「multiple layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The low noise transformer and the reactor used for electricity and electrical apparatuses are provided with a multiple-layer steel sheet to absorb vibration as a magnetic shielding material to shield a wet magnetic field, especially provided with a multiple-layer electromagnetic steel sheet having the resin layer of 10 to 100 μm between the laminates.例文帳に追加

電気、電気機器に使用される低騒音トランスおよびリアクトルにおいて、漏れ磁場を遮蔽する磁気シールド材として振動を吸収する複層鋼板を具備すること、特に、この積層間に１０〜１００μｍの樹脂層を有する複層電磁鋼板を具備することを特徴とする低騒音トランスおよびリアクトル。 - 特許庁

The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure.例文帳に追加

該方法は、少なくとも１つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むＳＯＩ型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。 - 特許庁

The three-dimensional sheet 10 is so formed that parts of the first layer 2 other than the joint portions 4 project to the side of the first layer 2 to form multiple projection portions 5, the projection portions 5 and the joint portions 4 are alternately disposed into a line in one direction, and multiple lines are disposed.例文帳に追加

立体シート１０は、第１層２が、接合部４以外の部分において第１層２側に突出して多数の凸部５を形成しており、凸部５及び接合部４は、交互に且つ一方向に列をなすように配置され、更に該列が多列に配置されている。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 24 having a dummy layer 14, a p type Al(Ga)InAs lower light lockup layer 16, AlGaInAs multiple quantum well active layer 18 and an n type Al(Ga)InAs upper light lockup layer 20 is formed on a p type InP substrate 10.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１０上に、ダミー層１４、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ下光閉込層１６、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１８、ｎ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ上光閉込層２０を有する半導体積層構造２４を形成する。 - 特許庁

An n-type AlGaInP first clad layer 104, an undoped GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 105, a p-type AlGaInP second clad layer 106 and a p-type GaAs cap layer 108 are arranged in this order from an n-type GaAs substrate 101 upward.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。 - 特許庁

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

To provide a functional multiple type spread style surface treatment method to build a surface treatment layer with multiple layers having enough durable functionalities in places to be exposed to hard conditions like curves, intersections and sloping roads, and a pavement body posessing a surface treatment layer with multiple layers having acquired functionalities.例文帳に追加

カーブや交差点、坂道など過酷な条件に晒される場所においても十分に耐えることのできる機能性を有する複層の表面処理層を構築することができる機能性複層型散布式表面処理工法と、それによって得られる機能性を有する複層の表面処理層を持った舗装体を提供することを課題とする。 - 特許庁

An optically variable magnetic stripe assembly includes a magnetic layer, an optically variable effect generating layer on the magnetic layer, and a non-conductive reflective layer, and further includes an optically opaquing layer between the non-conductive transparency and reflectivity improving layer and the magnetic layer while the optically opaquing layer is provided by a single-color or multiple-color design-provision-visually-reading information.例文帳に追加

磁性層、前記磁性層上の光学可変効果発生層、前記磁性層と前記光学可変効果発生層の間の非導電性透明反射向上層を含み、 前記非導電性透明反射向上層と前記磁性層の間に光学的不明瞭化層をさらに含み、 前記光学的不明瞭化層が、単色または多色設計規定視覚読み取り情報で提供されている光学可変磁気ストライプアセンブリ。 - 特許庁

A fuel absorption layer 5 is provided in a case 11 of a canister 1, and the fuel absorption layer 5 is divided into multiple absorbent layers 51, 52 parallel to fuel vapor flow with a partition 12.例文帳に追加

キャニスタ１のケース１１内に燃料吸着層５を設け、燃料吸着層５を仕切壁１２にて燃料蒸気の流れに平行な複数の吸着材層５１、５２に区画する。 - 特許庁

The multiple resistor stripes 42 are electrically interconnected by a first metallic layer 43a, and the stripes 42 are connected with external circuits through a second metal layer 43b and the like.例文帳に追加

