「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(223ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a floating gate of a flash-memory device capable of perfectly eliminating the influence on a moat and EFH, simplifying the manufacturing process, and solving the wafer stress by a nitride film, to effectively enhance the coupling ratio of the flash-memory device.例文帳に追加

モウト及びEFHに対する効果を完全に除去するうえ、工程の単純化及び窒化膜によるウェーハストレスを解決し、フラッシュメモリ素子のカップリング比を効果的に向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory structure comprising an antifuse material and a forming method for the antifuse materials which can reduce electric short circuits in an antifuse structure and shorten the time and processes needed to manufacture the memory structure.例文帳に追加

アンチヒューズ構造内の電気的短絡の発生を低減し、かつメモリ構造を製造するのにかかる時間および処理を短縮することができる、アンチヒューズ材料を含むメモリ構造およびアンチヒューズ材料の形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a device which calculates the sum of absolute differences for a plurality of reference pictures in parallel by the first memory access to a target picture and is an arithmetic unit capable of reducing a memory size by reducing the number of memories, and to provide its method.例文帳に追加

対象ピクチャへの１度のメモリアクセスで複数の参照ピクチャに対する差分絶対値和演算を並列に行なう装置であって、メモリ数を削減し、メモリ量を減少させることが可能な演算装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming the nonvolatile memory in a memory region Rm on a silicon substrate 1, wherein a selection gate electrode CG is formed on the principal surface of the silicon substrate 1 and a dummy gate DG adjoining one sidewall surface is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域Ｒｍに不揮発性メモリを形成する工程であって、シリコン基板１の主面に選択ゲート電極ＣＧを形成し、いずれか一方の側壁面に隣り合うダミーゲートＤＧを形成する。 - 特許庁

A method for meeting requirements for performance of a microprocessor having a plurality of resources, which is executed in a computer having a processor and a memory, includes steps of reading pre-executable code into the memory, and building machine code from the pre-executable code.例文帳に追加

プロセッサとメモリとを有するコンピュータにおいて実行される、複数のリソースを有するマイクロプロセッサの性能に対する要件を満たすための方法は、実行前コードをメモリに読み出すステップと、実行前コードからマシン・コードを構築するステップとを含む。 - 特許庁

In the semiconductor circuit device and its inspection method, an analog memory is packaged in a power output of the liquid crystal driving LSI, a liquid crystal driving voltage is accumulated in the memory and the data are successively transmitted by an analog shift circuit, thereby remarkably reducing the inspection time.例文帳に追加

液晶駆動ＬＳＩの電力出力にアナログメモリを搭載し、液晶駆動電圧をメモリに蓄え、そのデーターを順じアナログシフト回路で伝送し、検査時間を大幅に削減した半導体回路装置及び検査方法である。 - 特許庁

To provide a method for reading dual bit memory cells and a y- decoder system configured for reading two sides by using a multi-reference cell by reading two sides especially in reading of dual bit memory cells.例文帳に追加

本発明の課題は、デュアルビット・メモリセルの読み取りに関し、特に、２サイドの読み取りによってマルチリファレンスセルを使用してデュアルビット・メモリセルを読み取る方法及び２サイド読取用に構成されたｙ−デコーダ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Also, the yield can be improved by testing by using optimum stress applying voltage and discrimination voltage in accordance with internal generation voltage characteristics in a test method of a nonvolatile semiconductor memory in which the gate voltage of a memory cell is generated internally in read-out.例文帳に追加

また、読み出し時にメモリセルのゲート電圧が内部生成される不揮発半導体記憶装置の検査方法においては内部生成電圧特性に応じた最適なストレス印加電圧と判定電圧で検査することで歩留り向上が図れる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory with which a ferroelectric memory composed of a highly-oriented PZT (a perovskite- type ferroelectric) thin film can be formed on a (111) plane by low-temperature firing, and damage on the transistors or the like formed in the same substrate can be avoided.例文帳に追加

（１１１）面に高配向したＰＺＴ薄膜からなる強誘電体メモリを低温焼成で形成することができ、他の同一基板に作り込まれるトランジスタ等へのダメージを回避した強誘電体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide facsimile equipment with which the read of an image photographed by a digital still video camera from a card memory can be operated with a simple method while using the attachable and detachable card memory, data can be confirmed on a display part and these data can be printed or transmitted to a telephone line.例文帳に追加

