「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(200ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash memory cell which maintains a constant threshold voltage along the channel width dimension even if there is non-uniform charge concentration in a charge trapping structure along the channel width dimension, and also provide a method of manufacturing the flash memory cell.例文帳に追加

チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.例文帳に追加

半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data compression apparatus, a data compression method, and a data compression program capable of avoiding disadvantages of disabled expansion and display of compressed data due to a deficient memory capacity by setting a compression condition by taking into account a work memory capacity at expansion of the compressed data.例文帳に追加

圧縮データの展開時の作業メモリ量を考慮して圧縮条件を設定することで、メモリ不足により圧縮データの展開、表示を行うことができないという不都合を回避する。 - 特許庁

To simplify a control method for a memory card and to enhance control efficiency by enabling the occurrence of an error in the memory card to be notified to a host device without issuing a command for verifying whether or not the error has occurred.例文帳に追加

エラーが発生したかどうかを確認するためのコマンドを発行することなく、メモリカードにおけるエラーの発生をホスト機器へ通知でき、メモリカードの制御方法の簡素化及び制御効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a shared memory control method and a shared memory controller for reducing the system cost by eliminating restriction of a multi- screen function and a sense of incongruity of visual effects between display of video data and updated OSD drawn image.例文帳に追加

マルチ画面機能の制約及び映像データの表示とOSD描画更新の見た目の違和感を排除して、システムコストの低減を図ることが可能な共有メモリ制御方法及び共有メモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system configuration for detecting and correcting plural errors on plural channels without requiring a complicated data correcting method and supporting hot swapping of a memory, where a fault occurs, as well.例文帳に追加

複雑なデータ修復方法を必要とせず、複数チャネル上の複数エラーに対するエラー検出および訂正を行うと共に、障害の発生したメモリのホットスワッピングもサポートする、メモリシステム構成を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and an operation method thereof for reducing influence of variation in transistor characteristics, securing a margin for data writing operation, and stably operating a static memory cell at a low voltage.例文帳に追加

トランジスタ特性バラツキの影響を低減し、かつデータ書き込み動作マージンを確保するができ、スタティックメモリセルを低電圧で安定動作させることが可能な半導体記憶装置およびその動作方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes grouping some erase counts included in the plurality of elements into a first set and storing the erase counts associated with the first set in a memory component of the memory system.例文帳に追加

方法は、また、複数の要素に含まれるいくつかの消去カウントを第１セットにグループ分けすることと、第１セットに関連付けられた消去カウントをメモリシステムのメモリ構成要素に記憶することとを含む。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory for preventing deterioration in a ferroelectric capacitor by preventing hydrogens from being generated by the contact of metal wiring and an interlayer insulating film, and to provide a manufacturing method of the ferroelectric memory.例文帳に追加

金属配線と層間絶縁膜との接触による水素の発生を防止することで、強誘電体キャパシタの劣化を防止した、強誘電体メモリ、及び該強誘電体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

Based on a program verification method of the nonvolatile memory device, a memory cell that does not need program verification has no on-cell current flowing through because the cell cannot be precharged at a time of the program verification operation.例文帳に追加

本発明の実施形態による不揮発性メモリー装置のプログラム検証方法によれば、プログラム検証を必要としないメモリーセルは、プログラム検証動作の時プリチャージできないためにオンセル電流が流れない。 - 特許庁

This method optimizes a memory consumption quantity by reducing memory footprint while maintaining the accessibility of the other process needed to service not-executable information for debugging and a code in a field.例文帳に追加

本方法は、デバッグするための非実行可能情報およびフィールドにおけるコードをサービスするために必要な他のプロセスのアクセシビリティを維持しながら、メモリ・フットプリントを減少させることによってメモリ使用量を最適化する。 - 特許庁

To provide a storage system which can reduce frequency of ejection of data from a cache memory to a storage device or the frequency of read of data from the storage device to the cache memory, a cache control device and a cache control method.例文帳に追加

