「planarization」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress propagation of cracks and peeling of a wiring interlayer film while performing planarization of the wiring interlayer film.例文帳に追加

配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a planarization pattern automatic formation method which enables the control of timing information variations after pattern information formation.例文帳に追加

パターン情報生成後のタイミング情報変動を抑制できるような平坦化パターン自動生成方法に関する。 - 特許庁

Single crystal plate 100 is subjected to planarization after a plane inclined by a specific angle from the crystal axis is formed thereon.例文帳に追加

単結晶板１００に、結晶軸より所定角度だけ傾いた平面を形成した後に平坦化処理を行なう。 - 特許庁

The composition is useful in the chemical-mechanical planarization (CMP) use and also in a polishing use of a base substrate.例文帳に追加

これらの組成物は化学機械的平坦化（ＣＭＰ）用途においても基材の研磨用途においても有用である。 - 特許庁

To facilitate planarization by stabilizing a capacity of a DRAM and reducing the difference in height between a memory cell part and a peripheral circuit part.例文帳に追加

ＤＲＡＭの容量を安定化し、メモリセル部と周辺回路部の高低差を小さくして平坦化を容易にする。 - 特許庁

The planarization layer provides a smooth surface for the formation of an electronic component such as a thin film electronic component.例文帳に追加

この平坦化層は、薄膜の電子的コンポーネントなどの電子的コンポーネントを形成するための滑らかな表面を設ける。 - 特許庁

The planarization apparatus 10 includes a polishing stage 22 in a machine body 12 thereof where a rough grinding stage 18 and a fine grinding stage 20 are mounted, thereby rough grinding, fine grinding and polishing of a wafer 28 are carried out in one planarization apparatus 10.例文帳に追加

本発明の平面加工装置１０によれば、粗研削ステージ１８、仕上げ研削ステージ２０が設置された本体１２に、研磨ステージ２２が設置され、ウェーハ２８の粗研削、精研削、及び研磨を同一の平面加工装置１０内で実施する。 - 特許庁

A photoelectric converting portion 102 is arranged two-dimensionally in a semiconductor substrate 101 and a planarization layer 103, a light shielding film 104, a planarization layer 105 and a condenser lens 106 are formed sequentially on the semiconductor substrate 101 and the photoelectric converting portion 102.例文帳に追加

半導体基板１０１内に光電変換部１０２を二次元配列し、当該半導体基板１０１及び光電変換部１０２上に平坦化層１０３、遮光膜１０４、平坦化層１０５及び集光レンズ１０６を順次形成する。 - 特許庁

In the planarization processing apparatus 10, a polishing stage 22 is mounted on a body 12 provided with a rough grinding stage 18 and a finishing grinding stage 20 so that a wafer 28 can be roughly ground, finely ground and polished in one planarization apparatus 10.例文帳に追加

本発明の平面加工装置１０によれば、粗研削ステージ１８、仕上げ研削ステージ２０が設置された本体１２に、研磨ステージ２２が設置され、ウェーハ２８の粗研削、精研削、及び研磨を同一の平面加工装置１０内で実施する。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film which makes possible further planarization during growth of the insulating film, using tetraethyl orthosilicate(TEOS) method.例文帳に追加

ＴＥＯＳ法を用いた絶縁膜の成長について、より平坦化を図り得る絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

There is no need to use a planarization process such as chemical-mechanical polish to planarize the top surfaces of the chips 315A.例文帳に追加

チップ３１５Ａの最表面を平坦化するために化学機械研磨のような平坦化プロセスを用いる必要は皆無である。 - 特許庁

In the etching process, the negative electrode 21 is used as a mask, and the planarization film 4, exposed from the negative electrode 21, is etched by plasma.例文帳に追加

エッチング工程では、陰極２１がマスクとなり、陰極２１から露出した平坦化膜４がプラズマによりエッチングされる。 - 特許庁

To provide a wafer planarization-polishing method capable of making the device surface of a wafer with devices very flat by polishing.例文帳に追加

半導体ウェーハのデバイス表面の高度な平坦化を可能とした、デバイス付きウェーハのプラナリゼーションポリッシング方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a coil conductor is formed on the coil conductor 11 through the intermediary of an insulating film, and then the planarization films 29 and 31 are removed.例文帳に追加

コイル導体１１上に絶縁膜を介してさらにコイル導体を形成した後に平坦化膜２９、３１を除去する。 - 特許庁

Also, by not employing chemical mechanical planarization process during the fabrication of the bipolar structures, the complexity of process integration is reduced.例文帳に追加

