「planarization」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing pad having a window with increased optical transparency and reduced optical scattering which is used for optically detecting a polishing endpoint in chemical mechanical planarization of semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションにおける研磨の終点を光学的に検知するために用いられる研磨パッドにおいて、より高い光透過性及びより低い光散乱性を有する窓部を有する研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device and a nonvolatile semiconductor storage device capable of eliminating a step on a gate electrode without providing a planarization processing step using a liner film as a stopper film.例文帳に追加

ライナー膜をストッパ膜とした平坦化処理工程を設けることなくゲート電極上の段差を解消できるようにした不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Dielectric films (75) configurating the storage capacitors among these consist of a plurality of layers including materials different from each other and one layer among these layers includes a silicon nitride film and the surfaces of the interlayer insulating film are subjected to planarization processing.例文帳に追加

このうち蓄積容量を構成する誘電体膜（７５）は、相異なる材料を含む複数の層からなるとともに、そのうちの一の層は窒化シリコン膜を含み、層間絶縁膜の表面は平坦化処理が施されている。 - 特許庁

The intermediate layer includes a plurality of particulates deposited on a main surface of the transparent substrate, and a transparent planarization resin layer which covers the particulates and has a refractive index different from that of the particulates.例文帳に追加

前記中間層は、前記透明基板の主面上に付着された複数の微粒子と、前記複数の微粒子を覆い前記複数の微粒子の屈折率とは異なる屈折率を有する透明な平坦化樹脂層と、を含む。 - 特許庁

In a microlens unit MSU, at least a portion of the circumferential edge of a microlens MS (convex lens MS[BG]) supported by a bump BG and a trench DH are overlapped in the direction VV perpendicular to the in-plane direction of a planarization film 31.例文帳に追加

マイクロレンズユニットＭＳＵは、隆起部ＢＧに支えられているマイクロレンズＭＳ（凸レンズＭＳ[BG]）の周縁の少なくとも一部と溝部ＤＨとを、平担化膜３１の面内に対する垂直方向ＶＶにおいて重ねている。 - 特許庁

At this time, the second and third interlayer insulating films 42, 43 are respectively subjected to planarization processing by using a CMP method, and the contact holes are made, only in the pixel regions 10a of the second and third interlayer insulating films 42, 43 subjected to the planarizing processing.例文帳に追加

その際、ＣＭＰ法を用いて第２，第３層間絶縁膜４２，４３をそれぞれ平坦化処理し、これら平坦化処理した第２，第３層間絶縁膜４２，４３に対しては画素領域１０ａのみにコンタクトホール８３，８４を開孔する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing method using it, which cause less metallic contamination of a wafer by realizing both high polishing speed and high planarization characteristics without causing defects in a metal film and an insulating film.例文帳に追加

金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、高い研磨速度と高平坦化特性を両立し、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

The refractive index of a first isolation film 12A of a barrier layer for converting the light-shielding film 11 on the photoelectric conversion region 3, and an transfer region 4 is selected lower than the refractive index of a second isolation film 13A that is a planarization layer on the first isolation film 12A.例文帳に追加

光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display with a high aperture ratio, having proper display characteristics at a high yield, by being formed on TFT and wiring and suppressing the film reduction of an interlayer insulating film comprising a transparent resin used for surface planarization.例文帳に追加

ＴＦＴおよび配線上に形成され、表面平坦化のために用いられる透明樹脂からなる層間絶縁膜の膜減りを抑制して、良好な表示特性を有する高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得る。 - 特許庁

From the substrate 11 side, via a planarization layer 13 which is an underlying layer, a first electrode 14 as a positive electrode, an insulating film 15, an organic layer 16 including a light emitting layer, and a second electrode 17 as a negative electrode are laminated in this order.例文帳に追加

基板１１の側から、下地層である平坦化層１３を介して、陽極としての第１電極１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, which can achieve planarization and high precision of the upper surface of a main magnetic pole, high precision shaping of a trailing gap, and efficient formation and high precision of a side shield and trailing shield.例文帳に追加

主磁極上面の平坦化形成とその高精度化を可能とし、また、トレーリングギャップ形状の高精度化、およびサイドシールド、トレーリングシールドの効率的形成とその高精度化を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of attaining high planarization as well as having high polishing speed even under a low pressure condition, in a chemical mechanical polishing (CMP) method for such as a film to be processed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低圧条件下であっても、高い研磨速度を有し、且つ、高い平坦化を達成しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

Unevenness of polishing speed is reduced by providing openings positively in the surface of a film having a high pattern density being polished for planarization thus forming a planarized film having high in-plane uniformity regardless of the pattern density and the dimensions.例文帳に追加

平坦化するために研磨されるパターン密度の高い膜の表面に開口部を積極的に設けることにより、研磨速度の不均一性を低減し、パターン密度、寸法に依存しない面内均一性の高い平坦化膜を形成する。 - 特許庁