脱着式のカードメモリを用いてデジタルスチルビデオカメラで撮影した画像をカードメモリから読み出しを簡易な方法で操作、データを表示部で確認ができ、それを印字または電話回線に送信することを特徴とするファクシミリ装置。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such as a NOR type flash memory and the like which can suppress a depletion of a control gate electrode between floating gate electrodes drastically and contains a multi-value type in which a read error is difficult to occur, and its manufacturing method.例文帳に追加

浮遊ゲート電極間の制御ゲート電極の空乏化を大幅に抑制できて、読み出しエラーが起こりにくい多値型を含むＮＯＲ型のフラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing method and an image processing apparatus with excellent operability for recording video signals of a plurality of images once to a memory and applying a prescribed operation to the contents of the memory.例文帳に追加

ビデオ信号を複数画面分一旦メモリに記録しておき、このメモリの内容に対して所定の操作を加えることにより、映像ウィンドウシステムの応用分野を広げ、かつ、より良い操作性を有する画像処理方法及び画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device in which a leak path can be formed in a metal oxide without applying a high voltage when the nonvolatile memory device having a variable-resistance element made of the metal oxide is manufactured.例文帳に追加

金属酸化物からなる抵抗変化素子を有する不揮発性記憶装置を製造する際に、高い電圧を印加することなく金属酸化物中にリークパスを形成することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for retrieving image, by which the date information of a plurality of photographed image data are automatically recorded in the memory of a memory cassette and displayed in a list and the desired image data can be searched and displayed by selecting the date information of the data from the displayed date information list.例文帳に追加

撮影された複数の画像データの日付情報をメモリカセットのメモリへ自動的に記録し、その日付情報が一覧表示され、さらに一覧表示された日付情報を選択することで所望の画像データはサーチ後、再生される。 - 特許庁

When memory access control is based on control of a change with respect to an address conversion map (or a set of maps), it is sometimes necessary to determine whether or not an access to a memory is made possible in an impermissible method.例文帳に追加

メモリアクセス制御が、アドレス変換マップ（またはマップのセット）に対する変更を制御することに基づくとき、特定のマップ変更のせいで、許可されない方法でメモリにアクセスできるようになるかどうかを判定することが必要な場合がある。 - 特許庁

To provide a method for using memory of a signal delay device, where a signal delay buffer can be realized by using idle areas dotted in a memory space and number of components of an AV device or an audio device is decreased so as to reduce product cost.例文帳に追加

メモリ空間内に散在する空き領域を使用して信号遅延バッファを実現することができて、ＡＶ機器又はオーディオ機器の部品数を削減し、製品コストを低減できる信号遅延装置のメモリ使用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for combining multilevel memory cells, by which capacity for storing data of a storage medium can be increased, the accuracy of data to be accessed is secured and the storage space of the storage medium can be fully utilized and for providing combination of the multilevel memory cells with an error correction mechanism.例文帳に追加

記憶媒体のデータを保存する容量を増加し、アクセスするデータの正確性を確保し、記憶媒体の保存空間を十分に利用できる、マルチレベルメモリセルを組み合わせ、且つこれにエラー訂正メカニズムを具えさせる方法を提供する。 - 特許庁

A method of reading a flash memory device divides a plurality of page buffers connected to a memory cell array through a lot of bit lines into at least two groups, sequentially shifts a point in time to drive the page buffers on a group unit and reads the storage status of each cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の読出し方法は、多数のビットラインを介してメモリセルアレイに連結された複数のページバッファを少なくとも２つのグループに分割し、ページバッファをグループ単位で順次時点をずらして駆動し、各セルの記憶状態を読み出す。 - 特許庁

To provide a memory device capable of increasing the degree of freedom in memory access that necessary data can be extracted by one access and so on even when an address which is not aligned to data width is an address to be accessed, a method for controlling memories and an information processor.例文帳に追加

データ幅に対してアライメントの合わないアドレスがアクセスの対象となった場合でも、１回のアクセスで必要なデータが取り出せる等、データアクセスの自由度が増すメモリ装置・制御方法及び情報処理装置を提供すること。 - 特許庁