第１金属層４３ａにより、複数の抵抗ストライプ４２を電気的に相互接続し、また第２金属層４３ｂ等により外部回路からストライプ４２への接続を行う。 - 特許庁

To provide a folding device for long film capable of keeping its folding width roughly constant from its lower layer to upper layer, in a device folding a long film into multiple layers.例文帳に追加

長尺フィルムを多層に折り重ねる装置において、下層から上層まで折り幅を略一定に保つことのできる長尺フィルム折重ね装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

When constructing a storage facility in base rock, a cavity is considered as a true circle, and a multiple cylindrical model provided with a lining concrete layer and an airtight lining layer on the inner peripheral surface is assumed.例文帳に追加

岩盤内貯蔵施設を構築する際に、空洞を真円として、その内周面に前記覆工コンクリート層と前記気密性ライニング層とを設けた多重円筒モデルを想定する。 - 特許庁

A p-type GaAs contact layer 108 is arranged so that the layer 8 does not include the position which is spaced by the length of 1/4 (odd multiple of 1/4) of a laser light wavelength from the surface of a p-type DBR 106.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８は、ｐ型ＤＢＲ１０６の表面から数えて、レーザ光波長の１／４（１／４の奇数倍）の位置が含まれないように配置されている。 - 特許庁

To provide a SONOS device having a new structure by changing a multiple dielectric layer (ONO layer) of a conventional planar SONOS device into a curved shape such as a cylindrical shape, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

従来の平面型ソノス素子の多重誘電層（ＯＮＯ層）を円筒型等のような曲面構造に変えた新しい構造のソノスメモリ素子と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove unnecessary light reflected from a particular position of an irradiated object, for example, a recording layer and surface different from a target recording layer of an optical recording medium having multiple recording layers.例文帳に追加

被照射体の特定の位置、例えば記録層を多層とする光記録媒体の目的とする記録層とは異なる記録層や表面から反射される不要な光を除去する。 - 特許庁

To obtain a multiple piece board in which a plated metallic layer having a predetermined thickness can be formed on all wiring conductors by electroplating by making small variations in the thickness of the plated metallic layer.例文帳に追加

電荷の集中によりめっき金属層の厚みのばらつきが大きなものとなってしまい、全ての配線導体にめっき金属層を所定の厚みで被着させることが困難である。 - 特許庁

Furthermore, stress applied to the negative electrode active material layer 12 accompanied by swelling or contraction is dispersed, and the crack generated in the negative electrode active material layer becomes smaller by being dispersed into multiple directions.例文帳に追加

また、膨張・収縮に伴い負極活物質層１２にかかる応力が分散され、負極活物質層１２に発生する亀裂が多方向に分散され小さくなる。 - 特許庁

In addition, the first clad layer 4 is formed in a manner that a phase difference between the light emitted from the quantum well active layer 5 and that reflected on the DBR 3 becomes an integer multiple of 2π.例文帳に追加

また、第１クラッド層４は、量子井戸活性層５からの発光光と、ＤＢＲ３で反射された反射光との位相差が２πの整数倍になるように形成されている。 - 特許庁

The second conductivity-type barrier layer 2a is provided in a range of the multiple quantum well 40 in which first conductivity-type dopants contained in the p-InP clad layer 22 are diffused.例文帳に追加

第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 - 特許庁

A reflective layer 3 is formed on an upper part of a structure which generates near-field light, and multiple interference of the light is generated between the reflective layer 3 and the surface of a medium 8.例文帳に追加

近接場光発生を発生する構造体上部に反射層３を形成し、この反射層と媒体８の表面間において、光の多重干渉を生じさせる。 - 特許庁

The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁

When a first layer is exposed, reference mark detection is performed multiple times and a detected position and time are stored in a mark position storage section 54.例文帳に追加

