「potential circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

The peripheral circuit part includes a controller 12 for switching between a normal mode and a power save mode, setting the power supply Vcc to a normal potential in the normal mode to make a drive transistor Tr2 operate in the saturated area, supplying an output current corresponding to an input signal to a light-emitting element OLED as a constant current source.例文帳に追加

周辺回路部は通常モードと節電モードを切り換える為のコントローラ１２を有し、通常モードの時電源Ｖｃｃを通常の電位に設定し、以ってドライブトランジスタＴｒ２を飽和領域で動作させ、定電流源として入力信号に応じた出力電流を発光素子ＯＬＥＤ供給する。 - 特許庁

The temperature detecting section is equipped with: a positive thermal resistor 31 of which the resistance increases with rise of temperature; a negative thermal resistor 32 to which the positive thermal resistor 31 is connected in series, and resistance of which decreases with rise of temperature; and a readout circuit which detects the potential of a resistance dividing part 34 of a positive thermal resistor and a negative thermal resistor.例文帳に追加

温度検出部は、温度の上昇に伴い抵抗値が増加する正の感熱抵抗体３１と、正の感熱抵抗体３１と直列に接続され、温度の上昇に伴い抵抗値が減少する負の感熱抵抗体３２と、正の感熱抵抗体と負の感熱抵抗体との抵抗分割部３４の電位を検出する読み出し回路とを備える。 - 特許庁

In the DC-DC conversion control circuit 20 of a synchronous rectifying system, an error amplifier 21 for voltage control amplifies an error between an input signal obtained from the output voltage of the result of the DC-DC conversion and input signals at low potential sides of a plurality of reference voltages, and performs voltage control by modulating a pulse width based on the output of the amplification.例文帳に追加

同期整流方式の直流−直流変換（ＤＣ−ＤＣ）制御回路２０において，電圧制御用の誤差増幅器２１は，直流−直流変換結果の出力電圧から得られる入力信号と，複数の基準電圧の低電位側の入力信号との誤差を増幅し，この出力に基づいてパルス幅変調による電圧制御を行う。 - 特許庁

The setup time of the semiconductor testing device 2 is abridged, and the evaluation time of a microcomputer 1 becomes shorter by providing in the microcomputer 1 having a built-in flash EEPROM 20, and a faulty bit measurement circuit 60 which measures the number of faulty bits corresponding to each verify electric potential of the flash EEPROM 20.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ２０を内蔵したマイクロコンピュータ１内にフラッシュＥＥＰＲＯＭ２０の各ベリファイ電位に対応して不良ビットの個数をそれぞれ計測する不良ビット測定回路６０を備え、これら不良ビットの個数を半導体テスト装置２に送ることにより、半導体テスト装置２のセットアップ時間を短縮しマイクロコンピュータ１の評価時間を短くしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a strain detection apparatus capable of preventing the occurrence of residual stress in a strain-resistance element even in the case where an offset load is applied to a strain body when a strain detection apparatus is to be mounted to mounting members on the other side and thereby stabilizing neutral potential of a bridge circuit in an initial state.例文帳に追加

本発明は、歪検出装置を相手側取付部材に取り付ける際に、偏荷重が起歪体に加わった場合でも、歪抵抗素子に残留応力が発生するのを防止でき、これにより、初期状態におけるブリッジ回路の中点電位を安定化させることができる歪検出装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Since a spark current limiter 3 is provided between the minus terminal of the capacitor C2 which is the signal GND in the high voltage generator 11 and the high voltage GND, it is possible to limit the potential rise of the signal GND and protect the semiconductor ICs from damages caused by the spark currents of the short circuit due to the involved foreign matters.例文帳に追加

高電圧発生装置１１内の信号ＧＮＤであるコンデンサＣ２のマイナス端子と高電圧ＧＮＤ間にスパーク電流制限部３を設けたので、信号ＧＮＤ電位の上昇を制限することが可能となり、異物等の混入による短絡が引き起こしたスパーク電流から装置内の半導体ＩＣ等の破損を防止することができる。 - 特許庁

