「multiple layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A first aluminum oxide layer 12, a silver layer or silver alloy layer 13, a second aluminum oxide layer 14, a magnesium fluoride layer 15, a titanium oxide layer or tantalum oxide layer or multiple oxide layer 16 of titanium and lanthanum are laminated successively from the substrate side on at least one surface on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上の少なくとも一面に、第１の酸化アルミニウム層１２と、銀層または銀合金層１３と、第２の酸化アルミニウム層１４と、フッ化マグネシウム層１５と、チタン酸化物層またはタンタル酸化物層またはチタンとランタンとの複合酸化物層１６とを、基板側から順に積層する。 - 特許庁

The slot 1 is a multiple layer structure having at least two layers in radial direction, and in this case, the color band 5 is formed on the surface of lower pressing layer 3 in the inside of an outermost layer or on a variant form layer 4 of the outermost layer.例文帳に追加

スロット１は、少なくとも径方向に２層以上の多層構成とすることができ、このとき色帯５を、最外層の内側の下押層３の表面、あるいは最外層の異型層４に形成することができる。 - 特許庁

The grease layer 95 is set on the periphery of the multiple drag disks 80 to 84 and the disk member 85.例文帳に追加

グリース層９５は、複数のドラグディスク８０〜８４及びディスク部材８５の外周側に設けられている。 - 特許庁

A part of the crystal plane of the substrate is exposed by the multiple voids in the carbon nano-tube layer.例文帳に追加

前記基板の結晶面の一部が前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出される。 - 特許庁

The delocalized π-orbitals associated with the conjugated multiple bonds extend perpendicular to the layer.例文帳に追加

共役多重結合に関連する非局在化π−軌道は有機分子層に対して垂直に延在する。 - 特許庁

The cover layer is formed from a composition having multiple reactive and/or non-reactive ingredients.例文帳に追加

カバー層は複数の反応性および／または非反応性の成分を具備する組成物から製造される。 - 特許庁

The sacrificial layer is patterned so that those parts adjacent to the multiple structures on the substrate are not be exposed.例文帳に追加

基板で前記複数の構造物に隣接した部分を露出させるように犠牲層をパターニングする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETORESISTANCE SENSOR HAVING SPACER LAYER MANUFACTURED BY MULTIPLE DEPOSITION AND OXIDATION STEPS例文帳に追加

堆積と酸化の複数ステップにより製造されるスペーサ層を有する磁気抵抗センサの製造方法 - 特許庁

In a database IF layer 8002, on the other hand, common operations of multiple kinds of databases are interpreted and processed.例文帳に追加

また、データベースＩＦ層８００２で、複数種類のデータベースの共通の操作を解釈し、処理する。 - 特許庁

The InGaAsP strained quantum well active layer has: a multiple quantum well structure having an InGaAsP barrier layer 40 and an InGaAsP well layer 42 alternately laminated; and InGaAsP guide layers 44 and 46 between which the multiple quantum well structure is sandwiched.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

In this semiconductor element having a multiperiod layer wherein the first layer W and the second layer B having the band width wider than the first layer W, are laminated at multiple period, a δ-layer which is sufficiently thin when compared with the first layer W and the second layer B and quickly changes an energy band is provided on the boundary between the first layer W and the second layer B.例文帳に追加

第１層Ｗと第１層Ｗよりもバンド幅の広い第２層Ｂとを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、第１層Ｗと第２層Ｖとの境界に、第１層Ｗと第２層Ｂの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられている。 - 特許庁

This light is multiple-reflected between a reflection layer 2 of the element 100 and the layer 11 of the light converging/reflecting element 200.例文帳に追加

この光は、薄膜太陽電池素子１００の反射層２と集光反射素子２００の反射層１１との間で多重反射される。 - 特許庁

This packaging material is provided with a heat seal resin layer on one side of aluminum foil and a printing resin layer on the other side thereof and has the multiple micropores.例文帳に追加

アルミニウム箔の一方の側にヒートシール用樹脂層を、他方の側に印刷用樹脂層を有し、多数の微小孔を有する包装材。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

An upper insulation layer 450 is provided on the lower insulation layer 430 so that the multiple metal patterns 440 are partially exposed.例文帳に追加

この複数の金属パターン４４０の一部分が外部に露出されるように下部絶縁層４３０上に上部絶縁層４５０が備えられる。 - 特許庁

To provide a patterned perpendicular magnetic recording medium which has an exchange coupling composite recording structure of an FePt layer and a Co/X multiple layer.例文帳に追加