キャッシュメモリから記憶装置へのデータの追い出しの回数や、記憶装置からキャッシュメモリへのデータの読み込みの回数を、減少させることができるストレージシステム、キャッシュ制御装置、キャッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁

In the rendering method, by executing pre-binning with an object included in a frame as a target, all geometry processing results are not recorded in an external memory, so that a use amount of the external memory can be reduced.例文帳に追加

さらに、レンダリング方法は、フレームに含まれたオブジェクトを対象としてプレビニングを実行することにより、すべての幾何学処理結果を外部メモリに記録しないため、外部メモリの使用量を減少させることができる。 - 特許庁

To provide an offset voltage correcting device and its method requiring a less amount of data to be stored in a memory by storing in the memory data for the correction amount of offset voltage in the compressed condition.例文帳に追加

オフセット電圧の補正量データを圧縮した状態でメモリに記憶することで、メモリに記憶するデータ量を少なくすることができるオフセット電圧補正装置及びオフセット電圧補正方法を提供する。 - 特許庁

An RS conversion circuit 110 has only one X×Y-bit memory 111 and also has two prescribed modes as a method for allocating the address of the memory 111 when reading and writing image data respectively.例文帳に追加

ＲＳ変換回路１１０は、Ｘ×Ｙビットのメモリ１１１を一つだけ有し、また、画像データの書き込み時及び読み出し時におけるメモリ１１１のアドレスの割り当て方法としてそれぞれ、所定の二つのモードを有する。 - 特許庁

To provide an information processor equipped with a page history memory cache for varying a page size by reducing the deterioration of system performance and a variable page size corresponding page history memory cache method.例文帳に追加

本発明は、システム性能の低下を抑えてページサイズを可変にできるページ履歴メモリキャッシュを備えた情報処理装置および可変ページサイズ対応ページ履歴メモリキャッシュ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a novel ferrocene-containing conductive polymer able to enhance action characteristics when used as a material of the organic active layer of an organic memory element, the organic memory element and a method for producing the same.例文帳に追加

有機メモリ素子の有機活性層の素材として使用するときに動作特性を向上させることが可能な新規のフェロセン含有伝導性高分子、これを用いる有機メモリ素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory that suppresses the leakage current of a ferroelectric substance and can be used stably, and to provide a method of manufacturing the non-volatile memory.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリ及びその製造方法に関し、強誘電体のリーク電流を抑制し、安定して使用することができる不揮発性メモリ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, for the magnetic memory device 10 composed of at least the memory layer 1, the tunnel insulating film 2, and the magnetization fixing layer 3, the distribution of the oxygen elements or the nitrogen elements is inspected by an electron energy loss spectroscopic method.例文帳に追加

また、少なくとも記憶層１と、トンネル絶縁膜２と、磁化固定層３とを有して成る磁気メモリ素子１０に対して、電子エネルギー損失分光法により、酸素元素又は窒素元素の分布を検査する。 - 特許庁

To provide an efficient semiconductor memory and its test method which can improve test accuracy for products under-estimated in non-volatile memories such as a flash memory and the like and can cope with more various kinds.例文帳に追加

フラッシュメモリなどの不揮発性メモリにおける過小評価された製品の検査精度を上げることができ、より多品種に対応できる効率的な半導体記憶装置およびその検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor memory circuit driving method having good data holding characteristics, the data stored in a CMOS planar type nonvolatile memory cell in long-time use in only a read mode or a normal mode.例文帳に追加

リードモード、通常モードのみの長期間の使用において、ＣＭＯＳプレーナー型の不揮発性メモリセルに記憶されているデータの保持特性が良好で信頼性の高い半導体メモリ回路駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of improving characteristics of a selection transistor when a memory cell unit and the selection transistor are formed on a semiconductor layer formed on an SOI, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＳＯＩ上に形成された半導体層上にメモリセルユニット及び選択トランジスタを形成した場合に、選択トランジスタの特性を向上できる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device and its control method capable of reducing a memory area so that identification data responding to data memorized in a secure area is collectively controlled in a specific area of one page.例文帳に追加