When the operating current monitor signal SB indicates, on the other hand, that the operating currents do not satisfy a prescribed reference, in order to obtain the operating currents satisfying the prescribed reference regardless of the indicated content of the leak monitor signal SA0, a discharge switch circuit 4P performs control to shallow the board potential VBP for PMOS.例文帳に追加

一方、動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足しないと指示する場合、リークモニタ信号ＳＡ０の指示内容に関係なく、所定の基準を満足させる動作電流を得るため、ディスチャージスイッチ回路４ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを浅くする制御が行われる。 - 特許庁

Then the electronic component is disposed on the second mount surface 122 of the circuit board 120 on the opposite side from a first mount surface 121 facing the metal frame 110, and a solder joint part 125 electrically connected to the reference potential pattern is disposed on the first mount surface 121, the solder joint part 125 abutting against the metal frame 110 electrically connected to the metal frame 110.例文帳に追加

そして、回路基板１２０における金属フレーム１１０に対向する第１実装面１２１とは反対側の第２実装面１２２には電子部品が配置され、第１実装面１２１には基準電位パターンと電気的に接続される半田接合部１２５が配設され、半田接合部１２５は、金属フレーム１１０に当接して金属フレーム１１０と電気的に導通することを特徴とする。 - 特許庁

Output potential variation occurring instantaneously upon turning off the switch is suppressed and a penetration voltage can be brought substantially to zero when a switch comprising n-type and p-type field effect transistors is turned off by applying a voltage Vin-Vdd/2 to the back gate electrode, where Vin is the input voltage of the complementary switch circuit and Vdd is a power supply voltage.例文帳に追加

相補型スイッチ回路の入力電圧をＶｉｎとし、電源電圧をＶｄｄとした場合、Ｖｉｎ−Ｖｄｄ／２の電圧をこのバックゲート電極に印加することにより、スイッチが切れる瞬間に生じる出力電位変動を低減して、ｎ型とｐ型の電界効果トランジスタのスイッチのオフ時の突き抜け電圧をほぼ０にすることができる。 - 特許庁

The current backup circuit 60 has a MOS transistor 62 for outputting the backup current I3 and an inverting amplifier 63, and the inverting amplifier 63 controls the inclination of a waveform of a rise of on potential supplied to a gate terminal of the MOS transistor 62 during a rise in the output current I2 in accordance with the magnitude of the output current I2.例文帳に追加

電流加勢回路６０は、加勢電流Ｉ３を出力するＭＯＳトランジスタ６２と反転増幅器６３とを有し、反転増幅器６３により出力電流Ｉ２の立ち上がり時にＭＯＳトランジスタ６２のゲート端子に供給されるオン電位の立ち上がり波形の傾きを出力電流Ｉ２の大きさに応じて制御する。 - 特許庁

A control circuit 1d for a secondary-battery pack 1 interrupts charging circuits (the inflow lines of a charging current) among cells with a charger 2 without adding terminals for transmitting a voltage for cells 1a and 1b and a communication function to the charger 2 when a potential difference between the cell 1a and the cell 1b exceeds a fixed value (0.2 V).例文帳に追加

二次電池パック１の制御回路１ｄは、充電器２に対してセル１ａ、１ｂの電圧を伝達するための端子、及び通信機能を付加すること無く、セル１ａ、セル１ｂ間の電位差が一定値（０．２Ｖ）を超えた場合に、充電器２とのセルとの間の充電回路（充電電流の流入ライン）を遮断する。 - 特許庁

When a path for supplying the power supply to a sensor is interrupted by a switch circuit 6, a control part 2 decides that a sensor (19) is a power supply built-in type when the voltage of a signal input terminal 4 pulled down through a resistance element 7 becomes the partial potential of the built-in power supply voltage, and exceeds a ground level.例文帳に追加