A method for reading in an MRAM device includes partially switching magnetic moments in a reference memory cell to generate a reference current; measuring a read current through a memory cell to be read; and comparing the read current with the reference current.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide an encoding block detection method that can attain low power consumption by decreasing the number of data transfer times from an external memory to an internal memory in the case of detecting a motion vector for motion compensation to apply compression coding to a moving picture.例文帳に追加

動画像圧縮符号化のための動き補償において、動きベクトルを検出する際の外部メモリから内部メモリへのデータ転送回数を減らすことにより低消費電力化を図れるようにする符号化ブロック検出方法を提供する。 - 特許庁

In this information management method, each of the memory cards has recorded therein identification information for specifying the memory card, and has recorded therein allocation information (FAT) indicating which portion of the digital AV information is positioned in which part.例文帳に追加

この情報管理方法では、メモリカード各々にそのメモリカードを特定する識別情報が記録され、かつメモリカード各々に前記デジタルＡＶ情報のどの部分が何処に配置されているかを示すアロケーション情報（ＦＡＴ）が記録される。 - 特許庁

To provide a method for forming a nonvolatile memory element during an wiring process for facilitating high integration by lamination and change of design when a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film is fabricated in a semiconductor integrated circuit, and a method for fabricating a nonvolatile memory element by a low temperature process without causing any thermal damage in the wiring process.例文帳に追加

半導体集積回路へ、ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する不揮発性記憶素子を作りこむ際に、積層化による高集積化と設計変更を容易にする配線工程中において不揮発性記憶素子を形成する方法と、配線工程で熱的ダメージを与えることのない低温プロセスで形成可能な不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The data writing method for writing the data into a memory cell of the nonvolatile semiconductor storage device, and in this method, an external power source voltage to be used for an operation of a plurality of peripheral circuit sections is applied as a drain voltage when writing to the memory cell without being subjected to voltage conversion.例文帳に追加

本発明の一形態のデータ書き込み方法は、不揮発性半導体記憶装置のメモリセルにデータを書き込むためのデータ書き込み方法であり、複数の周辺回路部の動作に使用される外部電源電圧を、電圧変換すること無しに前記メモリセルへの書き込み時のドレイン電圧として印加する。 - 特許庁

A fractal image unfreezing device 12, when supplied with information on the address and enlargement/reduction rate of a rendering surface to be mapped from a host device 4 unfreezes the data stored in the fractal data memory 13 on a texture memory 11, by a method which is based upon the fractal freezing method and sends the unfrozen data to the host device 4.例文帳に追加

フラクタル画像解凍装置１２は、ホスト装置４からマッピングするレンダリング面のアドレスや拡大縮小率の情報が供給された場合、フラクタルデータメモリ１３に記憶されているデータをテキスチャメモリ１１上にフラクタル圧縮法に基づいた方法で解凍し、その解凍されたデータをホスト装置４に返す。 - 特許庁

To minimize a memory in a rationality check method differently from a conventional method requiring an enormous memory amount caused by necessity for the same number of controlling registers as receiving register areas for checking consistency of data by combination of associated data in a programmable controller.例文帳に追加

プログラマブルコントローラ内で関連データとの組み合わせによりデータの整合性をチェックするには、従来方法では受信用のレジスタ領域と制御用のレジスタが同数必要となってくるためメモリー量が膨大になったのを、本発明の合理性チェック方法によればメモリーを最小化することができる。 - 特許庁

To provide a sound image localizing device where a FIR filter with many taps regardless of a small capacity of a coefficient memory is configured and a rewrite time of the coefficient memory is reduced in the case of sound localization processing, a processing method for the FIR filter coefficients where localization with excellent tracking performance is realized and an arithmetic method of the FIR filter.例文帳に追加

音像定位処理の際、少ない係数メモリで多くのタップ数を有するＦＩＲフィルタを構成でき、係数メモリの書き換え時間を短縮できる音像定位装置と追随性のよい定位が実現できるＦＩＲフィルタ係数の処理方法及びＦＩＲフィルタの演算方法を提供する。 - 特許庁

