「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(224ページ目) - Weblio英語例文検索

This method and system for controlling a plurality of shape memory actuators 1 mounted on an automobile controls supply current of each shape memory element 1 as functions of one or more parameters showing environment conditions such as, for example, environment temperature, temperature of the shape memory actuator, usable supply voltage of an automobile battery, and driving of last time or driving demand of last time concerning the shape memory actuator 1.例文帳に追加

例えば、自動車に搭載された、複数の形状記憶アクチュエータ（１）を制御するための方法およびシステムであり、例えば、環境温度、形状記憶アクチュエータの温度、および自動車バッテリの利用可能な供給電圧、形状記憶アクチュエータ（１）についての前回の駆動または前回の駆動要求など、環境条件を示す１つ以上のパラメータの関数として、各形状記憶素子（１）の供給電流を制御する。 - 特許庁

To provide a method and equipment for receiving data, which enables a user to receive many electronic mails at once without using any nonvolatile memory unit even in a case where the capacity itself or the empty space of the nonvolatile memory device is small.例文帳に追加

不揮発性の記憶媒体の容量自体が少ない場合、あるいは空き容量が少ない場合、不揮発性の記憶媒体を使用することなく受信でき、しかも、多くの電子メールを一度に受信できるデータ受信装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus of managing a nonvolatile memory to improve performance of the nonvolatile memory and to determine an offset of a physical page in which a logical page whose operation is requested is recorded even without mapping information of the logical page and the physical page.例文帳に追加

不揮発性メモリの性能を向上させることができ、論理ページと物理ページとの間のマッピング情報がなくても、演算が要求された論理ページが記録された物理ページのオフセットが分かる不揮発性メモリ管理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In the managing method for data saved in a queue inside a memory, data are read from the top of the queue and the position of a pointer 'read just before' different from a memory block saving the data is updated to a position corresponding to the end of the data.例文帳に追加

メモリー中のキューに保存されたデータの管理方法は、前記キューの先頭からデータを読むことと、前記データが保存されているメモリーブロックとは別の‘直前に読まれた’ポインターの位置を前記データの終わりに対応する位置に更新することとから成る。 - 特許庁

To provide an image processing method and an apparatus thereof for flexibly coping with the case wherein data resolution and the number of references vary, in order to achieve a variety of forms of image processing in a certain memory band, while reducing the capacity of a delay memory.例文帳に追加

遅延メモリの省容量化を実現しつつも、ある一定のメモリ帯域の中でさまざまな形態の画像処理を実現するため、データの解像度と参照枚数が変化しても柔軟に対処できる画像処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To realize a non-volatile semiconductor memory and its data write-in method in which erroneous write-in of data can be prevented at the time of write-in operation though memory cell array constitution of a shared bit line type is adopted, while operation margin can be enlarged.例文帳に追加

シェアードビット線型のメモリセルアレイ構成を採用しつつも、書き込み動作時にデータの誤書き込みを防止することができると共に、動作マージンを大きくすることができる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

This management method of flash memory comprises steps of (a) recording the logic address of a data recorded in the data area of a flash memory to a corresponding spare area; and (b) scanning the information recorded in the spare area to generate an address conversion table.例文帳に追加

（ａ）フラッシュメモリのデータ領域に記録されたデータの論理アドレスを対応スペア領域に記録する段階、及び（ｂ）前記スペア領域に記録された情報をスキャンしてアドレス変換テーブルを生成する段階を含むことを特徴とするフラッシュメモリの管理方法。 - 特許庁

To provide a writing method for a nonvolatile memory capable of writing at high speed by reducing the time required to transfer write data after determining a writing destination when switching the writing destination of the nonvolatile memory according to the size of data written from the outside.例文帳に追加

外部から書き込みを行うデータサイズによって、不揮発メモリの書き込み先を切り替えるとき、書き込み先が決定された後の書き込みデータの転送に要する時間を削減し、高速な書き込みを可能な不揮発性メモリの書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image input device for enabling a plurality of users to effectively utilize a memory area by collectively registering information in the memory area of a device connected to a network, a data transmission destination storing method, a data transmission destination storage program and its storage medium.例文帳に追加

