「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(228ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a molded shape memory article that is produced by injection and extrusion molding and can be applied to a wide temperature range.例文帳に追加

射出および押出によって形状記憶成形品を製造することに関して、広い温度範囲に適用できる形状記憶成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Described and illustrated herein is an exemplary method of operating the analyte measurement device having a display, user interface, processor, memory, and user interface buttons.例文帳に追加

本明細書に説明されそして示されているのは、ディスプレイ、ユーザインタフェース、プロセッサ、メモリ、およびユーザインタフェースボタン、を有する検体測定装置を操作する例示的な方法である。 - 特許庁

To provide a drawing device, a printer, a drawing method, a program and a storage medium whereby drawing data can be drawn at high speed by mapping a bit map memory to a rectangular region.例文帳に追加

ビットマップメモリを矩形領域にマッピングすることにより描画データを高速に描画できる描画装置、印刷装置、描画方法、プログラム及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a non volative semiconductor memory device which keeps a small erasing block and a rapid responsiveness and has a long-time reliability, and also provide a method for manufacturing such a device.例文帳に追加

小さな消去ブロックと高速応答性を維持し、かつ長期的な信頼性を確保した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic tape drive capable of recording error logs without completely losing the error logs by hierarchizing a nonvolatile memory as a recording method of the error logs.例文帳に追加

エラーログの記録方法として、不揮発性メモリを階層化することにより、全てエラーログを消失することなく、記録することができる磁気テープドライブを提供することである。 - 特許庁

To provide a method for erasing a nonvolatile TFT memory at low voltage by making it possible to erase it through interband tunneling by controlling a body electric potential.例文帳に追加

不揮発性ＴＦＴメモリにおいて、ボディの電位を制御することによってバンド間トンネリングによる消去を可能にし、低電圧で消去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a board management method for a disk control device that can shorten the time required for maintenance/replacement necessary after memory PK fails.例文帳に追加

メモリＰＫに障害が発生した時以降に必要な保守・交換作業に要する時間を短縮することができるディスク制御装置の基板管理方法を提供すること。 - 特許庁

Data is written according to a source side injection method using charged charge of capacitance elements (Cda, Cdb) connected to nodes (DLa, DLc) at a drain side of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのドレイン側ノード（ＤＬａ，ＤＬｃ）に接続される容量素子（Ｃｄａ，Ｃｄｂ）の充電電荷を用いてソースサイドインジェクション方式に従ってデータの書込を行なう。 - 特許庁

3-D MODELING METHOD OF GROUND LAID FIXED FORM CONCRETE E.G. WAVE DISSIPATING CONCRETE BLOCK, 3-D MODELING PROGRAM, AND COMPUTER READABLE MEMORY MEDIUM RECORDED WITH IT例文帳に追加

消波ブロック等の地上敷設定型物の三次元モデリング方法および三次元モデリングプログラムならびにそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a print processing system, a print processing device, and a control method of the print processing system, capable of effectively printing print data supplied from a memory.例文帳に追加

メモリから供給される印刷データを効率よく印刷することが可能な印刷システム、印刷処理装置及び印刷処理システムの制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device capable of unfailingly detecting a material of a nitride film or a Cap layer to be separated caused by etching.例文帳に追加

エッチングにより離脱する窒化膜またはＣａｐ層の材質を、確実に検出可能な半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a system and a method for a search interface of an abstract or a document which applies a full-text search engine stored as a software in a memory.例文帳に追加

本発明はメモリ内にソフトウェアとして格納されている全文検索エンジンを適用する抄録又は文書検索インタフェース用のシステム及び方法にある。 - 特許庁

Therefore, in the nonvolatile semiconductor memory device and the program driving method, program speed can be improved remarkably and consumption of current can be reduced remarkably.例文帳に追加

したがって、本発明に係る不揮発性半導体メモリ装置のプログラム駆動方法によれば、プログラム速度が著しく改善でき、且つ、電流の消耗が著しく減少できる。 - 特許庁

To provide a communication system with excellent usability that can relieve a burden of data edit on a use, a communication device, its control method, a program and a computer-readable memory.例文帳に追加

