「potential circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The voltage Vrgb applied to the potential wiring Ui is controlled, based on the potential difference between the input-end potential vp and terminal potential Vpe of power supply wiring PS in the voltage control circuit.例文帳に追加

電圧制御回路で、この電位配線Ｕｉに与える電圧Ｖｒｇｂを電源配線ＰＳの入力端電位Ｖｐと末端電位Ｖｐｅとの電位差を基に制御する。 - 特許庁

A voltage dividing circuit 16 is connected between the anode terminal of the diode D1 and a signal line 300 for transmitting the input potential, and generates the intermediate potential of the potential of the anode terminal and the input potential.例文帳に追加

分圧回路１６は、ダイオードＤ１のアノード端子と上記入力電位を伝達する信号線３００との間に接続され、アノード端子の電位と上記入力電位との中間電位を生成する。 - 特許庁

As each bias potential is generated by resistance potential- dividing circuits 1 connected in a multistage way from an original bias potential and by amplifiers 2, irregularities of each bias potential to be supplied to a liquid crystal driving circuit can be reduced.例文帳に追加

各バイアス電位を元となるバイアス電位から多段に接続された抵抗分圧回路及び増幅器により発生させるため、液晶駆動回路に供給する各バイアス電位のバラツキを低減させることができる。 - 特許庁

A second potential generation circuit 64 applies a second potential to a DEV terminal 56 when the ground potential and the bias potential are not applied to the DEV terminal 56.例文帳に追加

第２電位生成回路６４は、ＤＥＶ端子５６に接地電位とバイアス電位が印加されない場合に、ＤＥＶ端子５６に第２電位を印加する。 - 特許庁

The power source electric potential (VDD) and an intermediate electric potential (Va) which is output from a voltage dividing circuit (S) are supplied to the operational amplifiers (OP1, OP2), and the intermediate electric potential (Va) and the power source electric potential (VEE) are supplied to the operational amplifiers (OP3, OP4).例文帳に追加

演算増幅器（ＯＰ１，ＯＰ２）には、電源電位（ＶＤＤ）と分圧回路（Ｓ）から出刀される中間電位（Ｖａ）とが供給され、演算増幅器（ＯＰ３，ＯＰ４）には、中間電位（Ｖａ）と電源電位（ＶＥＥ）とが供給される。 - 特許庁

This temperature detection circuit 1 has an electric potential generation part 20 for generating an electric potential corresponding to an environmental temperature, and a temperature detection part for detecting the temperature based on a detection electric potential VF generated by the electric potential generation part 20.例文帳に追加

温度検出回路１は、環境温度に応じた電位を生成する電位生成部２０と、電位生成部２０により生成された検出電位ＶＦに基づき温度を検出する温度検出部とを有する。 - 特許庁

Probes (24, 25, 26) for measuring a VH potential at the output side of a boosting circuit 12, a VL potential at the input side of the same, and an N potential at the low-potential side of the same are also connected to the phases, respectively.例文帳に追加

また、昇圧回路１２の入力側であるＶＬ電位と、出力側であるＶＨ電位及び低電位側であるＮ電位を測定するプローブ（２４，２５，２６）が接続されている。 - 特許庁

Then, before the backing interval ends, the potential of the retention volume line 217 is switched from the second potential V2 to the first potential V1 by the potential switching circuit 103.例文帳に追加

そして、帰線期間が終了する前に、電位切換回路１０３により、保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖ２から第１の電位Ｖ１に切り換える。 - 特許庁

In response to activation of a 2nd scanning line 6, a potential- applying circuit 31 electrically connects either of a write reference potential supply line 7 or a common potential supply line 8, according to the potential of the node N1 to a pixel electrode Npx.例文帳に追加

電位印加回路３１は、第２の走査線６の活性化に応答して、書込基準電位供給線７と共通電位供給線８のうちの、ノードＮ１の電位に応じた一方を画素電極Ｎｐｘと電気的に結合する。 - 特許庁

To reliably suppress a decrease in high potential-side power supply voltage due to an undershoot of a negative voltage generated at a high potential-side reference potential (virtual ground potential VS) in a power device driving circuit.例文帳に追加