ＦｅＰｔ層およびＣｏ／Ｘ多重層の交換結合複合記録構造を有するパターン化垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A plurality of covers 37 of the multiple cover body 32 are disposed opposite an X-ray incident surface 29 of the scintillator layer 24 in a multiple manner, and the innermost cover 37 is directly in contact with the X-ray incident surface 29 of the scintillator layer 24.例文帳に追加

シンチレータ層24のＸ線入射面29に対向して多重カバー体32の複数のカバー37を多重に配置し、最も内側のカバー37をシンチレータ層24のＸ線入射面29に直接的に接触させる。 - 特許庁

This is the organic electroluminescent element in which an optical distance from the upper face of the translucent layer to the bottom face of the negative electrode layer is set as the least common multiple of an integral multiple of the half wavelength of the peak wavelength of each colored light.例文帳に追加

半透明層の上面から負極層の底面までの光学的距離は各色光のピーク波長の半波長の整数倍の最小公倍数に設定される有機電界発光素子である。 - 特許庁

When a head substrate is produced, the ink guides 22 of the multiple ink guide rows with the multiple ink guides projecting from the base and formed in a row and a sacrifice layer 40 are alternately laminated, and then the sacrifice layer 40 is removed.例文帳に追加

ヘッド基板を作製する際、複数のインクガイドが基部から突出し、一列状に形成された複数のインクガイド列のインクガイド２２と犠牲層４０とを交互に積層した後、犠牲層４０を除去する。 - 特許庁

A multiple-exposure lithographic process in which a developed resist pattern derived from a first exposure is present within a second resist layer that is exposed in a second exposure of the multiple-exposure lithographic process.例文帳に追加

第１の露光から得られる現像レジストパターンがマルチ露光リソグラフィ工程の第２の露光で露光される第２のレジスト層内に存在するマルチ露光リソグラフィ工程。 - 特許庁

A frame 2 and good pieces 3 to 6 cut out of a multiple piece board formed to the outermost layer by an ordinary manufacturing method of the multiple piece board are prepared.例文帳に追加

フレーム部２と，一般的な多ピース基板の製造方法により最外層まで形成した多ピース基板から切り抜いた良品のピース部３〜６とを用意する。 - 特許庁

The whole OSD layer is enlarged to a real-number multiple, but four corner areas where characters and graphics data are supposed to be placed are enlarged to an integral multiple.例文帳に追加

ＯＳＤレイヤ全体としては実数倍の拡大となるが、文字やグラフィックス・データが置かれていることが想定される４隅のエリアでは整数倍の拡大処理が行なわれる。 - 特許庁

A substrate for suspension comprises: an insulating layer 10; a springy material layer 11 which is provided on one surface of the insulating layer 10 and which has conductivity; and multiple wirings provided on the other surface of the insulating layer 10.例文帳に追加

サスペンション用基板は、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面に設けられ、導電性を有するバネ性材料層１１と、絶縁層１０の他方の面に設けられた複数の配線とを備えている。 - 特許庁

This connecting structure comprises the bioelectrode and a clamping clip, and the bioelectrode has a multiple-layered structure, a first insulating layer 41, a shielding layer 42, a second insulating layer 43, an electrode element layer 44 and an electrolyte 45 in descending order.例文帳に追加

生体電極と挟持クリップとで構成される接続構造であって、生体電極は、上から第１の絶縁層(41)、シールド層(42)、第２の絶縁層(43)、電極素子層（44）及び電解質(45)の複数層構成である。 - 特許庁

A hole transport layer HTL, a hole injection layer HIL, and an anode A are considered as a multi-layer film, respectively, and reflectance of total part is determined by a calculation equation by taking multiple reflection or the like into consideration.例文帳に追加

正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ、陽極Ａをそれぞれ多層膜とみなし、全体の反射率を多重反射等を考慮して演算式により求める。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a first light emitting layer 3 and a second light emitting layer 9 laminated on a substrate 1 to emit lights of different chromaticities so that the first layer 3 is formed in a multiple quantum well structure.例文帳に追加

基板１上に、異なる色度の光を発光する第１発光層３と第２発光層９とが積層され、第１発光層３は多重量子井戸構造を成している。 - 特許庁

A stripping layer 20 composed of WO_3 is formed on a glass substrate 10 by a vacuum deposition and an optical filter multiple layer 30 is formed on the stripping layer 20 by sputtering.例文帳に追加

真空蒸着によってガラス基板１０上にＷＯ_3 からなる剥離層２０を形成した後、剥離層２０の上にスパッタリングによって光学フィルタ多層膜３０を形成する。 - 特許庁

In this process, a double-fitting opening part with double-fitting copper structure is formed in a composite insulation layer, consisting of a silicon oxide layer and a multiple silicon nitride stop layer.例文帳に追加