After a step structure consisting of steps 102, 102,... and terraces 101, 101,... is formed on the single crystal plate 100 by the planarization, the fine structure in the stripe-form is formed around steps 102, 102,... by depositing a fine structure precursor.例文帳に追加

平坦化処理によって、単結晶板１００にステップ１０２、１０２、…及びテラス１０１、１０１、…からなるステップ構造を形成後、微細構造物前駆体の蒸着によって帯状の微細構造物をステップ１０２、１０２、…周辺に形成する。 - 特許庁

To provide a wiring forming method and a wiring structure capable of preventing a conductive material buried in a recess from dropping in a planarization process even if the conductive material buried in the recess having an incomplete surface seed layer formed on the surface of an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層表面に形成された不完全な表面シード層を持つ凹み内部に導電材料が埋込まれても、平坦化の過程における脱落を防止することができる配線の形成方法および配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive siloxane composition having high photosensitivity and having such properties as high heat resistance, high transparency and low dielectric constant, used to form a planarization film for a TFT substrate, an interlayer dielectrics or a core or cladding of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

To enhance reliability by decreasing the wiring defects by the level differences in a laminated structure on a substrate by relatively simple constitution of a substrate device which has wiring on the substrate and is subjected to a planarization treatment on the substrate.例文帳に追加

基板上に配線を備えると共に該基板上における平坦化処理が施された基板装置において、比較的簡単な構成により基板上の積層構造中における段差による配線不良を低減して、装置信頼性を高める。 - 特許庁

The polishing solution for metal used for chemical mechanical planarization in the production process of a substrate for semiconductor integrated circuit contains (A) an organic/inorganic composite particles, (B) quinoline carboxylic acid or its derivative, (C) an amino acid, and (D) an oxidizing agent.例文帳に追加

半導体集積回路用基板の製造工程における化学的機械的平坦化に用いられ、（Ａ）有機無機複合粒子、（Ｂ）キノリンカルボン酸又はその誘導体、（Ｃ）アミノ酸、及び（Ｄ）酸化剤を含有することを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which planarity of an interconnection forming layer is ensured in planarization processing performed during an interconnection forming process, and circuit simulation can be performed with high precision by reducing capacitance between the interconnection and dummy wiring.例文帳に追加

配線形成工程で実行される平坦化処理の際の配線形成層の平坦性の確保と、配線とダミー配線との間の容量の低減化による回路シミュレーションの高精度化を図ることができるようにした半導体装置を提供する。 - 特許庁

To complete planarization of all insulation separation grooves formed on a substrate or steps generated at a wiring pattern formation, in a process for embedding an insulation material into the groove or wiring gap without using a CMP technology.例文帳に追加

基板上に形成された絶縁分離用溝もしくは配線パターン形成により生じた段差を、ＣＭＰ技術を用いることなく、溝もしくは配線間隙への絶縁材料埋め込み工程段階ですべて平坦化を完了させるようにする。 - 特許庁

Optical measurement technique by interference light intensity and spectrophotometric intensity is utilized for controlling the real-time end point in the original point of the planarization by chemical/mechanical polishing in the manufacture of semiconductors or various optical devices.例文帳に追加

本発明は、半導体またはさまざまな光学装置の製造における化学／機械研磨による平坦化のその本来の場所での実時間終点制御のために干渉光強度、分光光度による光学測定技術を利用するものである。 - 特許庁

To provide a composition which can be used as gate dielectrics processable at low temperature or in solution or printable for thin film transistors and also can be used in the planarization of stainless steel foils for thin film transistors and other electronic devices.例文帳に追加

薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。 - 特許庁

To provide an abrasive that is used for super-precision polishing in the planarization process of a substrate surface in manufacturing semiconductor devices and the formation process of especially shallow trench separation, increasing the polishing speed ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film, and having little contamination of alkali metal.例文帳に追加

半導体デバイス製造時の基板表面の平坦化工程、特にシャロートレンチ分離の形成工程の超精密研磨で使用し、酸化珪素膜と窒化珪素膜との研磨速度比を大きくし、アルカリ金属の汚染の少ない研磨剤を提供する。 - 特許庁

An element substrate 10 which is one substrate of the pair of substrates includes a light transmissible substrate 18, a pixel TFT 20 formed thereon, a passivation film 38, a planarization film 40, a pixel electrode 42, the FFS insulating film 44 and a common electrode 46.例文帳に追加

一対の基板の一方の基板である素子基板１０は、透光性基板１８と、その上に形成される画素ＴＦＴ２０と、パッシベーション膜３８と、平坦化膜４０と、画素電極４２と、ＦＦＳ絶縁膜４４と、共通電極４６とを含んで構成される。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which polishing can be carried out in accordance with the material of higher polishing rate when films of different materials are polished simultaneously for planarization, and polishing of films of different materials can be ended simultaneously.例文帳に追加

