「pattern composition」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photosensitive resin composition having excellent sensitivity, resolution and adhesiveness, and giving a pattern having excellent heat resistance, low water absorption and a good pattern shape even when used in a low-temperature curing process at ≤280°C, a method for producing a pattern, and electronic components.例文帳に追加

感度、解像度、接着性に優れ、さらに２８０℃以下で行なわれる低温硬化プロセスで用いても耐熱性に優れ、吸水率の低い、良好な形状のパターンが得られる感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、電子部品を提供する。 - 特許庁

A member in which a wiring pattern has been formed by applying the coating composition containing the organic conductive material to the plastic substrate is prepared, and the wiring pattern is annealed by irradiating at least the wiring pattern with electromagnetic waves, to form wiring made of the organic conductive material.例文帳に追加

プラスチック基板上に有機導電性材料を含む塗布組成物が塗布されて配線パターンが形成された部材を準備し、少なくとも前記配線パターンに電磁波を照射してアニールし、有機導電性材料からなる配線を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for black resist which is free from development residue, has excellent pattern dimensional stability and a pattern contactness, can obtain a pattern excellent in sharpness of its edge shape with a wide development margin, and can obtain a black resist high in light shielding property.例文帳に追加

現像残渣がなく、パターン寸法安定性及びパターン密着性に優れ、パターンのエッジ形状のシャープ性が良好なパターンを広い現像マージンで得ることができ、遮光性の高いブラックレジストが得られるブラックレジスト用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a post processing method of a resist pattern that is not restricted with respect to a resist composition to be used, and can make LER and LWR smaller especially when forming a fine resist pattern while suppressing variation in dimensions of the resist pattern itself.例文帳に追加

使用するレジスト組成物について制約を受けず、特に微細なレジストパターンを形成した際においても、レジストパターン自体の寸法変動を抑えつつ、ＬＥＲ及びＬＷＲを小さくすることが可能なレジストパターンの後処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photo-curable composition capable of forming a pixel pattern having a minute pattern size such as line width of 2.5 μm or less with a low exposure amount, capable of suppressing the occurrence of residue between pixels and capable of suppressing exposure dependency of the pattern size low.例文帳に追加

微細な（例えば、線幅２．５μｍ以下の）パターン寸法を有する画素パターンを、低い露光量で形成することができ、画素間の残渣の発生を抑制することができ、パターン寸法の露光量依存性が低い光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a colored photosensitive composition capable of suppressing the occurrence of a residue from the next color (for example, from the second color) remaining on an unexposure part and on a colored pattern (for example, the first color pattern) and color mixture accompanied by the residue, and capable of forming a high-resolution pattern.例文帳に追加

未露光部の上及び着色パターン（例えば１色目パターン）上に残存する次色以降（例えば２色目以降）の残渣、並びにこれに伴う混色の発生を抑制し、高解像度のパターン形成が可能な着色感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a processing liquid for forming a pattern due to a chemically amplified resist composition superior in in-plane uniformity (CDU) and defect performance of a resist pattern and in addition, for forming the resist pattern reducing an amount of use of the processing liquid in order to stably form a highly precise fine pattern for manufacturing highly integrated and highly precise electronic device, and to provide a method for forming the pattern using it.例文帳に追加

高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

The resin composition for pattern reverse is used for a method for forming a reversed pattern comprising: a step of forming a resist pattern on a substrate to be processed; a step of embedding a resin composition for pattern reverse between the patterns of the resist patterns; and a step of removing the resist patterns to form reversed patterns, and contains polysiloxane containing a constitutional unit having a specific acryloyloxy alkyl group, and an organic solvent.例文帳に追加

パターン反転用樹脂組成物は、被加工基板上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンのパターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備える反転パターン形成方法において用いられるものであって、特定のアクリロイルオキシアルキル基を有する構成単位を含むポリシロキサンと、有機溶剤と、を含有する。 - 特許庁