第１層露光時に、複数回基準マーク検出を行ってその位置と検出時刻をマーク位置記憶部５４に記憶しておく。 - 特許庁

Then, multiple droplets 33 including materials of a low refractive index layer 31 is discharged onto a surface of the transparent substrate 20 on an observer side.例文帳に追加

次に、透明基板２０の観察者側の面上に、低屈折率層３１の材料を含む多数の液滴３３を吐出する。 - 特許庁

To provide multiple connections to a device from separate physical networks through the same logical network layer while keeping connections persistent.例文帳に追加

接続を永続的に維持しながら、同じ論理ネットワーク層を介して別々の物理ネットワークからある装置に複数の接続を提供する。 - 特許庁

The entire surface of a capacitor contained in a semiconductor memory element is covered with an encapsulating layer comprising multiple films.例文帳に追加

半導体メモリ素子に含まれるキャパシタの全表面は多重膜で構成されたカプセル化膜（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）によって覆い被される。 - 特許庁

Each of the surface layers 3a and 3b has multiple minute voids 4 opening in its surface and communicating with the active material layer 2.例文帳に追加

各表面層３ａ，３ｂは、その表面において開孔し且つ活物質層２と通ずる多数の微細空隙４を有している。 - 特許庁

A hair plantation part 29 is formed in the sealing part 6 by firmly fixing a multiple number of piles 29a via an adhesive layer 28.例文帳に追加

シール部６には、接着剤層２８を介して多数本のパイル２９ａが固着されることにより、植毛部２９が形成されている。 - 特許庁

To provide a multiple layer pipe, which is superior in gas barrier property, low temperature cracking resistance, heat shrinkage following property, heat aging resistance, and long-run molding property.例文帳に追加

ガスバリア性、耐低温クラック性、熱収縮追随性、耐熱老化性、ロングラン成形性に優れた多層パイプを提供すること。 - 特許庁

A hair-plantation part 29 is formed on the sealing part 6 by firmly fixing a multiple number of piles 29a via an adhesive layer 28.例文帳に追加

シール部６には、接着剤層２８を介して多数本のパイル２９ａが固着されることにより、植毛部２９が形成されている。 - 特許庁

The substrate includes a crystal plane, and the carbon nano-tube layer includes multiple carbon nano-tubes and is placed on the crystal plane of the substrate.例文帳に追加

前記基板は、結晶面を含み、前記カーボンナノチューブ層が、複数のカーボンナノチューブを含み、前記基板の結晶面に配置される。 - 特許庁

To provide a cutting tool made of surface covered cermet, a hard covered layer of which displays an excellent chipping resistant property in intermittent multiple cutting work.例文帳に追加

硬質被覆層が断続重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。 - 特許庁

In the positive electrode and the negative electrode, an active material layer 1 is formed on one side of a collector 2 having multiple through holes.例文帳に追加

正極電極および負極電極は、複数の貫通孔を有する集電体２の片面に活物質層１を形成する。 - 特許庁

When the multiple reflection occurs to the reproduction laser light, a Kerr rotation action is superimposed each time reflection is repeated at the magnetic layer 20.例文帳に追加

再生レーザ光に多重反射が生じると、磁性層２０にて反射が繰り返される度に、カー回転作用が重畳される。 - 特許庁

The magnetic sheet 40 is formed by dispersing a magnetic material in a resin layer and are fixed to the multiple columns 32.例文帳に追加

磁性シート４０は、樹脂層に対して磁性体が散在されて構成されると共に、複数の柱状部３２に対して固定されている。 - 特許庁

This adhesive strength simple measuring method is practiced in a production process of the multiple layer tube 1 on which a plurality of resin layers are laminated.例文帳に追加

接着力簡易測定方法は、複数の樹脂層が積層された複層チューブ１の生産工程内において行われる。 - 特許庁

An insulation layer 35 is formed to an outer circumferential face of the conductive rubbers 6a, 6b by a multiple extruding method or a coating method or the like.例文帳に追加