An image pickup device 101 performs an image display by recording a script on a memory card 110 by the camera, the script including a searching method of searching the image photographed in a designated region on the map and a display method of displaying a photographing position on the searched image on the map, and executing the script recorded on the memory card 110 by a display device 111.例文帳に追加

地図上の指定範囲で撮影された画像を検索する検索方法、及び検索された画像や地図上での撮影位置を表示する表示方法、を含むスクリプトをカメラがメモリーカードに記録し、表示装置がメモリーカードに記録されたスクリプトを実行することで画像の表示を行う。 - 特許庁

The image forming part receiving the notice solves the problem by a method of starting the formation of next bit map data in a state that a space is formed in the memory by deleting the bit map data, and a method of trying printing again by using the image data stored in the memory of the image printing part in the event of a failure of printing at the image printing part.例文帳に追加

通知を受け取った画像作成部は、ビットマップデータを削除して、メモリに余裕が出た状態で次のビットマップデータの作成を開始する方法と、画像印刷部での印刷失敗の際には、画像印刷部のメモリ内に保存してある画像データを用いて再度の印刷を試みる方法で課題を解決した。 - 特許庁

To provide semiconductor memory elements which can reduce the test time by making a DRAM core test by a parallel input/output interface method and support various input/output information transmission rates in the multi-port memory elements communicating information with external devices by a serial input/output interface method when operating normally.例文帳に追加

正常動作時に直列入／出力インタフェース方式で外部装置と情報通信を行うマルチポートメモリ素子において、並列入／出力インタフェース方式でＤＲＡＭコアテストを実行することによってテスト時間を減少させ、且つ、様々な入／出力情報伝送処理率を支援する半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a data-checking method which can identify data stored in a memory or the like irrespective of whether an address in which a checksum is stored is known even if the data-checking method checks stored data based on whether the total value of data stored in the memory and checksum is a prescribed value.例文帳に追加

メモリ等に記憶されたデータとチェックサムとの総和値が所定値となるか否かで前記記憶されたデータを検査するデータ検査方式であっても，前記チェックサムの記憶されたアドレスが既知であるか否かにかかわらず前記記憶されたデータを識別することを可能としたデータ検査方式を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention film which can effectively suppress the permeation of hydrogen and which is superior in a hydrogen barrier property, to provide a method of manufacturing the diffusion preventive film, to provide a semiconductor memory element which is equipped with a capacitor comprising a stable ferreoelectric characteristic or a high dielectric characteristic and whose yield is satisfactory, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory element.例文帳に追加

水素の透過を効果的に抑制でき、水素バリア性の優れた拡散防止膜およびその製造方法を提供すると共に、安定した強誘電体特性または高誘電体特性を有するキャパシタを備えた歩留まりのよい半導体記憶素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device as well as a manufacturing method thereof where a solution method such as sol-gel MOD method and the like is used for forming a ferroelectric film to constitute a micro solid capacitor, for easy formation of a high-density memory.例文帳に追加

強誘電体膜形成にゾルゲル、ＭＯＤ法などの溶液法を用いて微細立体形状キャパシタを構成し、高密度メモリの形成を容易にした半導体装置の製造方法及びこの方法で形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a rasterization image processing method capable of correcting the positional shift of an image in image formation processing with a small memory capacity in a short time, an image processing method, an information preparing method, a rasterization unit and an image formation device.例文帳に追加

少ない記憶容量かつ短時間で画像形成処理における画像の位置ずれを補正可能なラスター化画像処理方法、画像処理方法、情報作成方法、ラスター化装置および画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device, especially a method of manufacturing a three-dimensional semiconductor device capable of improving uniformity of a thickness of a semiconductor pattern, and to provide the three-dimensional semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

不揮発性メモリー装置の製造方法であって、特に半導体パターン厚さの均一性が向上される３次元半導体装置の製造方法、及び当該製造方法によって製造された３次元半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the memory area in size necessary for calculation in an arithmetic unit and a method used for an Euclidean mutual division algorithm operation device, an operation method, etc., used for an enciphering/deciphering device, a method thereof, etc.例文帳に追加

