「poly-p」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thermoconductive fiber of the invention comprises poly-p-phenylenebenzobisoxazole fiber and a boron nitride powder bonded to a part or the whole of a surface of the poly-p-phenylenebenzobisoxazole fiber, and the boron nitride powder is bonded with a thermosetting resin.例文帳に追加

この発明に係る熱伝導繊維は、ポリ‐ｐ‐フェニレンベンゾビスオキサゾール繊維と、該ポリ‐ｐ‐フェニレンベンゾビスオキサゾール繊維の表面の一部または全部に結着された窒化ホウ素粉末とからなる熱伝導繊維であって、前記結着が熱硬化性樹脂によりなされることを特徴としている。 - 特許庁

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁

As electroluminescent material, new poly(p-phenylene vinylene) derivative, i.e., poly{2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene-1,2- ethenylene-2,5-dimethoxy-1,-4-phenylene-1,2-ethenylene} (M3EH-PPV) is used.例文帳に追加

エレクトロルミネセント材料として新規のポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体、即ちポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−１，２−エテニレン−２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレン−１，２−エテニレン］（Ｍ３ＥＨ−ＰＰＶ）を使用する。 - 特許庁

To prevent outgas constituents from being generated without losing performance and dimension accuracy that component originally have by coating the components for generating the outgas consisting of rubber and a magnet or scattering a magnetic powder with poly-p-xylylene or is derivative.例文帳に追加

アウトガスを発生しやすい有機材料からなる部品であってもハードディスクに使用することができるハードディスク用部品。 - 特許庁

The new electroluminescent polymer according to this invention comprises the poly(p- phenylenevinylene) as the main chain and an alkyl group-bearing phenylsilicone as the side chains.例文帳に追加

本発明によるこの新規の電気発光高分子は主鎖であるポリ（ｐ—フェニレンビニレン）と側鎖としてアルキル基を含むフェニルシリコンからなる。 - 特許庁

The battery pack P comprises a unit cell 1 of a flat square box shape, a poly-switch 8 fitted at an outer periphery side face of the unit cell 1, and a resin mold 2 integrating the poly-switch 8 with the unit cell 1 covering an outer periphery face of the former.例文帳に追加

電池パックＰは、扁平角箱状の素電池１と、素電池１の外周側面に付設されるポリスイッチ８と、ポリスイッチ８をこれの外周面を覆って素電池１に一体化する樹脂モールド２とからなる。 - 特許庁

An electrically conductive polymer which shows a dark color such as a polypyrrole, poly-p-phenylene, polythiophene, poly(3-methylthiophene) or polyaniline is filled into voids in the craze region of a polymer resin film formed in parallel stripes.例文帳に追加

クレーズ領域が縞状に形成されてなる高分子樹脂フィルムのクレーズ領域のボイド内に、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリアニリン等の暗色を呈する導電性ポリマーが充填されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The obtained by poly-p-xylylene covering can be subjected to conformal coating to a cladding body.例文帳に追加

アウトガスを発生したり、磁性粉を飛散させるハードディスク用部品にポリパラキシリレンまたはその誘導体をコーティングしたことを特徴とするハードディスク用部品。 - 特許庁

The insulating film materializing the low dielectric constant can be provided, by using a crystalline organic thin film containing poly(tetrafluoro-p-xylylene).例文帳に追加

ポリ（テトラフルオロ−ｐ−キシリレン）を含む結晶性有機薄膜を用いることにより低誘電率化を実現することのできる絶縁膜を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a poly(p-dioxanone) excellent in hydrolytic resistance, monofilament of the polymer obtained by the above method and a method for producing the above monofilament.例文帳に追加

本発明は、耐加水分解性に優れたポリ（ｐ−ジオキサノン）の製造法、並びに該方法により得られるポリマーのモノフィラメント及びその製造法を提供する - 特許庁

To produce a poly(3-hydroxybutanoic acid-co-hydroxyhexanoic acid)(P(3HB-co-3HHx)) by using methanol as a basic raw material.例文帳に追加

メタノールを基本原料として、ポリ（３−ヒドロキシブタン酸−ｃｏ−ヒドロキシヘキサン酸）（Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＨｘ））を生産することを目的とする。 - 特許庁

To provide a poly(3-hydroxybutanoic acid-co-3-hydroxypropionic acid)(P(3HB-co-3HP)) by using an inexpensive biomass as a basic carbon source.例文帳に追加

安価なバイオマスを基本炭素源としてポリ（３−ヒドロキシブタン酸−ｃｏ−３−ヒドロキシプロピオン酸）（Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＰ））を生産することを目的とする。 - 特許庁