制御部２は、スイッチ回路６によりセンサに対して電源を供給する経路を遮断させた場合に、抵抗素子７を介してプルダウンされている信号入力端子４の電圧が、内蔵電源電圧の分圧電位となっておりグランドレベルを超えていれば、そのセンサ（１９）が電源内蔵型であると判定する。 - 特許庁

To secure travel safety by lighting a part of an LED light source group with a potential of a battery power source without complete extinction of a vehicle lamp even when some sort of abnormality occurs in a control circuit in the LED light source group lit by a boosted voltage by a DC/DC converter, and power supply from the battery power source is intercepted.例文帳に追加

ＤＣ／ＤＣコンバータによる昇圧電圧により点灯されるＬＥＤ光源群の制御回路に何らかの異常が発生してバッテリー電源からの電力の供給が遮断した場合においても、このバッテリー電源の電位でＬＥＤ光源群の一部を発光させ、車両用灯具が完全に消灯することなく、走行の安全性を確保できるようにする。 - 特許庁

An output signal 18 is acquired to be transmitted to the arbitrary potential position, by providing a current measuring means 17 of electrically non-contact with capacitor wiring by connecting a capacitor 16 between terminals 14 and 15 to be measured of a power converter circuit 10, having, for example, two switching elements 13 and having power supply terminal pair 11 and output terminal pair 12.例文帳に追加

例えば２つのスイッチング素子１３を備え、電力供給端子対１１と出力端子対１２を有する電力変換回路１０の、測定対象とする端子１４と１５との間にコンデンサ１６を接続し、そのコンデンサ配線に対し電気的に非接触の電流測定手段１７を設けることにより、出力信号１８を任意の電位位置に伝達し得るようにする。 - 特許庁

An impedance adjusting means connected to the coaxial cable places the center conductor and external conductor of the coaxial cable in an electrical floating state for a common potential point of the mobile terminal during the reception of the FM broadcast and even when the coaxial cable is arranged nearby a connection cord connecting the speaker and FM broadcast receiving circuit, reception sensitivity of the FM broadcast can be prevented from becoming worse.例文帳に追加

同軸ケーブルに接続されたインピーダンス調整手段が、ＦＭ放送の受信時に、同軸ケーブルの中心導体と外導体を、携帯端末の共通電位点に対して、電気的にフローティング状態とし、同軸ケーブルがスピーカとＦＭ放送受信回路を接続する接続コードの近くに配置されても、ＦＭ放送の受信感度の劣化を防止できる。 - 特許庁

A second switch circuit 21b includes a plurality of switch elements S11b-S18b connected respectively to the resistance elements R1b of the second resistance group 22b and supplies a low potential voltage VRL selectively to one terminal among the plurality of resistance elements R1b of the second resistance group 22b through a switching element put on based on the first control signal Sc1.例文帳に追加

第２スイッチ回路２１ｂは第２抵抗群２２ｂの抵抗素子Ｒ１ｂにそれぞれ接続される複数のスイッチ素子Ｓ１１ｂ〜Ｓ１８ｂを含み、第１制御信号Ｓｃ１に基づいてオンしたスイッチ素子を介して第２抵抗群２２ｂの複数の抵抗素子Ｒ１ｂのうちの１つの端子に選択的に低電位電圧ＶＲＬを供給する。 - 特許庁

The transfer control circuit 12 transfers data of the flash memory 11 to a DRAM 9 in response to the rise of a power source potential VDD, transfers the data of the DRAM 9 to the flash memory 11 in response to a signal PWOFF indicating that an external power switch is turned OFF, and outputs a signal READY for turning OFF an internal power switch 7.例文帳に追加

転送制御回路１２は、電源電位ＶＤＤの立上がりに応答してフラッシュメモリ１１のデータをＤＲＡＭ９に転送させ、外部電源スイッチ１５がオフされたことを示す信号ＰＷＯＦＦが与えられたことに応じてＤＲＡＭ９のデータをフラッシュメモリ１１に転送させ、内部電源スイッチ７をオフさせるための信号ＲＥＡＤＹを出力する。 - 特許庁