導電性ゴム６ａ，６ｂの外周面には、多重押し出し成型法やコーティング法等で絶縁層３５が形成されている。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board is provided with multiple lamination sets comprising a signal layer which forms a signal transmission path, a first insulating layer 13 and a second insulating layer 14 which sandwich this signal layer, and a power supply ground layer which is a ground of a power supply connected to the first insulating layer 13.例文帳に追加

一方、目的に合わせて基板材料を使い分け、多層プリント配線基板内で低損失の信号伝送路を形成する為に必要な層のみを低誘電体損失材料を用いて形成し、価格上昇を最小限に抑える技術では、積層時の加熱圧着温度が各材料により異なるため一括積層ができない。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes: a conductive shield layer covering an upper surface of the sealing resin layer and a part of a side surface of the sealing resin layer; and a conductive member electrically connecting the conductive shield layer covering the part of the side surface of the sealing resin layer with at least one of the multiple wiring lines forming the first wiring layer.例文帳に追加

さらに、半導体装置は、前記封止樹脂層の上面と、前記封止樹脂層の側面の一部と、を覆う導電性シールド層と、前記封止樹脂層の前記側面の一部を覆う前記導電性シールド層と、前記第１配線層を構成する複数の配線の少なくとも１つと、を電気的に接続する導電部材と、を備える。 - 特許庁

A seal layer 13 of the panel is formed as a multiple structure having a first seal layer 14 composed of amorphous glass and a second seal layer 15 composed of crystalline glass, and since a grain boundary of the second seal layer 15 becoming a leak factor is filled up with the amorphous glass of the first seal layer 14, high reliability is obtained for airtightness of the seal layer 13.例文帳に追加

パネルのシール層１３を、非晶質ガラスからなる第１シール層１４と結晶質ガラスからなる第２シール層１５とを備える多重構造とすることにより、リーク要因となる第２シール層１５の結晶粒界が第１シール層１４の非晶質ガラスによって埋められるため、シール層１３の気密性に高い信頼性が得られる。 - 特許庁

The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加

素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁

This cell structure of a fuel cell for composing each element cell by respectively sequentially stacking: the catalyst layer 6; the porous layer 5 used as an electrode; and the gas diffusion layer 18 on each of both the surfaces of an electrolyte layer 7, is characterized in that a junction surface between the porous layer 5 and the catalyst layer 5 is formed of an irregular surface S comprising multiple uneven parts.例文帳に追加

電解質層７の両面にそれぞれ触媒層６、電極となる多孔質層５、ガス拡散層１８を順に積層して単位セルを構成する燃料電池のセル構造において、前記多孔質層５と触媒層６との接合面を、多数の凹凸部からなる凹凸面Ｓで形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a substrate; a lower layer wiring 12 with a graphene nano-ribbon layer 121 that is provided in an upper substrate and composed of a multiple graphene nano-ribbon sheet 122 laminated; and a via 14 and barrier metal 15 that penetrate at least one of multiple graphene nano-ribbon sheets 122 and connect the lower layer wiring 12 with an upper layer wiring 13.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１００は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート１２２からなるグラフェンナノリボン層１２１を含む下層配線１２と、複数のグラフェンナノリボンシート１２２の少なくとも１枚を貫通し、下層配線１２と上層配線１３とを接続するビア１４およびバリアメタル１５と、を有する。 - 特許庁

In a light-emitting diode which includes an active layer 13 comprising AlGaInP multiple quantum well, a rugged structure for light extraction efficiency improvement is formed on the surface of an n-type AlGaInP clad layer 12 which is a light extraction layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。 - 特許庁

The quantum cascade laser is equipped with a semiconductor substrate and an active layer having a cascade structure wherein unit laminates 16, each consisting of a quantum well light emission layer 17 and an injection layer 18, are stacked in multiple stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