「potential circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The first circuit supplies the power supply potential to the second low side switch or supplies a ground potential to the high side switch in accordance with the terminal switching signal before the potential of the control signal changes.例文帳に追加

前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 - 特許庁

The level shift circuit 11 impresses to the detection voltage a prescribed partial potential provided by resistive-potential-dividing a reference voltage Vref by potential-dividing resistors Ra, Rb, and level-shifts the detection voltage.例文帳に追加

レベルシフト回路１１は、その検出電圧に対して基準電圧Ｖｒｅｆを分圧抵抗Ｒａ、Ｒｂで抵抗分圧した所定の分圧電圧を印加し、その検出電圧のレベルシフトを行うようになっている。 - 特許庁

A first disconnection detection circuit A2 detects that a wire Z is in a disconnected state in the case that the electric potential of an output terminal AT gets higher than an upper-bound electric potential or lower than an lower-bound electric potential.例文帳に追加

第１断線検出回路Ａ２は、出力端子ＡＴの電位が上限電位よりも高くなった場合、または、下限電位よりも低くなった場合に、配線Ｚが断線状態であることを検出する。 - 特許庁

Then, the potential of the channel is boosted by applying a potential Vpass from the row control circuit to wordlines WL1 to SL3 and a potential Vpgm to a wordline WLO.例文帳に追加

その後、チャネルの電位は、ロウ制御回路からワード線ＷＬ１〜ＷＬ３にＶｐａｓｓ電位が、ワード線ＷＬ０にＶｐｇｍ電位が、それぞれ印加されることにより、ブーストアップされる。 - 特許庁

Furthermore, an electronic circuit is arranged to generate a potential gradient by applying potential to each multipole unit, and especially, the potential gradient is generated along the transportation axis.例文帳に追加

さらに、電子回路を設け、各多重極ユニットに電位を印加して電位勾配を発生させるようにし、特に、輸送軸線に沿って電位勾配を発生させる。 - 特許庁

Potential of control terminals of the transistors 31 and 32 is switched between potential of the junction of the parallel circuit and the resistor 72 and potential of a negative output terminal of the diode bridge 71.例文帳に追加

トランジスタ31,32の制御端子の電位は、この並列回路と抵抗72の接点の電位と、ダイオードブリッジ71の負側の出力端子の電位との間で切り換わる。 - 特許庁

The control circuit 11-1 stops output of the selection signal YSW1 when the potential of the dummy local bus 10 decreases from the potential VDD to a set potential Vst in the read operation.例文帳に追加

制御回路１１−１は、リード動作において、ダミーローカルバス１０の電位が電位ＶＤＤから設定電位Ｖｓｔに下がった場合、選択信号ＹＳＷ１の出力を停止する。 - 特許庁

The deterioration of image quality is reduced by fixing the output of the data signal output circuit in the voltage holding period to the intermediate potential of the minimum potential and the maximum potential held in the storage element.例文帳に追加

電圧保持期間におけるデータ信号出力回路の出力を記憶素子に保持される電圧の最小電位と最大電位の中間電位に固定することで画像品質低下を低減する。 - 特許庁

When substrate potential wires are arranged in a logic cell region, a large element area is occupied by the substrate potential wires, but when the substrate potential supply cells VSC are sued, a semiconductor integrated circuit can be improved in area efficiency.例文帳に追加

基板電位線を論理セル領域内に配置すると素子面積を大きく占有するが、基板電位供給セルＶＳＣを用いることで面積効率を向上させることができる。 - 特許庁

A read-out potential of a bit line is indirectly grasped from a result of differential amplification by operating a reference potential by this reference potential setting circuit block 150.例文帳に追加

この参照電位設定回路ブロック１５０により参照電位を操作することにより、差動増幅の結果からビット線読み出し電位を間接的に把握する。 - 特許庁

Each charge circuit 50 charges the bit line pair BL/BLB to a fixed potential VDD-x after the read/write operation, but does not charge the pair when a potential exceeds the fixed potential VDD-x.例文帳に追加

各チャージ回路５０は、読み出し／書き込みの動作後に、ビット線対BL/BLBを一定の電位VDD-xにチャージし、それ以上の電位の時はチャージをしない。 - 特許庁

The battery 61 can be charged by boosting the output potential of the sub-motor 20 by using a boosting circuit 65 even if the output potential of the sub-motor 20 becomes lower than the output potential of the battery 61.例文帳に追加

しかも、サブモータ２０の出力電位がバッテリー６１の出力電位より低電位となった場合にも昇圧回路６５によりサブモータ２０の出力電位を昇圧してバッテリー６１を充電することができる。 - 特許庁