When the external equipment 9 is connected to a terminal 62 of a connector 6 having a switch function, a switching detection part 23 detects the potential at a terminal 63 being pulled up via a resistor 8 and a control part 15 instructs a switching control part 21 to short-circuit a common terminal 31 and a NO terminal 33 of an antenna changeover switch 3.例文帳に追加

スイッチ機能付きコネクタ６の端子６２に外部機器９が接続されたときは、端子６３の電位が抵抗器８を介してプルアップされたことを切換え検出部２３が検出し、制御部１５が切換え制御部２１に指示してアンテナ切換えスイッチ３の共通端子３１とＮＯ端子３３を短絡させる。 - 特許庁

The squelch detector comprises a peak detector which detects whether or not a potential amplitude of a differential signal exceeds a squelch level, and outputs the detection signal, and a pulse width extension circuit which extends a pulse width of the detection signal by a time equal to or more than a time corresponding to one cycle of data of the differential signal, containing a time of the pulse width.例文帳に追加

スケルチ検出回路は、差動信号の電位振幅が、スケルチレベルを超えているかどうかを検出し、その検出信号を出力するピーク検出回路と、検出信号のパルス幅を、そのパルス幅の時間を含めて、差動信号のデータの１周期分の時間以上の時間だけ延長するパルス幅延長回路とを備える。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit provided with a plurality of input terminals, and a plurality of input circuits connected respectively to the plurality of input terminals is provided with a plurality of inspecting circuits arranged respectively between the input terminals and the input circuits, and for changing a resistance value between the each input terminal and a prescribed potential, and a common inspection terminal provided to operate the plurality of inspecting circuits.例文帳に追加

複数の入力端子と、この複数の入力端子にそれぞれ接続された複数の入力回路とを備えた半導体集積回路において、入力端子と入力回路との間にそれぞれ配置され、入力端子と所定電位間の抵抗値を変化させる複数の検査用回路と、複数の検査用回路を動作させるために設けられた共通の検査端子とを備えた。 - 特許庁

In an R-2R resistor circuit network 12, a path where each branched current is made to flow to an integrator capacitor 14 of the next stage and a path where each branched current is made to flow to a low-impedance analog midpoint (ground potential) Vss, and a path can be selected for each branched current by digital control bit data Bn-B_0.例文帳に追加

Ｒ−２Ｒ抵抗回路網１２では、各分岐電流がそれぞれ次段の積分器容量１４に流れる経路と低インピーダンスアナログ中点（グラウンド電位）Ｖｓｓに流れる経路があり、各分岐電流ごとにディジタルコントロールビットデータＢｎ〜Ｂ_0 によって経路選択が可能となっている。 - 特許庁

This driving circuit is provided with a semiconductor switching element having C-MOS (complementary metal-oxide semiconductor) structure which receives the feeding of power from a picture signal wiring and which samples the potential of a picture signal and capacitances provided among respective gate electrodes of the P-channel transistor and the N-channel transistor of the semiconductor switching element having the C-MOS structure and the picture signal wiring.例文帳に追加

画像信号配線からの給電を受け、画像信号の電位をサンプリングするＣ—ＭＯＳ構成の半導体スイッチング素子と、前記Ｃ−ＭＯＳ構成の半導体スイッチング素子のＰチャネルトランジスタおよびＮチャネルトランジスタのそれぞれのゲート電極と前記画像信号配線との間に設けられた容量とを備えたことを特徴とする駆動回路。 - 特許庁

The potential of a substrate of a P-chMOS transistor 2 is controlled independently by a voltage source 11, and a detection voltage value of the comparator circuit with an offset is changed to a value obtained, by adding or subtracting to or from the reference voltage value an offset voltage value, which can be changed by setting a voltage value given from the voltage source 11.例文帳に追加

Ｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ２の基板の電位は、電圧源１１により独立に制御されており、オフセット付きコンパレータ回路の検出電圧値を、電圧源１１が与える電圧値を設定することで値を変化させることが可能なオフセット電圧値を基準電圧値に加算又は減算した値とする。 - 特許庁

The driving device which drives the EL display to illuminate is characterized in that when a plus scanning voltage is outputted from a scanning-side driver IC, an FET arranged at its output stage is turned on or off and when a negative scanning voltage is outputted, an FET constituting a reference voltage switching circuit is turned on or off to set the reference voltage of the scanning-side driver IC to a negative potential.例文帳に追加

ＥＬディスプレイを発光駆動させる駆動装置を、走査側ドライバＩＣより正極性の走査電圧を出力させる場合は、出力段に配置されるＦＥＴのオンオフを切替え、負極性の走査電圧を出力させる場合は、基準電圧切替え回路を構成するＦＥＴのオンオフを切替えて、走査側ドライバＩＣの基準電圧を負電位に設定する。 - 特許庁

A local controller 32 is furnished every cell 2 of the fuel cell of the fuel cell stack 1, each local controller 32 is signal transferred so as to electrically insulate in one direction, a state signal of the cell 2 of the fuel cell is successively transferred to a main controller 4, and the potential difference between the cells 2 of each fuel cell is overcome while wiring and circuit constitution are simplified.例文帳に追加

燃料電池スタック１の各燃料電池セル２ごとにローカルコントローラ３２を装備し、各ローカルコントローラ３２を一方向に電気絶縁可能に信号転送することにより、メインコントローラ４へ各燃料電池セル２の状態信号を順次転送することにより、配線や回路構成を簡素化しつつ各燃料電池セル２の電位差を容易に克服する。 - 特許庁

In a synchronization time period, a comparator X2 of a second control circuit 36 outputs a H-level control signal to a control node N7, and thereby, a switching element SW3 is turned on, a power source potential Vdd and a capacitance C2 are connected to each other, charging of the capacitance C2 is performed, and a switching element SW2 is turned on.例文帳に追加

同期期間では、第２制御回路３６の比較器Ｘ２は、Ｈレベルの制御信号を制御ノードＮ７に出力し、スイッチング素子ＳＷ３がオン状態になり、電源電位Ｖｄｄと容量Ｃ２とが接続され、容量Ｃ２の充電が行われるとともに、スイッチング素子ＳＷ２がオン状態になる。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, test signal output circuits 11A to 11D, and ... output a test signal providing a desired potential or a high impedance state to pads P1 to P5, ..., and resisters 12A to 12D, ... input a signal on wirings L1 to L5, ... which connect the pads P1 to P5, ... with an internal circuit 100.例文帳に追加

半導体装置１は、テスト信号出力回路１１Ａ〜１１Ｄ、・・・が、パッドＰ１〜Ｐ５、・・・に所望の電位またはハイインピーダンス状態を与えるテスト用信号を出力し、レジスタ１２Ａ〜１２Ｄ、・・・が、パッドＰ１〜Ｐ５、・・・と内部回路１００とを接続する配線Ｌ１〜Ｌ５、・・・上の信号を取り込む。 - 特許庁

A common power supply system 11b of the first level shifter LS1, a common power supply system 12b of the second level shifter LS2, a common power supply system 13b of the third level shifter LS3, and a common power supply system 1nb of the n-th level shifter LSn are provided in the signal level conversion circuit 50, respectively, and supplied with high-potential electric power VCCX.例文帳に追加

第１のレベルシフタＬＳ１の共通電源系部１１ｂ、第２のレベルシフタＬＳ２の共通電源系部１２ｂ、第３のレベルシフタＬＳ３の共通電源系部１３ｂ、及び第ｎのレベルシフタＬＳｎの共通電源系部１ｎｂは、信号レベル変換回路５０の内部側にそれぞれ設けられ、高電位電源ＶＣＣＸが供給される。 - 特許庁