ネットワークに接続された装置のメモリ領域に一括で情報を登録して、該メモリ領域を複数のユーザで有効に活用できる画像入力装置、データの送信先保存方法、データの送信先保存プログラム及びその記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory apparatus that is highly reliable, and wherein a diffused layer and a contact of a select transistor are electrically and appropriately connected and the surface of the diffused layer of a memory cell transistor are protected from etching; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層とコンタクトとが電気的に良好に接続され、かつ、メモリセルトランジスタの拡散層の表面がエッチングから保護された、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes the step of detecting a cell current flowing through the resistive memory cell, the step of setting the control value depending on the detected cell current, and the step of providing information associated with the control value as memory data.例文帳に追加

本方法は、上記抵抗メモリセルに流れるセル電流を検出する工程と、検出された当該セル電流に依存して上記制御値を設定する工程と、上記制御値に関連付けられた情報をメモリデータとして供給する工程とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a memory having a contact plug of ruthenium material, and its fabricating method, for improving the contact arrangement between a storage node and a device zone in the dynamic RAM (DRAM) and the ferroelectric RAM (FRAM (trade mark)) of a memory device, for example.例文帳に追加

メモリーデバイスの例えばダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）と強誘電性ＲＡＭ（ＦＲＡＭ（登録商標））における、記憶ノードとデバイスゾーンとの間の接点構成を改良するための、ルテニウム材からなるコンタクトプラグを有するメモリー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor and an image processing method which extend application fields of a video window system and has better operability by recording a video signal in a temporary memory by a plurality of screens and operating the contents of the memory as specified.例文帳に追加

ビデオ信号を複数画面分一旦メモリに記録しておき、このメモリの内容に対して所定の操作を加えることにより、映像ウィンドウシステムの応用分野を広げ、かつ、より良い操作性を有する画像処理装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The operating method includes a step of reading the data from the sub-block picked up from among the sub-blocks of the selected memory block, and a step of selectively refreshing each sub-block of the selected memory block in response to reading of the selected sub-block.例文帳に追加

本発明の動作方法は、選択されたメモリブロックのサブブロックのうちで選択されたサブブロックからデータを読み出す段階、及び選択されたサブブロックの読み出しに応答して選択されたメモリブロックの各サブブロックを選択的にリフレッシュする段階で構成される。 - 特許庁

This invention relates to a pharmaceutical composition to treat eyesight disorder, to improve eyesight, to treat memory disorder or to increase memory capacity using a pipecolic acid derivative having affinity to FKBP type (FKBP-12) immunophilin, and a method therefor.例文帳に追加

本発明は、ＦＫＢＰ型（ＦＫＢＰ−１２）イムノフィリンについての親和性を有するピペコリン酸誘導体を使用して、視覚疾患を治療する、視覚を改善する、記憶障害を治療する、または記憶能力を増大するための医薬組成物および方法に関する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ADAPTING/ADJUSTING SIGNAL PROPAGATION TIME IN PATH SYSTEM OR PATH NETWORK BETWEEN INTEGRATED CIRCUIT MOUNTED ON PRINTED BOARD AND MEMORY PACKAGE HAVING PRINTED BOARD AND AT LEAST ONE MEMORY MODULE MOUNTED ON THIS PRINTED BOARD例文帳に追加

プリント基板上にマウントされた集積回路の間の線路システム又は線路網における信号伝播時間を適合／調整するための方法及び装置及びプリント基板とこのプリント基板上にマウントされた少なくとも１つのメモリモジュールとを有するメモリパッケージ - 特許庁

A shrinkage amount of the shape memory alloy fiber 51 can be adjusted by using non-linearity between the shrinkage amount of the shape memory alloy fiber and the electric current, and strict motion can be traced by the simple and lightweight mechanism and the simple control method.例文帳に追加

形状記憶合金繊維５１の収縮量は、形状記憶合金繊維の収縮量−電流間の非線形生を利用することで調整可能なため、厳密な動作を簡便かつ軽量な機構および単純な制御方法にてトレース可能である。 - 特許庁