POLY(P-XYLYLENE)-BASED POLYMER HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT AND LOW LOSS CHARACTERISTIC, AND INSULATING MATERIAL, PRINTED CIRCUIT BOARD AND FUNCTIONAL ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

低誘電率及び低損失特性を有するポリｐ−キシリレン系重合体ならびにこれを用いた絶縁材、印刷回路基板および機能性素子 - 特許庁

The multilayered silicon oxide nitride film is used as the gate insulating film, and the gate electrode 7 containing a p-type poly- crystal silicon layer doped with boron is formed thereon.例文帳に追加

この多層シリコン酸化窒化膜をゲート絶縁膜とし、その上に、ホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン層を含むゲート電極７を形成する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable to add an azide compound as a cross-linking agent for the negative photosensitive resin composition as the compound efficiently reacts with poly (p-vinylphenol).例文帳に追加

さらには該ネガ型感光性樹脂組成物の架橋剤としてアジド化合物を添加するとポリ（ｐ−ビニルフェノール）と効率よく反応するため好ましい。 - 特許庁

The polymerization degree n of the poly(N-alkyl-p-benzamide)(4) thus produced meets the relationship:1≤n≤70.例文帳に追加

但し、前記モノマー（１）のアルキル基Ｒの炭素数は８〜１２であり、生成されるポリ（Ｎ−アルキル−ｐ−ベンズアミド）（４）の重合度ｎは１≦ｎ≦７０である。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

A poly(p-tert-butoxystyrene) is prepared by adding p-tert- butoxystyrene with a water content regulated to ≤70 ppm or a solution thereof to a mixture of a reaction solvent and a polymerization initiator.例文帳に追加

反応溶媒と重合開始剤との混合物に、水分含量が７０ｐｐｍ以下に調整されたｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンまたはその溶媒溶液を順次加えてポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）を製造する。 - 特許庁

The hood fabric with high incision resistance to cutlery or the like is provided by using a woven/knitted fabric comprising p-aramid fibers and/or poly-p-phenylene benzoxazole fibers as the sheet base 2 of the hood fabric.例文帳に追加

幌生地のシート基材２として、パラ系アラミド繊維又は／及びポリパラフェニレンベンズオキサゾール繊維からなる織編物製のものを用いていることにより、刃物等による耐切創性に優れた幌生地を提供できる。 - 特許庁

To obtain an aromatic polyimide porous film consisting essentially of a poly(p-phenylenepyromellitimide)-based polyimide porous film, etc., having open pores on the surface and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明は表面に開孔があるポリパラフェニレンピロメリットイミポリイミド多孔膜はドから主としてなる芳香族ポリイミド多孔膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce a poly(N-alkyl-p-benzamide) having desired molecular weight(polymerization degree) using easy-to-handle raw materials and by a simple method.例文帳に追加

取り扱いが容易な原料を用い、また簡便な方法によって、所望の分子量（重合度）を有するポリ（Ｎ−アルキル−ｐ−ベンズアミド）を製造できるようにする。 - 特許庁

This gasket is characterized by containing a poly(p-phenylene benzobisoxazole) fiber as a fibrous substrate in the case of the gasket comprising the fibrous substrate, a filler and a binder.例文帳に追加

繊維基材と、充填剤、及び結合材とからなるガスケットに於いて、繊維基材としてポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維を含有していることを特徴とするガスケット。 - 特許庁

To provide a poly(p-phenylene vinylene) resin composition efficiently improved in mechanical characteristics, dimensional stability and thermal characteristics by whichever addition of a large amount or a small amount.例文帳に追加

少量あるいは多量の添加であっても効率よく機械特性、寸法安定性および熱特性を向上させたポリ（ｐ−フェニレンビニレン）系樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The fiber is preferably a polyamide, a poly(p-phenylene- terephthalamide), cellulose or a polyethylene fiber, and the wax preferably has 30-120°C melting point and 0.05-15 MPa stiffness.例文帳に追加

前記繊維は、ポリアミド、ポリ（p-フェニレン−テレフタルアミド）、セルロースまたはポリエチレン繊維であることが好ましく、前記ロウは、３０℃から１２０℃の範囲の融点を備えること、０．０５ＭＰａから１５ＭＰａの範囲の堅さを有することが好ましい。 - 特許庁

In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9.例文帳に追加

また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

This method comprises the following process: Pseudomonas fluorescens 127 stain (Pseudomonas fluorescens N127, FERM P-17745) is cultured in a culture medium containing 4-phenoxy-n-butyric acid represented by formula (2) (n represents an integer number ≤10.), and poly-3-hydorxy-n-butyric acid produced by culturing the above 127 strain and represented by formula (1) is extracted.例文帳に追加

