| 意味 | 例文 |
memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14054件
To provide a method for manufacturing a flash memory cell by which retention characteristics are improved and threshold voltage adjusting ions are prevented from moving.例文帳に追加
リテンション特性を向上させ且つしきい値電圧調節イオンの移動を防止することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a new method for fixing the end part of a micro coil spring of 1 mm or less coil external diameter particularly a shape memory alloy-made coil spring.例文帳に追加
コイル外径が1mm以下のマイクロコイルばね、特に形状記憶合金製のコイルばねの端部を固定するための新規な方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and a method of manufac turing the same in which the surface of a capacitor electrode is made coarse regardless of a material for a lower electrode.例文帳に追加
下部電極の材料によらず、キャパシタ電極の表面を粗面化することが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory in which the degree of freedom of setting storage capacity is enhanced in a bank performing parallel processing of data and its control method.例文帳に追加
データの並列処理を行うバンクについて記憶容量の設定の自由度が高められた半導体記憶装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁
DIGITAL CAMERA HAVING NONVOLATILE MEMORY FOR STORING INTERMEDIATE DATA RELATIVE TO IMAGE PROCESSING AND METHOD FOR TEMPORARILY STOPPING AND RESTARTING IMAGE PROCESSING例文帳に追加
画像処理に関連する中間データを格納するための不揮発性メモリを有するデジタルカメラおよび画像処理を一時停止および再開するための方法 - 特許庁
To provide an image retrieving device, its method and a computer readable memory capable of executing image retrieval while surely securing document image data.例文帳に追加
文書画像データに対するセキュリティを確実にした画像検索を実行することができる画像検索装置及びその方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁
To consequentially improve latency for memory access and execution performance for programs effectively using general registers in multithreading method or the like.例文帳に追加
マルチスレッド方式などにおいて、汎用レジスタを有効に使用して、結果的にメモリアクセスのレイテンシを向上させて、プログラムの実行性能を向上させることにある。 - 特許庁
The zoom image can be re-configured by changing a read method of an image from a sensor depending on each mode in this way without the need for a frame memory and a pixel interpolation circuit.例文帳に追加
このように、フレームメモリ及び画素補間回路を必要とせず、センサからの読み出し方式を各モードごとに変える事でズーム画像を再構成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device capable of excellently controlling crystal orientation of each layer constituting a ferroelectric capacitor.例文帳に追加
強誘電体キャパシタを構成する各層の結晶配向を良好に制御することができる強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an encryption processing device and method capable of faster accessing a memory by using dedicated hardware for performing encryption or decryption processing.例文帳に追加
暗号化又は復号化の処理を行う専用のハードウェアを用いて、より高速にメモリにアクセスできる暗号処理装置、暗号処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data processing apparatus and method for preloading data to cache lines of a cache memory, and controlling a cache maintenance operation for reusing cache lines.例文帳に追加
データをキャッシュメモリのキャッシュラインにプレロードし、キャッシュラインを再利用するためのキャッシュ維持動作を制御するためのデータ処理装置および方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device with a two-terminal structure, improving an ON/OFF ratio and manufacturable by a low temperature process.例文帳に追加
ON/OFF比の向上を図り、さらに低温プロセスでの製造を可能にした2端子構造の半導体メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent generation of voids in formation of an element isolation film or in formation of an interlayer dielectric.例文帳に追加
素子分離膜の形成時または層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止することができるフラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a phase change non-volatile memory device which stably operates at high speed, and also is of a low electric power consumption type, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
高速で安定的に動作すると同時に、低消費電力型である相変化形不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for preventing that a data retention time of configuration data stored in a phase transition resistive memory is shortened by high temperature in the rear process.例文帳に追加
相変化抵抗メモリに記憶されるコンフィギュレーションデータのデータ保持時間が、後工程における高温により短縮するのを防ぐための方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device and the manufacturing method of the same, which is high in reliability with respect to the number of rewritings.例文帳に追加
書換え回数に対する信頼性が高い不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory device in which the time and power con sumption in cell erasing operation can be reduced and a method for erasing the same.例文帳に追加
セルの消去動作における時間及び電力の消費を減少させることが可能なフラッシュメモリ素子及びその消去方法を提供すること。 - 特許庁
To provide image-processing equipment and an image-processing method which can shorten a processing time, and reduce a memory by simplified color acquisition determination.例文帳に追加