The first control part operates at a third power supply voltage for which the second power supply potential is set as a low potential side without receiving the first power supply potential, receives the second control signal, and supplies a third control signal to the sub-word driver circuit.例文帳に追加

第１制御部は、第１電源電位を受け取らずに第２電源電位を低電位側とする第３電源電圧で動作し、第２制御信号を受け取り第３制御信号をサブワードドライバ回路に供給する。 - 特許庁

A potential of the source terminal 12S of the transistor 12 is held at the same potential as a source terminal 11S of the transistor 11 by a function of a potential holding circuit 18.例文帳に追加

また、分流ＭＯＳトランジスタ１２のソース端子１２Ｓの電位は、電位保持回路１８の働きにより、パワーＭＯＳトランジスタ１１のソース端子１１Ｓと同電位に保持されている。 - 特許庁

In this apparatus, a buffer amplifier 107 applies potential, whereby a potential is applied on column wirings of a surface conducting type emitting element substrate 101 and a potential is applied on one row wiring selected by a line selecting circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択されたの１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

The scanning signal supply circuit fixes the scanning signals at intermediate potential in process of high potential for making the TFT into the on state and low potential for making the TFT into an off state just for a prescribed time.例文帳に追加

走査信号供給回路は、ＴＦＴをオン状態にする電位とオフ状態にする電位との途中に、走査信号を中間電位に所定時間だけ固定する。 - 特許庁

This image-pickup device is provided with a photodiode 21 moving to a second potential state, corresponding to the quantity of incident light from a first potential state (reset state) and a compensation circuit for reading information corresponding to the potential state.例文帳に追加

第１の電位状態（リセット状態）から入射光の量に応じた第２の電位状態へ遷移し得るフォトダイオード２１と、その電位状態に応じた情報を読み出すための補償回路を備える。 - 特許庁

A measuring circuit is formed for every detecting piece 41, by providing a plurality of the detecting pieces 41 on the surface of the oxygen electrode 21, and by providing the voltmeter 5 to measure the potential difference when the potential of the collecting member 32 is set as the reference potential.例文帳に追加

検出片４１を、酸素極２１の表面に複数設け、各検出片４１毎に、集電部材３２を標準電位とした時の電位差を計測する電圧計５を設けて、計測回路をそれぞれ構成する。 - 特許庁

A gate potential which is outputted to the driver transistor P1 by a gate potential control circuit 4 is raised in accordance with rise of the source potential of the driver transistor P1.例文帳に追加

ドライバトランジスタＰ１のソース電位の上昇に応じて、ゲート電位制御回路４がドライバトランジスタＰ１に出力するゲート電位も上昇される。 - 特許庁

A driven inverse potential variation generating circuit 13a, 13b, 13c, 14d connects the inverse potential variation circuits 13a, 13b, 13c, 13d to the VCP and cancels variation of the VCP potential.例文帳に追加

駆動された逆電位変動生成回路１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは、逆電位発生用容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４をＶＣＰに接続し、ＶＣＰ電位の変動をキャンセルする。 - 特許庁

This device is provided with a low potential supply circuit SUPG shifting a power source potential or a ground potential of a memory cell array MARY1 in a static operation mode such as a read-write mode or the like.例文帳に追加

リード・ライトモードなどの静的動作モードにおいてメモリセルアレイＭＡＲＹ１の電源電位または接地電位をシフトさせる低電位供給回路ＳＵＰＧを備える。 - 特許庁

A control circuit adds a value obtained by adding a particular potential stored in a particular potential storage to a threshold stored in an adjacent memory cell threshold storage to a gate potential of the source line side depletion-type FET, in the read operation.例文帳に追加

制御回路は、読み出し時に、隣接メモリセル閾値記憶部に記憶された閾値に特定電位記憶部に記憶された特定電位を足した値を、ソース線側デプレッションタイプＦＥＴのゲート電位に加える。 - 特許庁

A control circuit 30 controlling a potential of a node F so as not to be boosted exceeding the prescribed potential is connected to the node F having a boosted potential.例文帳に追加

昇圧された電位のノードＦにはこのノードの電位が所定の電位よりも上昇しないように制御する制御回路３０が接続されている。 - 特許庁

As the bit line BL2n-1 and the bit line BL2n have the same capacity, a potential Vave of each bit line after short-circuiting by a short circuit section s2a is made an intermediate value (Va+Vb)/2 of the potential Va and the potential Vb.例文帳に追加