シュードモナス・フルオレッセンス Ｎ１２７株（Pseudomonasfluorescens N127、FERM P-17745）を、下記式（２）で表される４−フェノキシ−ｎ−酪酸を含む培地で培養し、該Ｎ１２７株の培養により生産されたポリ−３−ヒドロキシ−４−フェノキシ−ｎ−酪酸を抽出する。 - 特許庁

The method relates to wafer processing utilizing multilayer processing procedure including one or more measuring processes, one or more poly-etching (P-E) processes and one or more metal gate etching processes, and the multilayer/multi-input/multi-output (MLMIMO) model and library.例文帳に追加

本発明は、1つ以上の測定処理、1つ以上のポリエッチング(P-E)処理及び1つ以上の金属ゲートエッチング処理を有する多層処理手順並びに多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いてウエハを処理する方法を供する。 - 特許庁

The thermal oxide film 39 cuts off diffusion of hydrogen during the formation of the silicon nitride film 41 to improve, specially, the threshold stability of the P+ poly- PMOS 31, the threshold voltage stability of the N+ poly-NMOS 27, and the resistance value stability of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加

熱酸化膜３９は、シリコン窒化膜４１の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｐ＋ポリＰＭＯＳ３１のしきい値電圧安定性、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のしきい値電圧安定性及びポリシリコン抵抗体３５の抵抗値安定性を向上させる。 - 特許庁

The electric double layer capacitor has a high voltage characteristic which does not exist in a conventional one since oxidation reduction potential of n-dope of a dielectric of poly-fluorene is lower compared with conventional activated carbon and oxidation reduction potential of poly-fluorene or p-dope of the dielectric is higher compared with conventional activated carbon.例文帳に追加

この本発明の電気二重層キャパシタは、ポリフルオレンの誘導体のｎ−ドープの酸化還元電位は従来の活性炭に比べて低く、ポリフルオレンまたはその誘導体のｐ−ドープの酸化還元電位は従来の活性炭に比べて高いので、従来にない高電圧特性を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a poly(p-vinylphenol) copolymer containing a hydrophilic group, simply and easily at a low cost.例文帳に追加

簡便且つ低コストで、親水性基を含有するポリ（ｐ−ビニルフェノール）共重合体を得ることができる親水性基含有ポリ（ｐ−ビニルフェノール）共重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The resistor consists of many unit resistors in which P+ diffusion resistors and poly silicon resistors having resistance characteristics reciprocal to each other with respect to a temperature change are combined at a prescribed ratio.例文帳に追加

温度変化に対して相反した抵抗特性を有するＰ^＋拡散抵抗とポリシリコン抵抗が所定の比率で組合された単位抵抗が多数個集まって抵抗を構成する。 - 特許庁

The gate electrode 7 is made of P-type Poly-SiC whose Fermi level is closer to a Fermi level of the body region 3 than a Fermi level of Si.例文帳に追加

そして、ゲート電極７の材料に、Ｓｉのフェルミ準位よりもボディ領域３のフェルミ準位に近いフェルミ準位を有するＰ型Ｐｏｌｙ−ＳｉＣが採用されている。 - 特許庁

To improve the strength of a transmission belt by improving the adhesiveness of a core cord made of a poly-P-phenylene benzobisoxazole(PBO) fiber and a rubber composition of a belt body.例文帳に追加

ポリ−Ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）繊維から成る心線コードとベルト本体のゴム組成物との接着性を向上させることで、伝動ベルトの強度を向上させる。 - 特許庁

The poly-p-phenylene terephthalamide fiber is used in the form of pulp or chopped fiber and pulp and the weight ratio of chopped fiber/pulp is 0/100 to 95/5, preferably 50/50 to 90/10.例文帳に追加

そして、ポリ−ｐ−フェニレンテレフタラミド繊維は、そのパルプ又はチョップとパルプであり、両者の配合質量比率をチョップ／パルプ＝０／１００〜９５／５、好ましくは５０／５０〜９０／１０とする。 - 特許庁

A newly developed aluminum (poly)phosphate-siloxane cocondensate is applicable to the sealant by specifying its atomic ratio of phosphorus (P) : aluminum (Al) : Silicon (Si) to 1-3:1:8-1,040.例文帳に追加

リン（Ｐ）、アルミニウム（Ａｌ）および珪素（Ｓｉ）の原子比が１〜３：１：８〜１０４０の範囲内にある新規（ポリ）リン酸アルミニウムシロキサン共縮合物が、前述の封孔剤としての要件を満たした。 - 特許庁