簡素化された色実現可否判定によって処理時間の短縮やメモリの低減を可能とする画像処理装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data synthesizing device and method for synthesizing compressed data only by using a less working memory.例文帳に追加
僅かな量のワーキングメモリを使用するだけで、圧縮されたデータ同士の合成処理を可能とする、データ合成装置及びデータ合成方法を提供する。 - 特許庁
SYSTEM AND SERVER FOR CONTROLLING EXPENDABLE PRINTER ITEM, PRINTING TERMINAL, METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING EXPENDABLE PRINTER ITEM, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
プリンタ消耗品の管理システム及びプリンタ消耗品の管理サーバ及びプリント端末及びプリンタ消耗品の管理方法及びプログラム及び記憶媒体 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor nonvolatile memory, using self aligned shallow trench isolation cell(SA-STI) suited to high integration by improving the quality thereof.例文帳に追加
品質を向上して、高集積化に適したSA−STIセルを用いた半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
By a method for programming the flash memory device, program voltage is supplied to the selected word line in a state in which a channel region of the string is made floating.例文帳に追加
本発明のプログラム方法によれば、前記ストリングのチャンネル領域がフローティングされた状態で、選択されたワードラインにプログラム電圧が供給される。 - 特許庁
To provide an information recording method of a hologram memory medium for easily controlling a recording or reproducing optical system while increasing a recording capacity.例文帳に追加
記録容量を高めつつ、簡易に、記録あるいは再生光学系の制御が可能なホログラムメモリ媒体の情報記録方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a recording apparatus and a recording method capable of recording automatically inserted chapters to a memory with a small capacity at a low cost with a recording format capable of high speed data searching.例文帳に追加
高速データサーチが可能な記録フォーマットで、オートチャプタ挿入を、少ないメモリでローコストに記録可能な記録装置、記録方法を提供する。 - 特許庁
To provide a program method of nonvolatile memory device, which can solve under program problems by preventing the drop of a verify voltage in the program verify operation.例文帳に追加
プログラム検証動作において検証電圧の降下を防止し、アンダープログラム問題を解決する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a recording operation control method and a digital recording device which enable improved video recording and memory space saving in the recording device.例文帳に追加
向上されたビデオ記録の作成を可能にし、記録装置のメモリ空間も節約する記録動作制御方法とデジタル記録装置を提供する。 - 特許庁
To provide a memory system in which write operation speed of data can be increased even when capacity coupling between bit lines is large and a method for writing data.例文帳に追加
ビット線間の容量カップリングが大きい場合でも、データの書き込み動作の高速が図れるメモリシステム及びそのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data recording/reproducing device, a data recording/reproducing method and a program which can reduce device cost by reducing the memory size of a stream buffer.例文帳に追加
ストリームバッファのメモリサイズを削減し、装置のコスト低減が可能なデータ記録再生装置、データ記録再生方法及びプログラムを提供すること。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of preventing characteristic deterioration due to a hot carrier without any increase in parasitic resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
寄生抵抗の増大なく、ホットキャリアによる特性劣化を抑制できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a picture display method enabling reversible display with memory, a high contrast ratio, excellent repeat stability, and a fast response.例文帳に追加
可逆表示が可能でメモリー性を有し、表示のコントラスト比が高く、繰り返し安定性に優れ、応答速度の速い画像表示方法を提供すること - 特許庁
In the method of fabricating a flash memory device, an insulating layer 118 having an overhang shape is used to form an air-gap 122 within an oxide layer 120 between subsequent word lines 110a.例文帳に追加
オーバーハング形状を有する絶縁膜118を用いて後続のワードライン110a間の酸化膜120の内部にエアーギャップ(air-gap)122を形成する。 - 特許庁
The method also determines whether the data quantity of the buffer memory is sequentially less than a second predetermined quantity B_second during a period of read operation (S29).例文帳に追加
当該方法はまた、バッファ・メモリの記憶量が、読取り操作の期間中、第2の所定の量B_secondよりも連続的に小さいか否かを決定する(S29)。 - 特許庁
To alleviate such problems as color break, high subframe frequency and memory capacity increase of the conventional color sequential type display and to provide a method of realizing this display easily.例文帳に追加
従来カラーシーケンシャル型ディスプレイの課題であった、カラーブレイク、高サブフレーム周波数、使用メモリ増加を緩和し、実現容易な方法を提供する。 - 特許庁
To provide a floating-gate forming method for flash memory elements, whereby a space between floating gates can be minimized, using a comparably large design rule.例文帳に追加
比較的大きいデザインルールを用いてフローティングゲート間の間隔を最小化することができるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a storage node for a stacked capacitor having a barrier layer from a contact in a memory cell of a DRAM to a region of an element, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