ビット線ＢＬ２ｎ−１とビット線ＢＬ２ｎは，同一の容量を有しているため，短絡部ｓ２ａによって短絡された後の各ビット線の電位Ｖａｖｅは電位Ｖａと電位Ｖｂのちょうど中間値（Ｖａ＋Ｖｂ）／２となる。 - 特許庁

To minimize delay of rising of gate voltage potential in a switching circuit having circuitry for maintaining the gate voltage potential of a transistor below a threshold potential.例文帳に追加

トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。 - 特許庁

A substrate potential generating circuit 31 sets in a normal operation state the potential of a power supply line 41 at VPERI and sets in a stand-by state the potential of the power supply line 41 at a certain volt higher than VPERI, which is set in a normal operation state, by ΔVbp.例文帳に追加

基板電位生成回路３１は、通常動作時は、電源線４１の電位をＶＰＥＲＩとし、待機状態では、電源線４１の電位を、通常動作時の電位ＶＰＥＲＩよりもΔＶｂｐだけ高くする。 - 特許庁

Therefore, in normal operation in the SSTL mode, the reference potential VREF0 is a voltage generated by the reference potential generating circuit, and the reference potential VREF is 1.5 V supplied to the pad PAD1.例文帳に追加

従って、ＳＳＴＬモードにおける通常動作では、基準電位ＶＲＥＦ０は基準電位発生回路が発生した電圧、基準電位ＶＲＥＦはパッドＰＡＤ１に供給された１．５Ｖとなる。 - 特許庁

A low potential side terminal of the first series regulator 10 is connected to a high potential side terminal of a first load to the low potential side terminal of which the fixed voltage generated by the virtual supply voltage generation circuit 50 is applied.例文帳に追加

第１シリーズレギュレータ１０の低電位側端子は、低電位側端子に仮想電源電圧生成回路５０により生成される固定電圧が印加される第１負荷の高電位側端子に接続される。 - 特許庁

The scanning line supply circuit fixes the scanning signals at intermediate potential in process of high potential for making the TFT into the on state and low potential for making the TFT into an off state just for a prescribed time.例文帳に追加

走査信号供給回路は、ＴＦＴをオン状態にする高電位とオフ状態にする低電位との途中に、走査信号を中間電位に所定時間だけ固定する。 - 特許庁

Each characteristic control potential V[j] is set for each unit circuit U so that the gradation of the electro-optical element E is uniformized over the plurality of unit circuits when the potential VG of each drive transistor TDR is set to a prescribed potential.例文帳に追加

各特性制御電位Ｖ[j]は、各駆動トランジスタＴDRの電位ＶGを所定値に設定したときの電気光学素子Ｅの階調が複数の単位回路Ｕにわたって均一化されるように単位回路Ｕ毎に設定される。 - 特許庁

The potential VR1 in which the potential of an external power supply 24 and the ground potential are divided by a resistance element 28 and a resistance element 30 is supplied to the internal circuit of the LSI via a power feeding path 34.例文帳に追加

外部電源２４の電位と大地電位とを抵抗素子２８と抵抗素子３０とで分圧した電位ＶＲ１をＬＳＩ２２の内部回路へ給電路３４を介して給電する。 - 特許庁

A bias generating circuit 22 supplies a ground potential as a bias voltage Vbias when a power supply voltage VDD is less than a first reference voltage to thereby set the intermediate potential of capacitors C1 and C2 to the ground potential.例文帳に追加

バイアス発生回路２２は、電源電圧ＶＤＤが第１の基準電圧未満のとき、バイアス電圧Ｖbiasとして接地電位を供給し、キャパシタＣ１，Ｃ２の中間電位を接地電位に設定する。 - 特許庁

A source potential generating circuit 32 sets in a normal operation state the potential of a power supply line 42 at VPERI and sets in a stand-by state the potential of the power supply line 42 at a certain volt lower than VPERI, which is set in a normal operation state, by ΔVsp.例文帳に追加

また、ソース電位生成回路３２は、通常動作時は、電源線４２の電位をＶＰＥＲＩとし、待機状態では、電源線４２の電位を、通常動作時の電位ＶＰＥＲＩからΔＶｓｐだけ低くする。 - 特許庁

When the temperature of the circuit becomes not less than the reference temperature, the differential amplifier 400 functions as a differential amplifier, where the potential of an input signal reaches potential DIN of a node N1 and potential V12' of a node N3.例文帳に追加

一方、回路の温度が基準温度以上となった場合には、差動アンプ４００は、入力信号の電位がノードＮ１の電位ＤＩＮと、ノードＮ３の電位Ｖ１２’となる差動増幅器として機能する。 - 特許庁