To provide a phtosensitive epoxy resin adhesive composition capable of making a pattern formation by being subjected to exposure via a photomask followed by making a development treatment, and even after the pattern formation, exerting high adhesivity on heating while maintaining the pattern, and to provide a photosensitive adhesive film made from such a composition.例文帳に追加

フォトマスクを介して露光させ、現像処理することによってパターン形成をすることができ、しかも、このようにして、パターン形成した後においても、加熱すれば、そのパターンを維持したまま、高い接着性を発揮する感光性エポキシ接着剤組成物と、更には、そのような感光性エポキシ接着剤組成物よりなる感光性接着性フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide an alkaline soluble polymer having a low hardening shrinkage and excellent in physical properties of the hardened film, a photosensitive resin composition excellent in pattern shape, chemical resistance, physical properties and storing stability of cured products even in curing at a low-temperature region, a manufacturing method of cured relief pattern using the composition, and to provide a semiconductor device comprising the cured relief pattern.例文帳に追加

硬化収縮が低く、かつ硬化膜の物性に優れるアルカリ可溶性重合体、及び低温領域でのキュアによっても、キュア後のパターン形状、耐薬品性、物性や保存安定性に優れた感光性樹脂組成物、該組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、並びに該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置などの提供。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition capable of pattern formation that is improved in the pattern collapse, line edge roughness and scum occurrence, being free from any profile deterioration, and that exhibits appropriate following properties for the liquid for liquid immersion at the stage of liquid immersion exposure, while improving performance of reducing bubble defects, and to provide a method of forming a pattern with the use of the composition.例文帳に追加

現像欠陥、ラインウィズスラフネス、スカムの発生が抑制され、パターン形状に優れたパターンを形成することが可能で、更に液浸露光時の液浸液に対する追随性が良好であり、バブル欠陥抑制の諸性能も良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic anti-reflective coating composition which can prevent a phenomenon that a photoresist pattern is damaged or collapsed by an acid excessively generated from an exposed portion and diffusing up to an unexposed portion by a photoacid generating agent included in a photoresist film in a step of forming a photoresist pattern by exposure, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

露光を通じてフォトレジストパターンを形成する過程で、フォトレジスト膜に含まれた光酸発生剤により露光部位から過度に発生した酸が非露光部位まで広がることによって、フォトレジストパターンが損傷したり、崩れたりする現象を防止できる有機反射防止膜組成物及びこれを利用したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming composition for nanoimprint, a photosensitive resist and a nanostructure excellent in etching durability to oxygen gas, preventing a transfer pattern from peeling, solving a problem about a retention time on a substrate and having excellent transferring property, to provide a pattern forming method using the composition or the like, and to provide a program to carry out the pattern forming method.例文帳に追加

酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。 - 特許庁

The patterned retardation film is characterized in that a sidewall angle of each pattern: SWA is 16° or more in a cross-sectional surface of each pattern of the patterned retardation film having the pattern formed from a cured product of the polymerizable liquid crystal composition and the polymerizable liquid crystal composition contains 92.35 to 96.84 mass% of specified polymerizable compound.例文帳に追加

重合性液晶組成物の硬化物により構成されパターンを有するパターン化位相差フィルムの各パターンの断面において、各パターンの側壁角：ＳＷＡが16°以上であり、該重合性液晶組成物が特定の重合性化合物を92.35質量％から96.84質量％含有することを特徴とするパターン化位相差フィルム。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition having high sensitivity, high resolution, good temporal stability of the sensitivity, proper film curability and good flexibility and capable of efficiently forming a high-definition permanent patter, a photosensitive film, a permanent pattern forming method that uses the photosensitive composition, and a printed circuit board on which a pattern is formed by the permanent pattern forming method.例文帳に追加

高感度、高解像度であり、感度の経時安定性、膜硬化性、及び可撓性が良好で、高精細な永久パターンを効率よく形成可能な感光性組成物、感光性フィルム、前記感光性組成物を用いた永久パターン形成方法、及び前記永久パターン形成方法によりパターンが形成されるプリント基板の提供。 - 特許庁