A stimulable phosphor adapted to convert an incident radiation into a visible ray is formed on one surface of a support body in a storage phosphor panel, where the phosphor, and the surface of the support body if desired, are covered with a poly-p-xylylene film, and a film-forming silazane or siloxazane type polymer compound covers the outermost surface of the poly-p-xylylene film on the phosphor side.例文帳に追加

入射放射線を可視光に変換するために適応された刺激性燐光体が貯蔵燐光体パネル中の支持体の一つの表面上に形成され、そこでは燐光体、所望により前記支持体の表面はポリパラキシリレンフィルムでカバーされ、フィルム形成シラザン又はシロキサザンタイプのポリマー化合物は燐光体側上のポリパラキシリレンフィルムの最外表面をカバーする。 - 特許庁

Within the gate poly 4, p-channel MOS transistor 6 and n-channel MOS transistor 7, a contact 3 is provided and a first layer wiring is provided by connecting the grids on the contact 3.例文帳に追加

そして、ゲートポリ４、Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ部６、及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタ部７内には、コンタクト３が設けられ、コンタクト３上にはグリッド間をむすんで１層目配線が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for producing a sealing medium of a rubber-like elastic material coated with a poly-p-xylylene film which has a low carbon dioxide gas permeability and does not cause the peeling of the film even when subjected to flex deformation.例文帳に追加

ポリパラキシリレンで被覆されたゴム弾性体のシール材であって、炭酸ガス透過性が低く、屈強変形を受けても皮膜の剥離の生じないシール材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A poly-Si gate electrode 13 is dry-etched, while using as a mask, a silicon oxide film 14 containing B or P, and the silicon oxide film 14 is selectively removed.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉゲート電極１３のドライエッチングをＢあるいはＰを含んだシリコン酸化膜１４をマスクとしてエッチングを行い、その後ＢあるいはＰを含んだシリコン酸化膜１４を選択的に除去する。 - 特許庁

The hybrid type secondary power supply is composed of a positive electrode chiefly containing electric conductive high-polymers admitting p-doping (for example, one of the polythiophene, poly-3-(4-fluorophenyl)thiophene, and poly-3-methylthiophene), a negative electrode chiefly containing a carbonic substance capable of occluding and emitting lithium ions, and an organic electrolytic solution containing lithium salts.例文帳に追加

ｐ−ドーピング可能な導電性高分子（例えば、ポリチオフェン、ポリ−３−（４−フルオロフェニル）チオフェンまたはポリ−３−メチルチオフェンからなる群より選ばれる１種）を主体とする正極と、リチウムイオンを吸蔵、脱離しうる炭素材料を主体とする負極と、リチウム塩を含む有機電解液とを有するハイブリッド型二次電源。 - 特許庁

To reduce a heat shrinkage of a printed circuit board made of a nonwoven fabric consisting essentially of a poly-p-phenylene tetraphthalamide fiber as a substrate of insulating layer and to reduce hole wall unevenness of holes bored by laser radiation.例文帳に追加

ポリ−ｐ−フェニレンテレフタラミド繊維を主体とする不織布を絶縁層の基材に用いたプリント配線板の熱による寸法収縮を小さくし、レーザ光を照射してあけた穴の穴壁凹凸も小さくする。 - 特許庁

Sulfur simple substance by 60%, super-P conductive agent by 20%, and poly (vinylacetate) by 20% are mixed in acetonitrile solvent, and the above slurry is coated on an Al current collector on which, carbon is coated, and dried in vacuum.例文帳に追加

６０％の単体硫黄，２０％のスーパー−Ｐ導電剤，２０％のポリ（ビニルアセテート）をアセトニトリル溶媒で混合し，このスラリーをカーボンがコーティングされたＡｌ電流集電体にコーティング，真空乾燥した。 - 特許庁

Ends, on one side, of the n-type and p-type poly-Si resistor 7, 8 are connected to each other in the infrared absorption film 5 by hot junctions, and their ends on the other side are connected respectively to cold junctions 14.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８の一端は赤外線吸収膜５で温接点１３により互いに接続されるとともに、他端は基板１上で冷接点１４にそれぞれ接続される。 - 特許庁

To provide a method for producing a poly-p-phenylenediphenyl ether terephthalamide (PPDT) fiber of which the part or the whole is flattened, capable of producing the PPDT fiber suitable for giving a nonwoven fabric which has high tenacity and good formation even when the fabric is of light weight.例文帳に追加

薄物でも高強度で地合いの良好な不織布を得るのに最適な繊維の一部又は全てが扁平化されているポリ−ｐ−フェニレンジフェニルエーテルテレフタラミド繊維の製造方法を提供する。 - 特許庁