また、バイポーラ構造の製作の間に、化学機械研磨プロセスを使用しないことにより、プロセス統合の複雑さが軽減される。 - 特許庁

After the mask is exposed in the planarization process, the resist removal is performed (e), by which the formation of the fine tracks is performed.例文帳に追加

平坦化工程によってマスクを露出させた後、レジスト除去を行なう（ｅ）ことにより、微細トラック形成を達成する。 - 特許庁

To form a semiconductor device or a micromachine in a shorter time than heretofore, by using a damascene method using CMP for planarization.例文帳に追加

平坦化をＣＭＰで行うダマシン法を用いて、従来より短時間に半導体装置やマイクロマシンを形成できるようにする。 - 特許庁

A planarization method and a semiconductor substrate manufacturing method of the metal film on a semiconductor substrate using the composition are provided.例文帳に追加

およびこれらを用いて成る半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。 - 特許庁

When the planarization is advanced and the marker 3 is vanished, its vanishment can be confirmed, and hence flattening is stopped at the confirming time point.例文帳に追加

そして、平坦化が進み、マーカー３が消失すると、その消失を確認できるため、確認された時点で平坦化を止める。 - 特許庁

A lead terminal 21 is formed on the insulating film 9a, and a planarization film 29 is formed on the openings 15 and 17.例文帳に追加

絶縁膜９ａ上にリード端子部２１を形成すると共に、開口部１５、１７上に平坦化膜２９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of applying planarization processing with high planarity to a pattern of a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜のパターンに対して平坦性の高い平坦化処理が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A planarization process is carried out until the mask layer is exposed after the trench is filled with oxide layer by depositing over the trench and the substrate.例文帳に追加

酸化物層を溝および基板上に蒸着して溝を埋めた後、マスク層が露出するまで平坦化プロセスを実施する。 - 特許庁

A planarization membrane 12 on connection wiring 10 is removed, where a terminal ground layer 20 and a COG terminal layer 22 are formed.例文帳に追加

接続配線１０上の平坦化膜１２を除去し、そこに端子下地層２０およびＣＯＧ端子層２２を形成する。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION例文帳に追加

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス - 特許庁

Planarization layers 28, 29 for planarizing a surface are formed on the surface on which a pixel electrode 9 of an active matrix substrate 3 is formed.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板３の画素電極９が設けられた表面に、その表面を平坦化する平坦化層28，29を形成する。 - 特許庁

A composite semiconductor element has a substrate (11), a planarization layer (14) provided over the substrate (11) and including an organic material as a main material, and a semiconductor thin film (12) including a compound semiconductor element constituting a hall element, for example, and bonded on the planarization layer (14).例文帳に追加

複合半導体素子が、基板（１１）と、基板上（１１）に備えられ有機材料を主材料とする平坦化層（１４）と、例えばホール素子を構成する化合物半導体素子を含み平坦化層（１４）上にボンディングされた半導体薄膜（１２）を有する。 - 特許庁

A planarization film 80 is formed between electrodes such as electrodes 74 and 75 connected to wiring lines formed on a relay substrate such as a flexible substrate, etc., and a first interlayer dielectric 284 is formed on the planarization film 80 and at ends of the electrodes 74 and 75.例文帳に追加

フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes a sub layer provided with a photodiode and various transistors, a planarization layer formed on the sub layer, and the microlenses for the color filter formed on the planarization layer at constant intervals.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと各種のトランジスタが形成された下部素子層と、前記下部素子層上に形成される平坦化層と、前記平坦化層に一定の間隔を有して形成されるカラーフィルター用のマイクロレンズとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polishing composition of a gel-free colloidal polishing material an a polishing method associated with the same material, (e.g. a chemical-mechanical planarization).例文帳に追加

ゲルを含まないコロイド状研磨材の研磨組成物と、それに関連した研磨方法（例えば化学機械的研磨）を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing composition for CMP (Chemical Mechanical Planarization) that reduces scratches caused on a device wafer surface as a result of polishing.例文帳に追加

研磨することによりデバイスウェハ表面に発生するスクラッチ（かき傷）を低減することができるＣＭＰ用研磨組成物を提供する。 - 特許庁

The irregular pattern on the polymer film 22b is planarized to a comparatively great extent to reduce planarization of the contact hole 25 in the polymer film 22a.例文帳に追加