When a pattern formed through a developing step by utilizing a photoresist composition containing a thermal acid generator is reheated, acid is generated from the thermal acid generator, as a result the photoresist composition causes a crosslinking reaction under the action of the acid and pattern width slimming due to SEM beams for CD measurement in SEM after pattern formation can be prevented.例文帳に追加

熱酸発生剤（thermal acid generator）を含むフォトレジスト組成物を利用することにより、現像工程を経て形成されたパターンを再び加熱することにより熱酸発生剤から酸が発生し、これからフォトレジスト組成物が架橋反応を引き起こし、パターン形成後ＳＥＭでＣＤ測定時にＳＥＭビームによりパターンの幅のが減少を防ぐことができる。 - 特許庁

This production method of artificial marble obtained by adding additives such as a filler, a hardener and a pattern material 1, etc., to a thermoset type resin, compounding them to provide a resin composition, and hardening the resin composition uses a flat pattern material 3 as the pattern material 1 having 3-30 aspect ratio indicating the ratio of the particle diameter D to the thickness t.例文帳に追加

熱硬化型樹脂に充填剤、硬化剤、柄材（１）などの添加物を添加配合し樹脂組成物を得て、この樹脂組成物を硬化させて得られる人造大理石の製造方法において、上記柄材（１）が偏平状柄材（３）であり、同柄材（１）の厚み（ｔ）に対する粒径（Ｄ）の比率を示すアスペクト比が、３〜３０である。 - 特許庁

To provide a resist composition which is excellent in storage stability and has good lithography properties, to provide a method for forming a resist pattern using the resist composition, and to provide a nitrogen-containing organic compound useful as a nitrogen-containing organic compound component contained in the resist composition.例文帳に追加

保存安定性に優れ、リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、およびレジスト組成物に含有される含窒素有機化合物成分として有用な含窒素有機化合物の提供。 - 特許庁

A pattern forming method using the photosensitive resin composition can be carried out by a step of applying the composition on a substrate to be worked, a step of exposing the composition with a beam of ≤250 nm, a step of heating the same and a step of developing the same.例文帳に追加

この感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、被加工基板上に前記組成物を塗布する工程、２５０ｎｍ以下の光線で露光する工程、加熱する工程、及び現像する工程によって行うことができる。 - 特許庁

To provide a resist composition dissolved in an organic solvent containing ethyl lactate, the composition suppressing degradation in sensitivity of the resist composition with time and having necessary lithographic characteristics, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

乳酸エチルを含む有機溶剤に溶解してなるレジスト組成物において、経時によるレジスト組成物の感度劣化が抑制されるとともに、必要とされるリソグラフィー特性を有するレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A pigment dispersion composition containing at least (A) a resin pendanted with a nitrogen-containing heterocycle and an ethylenic unsaturated double bond on the main skeleton, (B) a pigment and (C) a solvent, a curable composition using the pigment dispersion composition, the curable composition, a color filter having colored pattern formed with the curable composition, and a production method of the color filter, are provided.例文帳に追加

少なくとも（Ａ）主鎖骨格に含窒素ヘテロ環及びエチレン性不飽和二重結合がペンダントされた樹脂と（Ｂ）顔料と（Ｃ）溶剤とを含有する顔料分散組成物並びにこれを用いた硬化性組成物、該硬化性組成物、該硬化性組成物により形成された着色パターンを有することを特徴とするカラーフィルタ、及びその製造方法。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film forming composition capable of forming a resist lower layer film capable of transferring a resist pattern with satisfactory fidelity and reproducibility to a substrate to be processed because the composition has a film curing property, superior etching resistance, and because the pattern formed by a dry etching process is hardly bent.例文帳に追加

膜硬化性を有し、エッチング耐性に優れ、更に、ドライエッチングプロセスによって形成したパターンが折れ曲がり難いため、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which has greatly excellent exposure latitude, can form an excellent rectangular pattern shape, and has less elution to an immersion liquid in liquid immersion exposure, and a resist film and a pattern formation method using the composition.例文帳に追加