In this firmware updating method in the computer server system, access to a flash memory from a south bridge is cut off in a system operation state, the firmware to be updated from a terminal is written to the flash memory via a base board management controller, and thereafter rebooting is conducted.例文帳に追加

計算機サーバ・システムにおけるファームウェアアップデート方法であって，システム稼働状態でサウスブリッジからフラッシュメモリへのアクセスを切断し、端末からの更新されるファームウェアを，ベースボード・マネージメントコントローラを経由して前記フラッシュメモリに書き込み，その後，再起動を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus and its operating method, wherein refresh performance is improved by storing electric charges and holes in which a unit cell in the semiconductor memory apparatus corresponds to all data of a capacitor and a floating body.例文帳に追加

本発明は、半導体記憶装置内の単位セルがキャパシタとフローティングボディーの全てにデータに対応する電荷とホールを格納することができるようにすることにより、リフレッシュ性能を向上させることができる半導体記憶装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, which can prevent malfunction caused by a leakage current and variations in characteristics and in manufacturing to reduce operating voltage by increasing a coupling capacity between a floating gate and a control gate, and a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

リーク電流による誤動作、特性のばらつき及び製造のばらつきを防止しながらフローティングゲートとコントロールゲートとの間の結合容量を増大させて動作電圧を下げることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which memory products abolished as a defective product are reproduced by changing functions and a memory product having the other functions is obtained, one part of functions is utilized and the device can be produced as a power source generating circuit, and its manufacturing method.例文帳に追加

不良品として廃棄していたメモリ製品を、機能変更により再生して他の機能を持つメモリ製品や、一部の機能を活かした電源発生回路製品として製品化することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory utilizing a carbon nanotube, which dramatically reduces a contact area between a phase change substance and a lower electrode, is operated while saving power, and further improves the degree of integration, and to provide a method of manufacturing the phase change memory.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、相変化物質と下部電極との接触面積を画期的に減らして、低電力で動作可能であり、かつ、集積度をさらに向上させることができる炭素ナノチューブを利用した相変化メモリ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an image processing part 15, the similarity values of images as a whole are calculated by performing matching between a reference image stored in an image memory 22 or a reference image designated by another method and other images stored in the image memory 22 separately for the background and foreground.例文帳に追加

画像処理部１５において、画像メモリ２２に格納された基準画像あるいはその他の方法で指定された基準画像と、画像メモリ２２に格納されている他の画像とのマッチングを背景と前景に分けて行い、全体としての類似度値を演算する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device and its manufacturing method hardly obstructing high integration even if a dummy capacitor is provided in order to prevent a process of a memory capacitor of a memory cell from being deteriorated, and preventing a smoothing capacitor from undergoing temporal dielectric breakdown of a smoothing capacitor as much as possible.例文帳に追加

メモリセルのメモリキャパシタの工程劣化を防止すべくダミーキャパシタを設けるも、高集積化を何等妨げることなく、しかも平滑キャパシタの経時絶縁破壊を可及的に防止する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device in which the organic substance of a gate oxide film in a memory transistor is prevented from being contaminated even if film thickness differs in a gate insulating film in the memory transistor and a transistor in a peripheral circuit region, and also to provide the manufacturing method of the device.例文帳に追加

メモリトランジスタと周辺回路領域のトランジスタとでゲート絶縁膜の膜厚が異なる場合でも、メモリトランジスタにおけるゲート酸化膜の有機物汚染を防止できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device wherein a clad structure can be easily and accurately formed so that a line of magnetic force is concentrated in the periphery of a bit line connected electrically with a memory element, especially the upper side thereof, and a memory can be reduced in size, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

記憶素子と電気的に接続されたビット線の周囲、特にその上面に磁力線集中のためのクラッド構造を容易かつ精度良く形成でき、メモリ部のサイズの縮小も可能な磁気記憶装置と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory managing device and a memory managing method that can compatibly have both sufficient resistance to power supply trouble to protect, even in the event of a power cut-off during data writing, already written data from unrecoverable destruction and high speed of data writing.例文帳に追加

データの書込み中に電源遮断が生じた場合でも、既に書込み済のデータが修復できなくなるまで破壊されることのない電源障害耐性と、データ書込みの高速性とを両立可能な「メモリ管理装置およびメモリ管理方法」を提供する。 - 特許庁