This integrated circuit device comprises a comparator 1 having a reverse amplifier 2, a sampling capacitor 3 for holding a potential Vi1 of a first input signal In1, the bias source 4 of the reverse amplifier 2, a sampling switch 5 turned on during the sampling operation, a comparison switch 6 turned on during the comparing operation, and a bias switch 7 for setting the operating point of the reverse amplifier 2.例文帳に追加

コンパレータ１を、反転増幅器２と第１の入力信号Ｉｎ１の電位Ｖｉ１を保持しておくためのサンプリングコンデンサ３、反転増幅器２のバイアス源４、サンプリング動作時にオンするサンプリング用スイッチ５、コンパレート動作時にオンするコンパレート用スイッチ６、及び反転増幅器２の動作点を設定するためのバイアス用スイッチ７を含んで構成する。 - 特許庁

In a matrix part 102 of an encoder matrix circuit, dynamic operation lines 8 to 10 are charged from a power supply line to be a high level in a reset period, and binary code signals D0 to D2 are outputted by being potential to be decided according to whether discharge operation lines 11 to 13 are discharged on the basis of logic of switch control signals 22 to 28 in a code output period.例文帳に追加

エンコーダマトリックス回路のマトリックス部１０２では、ダイナミック動作ライン８〜１０が、リセット期間に、電源ラインから充電されてハイレベルになり、コード出力期間に、スイッチ制御信号２２〜２８の論理に基づいてディスチャージ動作ライン１１〜１３に放電するか否かで決定される電位になることで、バイナリーコード信号Ｄ０〜Ｄ２を出力する。 - 特許庁

On the other hand, since the signal line and the auxiliary capacitance lines 4 intersect with a insulating film on the TFT substrate of the LCD, there are capacitances at intersection parts and a transient current is made to flow through these capacitances and the junction capacitance of the protecting diode 30 and wiring resistances in the circuit of the driver when the signal of the auxiliary signal lines is inverted and a ground potential Vss is fluctuated.例文帳に追加

一方、ＬＣＤのＴＦＴ基板上では信号ラインと補助容量信号線は絶縁膜を介して交差しているため、交差箇所には容量があり、補助容量信号線の信号が反転するとき、その容量及び保護ダイオード３０の接合容量、回路内の配線抵抗を通して過渡電流が流れグランド電位Ｖｓｓが変動する。 - 特許庁

The image sensor comprises a plurality of pixels each comprising an element for converting radiation or light into an electric signal and a circuit for driving the conversion element, and means for switching each terminal between a fixed potential setting state and a floating state except the conversion element in the pixel wherein the duration Tread of floating state is set equal to or shorter than a predetermined conversion time Tstr of the conversion element.例文帳に追加

放射線又は光を電気信号に変換する変換素子と変換素子を駆動する駆動回路とを有する画素を複数備えるとともに、画素中の前記変換素子以外の各端子を固定電位設定状態と浮遊状態とに切り換える手段を備え、浮遊状態にある時間（Ｔread）を、変換素子の変換時間（Ｔstr）の所定値以下とした。 - 特許庁

In a first inverter circuit INV1, one end of a current path of a second conductive second transistor P1 is connected to the other end of a current path of a first conductive first transistor N1 to which one end of the current path is grounded and a first signal CKI consisting of one of first voltage V1 higher than ground potential is supplied to each gate.例文帳に追加

第１のインバータ回路ＩＮＶ１は、電流通路の一端が接地された第１導電型の第１のトランジスタＮ１の電流通路の他端に第２の導電型の第２のトランジスタＰ１の電流通路の一端が接続され、各ゲートに接地電位より高い第１の電圧Ｖ１の一方からなる第１の信号ＣＫＩが供給される。 - 特許庁

