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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > phase iiiの意味・解説 > phase iiiに関連した英語例文

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phase iiiの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 122



例文

To provide a novel catalyst having a polymetallic sulfide phase containing at least one element selected from the elements of group IIIB includ ing sulfur, lanthanoids, and actinoids and group IVB and at least one element selected from the elements of group VIIB and group VIII.例文帳に追加

硫黄と、ランタノイドおよびアクチノイドを含む第III B族および第IVB族の元素から選ばれる少なくとも1つの元素と、第VII B族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも1つの元素とを含む多金属硫化物相を含む新規触媒を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element wherein phase separation of mixed crystal is controlled and superior property is obtained in a semiconductor element in which III-V group semiconductor which contains at least gallium, indium, arsenic and antimony as composition is subjected to crystal growth on a GaAs substrate.例文帳に追加

組成として少なくともガリウムとインジウムと砒素とアンチモンとを含むIII−V族化合物半導体がGaAs基板の上に結晶成長された半導体素子において、その混晶の相分離が抑制されており、優れた特性を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

Under a hydrogen carrier gas atmosphere, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene is continuously manufactured by rearrangement/dehydration reaction of 3,3-dimethyl-2-butanone by a vapor-phase process using a catalyst with a solid oxide carrier carrying cobalt oxide (II), cobalt (III), or copper oxide (II).例文帳に追加

水素キャリアガス雰囲気下で、固体酸化物担体に酸化コバルト(II)コバルト(III)又は酸化銅(II)が担持された触媒を用いた気相プロセスによる3,3−ジメチル−2−ブタノンの転位・脱水反応によって、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエンを連続的に製造する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device which has a semiconductor element formed on a III-V compound semiconductor substrate, an insulating film whose main component is nitrogen and phosphorus is formed as an insulating film of the semiconductor element by applying gas containing nitrogen and gas containing phosphorus to material by using gas phase reaction.例文帳に追加

また、III−V族化合物半導体基板に形成した半導体素子を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子の絶縁膜として窒素及びリンを主成分とする絶縁膜を、窒素を含むガス及びリンを含むガスを原料として気相反応により形成する。 - 特許庁

例文

A solid phase of amorphous (-)-FTC and (-)-cis-FTC called II and III(-)-cis-FTC which is distinguishable from I(-)-cis-FTC by its powder X-ray diffraction pattern, heat characteristic and production methods is provided.例文帳に追加

X線粉末回折パターン、熱特性、および製造の方法によってI型(−)−シス−FTCと区別することができ、ここでは非晶質(−)−FTCおよびIIおよびIII型(−)−シス−FTC)と呼ばれる(−)−シス−FTCの固相を提供する。 - 特許庁


例文

The two-phase motor M has a stator 20 in which lines are connected following the primary side of a Scott transformer, and a winding ratio of a first pole I and a second pole II and a winding ratio of a third pole III and a fourth pole IV are substantially winding ratios in the Scott transformer.例文帳に追加

スコットトランスの1次側に準じて結線がなされてなるステータ20を有する2相モータMで、第1極Iと第2極IIとの巻数比、および第3極IIIと第4極IVとの巻数比が、実質的にスコットトランスにおける巻数比とされてなるものである。 - 特許庁

The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process.例文帳に追加

そして、該オフアングルを有する単結晶基板1上に、2種以上のIII族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部24を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部24の上に電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The vapor phase apparatus 100 comprises a reaction tube 101, a substrate holder 103 provided in the reaction tube 101, a group III material gas supply 119 to supply a group III material gas to the reaction tube 101, a nitrogen material gas supply 117 to supply a nitrogen material gas to the reaction tube 101, and a doping gas supply tube 105 to supply a doping gas to the reaction tube 101.例文帳に追加

反応管101と、反応管101内に設けられている基板ホルダ103と、III族原料ガスを反応管101内に供給するIII族原料ガス供給部119と、窒素原料ガスを反応管101内に供給する窒素原料ガス供給部117と、ドーピングガスを反応管101内に供給するドーピングガス供給管105と、を備える気相成長装置100を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes a step for forming by organic vapor phase epitaxy a laminated structure of a compound semiconductor composed of a group III element and a group V element on a substrate 4 mounted on a substrate mounting part 3 provided on a surface of a tray 1 disposed above heating means, the surface being opposed to a surface facing the heating means.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ1の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部3に搭載された基板4上に、III族元素とV族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。 - 特許庁