In the method for recording the optical dick, when the remaining amount of data stored in a buffer memory is not sufficient (step S101) and when the data transfer from a PC (personal computer) is completed, the recording operation ends, after recording all of the data in the buffer memory (step S104).例文帳に追加

光ディスク記録方法においては、バッファメモリに蓄積されたデータの残量が十分でない場合（ステップＳ１０１）であって、ＰＣからのデータ転送が完了している場合は、バッファメモリのデータを全て記録してから（ステップＳ１０４）、記録動作を終了する。 - 特許庁

To provide a printing apparatus and method of saving memory space, which secures a memory space by counting the number of printed objects included in content and deletes the corresponding objects if they are no longer used.例文帳に追加

本発明は、コンテンツに含まれた所定オブジェクトが印刷される回数をカウントしてこれ以上該オブジェクトが使われない場合、該オブジェクトを削除してさらに多くのメモリ空間を確保することができるメモリ節約のための印刷装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which output control of data and synchronizing operation of a notification signal indicating whether a state is in a suspend-state or not can be performed based on an output control signal performing a suspend-function in continuous read-out of data, and to provide a control method for the semiconductor memory.例文帳に追加

データの連続読み出し時にサスペンド機能を行う出力制御信号に基づき、データの出力制御と共にサスペンド状態か否かの通知信号を同期動作させることができる半導体記憶装置及びその制御方法を提供すること - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and an information storage method which can store in nonvolatile manner both fixed information necessary to be stored permanently and semi-fixed information to be stored trough ex post determination in the same memory region.例文帳に追加

永続的に保持する必要がある固定情報と、事後的に決定し格納する半固定情報とを、同一のメモリ領域に不揮発的に格納することが可能な不揮発性半導体記憶装置及び情報の格納方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This font managing method is provided with a memory for loading when the font data are used, an external storage capable of storing all included front data and a table for respectively managing the using states of the font data and the memory and controls font switching so as to be minimum.例文帳に追加

フォントデータを使用する時にロードするメモリと、内蔵するフォントデータを全て格納できる外部記憶と、フォントデータとメモリの使用状態をそれぞれ管理するテーブルを設けフォントの入れ替えを最小限にするように制御するフォント管理方法とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which uses a carbon-based material for a variable resistance film and can be stably operated by stabilizing characteristics at an interface between a carbon film and an electrode and thus stabilizing a variable resistance characteristic, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

炭素系材料を抵抗変化膜に用いた不揮発性メモリ素子において、炭素膜と電極界面の特性を安定化させ、ひいては抵抗変化特性を安定して動作させうる不揮発性メモリ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

In an image processing device, an input digital image signal is speed-converted by a line memory, scale factor conversion control data loaded in the memory by designation of the scale factor is read, and re-sampling data is corrected by a tertiary function convolution method to realize a conversion of the scale factor.例文帳に追加

入力されたデジタル画像信号をラインメモリで速度変換し、倍率の指定によるメモリにロードしている倍率変換制御データをリードされ、リサンプリングするデータを３次関数コンボリューション法で補正し、倍率の変換を実現する画像処理装置である。 - 特許庁

To provide a control method for a refuse collecting truck capable of easily changing an operation program without requiring the work for writing the operation program in a new memory and the memory exchanging work and a mechanical switch, and capable of realizing a low-priced refuse collecting truck having excellent flexibility.例文帳に追加

新規のメモリへの動作プログラムの書き込み及びメモリの交換作業や、機械的スイッチを要することなく、動作プログラムを簡単に変更でき、安価で融通性に優れた塵芥収集車を実現できる塵芥収集車の制御方法を提供する。 - 特許庁

A self-aligning method is provided for forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells in a semiconductor substrate having a plurality of spaced apart insulating regions and active regions on the substrate substantially parallel to one another in the column direction, and an apparatus is formed thereby.例文帳に追加

縦方向に互いに概ね平行している基板上に離間した複数の絶縁領域及び活性領域を有する半導体基板にフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより形成される装置。 - 特許庁