セキュア領域に記憶するデータに対応する識別データを１ページ内の特定の領域において集中管理することにより、記憶領域を削減することが可能な記憶装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor storage device which improves a data readout margin to a dynamic/static imprint phenomenon of ferroelectric memory which forms a ROM (Read Only Memory), and to provide a semiconductor storage device.例文帳に追加

ＲＯＭを形成する強誘電体メモリのダイナミック／スタティック・インプリント現象に対するデータ読み出しマージンを改善することのできる半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This merchandise advertisement method enhances the degree of recognition of merchandise by storing commercial message videos in an IC card memory and broadcasting these videos on a 6-inch small-sized television having the memory card built in relating to the objective merchandise in a selling place.例文帳に追加

ＩＣカードメモリーにコマーシャル映像を記憶させ、売り場で、対象とする商品について、メモリーカード内臓の６インチ小型テレビに放映し、商品の認知度を高めることを特徴とする商品広告方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a control method of a semiconductor memory device by which a testing time can be shortened at the time of a test, while keeping low current consumption operation at the time of normal access operation.例文帳に追加

通常のアクセス動作時における低消費電流動作を維持しながら、試験時において、試験時間を短縮することが可能な半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法を提供すること - 特許庁

To provide a threshold voltage control device of a non-volatile memory cell that can accurately control the threshold voltage of a memory cell being controlled by a word line voltage, reduces control time, and can be operated with a low power, and its method.例文帳に追加

ワードライン電圧により制御されるメモリセルのしきい電圧を正確に制御し、制御時間を短縮させ、低電力で動作し得る非揮発性メモリセルのしきい電圧制御装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high density magnetoresistance memory and its manufacturing method which reduces a demand current and improves the selectivity by concentrating a magnetic flux, and is advantageous in forming a high-density and highly integrated memory cell.例文帳に追加

磁束を集中させることによって要求電流を減少させて選択度を向上させ、メモリセルの高密度および高集積化に有利である高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a memory access method in the same, in which the number of input/output lines for inputting/outputting data to/from an external device is increased without increasing the number of secondary amplifier circuits.例文帳に追加

２次増幅回路の数を増加させずに、データの装置外部との入出力を行うメイン入出力線数を増加させる半導体記憶装置及び半導体記憶装置におけるメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide the recording method of a portable memory during a call, which can record arbitrary information into the portable memory during the call without transmitting a dial signal to a communication line and to provide a call terminal with compilation function.例文帳に追加

通話中に任意の情報を通信回線へダイヤル信号を送出することなしに携帯メモリに記録することができる通話中携帯メモリ記録方法及び編集機能付通話端末の提供。 - 特許庁

To provide a method for improving the characteristics of a ferrous shape memory alloy the which a cast material of a ferrous shape memory alloy combining excellent shape memorizing capacity with sufficient strength can easily be obtained.例文帳に追加

優れた形状記憶性能を有すると共に充分な強度を合せ持つ鉄系形状記憶合金の鋳造材を容易に得ることができる鉄系形状記憶合金の特性向上方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a structure of a memory cell that allows reduction of aspect ratios of the capacitor contact and the bit-line contact and that is less subject to misalignment and less causative of an increase in the number of unrequired processes, and also to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

キャパシタコンタクト及びビット線コンタクトのアスペクト比を低減でき、かつ、合わせズレの影響を受けにくく、余分な工程数の増加を招かないメモリセルの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process controller to perform self-diagnosis and self-repair of an error in control data, a self-repair method of a duplex system of the controller and a control data memory, and a self-repair program of the control data memory.例文帳に追加

制御データのエラーを自己診断し、自己修復するプロセスコントローラ、同コントローラの２重化システム、及び制御データメモリの自己修復方法、制御データメモリの自己修復プログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this advertisement method and system using the external memory device, basic advertisement data, advertisement server connection information and its inherent number are stored in the external memory device distributed to a user as an advertisement and a sales promotion means.例文帳に追加