本工程は、二重嵌入銅構造を備える二重嵌入開口部を酸化ケイ素層及び多重窒化ケイ素停止層で構成される複合絶縁層に形成する工程を提供する。 - 特許庁

The total optical length of a layer formed between the n-type DBR layer 12 and the i-InGaAs light absorption layer 16 is an integral multiple of a half of the wavelength λ of incident light.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２とｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６の間に形成されている層のトータルの光学長は、入射光の波長λの半分の整数倍である。 - 特許庁

A superlattice DBR layer 12 where a low refractive index layer 12a and a high refractive index layer 12b are alternately formed as multiple layers is provided on a low resistance substrate 11 of silicon.例文帳に追加

シリコンから成る低抵抗性基板１１の上に低屈折率層１２ａと高屈折率層１２ｂとを交互に複数層形成した超格子ＤＢＲ層１２を設ける。 - 特許庁

The multiple patterning circuit board 100 includes a buildup layer having a structure for which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated and also having a plurality of terminal pads to which an IC chip can be connected.例文帳に追加

多数個取り配線基板１００は、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有しかつＩＣチップが接続可能な複数の端子パッドを有するビルドアップ層を備える。 - 特許庁

This fiber consists of a thermoplastic resin composition prepared by using multiple layered structured polymer particles having a hard resin layer as (A) a thermoplastic polyester resin having ethylene terephthalate as a main recurring unit and (B) a polymer layer having ≥25°C glass transition temperature and a rubber layer such as a polybutadiene, etc., at its inside.例文帳に追加

本発明は、熱可塑性ポリエステル樹脂（１）および多層構造重合体粒子（２）を用いて調製された熱可塑性樹脂組成物からなる繊維である。 - 特許庁

A multiple quantum well structure is used as an active layer 4, and further a maximum position of an intensity distribution of emitted light is shifted from the center position of the active layer 4 to a p-type cladding layer 6 side.例文帳に追加

活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 - 特許庁

Immediately after stacking a barrier layer composed of GaAsP for a multiple distortion quantum well active layer 105 at a growth temperature of 650°C, a 2nd upper guide layer 126 composed of AlGaAs is stacked.例文帳に追加

６５０℃の成長温度で、多重歪量子井戸活性層１０５のＧａＡｓＰからなるバリア層を積層した直後に、ＡｌＧａＡｓからなる第二上ガイド層１２６を積層する。 - 特許庁

The reliability of the multiple printed circuit board is improved, so that delaminations between an inter layer resin insulation layer 50 and a core substrate 30, and the interlayer resin insulation layer 50 and the IC chip near the corner are prevented, also the cracking in the inter layer insulation layer 50 is prevented.例文帳に追加

このため、角部の近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To enhance efficiency by absorbing the light penetrating a multiple quantum well layer again by a third semiconductor layer, and to enhance energy efficiency by decreasing the number of layers in the multiple quantum well layer thereby suppressing recombination on the interface.例文帳に追加

多重量子井戸層を透過した光を再度第３の半導体層により吸収させて効率を向上させ、かつ、多重量子井戸層における層数を減らすことを可能にすることで界面における再結合を抑制し、エネルギー変換効率を向上させる。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

The MQW active layer 5 includes a multiple quantum well structure constituted of barrier layers and well layers having a tensile strain, and a layer thickness of each well layer is larger than that of each barrier layer, and the layer thickness of at least one well layer is made different from those of the other well layers.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 - 特許庁

To provide a buried wiring layer of multiple films having a high reliability and a high yield causing no increase in resistance in a method of forming the buried wiring layer.例文帳に追加

埋込配線の形成方法に関し、信頼性が高く且つ抵抗上昇が発生しない歩留りの高い埋込多層配線を提供する。 - 特許庁

An intermediate transfer belt 28 has filler particles 82 uniformly doped everywhere inside or only on a top coating layer (in a multiple layer intermediate transfer belt).例文帳に追加

中間移動ベルト２８は、充填剤82を内部にくまなく均一にドープした、あるいは（複層中間移動ベルトでの）最上部の層に被覆したものを持つ。 - 特許庁

With this structure, the ratio of the light absorbed by the light-emitting layer 13 due to the multiple reflection inside the transparent substrate 12 to the light emitted from the light-emitting layer 13 is reduced.例文帳に追加

発光層１３からの光が透明基板１２の内部で多重反射し、発光層１３に吸収される割合を減少させる。 - 特許庁

The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm.例文帳に追加

活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 - 特許庁

This IC substrate has a substrate 22, a ground conductor layer 23 to form a ground terminal, more than one variable resistance material layer 24, and multiple conductor layers 21.例文帳に追加

基板２２と、接地端子を形成するための接地導体層２３と、１つ以上の可変抵抗物質層２４と、複数の導体層２１とを備える。 - 特許庁