To provide a data transfer controller which enables data to be efficiently transferred between a data storage means and a buffer memory when transferring data between an input/output device and the data storage means through the buffer memory, and a data transfer control method.例文帳に追加

バッファメモリを介して入出力デバイスとデータ記憶手段との間でデータ転送を行う場合に、データ記憶手段とバッファメモリとの間で効率良くデータを転送することができるデータ転送制御装置及びデータ転送制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which prevents characteristics of a ferroelectric film from being deteriorated when hydrogen enters the ferroelectric film through an interface between a hydrogen barrier film and an upper electrode, e.g., upon filling of a plug conductor into a contact hole, and also a method of manufacturing the ferroelectric memory device.例文帳に追加

コンタクトホールへのプラグ導電部の埋設時などに、水素バリア膜と上部電極との界面を通って水素が侵入し、強誘電体膜が特性劣化してしまうのを防止した、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a more compact and inexpensive geomagnetism sensor by reducing the scale of an entire memory, without requiring special processes for manufacturing chips by incorporating a fuse memory and storing offset values, or the like, and to provide a method for correcting the geomagnetism sensor.例文帳に追加

ヒューズメモリを内蔵してオフセット値等を格納することによりチップを製造するのに特殊なプロセスを必要とすることなく、メモリ全体のシステムの小規模化を図り、もっと小型で低価格な地磁気センサおよび地磁気センサの補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of semiconductor deice and its manufacturing method capable of suppressing defective contacting to a source/drain region of a memory cell transistor, without causing fluctuation in characteristics of a peripheral element, related to a logic semiconductor device mounted with a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを混載したロジック半導体装置に関し、周辺素子の特性変動等を生じることなく、メモリセルトランジスタのソース／ドレイン領域へのコンタクト不良を抑制する半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of: maintaining memory correctness information of the user data at a subunit level; selecting subunits of user data for transfer in dependence upon memory correctness information of each subunit; and selectively transferring the subunits so selected.例文帳に追加

当該方法は、サブユニットレベルでユーザデータのメモリの正確性の情報を保持するステップ、それぞれのサブユニットのメモリの正確性の情報に依存して、転送のためにユーザデータのサブユニットを選択するステップ、及び選択されたサブユニットを選択的に転送するステップを含む。 - 特許庁

In one embodiment, a method is provided including steps of storing a buffer flag busy indicator data value within a first cacheable memory location and setting a load/store operation reservation on the first cacheable memory location via the store and reserve instructions.例文帳に追加

ある実施形態においては、第１のキャッシュ可能メモリ・ロケーション内にバッファ・フラグ・ビジー標識データ値を格納するステップと、ストア及び予約命令を介して、第１のキャッシュ可能メモリ・ロケーション上にロード／ストア・オペレーション予約を設定するステップを含む方法が提供される。 - 特許庁

To provide: an ID chip, not requiring a dedicated circuit for generating authentication data, and capable of mounting non-duplicative inherent identification information on a semiconductor memory in advance by using a SRAM memory cell structure intact and of improving security; and a generation method of the ID chip.例文帳に追加

認証データ生成用の専用回路が不要で、ＳＲＡＭのメモリセル構造をそのまま用いて、複製不可能な固有の識別情報を半導体メモリに予め搭載でき、セキュリティの向上を図れるＩＤチップおよびその生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element to reduce a capacitance of a parasitic capacitor formed between the neighboring bit lines for enabling an operation speed of semiconductor memory device to be improved and to suppress a generation of a void in a contact plug, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

互いに隣接するビットライン間に形成される寄生キャパシタの容量を減少させてフラッシュメモリ素子の動作速度を改善すると共にコンタクトプラグにボイドが発生する現象を改善する半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor which can share control signals and a control method of controlling an interface for image data between an encoding and encoding part and an image memory and an interface for code data between the encoding and decoding part and a memory control part irrelevantly to a compression/expansion technique.例文帳に追加

符号復号部と画像メモリ間の画像データのインターフェースや、符号復号部とメモリ制御部間の符号データのインターフェースを制御する制御信号及び制御方法を、圧縮伸張技術にかかわらず、共通化できる画像処理装置を提供する。 - 特許庁