When the input signal to the combinational circuit C2 changes, since C5 and C6 make the back gate potential of a MOS transistor in the combinational circuit at the same potential as a source potential, the combinational circuit operates at a regular speed.例文帳に追加

組み合わせ回路Ｃ２への入力信号が変化している場合は、Ｃ５，Ｃ６が組み合わせ回路内のＭＯＳトランジスタのバックゲート電位をソース電位と同じ電位にするので、当該組み合わせ回路は通常のスピードで動作する。 - 特許庁

To the not-inverted input terminal side of the inverting amplifier 21a, a reference potential Vr which is generated by dividing the midpoint potential of the VDD1 circuit system 11A and the midpoint potential of the VDD2 circuit system 21A is supplied from a Vr generating circuit 21d.例文帳に追加

一方、反転アンプ２１ａの正転入力端側には、ＶＤＤ１回路系１１Ａの中点電位とＶＤＤ２回路系２１Ａの中点電位とを分圧することにより生成される、Ｖｒ生成回路２１ｄからの基準電位Ｖｒを供給するように構成されている。 - 特許庁

To interrupt a through current in a shorter time than the case in a conventional semiconductor device in the case where a potential higher than a power potential on the side of a high potential in a semiconductor device is applied to elements in this semiconductor device comprising an interface circuit for conducting the input/output of a signal between the inerface circuit and other circuit.例文帳に追加

他の回路との間で信号の入出力を行うインターフェース回路を含む半導体装置において、この半導体装置の高電位側の電源電位よりも高い電位が端子に印加された場合に、従来よりも短時間で貫通電流を遮断する。 - 特許庁

Provided is a drive circuit of a display device using a capacitive load, the drive circuit having a clamp circuit which is connected to a power source potential and clamps the potential of the capacitive load to the power source potential so that electric power is dispersed with time and supplied to the capacitive load.例文帳に追加

容量性負荷を用いる表示装置の駆動回路であって、電源電位に接続され、電力を時間的に分散させて容量性負荷に供給するように容量性負荷の電位を電源電位にクランプするクランプ回路を有する駆動回路が提供される。 - 特許庁

An output circuit 121 is connected to first standard potential wiring 110, a drive circuit 118 of the output circuit 121 is connected to second standard potential wiring 113, and a protection element 116 is connected to an output terminal 100 and second standard potential wiring 113.例文帳に追加

出力回路１２１が第１の基準電位配線１１０に接続され、出力回路１２１の駆動回路１１８が第２の基準電位配線１１３に接続され、出力端子１００と第２の基準電位配線１１３に保護素子１１６が接続されたことを特徴とする。 - 特許庁

In an inverter apparatus 4 including a multilevel inverter circuit 2 and a control circuit 3, the control circuit 3 performs NVS control of shifting the neutral potential of three phases of voltage at 1/3 period intervals to fix each phase of potential to a negative electrode side potential at 1/3 period intervals.例文帳に追加

マルチレベルインバータ回路２と制御回路３とを備えるインバータ装置４において、制御回路３が三相の電圧の中性点電位を１／３周期毎に遷移させて１／３周期ずつ各相の電位を負極側の電位に固定するＮＶＳ制御を行うようにした。 - 特許庁

To provide an instantaneous response amplifier circuit which does not require a potential holding circuit and eliminates instability or noise increase in circuit operations caused by DC coupling.例文帳に追加

電位保持回路を必要とせず、直流結合による回路動作の不安定性や雑音の増加のない瞬時応答増幅回路の提供。 - 特許庁

To provide a power supply circuit for an electronic apparatus that protects a power supply circuit when an output circuit of negative potential is short-circuited.例文帳に追加

負電位の出力回路が短絡した時に電源回路を保護することができる電子機器の電源回路を提供する。 - 特許庁

To reduce a leak current flowing through an internal power source from an external circuit when a potential of an input signal from the external circuit is higher than a level of the internal circuit.例文帳に追加

外部回路からの入力信号の電位が内部電源よりも高いときに外部回路から内部電源に流れ込むリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a small-scaled semiconductor integrated circuit device, provided with a test circuit detecting potential change due to noise or the like issued from an integrated circuit.例文帳に追加

小規模であり、集積回路からのノイズ等による電位変化を検出するテスト回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

The control circuit controls the switching circuit based on the potential of the external terminal, and makes switching between a protection operation unit for performing protection operation and the adjustment circuit.例文帳に追加

制御回路は、外部端子の電位に基づいてスイッチ回路を制御し、保護動作を行う保護動作部と、調整回路とを切り替える。 - 特許庁