暗号復号の装置及び方法等に用いられるユークリッド互除アルゴリズムの演算装置及び演算方法等に用いられる演算装置及び演算方法に関して、演算に必要な記憶領域のサイズの削減を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a TMR element in which a high quality TRM film including a barrier layer having a high MR ratio and little pin hole can be obtained stably, and to provide a method for manufacturing a thin film magnetic head and a method for fabricating a magnetic memory.例文帳に追加

高いＭＲ比を有すると共にピンホールの少ないバリア層を有する高品質のＴＭＲ膜を安定して得ることができるＴＭＲ素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for designing a semiconductor memory device includes a first step of designing a first semiconductor memory device including a first number of cell array blocks, and a second step of designing a second semiconductor memory device including a second number of cell array blocks smaller than the first number by reducing a predetermined number of cell array block of the first number of the cell array block.例文帳に追加

半導体記憶装置の設計方法は、第１の数のセルアレイブロックを含む第１の半導体記憶装置を設計する第１の段階と、第１の数のセルアレイブロックのうちの所定数のセルアレイブロックを削除することで第１の数より少ない第２の数のセルアレイブロックを含む第２の半導体記憶装置を設計する第２の段階を含む。 - 特許庁

This system and method for storing memory card using states information in the memory cards comprises a component 10 for storing the information on the using states, a component 20 for recording the information on the using states in the region of the memory card, and a component 30 for accessing to the information on the using states.例文帳に追加

使用状況についての情報を収集する構成要素１０と、該使用状況についての情報をメモリカードの領域に記録する構成要素２０と、該使用状況についての情報にアクセスする構成要素３０とを含んでなる、メモリカード使用状況情報をメモリカードに格納するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory data destructive/nondestructive determination method that can precisely determine whether or not the data stored in the backup area (memory area that retention of stored data using an auxiliary power source is required while the power distribution is stopped) of a volatile memory device are destroyed due to the power distribution stop.例文帳に追加

揮発性の記憶装置のバックアップ領域（通電が停止している間は、記憶されているデータが補助電源により保持されることが要求される記憶領域）に記憶されているデータが通電の停止により破壊されたか否かを精度良く判定することができるようにした記憶データ破壊／非破壊判定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data processor and method for testing stability of a cell using a reliable, effective and practical (in connection with test time period) mechanism for detecting a defective memory cell that may malfunction in normal use due to unstableness of the cell caused by a hysteresis effect in a body region of transistors configuring the memory cell in a memory device.例文帳に追加

メモリ・デバイス内のメモリ・セルを構成するトランジスタのボディ領域の履歴効果が引き起こすセルの不安定性により通常の使用中に誤動作するかもしれない欠陥メモリ・セルの検出のための信頼できる効果的で現実的な（テスト時間に関して）メカニズムを用いて、セルの安定性をテストするデータ処理装置と方法を提供すること。 - 特許庁

In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF.例文帳に追加

スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域４０とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２に分離されたメモリセルアレイ５０を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号ＲＥＦに応じてフレームバッファ領域４０を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２のメモリセルアレイをリフレッシュする。 - 特許庁

To provide a memory controller, a flash memory system therewith, and a method for controlling the flash memory whereby when a block with new data (rewritten data) written therein and another block with old data (data yet to be rewritten) written therein coexist, a determination can be made as to which of the blocks has the newest data (valid data) written therein.例文帳に追加

新たなデータ（書替後のデータ）が書込まれているブロックと、古いデータ（書替前のデータ）が書込まれているブロックが並存した場合に、いずれのブロックに書込まれているデータが最新のデータ（有効なデータ）であるかを判断できるようにしたメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

In a backup method for storing backup data temporarily stored in a volatile memory in a flash memory by using the establishment of a prescribed condition as a trigger, an erased area is always secured in a storage area of the flash memory, and when storing the backup data, the backup data are written in the erased area sequentially from the top address of the erased area.例文帳に追加

揮発性メモリに一時的に記憶したバックアップデータを、所定条件の成立をトリガとしてフラッシュメモリに記憶するバックアップ方法であって、前記フラッシュメモリの記憶領域において常に消去済み領域を確保しておき、前記バックアップデータを記憶する際には前記消去済み領域の先頭アドレスから順番にバックアップデータの書込みを行う。 - 特許庁