露光ラチチュードが大きく優れ、良好な矩形のパターン形状を形成することができ、且つ液浸露光時には液浸液への溶出が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be suitably used, when ArF excimer laser light is used as an exposure light source, which is superior in resist profile, sensitivity, resolution and line edge roughness, and which is free from pattern collapse and of the problems of development defects, and to provide a pattern forming method that uses the composition.例文帳に追加

ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、レジスト形状、感度、解像力、ラインエッジラフネスが優れるとともに、パターン倒れのなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition which is capable of forming a solder resist pattern that can be determined whether it is properly formed through a laser beam reflection method, even if it is halogen-free, and to provide a printed wiring board where the solder resist pattern is formed properly by the use of the above composition.例文帳に追加

ハロゲンフリーであるにも拘らず、レーザー光反射法でソルダーレジストパターンが適正に形成されているかどうかの良否を判定することができるソルダーレジストパターンを形成できる組成物、及びそれを用いてソルダーレジストパターンが適正に形成されているプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition suitable not only to a normal dry process but also to an immersion process for a line width of 45 nm or less and improved in the DOF, pattern collapse and iso/dense bias, and to provide a resist film and a pattern forming method each using the composition.例文帳に追加

通常のドライプロセスに加え、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した、ＤＯＦ、パターン倒れ、及び疎密依存性が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that is satisfactory with respect to high sensitivity, high resolution of a dense pattern and an isolated line, sufficient exposure latitude, proper line width roughness, proper bridge margin and high resolution of isolated space, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

高感度、密集パターンおよび孤立ラインの高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、良好なブリッジマージン、孤立スペースの高解像性を同時に満足する感活性光線または感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which resolves on a vertical sidewall in forming a contact hole pattern, ensures enhanced EDW, improves side lobe resistance, and reduced the number of Blob defects, as well as a resist film and a pattern formation method using the composition.例文帳に追加

コンタクトホールパターン形成時に垂直な側壁にて解像し、広いＥＤＷを確保でき、サイドローブ耐性が良化し、かつＢｌｏｂ欠陥数が低減した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that can sufficiently reduce development defects in manufacturing semiconductors, particularly, in the formation of a contact hole pattern, and exhibits the superior depth of a focus (DOF), and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

半導体製造の特にコンタクトホールパターン形成において、現像欠陥を充分に低減できるとともに、焦点深度（ＤＯＦ）に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alkali developable colored photosensitive resin composition which ensures satisfactory surface curability and curing depth during exposure and can form a colored pattern excellent in resolution even when a thick colored pattern is formed by a photography process, and the cured material of the composition.例文帳に追加

フォトリソグラフィー法により厚膜の着色パターンを形成する場合でも、露光の際に充分な表面硬化性と硬化深度が得られ、解像性に優れた着色パターンを形成できるアルカリ現像型の着色感光性樹脂組成物及びその硬化物を提供する。 - 特許庁

In the method for forming the fine pattern using a composition for a photoresist coating, by coating the already formed photoresist pattern with the composition for the photoresist coating containing a water soluble polymer and an aqueous solvent, sizes of a photoresist contact hole and a space are effectively reduced.例文帳に追加

フォトレジストコーティング用組成物を用いた微細パターン形成方法において、水溶性重合体と水性溶媒を含むフォトレジストコーティング用組成物を既に形成されたフォトレジストパターン上にコーティングさせることにより、フォトレジストコンタクトホールや余白の大きさを効果的に低減する。 - 特許庁

The present invention relates to the photosensitive resin composition containing (a) a resin having a specified repetition unit, (b) a compound generating an acid when irradiated with light, and (c) a crosslinking agent, and (d) a thermally acid generating agent, a pattern manufacturing method using the composition, and the electronic device having the pattern.例文帳に追加