For example, the capacitive element portion 14 is formed to include the same circuit patterns as those of memory cells and is formed by arranging in a matrix-manner a plurality of the potential compensating cells at the same time as forming a memory region 11 in a different region (a N well region 21d) from the memory region 11 provided on a semiconductor substrate 21a.例文帳に追加

たとえば、半導体基板２１ａ上に設けられるメモリ領域１１とは別の領域（Ｎウェル領域２１ｄ）に、メモリ領域１１の形成と同時に、メモリセルと同様の回路パターンを有する、複数の電位補償用セルをマトリクス状に配置してなる容量素子部１４を形成する。 - 特許庁

This motor drive circuit has a rectifying capacitor (7), provided between motor drive lines (3 and 4) and a regenerative energy-accumulating capacitor (10), in which an electrostatic energy is accumulated only in a regenerative operation state of a motor and which is connected, in parallel with the motor drive line (3) having a high potential in the regenerative operation state of the motor.例文帳に追加

本発明によるもーた駆動回路は、モータ駆動用線路(3,4)の両端間に整流コンデンサ(7)を有するモータ駆動回路において、モータの回生運転時に高電位側になる線路(3)に並列に、モータの回生運転時にのみ静電エネルギを蓄積する回生エネルギ蓄積用コンデンサ(10)を設けた構成である。 - 特許庁

When a sample hold signal SH1 becomes L, an APC circuit 10-1 becomes to be of a sampling mode, and in this sampling mode, a capacitor C1 is charged or discharged according to an output signal of a comparator 13-1 and a charged potential VM1 is increased or decreased, and a LD driver 15-1 controls light quantity of LD1 to be a predetermined value.例文帳に追加

サンプルホールド信号ＳＨ１がＬになるとＡＰＣ回路１０−１がサンプリングモードになり、このサンプリングモード時にはコンパレータ１３−１の出力信号に応じてコンデンサＣ１が充電又は放電して充電電位ＶＭ１が上下し、ＬＤドライバ１５−１によりＬＤ１の光量が所定値になるように制御される。 - 特許庁

A gate of one MOS-FET in the first and second MOS-FET is connected to a circuit ground, a negative fixed voltage with a potential resulting from dividing the power supply voltage with resistance as a reference is applied to the gate of the other transistor, and ON resistance of these two MOS-FET is used as input resistance and feedback resistance of the operational amplifier.例文帳に追加

前記第１及び第２のＭＯＳ−ＦＥＴの一方のＭＯＳ−ＦＥＴのゲートは回路グランドに接続し、他方のトランジスタのゲートには前記電源電圧を抵抗で分割した電位を基準とした負の固定電圧を印加し、これら２つのＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗をそれぞれ演算増幅器の入力抵抗及び帰還抵抗として用いる。 - 特許庁

In a third power circuit 300, resistors 102 and 102 as variable resistors, and a thermistor 103 which varies in electric resistance with temperature are suitably and selectively set to set the potential at an output terminal provided between the thermistor 103 and resistance 102 to V_REF2 having different temperature characteristics from the output voltage V_REF of a power unit.例文帳に追加

第３の電源回路３００において、可変抵抗である抵抗１０１，１０２、温度の変化に伴って電気抵抗が変化するサーミスタ１０３を適宜選択設定することにより、サーミスタ１０３と抵抗１０２との間に設けられた出力端子の電位が、電源装置の出力電圧Ｖ_ＲＥＦと異なる温度特性を有するＶ_ＲＥＦ２に設定される。 - 特許庁

This system comprises an impedance network connected electrically to a first and second power conductors and having an output terminal for supplying a first voltage signal to a reference electric potential, and an amplifier circuit generating an amplification signal showing presence of the unnecessary cable way when a difference between the first voltage signal and reference voltage exceeds a prescribed value in response to the first voltage signal and the reference voltage.例文帳に追加

このシステムは、第１及び第２の電力導体に電気的に結合するとともに、基準電位に対する第１の電圧信号を提供する出力端子を有するインピーダンスネットワーク、及び、第１の電圧信号と基準電圧とに応答して、第１の電圧信号と基準電圧間の差が所定値を超えるとき不要な電路の存在を示す増幅信号を発生する増幅器回路を含む。 - 特許庁