ユーザのデータ編集時の負担を軽減でき、ユーザビリティに優れた通信システム、通信装置、その制御方法、プログラム並びにコンピュータ可読メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a signal processing apparatus and method which uses one frame memory, to store two frames of data, and to provide a display device including the signal processing apparatus.例文帳に追加

一つのフレームメモリを使用して２フレームのデータを記憶する、信号処理装置及び方法を提供し、この信号処理装置を含む表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which controls the variation of threshold value of a multi value cell owing to a floating between-electrodes capacitance of memory cells adjacent to each other and its operation method.例文帳に追加

隣り合うメモリセルの浮遊電極間容量による多値セルのしきい値変動を抑制する半導体集積回路装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information signal reproducing method by which a difference of transfer speeds of first and second information signals is absorbed between an information signal recording medium and a buffer memory.例文帳に追加

情報信号記録媒体とバッファメモリとの間で第１，第２の情報信号の転送速度の差を吸収する情報信号再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which an electrophotographic photoreceptor which suppresses exposure memory can be obtained, and an image forming apparatus capable of obtaining a high-quality image.例文帳に追加

露光メモリが抑えられた電子写真感光体を得ることができる製造方法、および高品質の画像を得ることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory device capable of improving the resistance of select lines and capable of simplifying a manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor storage device or semiconductor device by which a capacitor insulating film having a high film quality can be formed in the memory capacitor, etc., of a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリキャパシタなどにおいて、良好な膜質のキャパシタ絶縁膜を形成できる半導体記憶装置あるいは半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a nonvolatile semiconductor memory system by which a life equivalent to that of a magnetic disk device is realized and high reliability is secured and a method for controlling the same.例文帳に追加

磁気ディスク装置と同等の寿命を実現し、また高い信頼性を確保することが可能な不揮発性半導体メモリ装置システム及びその制御方法を得る。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory/analog IC mixed semiconductor device, which can be produced by a little processes and has high reliability, and a production method for the same.例文帳に追加

少ない工程数で製造することができ、かつ、高い信頼性を有する不揮発性メモリ・アナログＩＣ混載型の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a nonvolatile memory device having a charge trapping layer, which prevents device characteristic deterioration due to etching damage and restrains leak current.例文帳に追加

エッチングダメージから生じる素子特性の劣化を防止し、漏洩電流の発生を抑制する電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, a device and a computer-readable code for reading data out of one or more flash memory cells and for restoration from a reading error.例文帳に追加

一つ以上のフラッシュメモリ・セルからデータを読み取るための、そして読み取りエラーから復旧するための、方法、デバイスおよびコンピュータで読み込み可能なコードを提供する。 - 特許庁

To provide a method of error correction, which needs a smaller size of a memory for storing data before correction and data after correction and previously prevents an overflow from occurring.例文帳に追加

訂正前データと訂正後データを記憶するメモリの規模を小さくでき、オーバーフローの発生を未然に防止することができるエラー訂正方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus and method, capable of controlling a plurality of image memories with one memory access controller, and minimizing the scale of an interface.例文帳に追加

１つのメモリアクセスコントローラで複数のイメージメモリを制御し、且つインターフェースを最小限とすることができる画像処理装置および画像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device where information is easily and stably recorded and read out and which is easily manufactured by a relatively-easy manufacturing method.例文帳に追加

情報の記録及び読み出しを容易に安定して行うことができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide an information processing device, a control method therefor and a program, appropriately restricting a memory area capacity secured in a RAM by a cache function.例文帳に追加

キャッシュ機能によってＲＡＭに確保される記憶領域の容量を適切に制限する情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of increasing a compression factor with a memory by searching for a domain block while performing forward and backward coding on data in a macroblock.例文帳に追加

マクロブロックのデータを正方向及び逆方向コードしながらドメインブロックを探索して、メモリを備えて圧縮率を向上させることができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a storage apparatus and its control method capable of performing power saving operations while covering the shortcomings of a flash memory having short life and requiring much time for rewriting data.例文帳に追加