平坦化するべく異なる材質の膜を同時に研磨したとしても、研磨速度の速い材質に合わせて研磨を行うことができるとともに、異なる材質の膜の研磨を同時に終了することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical and mechanical polishing method, and a chemical and mechanical polishing device with which the polishing time can be found, without having to use complicated calculations and the planarization of different types of base patterns of different area density can be performed by one polishing step.例文帳に追加

複雑な計算を用いることなく研磨時間を求め得ることができ、且つ、面積密度の異なる種々の下地パターンに対し一回の研磨工程で平坦化を行い得る化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供することにある。 - 特許庁

On the entire structure including the trench 105, a liner insulation film 107 comprising DCS-HTO having an etching rate in the level similar to that of a polysilazane (PSZ) film is formed, and the trench 105 is gap filled with the polysilazane film 108 thereon to perform a planarization process.例文帳に追加

トレンチ１０５を含む全体構造上にポリシラザン（ＰＳＺ）膜と類似した水準のエッチング率を有するＤＣＳ−ＨＴＯからなるライナ絶縁膜１０７を形成し、その上にポリシラザン膜１０８でトレンチ１０５を埋め込み平坦化工程を実施する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition which has excellent hardenability without using a hardening accelerator, is colorless and transparent in hardened matter, is little in discoloration under photoirradiation conditions of high temperature and high energy and is appropriate for a planarization film of a color filter.例文帳に追加

硬化促進剤を使用することなしに優れた硬化性を有し、かつ硬化物が無色透明で、高温および高エネルギーの光照射条件下で変色が少なく、カラーフィルターの平坦化膜用に好適な熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To achieve both surface planarization and film thickness uniformity of an upper insulation film by uniformly planarizing the surface of the upper insulation film, which covers a structure having a level difference on a surface thereof, across the whole substrate in order to stably and reliably form a desired semiconductor element.例文帳に追加

表面に段差部分を有する構造物を覆う上部絶縁膜を基板全面に亘って均一に表面平坦化し、上部絶縁膜の表面平坦化及び膜厚均一化を共に実現して、所期の半導体素子を安定且つ確実に形成する。 - 特許庁

This is because, since the etching rate is crystal-face dependent, etching of the polycrystalline Si wafer inevitably results in formation of steps because of different crystal-face orientations of individual crystal grains exposed on a surface of the wafer, which hinders precision surface planarization.例文帳に追加

これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。 - 特許庁

A structure having a lower side dielectric layer 530 on a substrate; a metal layer 520 on the lower side dielectric layer; an upper side dielectric layer 510 on the metal layer; a planarized layer 140 on the upper side dielectric layer; and a photoresist layer 130 on the planarization layer, is formed on the substrate.例文帳に追加

基板上に、基板上の下側誘電体層(530)、下側誘電体層上の金属層(520)、金属層上の上側誘電体層(510)、上側誘電体層上の平坦化層(140)、平坦化層上のフォトレジスト材料(130)の層を有する構造が形成される。 - 特許庁

The cerium oxide polishing agent is formed by dispersing cerium oxide particles, acrylic acid ester derivative and dispersing agent, consisting of polyacrylic acid into water, and planarization of surface has been realized with a method of polishing the substrate by using the same cerium oxide polishing agent.例文帳に追加

本発明は、酸化セリウム粒子と、アクリル酸エステル誘導体及びポリアクリル酸からなる分散剤とを水中に分散させてなることを特徴とする酸化セリウム研磨剤及びこれを用いた基板の研磨方法を提供することで、課題を解決した。 - 特許庁

The aqueous washing composition is used for the wafer having copper wiring after the treatment by the chemical mechanical planarization in integrated circuit processing and the composition comprises 0.1-15 wt.% nitrogen-containing heterocyclic organic base, 0.1-35 wt.% alcoholamine and water.例文帳に追加

本発明は、集積回路プロセシングにおける化学機械平坦化処理後の、銅配線を有するウェハーに使用される水性洗浄組成物に関し、該組成物は０．１〜１５重量％の含窒素複素環有機塩基と、０．１〜３５重量％のアルコールアミンと、水とを含む。 - 特許庁

To obtain a photocurable resin composition that provides a low refractive index cured material for a planarization layer of a solid-state imaging element and has excellent coating properties by a spin coating method and a solid-state imaging element in which flare is prevented by using the resin composition.例文帳に追加

固体撮像素子の平坦化層用の低屈折率硬化物及びマイクロレンズ用反射防止膜を与え、かつスピンコート法による塗布性に優れた光硬化性樹脂組成物、及びこれを用いた、フレアの防止された固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is improved such that, in planarizing an interlayer insulating film, occurrence of global steps is restricted without depending on the density of an underlying pattern, and high planarization characteristic of the surface of the interlayer insulating film is obtained.例文帳に追加