A mobile phone 1 as the portable terminal device has a display part side casing 3, the metal frame 110 disposed in the display part side casing 3, and the circuit board 120 which is disposed in the display part side casing 3 opposite to the metal frame 110 and also mounted with an electronic component, and has a reference potential pattern 127.例文帳に追加

携帯端末装置としての携帯電話機１は、表示部側筐体３と、表示部側筐体３内に配置される金属フレーム１１０と、表示部側筐体３内に金属フレーム１１０と対向して配置され、電子部品が実装されると共に基準電位パターン１２７を有する回路基板１２０と、を備える。 - 特許庁

A detecting circuit 12 is arranged while connected to the couple of monitor lines M1 and M2 to detect a holding state of a video signal written to the respective display electrodes DE of the effective pixels 3 sandwiched between the lines of the dummy pixels 3DU and 3DL on both the sides according to potential appearing on the couple of monitor lines M1 and M2.例文帳に追加

一対のモニタ線Ｍ１，Ｍ２に接続して検出回路１２が配されており、一対のモニタ線Ｍ１，Ｍ２に現れる電位に基づいてダミー画素３ＤＵ，３ＤＬの行によって両側からはさまれた有効画素３の各表示電極ＤＥに書き込まれた映像信号の保持状態を検出可能にする。 - 特許庁

The display control circuit CNT makes a pre-charging period between the non-video writing period, to write non-video signals and the video writing period to write first video signals following the non-video writing period, and changes the potential of the source line X, to a level close to the grey level corresponding to the video signals during the pre-charging period.例文帳に追加

表示制御回路ＣＮＴは非映像信号書込みを行う非映像書込期間とこの非映像書込期間に続いて最初の映像信号書込みを行う映像書込期間との間にプリチャージ期間を設け、プリチャージ期間において映像信号に対応する中間調表示レベルに近いレベルにソース線Ｘの電位を遷移させるように構成される。 - 特許庁

The ion generating device is provided with a fuse resistor 20 as a current detecting resistor for detecting charging current, and an operation amplifier 21 as a comparison circuit for comparing a both-end potential difference of the current detection resistor and a reference voltage, and controls the charging current to be a constant current based on comparison results by the operation amplifier 21.例文帳に追加

本発明のイオン発生装置は、充電電流を検出するための電流検出抵抗としてのヒューズ抵抗２０と、電流検出抵抗の両端電位差と基準電圧とを比較する比較回路としてのオペアンプ２１とを有しており、オペアンプ２１による比較結果を基にして、充電電流が定電流になるように制御する。 - 特許庁

A control circuit 8 generates a common electrode voltage, which minimizes this difference signal voltage, and applies it to the common electrode 4 to adjust the potential difference between the polarity inversion reference voltage of the display signal and the common electrode voltage, thus obtaining a display picture where flicker is always extremely small.例文帳に追加

制御回路は、前記差信号電圧に対応して、この差信号電圧を最小とするような共通電極電圧を発生して共通電極に印加することにより、表示信号の極性反転基準電圧と共通電極電圧間の電位差を調整して、フリッカーが常時極めて小さい表示画像を得ることができる。 - 特許庁

The scanning line drive circuit after concurrently selecting two scanning lines corresponding to two pixels connected to different signal lines and disposed adjacently at the same time, selects only one scanning line corresponding to a pixel to be selected later between the two pixels to reduce a writing potential difference between the pixels, thereby reducing display unevenness.例文帳に追加

前記走査線駆動回路は、異なる信号線に接続され隣接配置された２つの画素に対応する２本の走査線を同時に選択した後、前記２つの画素の内の後に選択されるべき画素に対応した１本の走査線のみを選択することで、画素間の書き込み電位差を減少させ、表示ムラを低減する。 - 特許庁