例文

A process for preparation of the solution for crystallization of the esomeprazole sodium salt includes: a process (1) of suspending a potassium salt of esomeprazole in toluene and adding one molar equivalent acid HA as aqueous solution to adjust pH; a process (2) of adding an additional solution made of methanol to a toluene phase; and a process (3) of adding one molar equivalent sodium salt of basic B as aqueous solution.例文帳に追加

以下の工程: i) エソメプラゾールのカリウム塩をトルエンに懸濁し、1モル当量の酸HAを水溶液として添加することによりpHを調整する; ii) トルエン相にメタノールからなる追加の溶媒を加える;そして、 iii) 塩基Bのナトリウム塩の1モル当量を水溶液として加える、を含むエソメプラゾールのナトリウム塩の結晶化用溶液を調製する方法。 - 特許庁

例文

In this invention, an electroconductive substance and a layer typically comprise (i) one or more substituted or nonsubstituted polyanilines, (ii) an organic base phase and (iii) one or more functionalized protonic acid solutes in which a counter ion is functionalized so as to be fitted to a base.例文帳に追加

本発明で提供され、使用された導電性物質および層は、典型的には3通りの成分を含有する:(i)1つまたはそれ以上の置換されたまたは置換されていないポリアニリン;(ii)有機基材相;(iii)対イオンが基材や適合するように官能化されている、1つまたはそれ以上の官能化したプロトン酸溶質。 - 特許庁

The method for producing the azo compound represented by general formula (I) involves reacting a compound represented by general formula (II) with an arylation agent or a hetarylation agent represented by general formula (III) in the presence of an inorganic base and a quaternary phosphonium-based phase transfer catalyst in an aromatic hydrocarbon-based solvent.例文帳に追加

下記一般式(II)で表される化合物を、無機塩基及び4級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式(III)で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式(I)で表されるアゾ化合物の製造方法。 - 特許庁

A non-doped ZnO single crystal or a ZnO single crystal doped with a group III element or a lanthanoid element is produced by a liquid phase epitaxial growth method comprising mixing ZnO being a solute and a solvent, then melting the resulting mixture, and growing a ZnO single crystal by bringing a substrate into direct contact with the obtained melt.例文帳に追加

溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりZnO単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープZnO単結晶やIII族元素やランタノイド元素をドープしたZnO単結晶を製造する。 - 特許庁

To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加

2種以上のV族元素で構成されるIII−V族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第1の層と第2の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁

This method for reducing the content of chloropentafluoroethane (CFC 115) contained in pentafluoroethane (HFC 125) in a gaseous phase comprises flowing the pentafluoroethane on an arbitrarily carried catalyst formed from a chromium (III) salt in a temperature range of 200 to 400°C, thus reacting the chloropentafluoroethane with the pentafluoroethane to produce hexafluoroethane (FC 116) and tetrafluorochloroethane (HCFC 124).例文帳に追加

ペンタフルオロエタン(HFC 125)中に存在するクロロペンタフルオロエタン(CFC 115)不純物の量を減少させる気相方法であって、200〜400℃の温度範囲で、任意に担持された、三価のクロム塩によって形成される触媒上にペンタフルオロエタンを流し、クロロペンタフルオロエタンをペンタフルオロエタンと反応させて、ヘキサフルオロエタン(FC 116)およびテトラフルオロクロロエタン(HCFC 124)を生成することを特徴とする方法が提供される。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

GaAs基板2上にサブコレクタ層41、コレクタ層42、ベース層43、及びエミッタ層44をMOCVD法を用いて気相成長させてHBT製造用の半導体ウェーハ1を製造する場合、サブコレクタ層41として、n型GaAs層をGaAs基板2上にV/III比を20以下として成長させるようにした。 - 特許庁

Barium ions of twice or more moles of moles of sulfate ions contained in filtrate are added to the filtrate to separate and recover sulfate ions as precipitate of barium sulfate, and to separate and recover fluoride ions and nitrate ions from a liquid phase.例文帳に追加