寿命が短く、データ書き換えに時間のかかるフラッシュメモリの欠点を補いながら、省電力運転を行い得るストレージ装置及びその制御方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the hydrogen content of a silicon nitride film is reduced during manufacture of the semiconductor device to secure long-period reliability of memory operation.例文帳に追加

半導体装置の製造において、シリコン窒化膜の含有水素量を低減してメモリ動作の長期信頼性が確保された製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus and a control method which do not require any memory dedicated to storage of light-shielding image data for detecting a defective pixel of an imaging element.例文帳に追加

撮像素子の欠陥画素検出用の遮光時の画像データを格納する専用のメモリを必要としない安価な撮像装置及び制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which memory utilization efficiency is improved in a power saving mode, and to provide a storage control method, a storage control program, and a recording medium.例文帳に追加

本発明は、省電力モード時のメモリの利用効率を向上させた半導体集積回路、記憶制御方法、記憶制御プログラム及び記録媒体に関する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device including an unauthorized read/write operation prevention function to data written in a flash memory, and to provide a control method for the same.例文帳に追加

フラッシュメモリーに書き込まれたデータに対して不正リード／ライト動作防止機能を要した集積回路装置及び集積回路装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data storage device and a data management method that can increase the processing speed for reading and writing data, from and to a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリのデータに読み出し及び書き込みを行う際の処理速度を向上させることが可能なデータ記憶装置及びデータ管理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can enlarge a signal amount in memory operation without raising impurity concentration of a floating p well, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フローティングＰウェルの不純物濃度を濃くしないで、メモリ動作時の信号量を大きくすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor protective structure having a high hydrogen barrier effect by forming an extremely precise protective film and a method of manufacturing the same, and also to provide a ferroelectric memory using the protective structure.例文帳に追加

緻密な保護膜形成により高い水素バリア性を有するキャパシタの保護構造及びその製造方法及びこれを用いた強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

This apparatus 1 is an apparatus basically consisting of a processor and the pattern data 11a previously formed by the following method is stored in its memory section 11.例文帳に追加

パターンデータ作成装置１は、プロセッサを中心とする装置であり、その記憶部１１には、後述する方法により予め作成されたパターンデータ１１ａが格納されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory device and program method thereof are provided in which data is scanned to search data bits to be practically programmed, and the searched data bits are simultaneously programmed as many as a predetermined number.例文帳に追加

ここに開示された不揮発性メモリ装置及び方法は、データをスキャニングして実際プログラムされるデータビットを捜し出し、これを所定の個数だけ同時にプログラムする。 - 特許庁

To provide an error detection/correction circuit capable of efficient error correction, a semiconductor memory controller provided therewith, and an error correction method.例文帳に追加

効率の良い誤り訂正が可能な誤り検出訂正回路、前記誤り検出訂正回路を有する半導体メモリコントローラ、および誤り訂正方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved rendering method which brings about the improvement of both memory usage and a speed in a rendering of opaque objects overlapping each other.例文帳に追加

不透明で重なり合っているオブジェクトをレンダリングする際の速度と、メモリ使用量の双方において改善を提供する、改善されたレンダリング法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which corresponds to fining and high density and realizes simplification of a manufacturing process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、微細化及び高密度化に対応し、かつ製造プロセスの容易化を図ることのできる、強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent a control gate from forming a stringer and secure the electrostatic capacity of an inter-layer dielectric film without causing any loss.例文帳に追加

コントロールゲートのストリンガーの形成を防ぐと共に、層間誘電膜の静電容量を損失無しに確保することのできるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing unit where interrupts of decoding processing and disturbance in a decoded image or a frozen decoded image attended with the interruption can be avoided, its method and a computer- readable memory.例文帳に追加

復号化処理の中断やそれに伴う復号化画像の乱れやフリーズを回避することができる画像処理装置及びその方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁

The memory layer 111 is configured of nano-particles 114 composed of a conductive material coated with an organic thin film 113, and formed using a liquid discharging method.例文帳に追加

メモリ層１１１は、有機薄膜１１３で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子１１４から構成されており、液滴吐出法を用いて形成する。 - 特許庁