樹脂膜２２ｂ上の凹凸パターンは比較的大きく平坦化し、樹脂膜２２ａ内のコンタクトホール２５の平坦化を少なくできる。 - 特許庁

To provide an abrasive which can be preserved even at low ambient temperature relating to a CMP compound for planarization of an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜を平坦化するＣＭＰ剤において、低温の雰囲気下においても保存することができる研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting method which can prevent the processing quality from deteriorating and can allow planarization even in a wafer with a bump formed on it.例文帳に追加

バンプが形成されたウエーハでも加工品質の悪化を防止し、平坦化を可能とする研削方法を提供することである。 - 特許庁

Further, the projection portion 21 where the near-field light is generated is removed as the reaction proceeds, and a process for planarization automatically ends.例文帳に追加

また、近接場光の発生する凸部２１が反応の進行に伴い除去され、自動的に平坦化の工程が終了する。 - 特許庁

To provide a thin-film forming method for controlling stress of a thin film in a thin-film formation processing and a planarization processing.例文帳に追加

薄膜形成や平坦化処理において薄膜の応力を制御できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wafer processing method which inhibits deterioration in processing quality of a wafer though bumps are formed and enables planarization.例文帳に追加

バンプが形成されたウエーハでも加工品質の悪化を防止し、平坦化を可能とするウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a polishing pad (polishing layer) excellent in planarization characteristics and exhibiting high polishing speed while suppressing the occurrence of scratch.例文帳に追加

平坦化特性に優れ、スクラッチの発生を抑制でき、研磨速度が大きい研磨パッド（研磨層）を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The planarization insulation film region 30 is formed by replacing a portion where a conventional dummy metal layer has been formed with a dummy insulation film.例文帳に追加

平坦化絶縁膜領域３０は、従来のダミー金属層を形成していた部分をダミー絶縁膜で置き換えたものである。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high planarization performance, high sensitivity and high solvent resistance and ensuring high productivity.例文帳に追加

高い平坦化性能、高い感度および高い耐溶剤性を兼ね備え、生産性の高い感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

An X-ray photoconductive layer 4 is formed on the planarization layers 28, 29, and a bias electrode layer 5 is formed on the X-ray photoconductive layer 4.例文帳に追加

平坦化層28，29上にＸ線光導電層４を形成し、Ｘ線光導電層４上にバイアス電極層５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of oxidation for rounding to prevent degradation of oxide film breakdown voltage and a reverse narrow channel effect and planarization of a substrate.例文帳に追加

酸化膜耐圧の劣化や逆狭チャネル効果を抑えた丸め酸化と基板の平坦化の方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An aspect ratio of the wiring trench 10 is decreased to such an extent as the widening portion (shoulder portion A) of an aperture diameter above the opening of the wiring trench 10 is removed by planalyzing surface layers of the planarization film 21 and the material films 2-5 from the surface side of the planarization film 21.例文帳に追加

平坦化膜２１の表面側から、平坦化膜２１および材料膜２〜５の表面層を平坦化処理することにより、配線溝１０の開口上部における開口径の広がり部分（肩落ち部Ａ）を除去する程度に配線溝１０のアスペクト比を低下させる。 - 特許庁

The first electrode 52 is formed on the surface of the planarization layer 48 and is connected to a drain electrode of the current source transistor TS via the conduction hole Hb1 which is formed in a side in the planarization layer 48 and the second insulating layer 46, wherein the side is opposite to the light emitting element E side across the current source transistor TS.例文帳に追加

第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。 - 特許庁

In a process step of spin coating of an organic planarization film 16, the upper limit value of the number of revolutions is specified to L×ω/2η<160, when the number of revolutions during drying and spinning right after coating is defined as ω, the opposite angle length of the substrate as L and the viscosity of the organic planarization film 16 as η.例文帳に追加

有機系平坦化膜１６を回転コートする工程において、コーティング直後の乾燥スピン時の回転数ωを、基板の対角長をＬ、有機系平坦化膜１６の粘性をηとした場合、回転数の上限値をＬ×ω／２η＜１６０ にする。 - 特許庁

Uniformity and deposition properties in the X-ray photoconductive layer 4 provided on the planarization layers 28, 29 are improved, thus improving resolution characteristics, or the like.例文帳に追加

平坦化層28，29上に設けるＸ線光導電層４の均一性および成膜性を改善し、解像度特性などを向上させる。 - 特許庁