ステンレス鋼酸洗廃液にアルカリ金属の水酸化物を添加して、pHを10〜11に調節することにより鉄、ニッケル、クロム(III)を水酸化物の沈殿として分離回収し、ろ液にはその含有する硫酸イオンのモル数の2倍以上のモル数のバリウムイオンを添加して、硫酸イオンを硫酸バリウムの沈殿物として分離回収し、ふっ化物イオン及び硝酸イオンを液相から分離回収することを特徴とする有価資源の分離回収方法。 - 特許庁

In order for us to help Japanese companiesinternational business activities in the EPAs‟ utilization/operation phase, we need to make all the more efforts to acknowledge the importance of EPAs‟ “life cycles” and improve their quality; specifically (i) steadily implement the EPAs, (ii) improve the business environment so that the government and private sector can actively utilize EPAs and enjoy tariff merits, and (iii) grasp the actual condition of EPAs in order to understand problems and new needs, and improve them.例文帳に追加

EPA が「活用・運用段階」にある中で日本企業の国際展開を促進するためには、① EPA の着実な執行に努めるとともに、②政府・民間が積極的にEPA を活用して関税メリットが享受できるようビジネス環境の改善を行う、③ EPA の実態把握を通じて課題や新たなニーズを把握して改善につなげていく、という、いわば「EPA のライフサイクル」にわたる対応を重視し、EPA の質を高めていくという視点が益々重要になってきていると言えよう。 - 経済産業省

The participation of Japanese medical institutions too in multinational clinical trials will enable phase III studies etc. to be initiated simultaneously with other countries and large amounts of study data to be gathered speedily from wide-ranging areas, facilitating the comparison of regional variations. The conduct of clinical trials based on joint protocols provides advantages such as greater efficiency and effective application through the elimination of data duplication and allows new drugs developed both in Japan and elsewhere to be delivered to the public either first in the world or simultaneously, thus correcting the delay in public access to cutting-edge medical care.例文帳に追加

国際共同治験に日本の医療機関も参加することによって、海外と同時に第Ⅲ相試験等がスタートでき、広範囲の地域から大量かつ迅速な試験データの収集が可能であり、地域差の比較が容易となる、共通の治験実施計画に基づく治験を実施することにより、データの重複の排除などの効率化や有効活用が可能となる等のメリットが得られ、国内外で開発された新薬を世界で最も早く、又は同時に国民に提供することが実現可能となり、国民の最先端医療のアクセスの遅れを改善することができる。 - 厚生労働省

Authorized correspondentmeans, in respect of an application, (a) where the application was filed by the inventor, where no transfer of the inventor’s right to the patent or of the whole interest in the invention has been registered in the Patent Office and where no patent agent has been appointed (i) the sole inventor, (ii) one of two or more joint inventors authorized by all such inventors to act on their joint behalf, or (iii) where there are two or more joint inventors and no inventor has been authorized in accordance with subparagraph (ii), the first inventor named in the petition or, in the case of PCT national phase applications, the first inventor named in the international application, (b) where an associate patent agent has been appointed or is required to be appointed pursuant to section 21, the associate patent agent, or (c) where paragraphs (a) and (b) do not apply, a patent agent appointed pursuant to section 20; 例文帳に追加

「権限ある通信者」とは,出願に関して,次の者をいう: (a) 当該出願が発明者により出願された場合は,次の者。ただし,当該発明者の特許を受ける権利又は当該発明に係わるすべての利益の移転について特許庁に登録されておらず,かつ,特許代理人が選任されていない場合に限る。 (i) 唯一の発明者 (ii) 2以上の共同発明者全員により共同発明者のために行動することを授権されたそれら共同発明者のうちの1,又は (iii) 2以上の共同発明者が存在し,かつ,何れの発明者も(ii)に従って授権されていない場合は,願書に最初に記載された発明者,又はPCT国内段階出願の場合は,国際出願に最初に記載された発明者 (b) 特許復代理人が選任されている場合又は第21条に従って特許復代理人を選任することが必要とされている場合は,特許復代理人,又は (c) (a)及び(b)が適用されない場合は,第20条に従って選任された特許代理人 - 特許庁