層間絶縁膜の平坦化に際し、下地パターンの粗密に依存せず、グローバル段差の発生が抑制され、層間絶縁膜表面の高い平坦性が得られるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a wiring layer 25A having the largest film thickness is disposed on a lower layer of a fourth insulating layer 26 subjected to planarization processing, thus greatly relieving a step by the wiring layer 25A on the surface of the fourth insulating layer 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、最も膜厚が厚くなる配線層２５Ａが、平坦化処理の施される第４の絶縁層２６の下層に配置されることで、第４の絶縁層２６表面には、配線層２５Ａによる段差が大幅に緩和される。 - 特許庁

Since processes such as film formation, CVD, etching, planarization, cleaning and so forth can be conducted directly by only switching the gas, majority of processes can be performed under atmospheric pressure, thus enabling efficient processes.例文帳に追加

また、略々大気圧動作としガス流によるプロセス空間等の隔離を行うことでロードロックが不必要となり、直接成膜・ＣＶＤ・エッチング・平坦化・洗浄等のプロセスがガスの切り替えだけで可能なことから大半のプロセスを大気圧で行え、効率的なプロセスが可能となる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method, of multilayer interconnection boards, that is advantageous for mass production, since a gap for forming an insulating layer is controlled easily, can thin the entire board, and is also advantageous to the planarization of a board surface; and to provide the multiplayer interconnection boards obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層を形成するためのギャップの制御が容易なため量産化に有利であり、しかも基板全体の薄層化が可能で、基板表面の平坦化にも有利な多層配線基板の製造方法、並びに、その製法で得られうる多層配線基板を提供する。 - 特許庁

This pad conditioner includes abrasive grains for pad polishing and grinding used in a semiconductor planarization CMP process, a bond layer holding the abrasive grains; and a bed to which the bond layer is fixed, wherein the abrasive grains or coating material coating the abrasive grains is a material having durability against CMP slurry.例文帳に追加

パッドコンディショナーは、半導体平坦化ＣＭＰプロセスに用いるパッド研磨研削用の砥粒と、この砥粒を保持するボンド層と、このボンド層を固着した台とよりなり、砥粒あるいは砥粒を被覆する被膜物質がＣＭＰスラリーに対して耐久性を持つ物質である。 - 特許庁

To provide a method for chemical and mechanical planarization capable of surely eliminating a residue of a silicon dioxide, without requiring reverse mask etching work or re-removing work, improving the grinding control capability, reducing the cost and improving the yield.例文帳に追加

確実に二酸化珪素の残留の課題を解消できると共に、反マスクエッチング作業や再除去作業を要しないようにすることができ、研磨制御能力を向上でき、コストを低減させることができとともに、歩留まりをも向上できる化学機械平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed board capable of stabilizing electric characteristics even if outgrowth arises, improving the planarization of a substrate surface, and eliminating the need of a resist with height matched with a thick copper pattern even when forming the thick copper pattern; and a printed board using the same.例文帳に追加

アウトグロースが発生しても、電気的な特性が安定し、さらに基板表面の平坦化を向上することができ、厚銅のパターンを形成する場合であってもこれに合わせた高さのレジストが不要となるプリント基板の製造方法及びこれを用いたプリント基板を提供する。 - 特許庁

A radiation imaging device 1 includes, in a pixel portion 12, a photoelectric conversion part 111 including a pixel transistor and a photodiode, an insulation film 112, a protective film 113, a second substrate 114, a lens array 115, a planarization film 116, and a scintillator layer 117 in this order on a first substrate 11.例文帳に追加

放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which reduces a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevents metallic contamination of a wafer.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減して、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜などの層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

To provide polishing equipment and a polishing method in which variation in chemical reaction rate due to temperature rise on the surface of a metal film through metal based exothermic reaction is suppressed on a polishing surface when planarization polishing of wafer surface having a metallization film is performed by CMP.例文帳に追加

金属配線膜を有するウェーハ表面のＣＭＰ法による平坦化研磨を行うにあたり、メタル系の発熱反応で金属膜表面の温度が上昇し、加工面の化学的反応速度にばらつきが生じることを抑制した研磨装置、及び研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for a color filter which minimizes unnecessary parts occurring at the peripheral edge of a resist film spin-coated on a substrate in an LCD manufacturing process by a TFT and STN system, and which improves coating property and planarization.例文帳に追加

ＴＦＴ及びＳＴＮ方式のＬＣＤ製造工程において基板上に回転塗布されるレジスト膜の周縁部分で発生する不必要な部分を最小限に止め、コーティング性と平坦化を向上させたカラーフィルター用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