（ａ）特定の繰り返し単位を含む樹脂、（ｂ）光照射により酸を発生する化合物、（ｃ）架橋剤、および（ｄ）熱酸発生剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物、該組成物を用いたパターンの製造法、および該パターンを有する電子デバイス。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern of a good shape with reduced LWR by superior sensitivity, a high molecular compound that can be used as a base material of the positive resist composition, a compound that can be used for synthesizing a structural unit of the high molecular compound, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

優れた感度で、ＬＷＲの小さい、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の構成単位の合成に利用できる化合物、及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A refractive index pattern is formed by irradiating the composition with radiation through a pattern mask and subjecting the composition to heat treatment to polymerize the polymerizable compound (A) and to confine the fugitive compound (D) with crosslinking in the exposed area and to decompose the fugitive compound (D) in the unexposed area.例文帳に追加

この組成物にパターンマスクを介して放射線を照射した後、加熱処理して露光部の重合性化合物（Ｂ）を重合せしめ逃散性化合物（Ｄ）を架橋により閉じ込め且つ未露光部の逃散性化合物（Ｄ）を分解させることにより屈折率パターンを形成することができる。 - 特許庁

To provide a phenolic resin composition that suppresses generation of aggregates in an unexposed part during development and can be used as an alternative for a polyimide resin and a polybenzoxazole resin, and to provide a method for producing a cured relief pattern using the phenolic resin composition, and a semiconductor device comprising the cured relief pattern.例文帳に追加

現像時の未露光部凝集物の発生を抑制し、ポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂組成物、該フェノール樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、及び該硬化レリーフパターンを有して成る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern profile, good line edge roughness and reduction in outgassing, in an ultrafine region, particularly, in electron beam, X-ray or EUV lithography, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、およびアウトガス低減を同時に満足するポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, satisfactory exposure latitude, good line width roughness and post-exposure delay stability (PED), and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性（ＰＥＤ）を同時に満足するパターンを形成することが可能な感活性光線または感放射線樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that can attain high sensitivity, a favorable pattern shape, favorable roughness characteristics and reduction of residue defects, and to provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin film therefrom and a method of forming a pattern using the composition.例文帳に追加

高感度、良好なパターン形状、良好なラフネス特性、及び残渣欠陥の低減を達成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, with which a pattern having good corner proximity and fewer developing defects can be formed, and which causes little elution of an acid into an immersion liquid and shows proper properties to the immersion liquid, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

コーナー・プロキシミティ（Corner proximity）が良好で、現像欠陥が少ないパターンを形成することが可能で、液浸液への酸の溶出が少なく、液浸液に対する追随性が良好である感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness property, and resolution of isolated space patterns, and allows formation of a pattern having a good profile, as well as an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern forming method using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

感度、ラフネス特性、孤立スペースパターンの解像性に優れ、かつ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an acid transfer resin film-forming composition which obtains an acid transfer resin film superior in the selectivity of acid diffusion and in removability, and to provide an acid transfer resin film formed that uses the composition, and a pattern forming method which enables pattern formation by an existing photolithography process that uses the acid transfer resin film.例文帳に追加

酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a good pattern shape excellent in roughness characteristics without film reduction or trailing, and an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ラフネス特性に優れ、且つ、膜減りや裾引きのない良好なパターン形状を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in transparency to radiation and dry etching resistance and capable of forming a resist pattern excellent in resolution, sensitivity, flatness and heat resistance, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device with a fine pattern having a high degree of integration using the resist composition.例文帳に追加

放射線に対する透明性、ドライエッチング耐性に優れ、解像度、感度、平坦性、耐熱性に優れるレジストパターンを形成できるレジスト組成物、ならびに、該レジスト組成物を用いる微細で集積度の高いパターンを持つ半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition containing a phenolic resin, which can function as an alternative material for a polyimide resin and a polybenzoxazole resin, and to provide a method for producing a cured relief pattern using the photosensitive resin composition, a semiconductor device comprising the cured relief pattern, and a novel phenolic resin.例文帳に追加

ポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置、及び新規のフェノール樹脂を提供する。 - 特許庁