In respect of a PCT national phase application, for the purposes of subsection (1), (a) the time is the 3-month period after the applicant complies with the requirements of subsection 58(1) and if applicable, subsection 58(2); and (b) the requirements are that the application contain the information or documents listed below: (i) the name and address of the inventor, (ii) a declaration as to the applicant’s entitlement, as at the filing date, to apply for and be granted a patent, in accordance with Rule 4.17 of the Regulations under the PCT, (iii) a sequence listing complying with subsection 111(1) if a sequence listing is required by that subsection, (iv) an appointment of a patent agent if required by section 20, (v) an appointment of an associate patent agent if required by section 21, and (vi) an appointment of a representative if required by section 29 of the Act. 例文帳に追加

PCT国内段階出願に関しては,(1)の適用上,次の通りとする: (a) 当該期間は,出願人が第58条(1)及び該当する場合は第58条(2)を遵守した後3月であり,及び (b) 当該要件は,出願が次に列挙した情報又は書類を含むべきことである。 (i) 発明者の名称及び宛先 (ii) PCTに基づく規則の規則4.17に従って,特許を出願し,かつ,特許の付与を受ける,出願日における出願人の資格に関する宣言書 (iii) 配列一覧が第111条(1)により要求される場合は,同条を遵守する配列一覧 (iv) 第20条により要求される場合は,特許代理人の選任 (v) 第21条により要求される場合は,複特許代理人の選任,及び (vi) 法律第29条により要求される場合は,代理人の選任 - 特許庁

例文

(2) The conditions referred to in subsection (1)(a) are (a) that all the formal requirements have been complied with; (b) that the Registrar has received -- (i) the search report referred to in section 29(3) and the examination report referred to in section 29(5); (ii) the search and examination report referred to in section 29(6); (iii) the search report referred to in section 29(2)(c)(i), the examination report referred to in section 29(5) and, where the search report is not in English, an English translation of the search report (iv) the prescribed information referred to in section 29(2)(c)(ii) or (d)(ii) and, where the prescribed information includes any document that is not in English, an English translation of such document; (v) the international search report referred to in section 29(2)(d)(i) or (e)(i), the examination report referred to in section 29(5) and, where the international search report is not in English, an English translation of the international search report; or (vi) in the case of an international application for a patent (Singapore) which has entered the national phase in Singapore under section 86(3), as an alternative to the document or documents referred to in any of sub-paragraphs (ii), (iii), (iv) and (v) -- (A) the notice referred to in section 29(2)(e)(ii); (B) an international search report in respect of that application; (C) an international preliminary report on patentability in respect of that application; and (D) where any report referred to in sub-paragraph (B) or (C) is not in English, an English translation of that report; (c) that the prescribed documents for the grant of the patent have been filed; and (d) that the prescribed fee for the grant of the patent has been paid.例文帳に追加

(2)(1)(a)にいう条件は,次のとおりとする。(a)すべての方式要件が満たされていること(b)登録官が次の何れかを受領していること(i)第29条(3)にいう調査報告及び第29条(5)にいう審査報告(ii)第29条(6)にいう調査及び審査報告(iii)第29条(2)(c)(i)にいう調査報告,第29条(5)にいう審査報告,並びに当該調査報告が英語によるものでないときは当該調査報告の英語翻訳文(iv)第29条(2)(c)(ii)若しくは(d)(ii)にいう所定の情報及び所定の情報に英語によらない書類が含まれているときは当該書類の英語翻訳文(v)第29条(2)(d)(i)若しくは(e)(i)にいう国際調査報告,第29条(5)にいう審査報告及び当該国際調査報告が英語によるものでないときは当該国際調査報告の英語翻訳文,又は(vi)第86条(3)に基づいてシンガポールにおける国内段階に移行した国際特許出願(シンガポール)の場合は,(ii),(iii),(iv)及び(v)の何れかにいう書類に代わるものとして,(A)第29条(2)(e)(ii)にいう通知書(B)当該出願に関する国際調査報告(C)当該出願に関する特許性についての国際予備報告,並びに(D)(B)若しくは(C)にいう報告が英語によるものでないときは当該報告の英語翻訳文(c)当該特許付与のための所定の書類が提出されていること,並びに(d)当該特許付与のための所定の手数料が納付されていること - 特許庁

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