DRAMメモリセル内のコンタクトから素子の領域に至るバリア層を有するスタックトキャパシタのストレージノード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a system and a method for data transfer which can support efficient memory access by enabling many kinds of plan addressing modes to be set.例文帳に追加
複数の多種案アドレシングモードを設定できるようにすることで、効率的なメモリアクセスをサポートできるようにしたデータ転送システム及び方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which can increase an operation margin by reducing characteristic variation of a variable resistance element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
可変抵抗素子の特性バラツキを低減することで、動作マージンを大きくすることが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a device and a method which perform target address designation and conversion in a non-uniform memory environment by using a target tag of user definition.例文帳に追加
ユーザ定義のターゲット・タグを用いて非均一メモリ環境内でターゲットのアドレス指定および変換を行う方法および装置を提供すること。 - 特許庁
A method for manufacturing the semiconductor memory device comprises a step of forming a silicon oxide film 4a for isolating a cell region from a peripheral region in a P-well 3 on a surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1表面のPウェル3の内部にセル領域と周辺領域とを分離するシリコン酸化膜4aを形成する。 - 特許庁
To provide a device which is equipped with a processor connected to a memory and realizes infrared(IR) signal transmission for generating a symbol sequence and its method.例文帳に追加
メモリに結合されたプロセッサを備える、シンボル・シーケンスを生成するための、赤外線(IR)信号伝送を実現する装置および方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and its manufacturing method such that even if a mask shift in position during a manufacturing stage, variation in transistor characteristic can be suppressed.例文帳に追加
製造工程においてマスクが位置ずれしてもトランジスタ特性のバラツキを抑制できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a substance film which can enhance an efficiency of vapor deposition of a noble metal film on a ferroelectric film, a method of manufacturing a ferroelectric film capacitor using the method, and a ferroelectric film capacitor formed by the method, and to provide a semiconductor memory device having the ferroelectric film capacitor and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
強誘電膜上で貴金属膜の蒸着率を向上させうる物質膜の形成方法、この方法を利用した強誘電膜キャパシタの製造方法及びこの方法で形成された強誘電膜キャパシタ、このような強誘電膜キャパシタを備える半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a file-managing method for a mobile terminal which can lessen a user's consciousness to the size of a file as much as possible and change a memory-using method corresponding to a user's liking.例文帳に追加
ファイルの大きさに対するユーザーの意識を極力少なくし、しかもユーザーの好みによりメモリの使用方法を変えることのできる移動体端末におけるファイルの管理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which uses non-volatile memory elements and is capable of optimizing its device characteristics and improving its manufacturing yield after a diffusion process is performed, and to provide a voltage transformation method and an inspection method.例文帳に追加
不揮発性メモリ素子を用い、拡散工程後にデバイス特性の最適化と歩留りの向上を実現することができる半導体装置、電圧変換方法および検査方法を提供する。 - 特許庁
To provide a programming method and a multilevel cell programming method of a nonvolatile memory device, which attain variable setting according to a programming state without fixing a program start voltage to a specific value.例文帳に追加
プログラム開始電圧を特定の値に固定させず、プログラムされる状態に応じて可変的に設定することが可能な不揮発性メモリ装置のプログラム方法およびマルチレベルセルプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a storage device, a storage method, and an accessing method for a storage device in which simultaneous access for a region of a plane type can be realized without requiring access of a plurality of times and a temporary memory.例文帳に追加
複数回のアクセスや一時的なメモリを必要とすることなく、面状の領域への同時アクセスを実現することが可能な記憶装置、記憶方法、および記憶装置のアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a ferroelectric capacitor capable of suppressing leakage current and preventing peeling of a ferroelectric film from an upper electrode, and to provide a manufacturing method for ferroelectric memory device.例文帳に追加
リーク電流を抑制するとともに、強誘電体膜と上部電極との間の剥離も防止した強誘電体キャパシタの製造方法、及び強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To rapidly perform computation of numerical solutions of simultaneous linear equations, by suppressing occurrence of paging in a virtual memory used for a solving method for the simultaneous linear equations using the modified Cholesky decomposition method.例文帳に追加
修正コレスキー分解法を用いた連立一次方程式の解法で使用される仮想記憶におけるページングの発生を抑制して、連立一次方程式の数値解の算出を高速に実行すること。 - 特許庁
To provide an actuator surely supporting and fixing a shape memory alloy wire on holding terminals, and to provide a driving module, a method of manufacturing the actuator, a method of manufacturing the driving module, and electronic equipment.例文帳に追加
形状記憶合金ワイヤを確実に保持端子に支持固定することができるアクチュエータ、駆動モジュール、アクチュエータの製造方法、駆動モジュールの製造方法および電子機器を提供する。 - 特許庁
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