の３０秒後の変化率：Δθが８％以下である保護フィルム。 - 特許庁

The optical fiber is provided with a ring shaped loss layer 5 which is used to attenuate lower order modes being propagated in the fiber and used not to attenuate the modes that are higher order than the lower order modes and a second loss layer 6 which is used to smooth the wavelength dependency of the propagation loss of the higher order modes.例文帳に追加

光ファイバ内に、この光ファイバを伝搬する低次のモードを減衰させ、これよりも高次のモードを減衰させないリング状の第１の損失層５と、高次モードの伝搬損失の波長依存性を平坦化する第２の損失層６を設ける。 - 特許庁

In a capacitor forming region A1, a polisilicon layer 105 (lower electrode) for the lower electrode, a nitride film 106 (dielectric film) and an polisilicon layer 107 (upper electrode) for the upper electrode are formed on an LOCOS isolation film 101 thus constituting a capacitor C1.例文帳に追加

容量形成領域Ａ１において、ＬＯＣＯＳ分離膜１０１上に形成される下層電極用ポリシリコン層１０５（下層電極）、窒化膜１０６（誘電体膜）及び上層電極用ポリシリコン層１０７（上層電極）から容量Ｃ１が構成される。 - 特許庁

Furthermore, adhesiveness of the lower electrode 3 and a piezoelectric layer 4 is improved because the lower electrode 3 contains oxide ceramics of the same properties as those of the oxide ceramics composing the piezoelectric layer 4, thereby retarding stripping due to difference of thermal expansion coefficient.例文帳に追加

さらに、下部電極３には、圧電層４を構成する材料である酸化物セラミックスと同質の酸化物セラミックスを含むこととなるため、下部電極３と圧電層４との密着性も良好となり、熱膨張率の差による剥離が起こりにくくなる。 - 特許庁

A plurality of capacitors constituting the semiconductor storage device are divided into upper and lower layers formed in arbitrary shape and array, and bit lines are arranged between a lower layer on which a 1st capacitor is formed and an upper layer on which a 2nd capacitor is formed.例文帳に追加

半導体記憶装置を構成する複数のキャパシタを上下層に分けて、任意の形状・配列で形成し、下層に位置する第一のキャパシタが形成されている層と、上層に位置する第二のキャパシタが形成されている層との間の層に、ビット線を配設する。 - 特許庁

To provide a substrate manufacturing method reducing the misalignment between an upper layer and a lower layer even when there is substrate distortion and work-starting exposure apparatuses for the upper and lower layers have apparatus dependence in exposure distortion, in the manufacture of substrate for forming a pattern on the substrate, and to provide a system thereof.例文帳に追加

基板上にパターンを形成する基板製造において、基板歪み、及び上層と下層の着工露光装置に露光歪みの機差が存在しても、上層と下層の合わせずれを小さくする基板製造方法、およびそのシステムを提供する。 - 特許庁

In the case where the touched lower layer operation screen is determined to be the reference permission screen, the display change request section causes the screen display section to change overlapping order such that the touched lower layer operation screen is moved further frontward than the furthest frontward operation screen.例文帳に追加

表示変更要求部は、タッチされた下層操作画面が参照許可画面に該当すると判定された場合に、タッチされた下層操作画面を最前面の操作画面よりも前側に移動させる重なり順序の入れ替えを画面表示部に実行させる。 - 特許庁