外部メモリ装置を用いた広告方法及びシステムに関し、使用者に広告及び販促手段として配布される外部メモリ装置に、基本広告データと広告サーバーの接続情報と固有番号とを格納する。 - 特許庁

To provide a device and a method for abnormality detection of a backup battery for a memory which accurately detects as abnormality a case wherein the battery voltage of the backup battery drops below the level needed for the operation of the memory.例文帳に追加

バックアップ用電池の電池電圧がメモリの動作に必要なレベルを下回る場合を正確に異常として検出するメモリのバックアップ用電池の異常検出装置及びその異常検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cache memory system and a control method for WAY prediction of a cache memory, which reduce failures of WAY prediction by WAY prediction not using address matching and is capable of preventing malfunction of the system.例文帳に追加

アドレスマッチングを用いないＷＡＹ予測により、ＷＡＹ予測の失敗を減らし、システムの誤動作を防ぐことができるキャッシュメモリシステム及びキャッシュメモリのＷＡＹ予測の制御方法を提供すること。 - 特許庁

The method also includes issuing commands to the selected one of the nonvolatile memory controller and the volatile memory via the shared interrace via the shared control signals.例文帳に追加

本発明の方法は、さらに、上記共通化された各制御信号を介して、選択された非揮発性メモリコントローラ、および揮発性メモリの一方に対して、各コマンドを共通化インターフェースを介して出力することを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of securing misalignment margin in contact hole formation in an active area even on a high integrated memory element and decreasing junction capacitance and leak current.例文帳に追加

高集積メモリ素子でも活性領域におけるコンタクトホール形成時のミスアラインマージンを確保でき、かつ接合キャパシタンス及び漏れ電流を減少させることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Disclosed are the apparatus and associated method for a dual active-active array storage system with a first controller with top level control of a first memory space and a second controller with top level control of a second memory space.例文帳に追加

第１のメモリスペースのトップレベル制御を有する第１のコントローラと第２のメモリスペースのトップレベル制御を有する第２のコントローラとを有するデュアル・アクティブ−アクティブ・アレイ記憶システムに対する装置および関連する方法。 - 特許庁

In the initialized state verifying method of a nonvolatile memory device, first, a block (or a page) initialization verify command and a block (or a page) address instructing the block (or the page) to be verified are received from a memory controller.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の初期化状態検証方法は、まず、メモリコントローラからブロック（又は、ページ）初期化検証命令及び検証されるブロック（又は、ページ）を指示するブロック（又は、ページ）アドレスを受信する。 - 特許庁

To provide a capacitor which can completely prevent hydrogen from being diffused to a ferroelectric thin film or a high-dielectric thin film and which comprises an easily workable hydrogen barrier layer, to provide a memory element and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

強誘電体または高誘電体薄膜へ水素の拡散を完全に防止することができ、且つ加工しやすい水素バリア層を有するキャパシタとメモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The disclosed method, apparatus and system are capable of identifying and tracking memory usage to minimize power consumption in a way that lessens the detrimental effects of "throttling" or the low-power modes for the memory devices.例文帳に追加

開示される方法、装置、およびシステムは、メモリ・デバイスの「スロットリング」または低電力モードの有害な影響を減らす形で電力消費を最小にするためにメモリ使用を識別し、追跡することができる。 - 特許庁

To provide a data writing method that enables the write of the data pattern for function evaluation at high speed and shorten the evaluation time in a non-volatile semiconductor memory device having a cross point memory cell array.例文帳に追加

クロスポイント型のメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、機能評価用のデータパターンの書き込みを高速化して評価時間の短縮化を可能とするデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

The method for cladding two or three sides of a top conductor for magnetic memory device with a ferromagnetic material includes a step of forming a trench, having sidewalls in a coating layer above the memory device.例文帳に追加

磁気メモリデバイス用の上部導体の２つまたは３つの側部を強磁性材料でクラッディングするための方法であり、この方法は、メモリデバイス上のコーティング層内に側壁を有するトレンチを形成するステップを含む。 - 特許庁