パワーデバイス駆動回路において、高電位側基準電位（仮想接地電位ＶＳ）に発生する負電圧のアンダーシュートによる高電位側電源電圧の低下を確実に抑制する。 - 特許庁

A differential amplifier circuit cmp1 compares the potential in01 of the node (a) with reference potential Vref and gives such a control signal as to make the potential in01 of the node (a) equal to the reference potential Vref to the gate of the transistor P01.例文帳に追加

差動増幅回路ｃｍｐ１は、ノードａの電位ｉｎ０１と基準電位Ｖｒｅｆを比較し、ノードａの電位ｉｎ０１が基準電位Ｖｒｅｆに等しくなるような制御信号をＭＯＳトランジスタＰ０１のゲートに与える。 - 特許庁

A plate line electrical potential control circuit (3) controls, at a standby state, the electrical potentials of the first plate line (PL) and second plate line (/PL) to a first electrical potential, and controls, at an activated state, one of the above plate lines to a second electrical potential and the other to a third electrical potential.例文帳に追加

プレート線電位制御回路(3)は、待機状態において、第１、第２プレート線(PL,/PL)の電位を第１電位に制御し、活性状態において、一方を第２電位に制御し、他方を第３電位に制御する。 - 特許庁

Source potential connection transistors 12 for supplying a source control potential from a source potential interconnect line 13 to a source node are arranged while being distributed in a memory cell array 1, and a source potential control circuit 5 is arranged in a row decoder block 2.例文帳に追加

ソース電位配線１３からソース制御電位をソースノードに供給するソース電位接続トランジスタ１２をメモリセルアレイ１内に分散配置し、ソース電位制御回路５はロウデコーダブロック２内に配置する。 - 特許庁

A potential supply circuit 9 supplies a write potential to the bit line HBL2, a ground potential GND to the bit line HBL3, a floating potential to the bit line HBL1 and the HBL4.例文帳に追加

電位供給回路９はビット線ＨＢＬ２に書込電位ＶＣＣＷを、ビット線ＨＢＬ３に接地電位ＧＮＤを、ビット線ＨＢＬ１およびＨＢＬ４にフローティング電位を供給する。 - 特許庁

In the level conversion circuit 21b, a potential being a power source potential or less is given to a high level side power source terminal and a ground potential or a negative potential is given to a low level side power source terminal.例文帳に追加

レベル変換回路２１ｂでは、高レベル側電源端子に電源電位以下の電位が、低レベル側電源端子には接地電位又は負電位が与えられる。 - 特許庁

After the circuit node B enters the floating state, the center potential of potential variation at the circuit node B is to shift from the starting potential because of a leak current of the transistor Q1, no other leak current is generated between circuit nodes B and C, so the shift in potential can be made gentle.例文帳に追加

また、回路節点Ｂがフローティングになった後、トランジスタＱ１のリーク電流により、回路節点Ｂにおける電位変化の中心電位は当初の電位からずれていくのだが、回路節点Ｂ、Ｃ間では、それ以外のリーク電流が生じないので、電位のずれを緩やかにすることができる。 - 特許庁

The display driver circuit 10 includes: a first DA conversion circuit 31 for converting digital data into a gradation potential VP in a first potential range RP; and a second DA conversion circuit 32 for converting digital data into a gradation potential VN in a second potential range RN.例文帳に追加

本発明に係る表示ドライバ回路１０は、デジタルデータを第１電位範囲ＲＰ中の階調電位ＶＰに変換する第１ＤＡ変換回路３１と、デジタルデータを第２電位範囲ＲＮ中の階調電位ＶＮに変換する第２ＤＡ変換回路３２と、を備える。 - 特許庁

This integrated circuit design method comprises: an arithmetic step for calculating the power potential distribution and the reference potential distribution in the integrated circuit; and a designing step for designing clock wiring in the integrated circuit based on the power potential distribution and the reference potential distribution.例文帳に追加

集積回路内の電源電位分布及び基準電位分布を演算する演算ステップと、電源電位分布及び基準電位分布を基に集積回路内のクロック配線を設計する設計ステップとを有する集積回路設計方法が提供される。 - 特許庁

This data read-out circuit 2 comprises a single end type sense amplifier circuit S/A0 receiving a potential of the bit line BL0 and amplifying this potential, and a single end type sense amplifier circuit S/A1 receiving a potential of the bit line BL1 and amplifying this potential.例文帳に追加

このデータ読み出し回路２は、ビット線ＢＬ０の電位を受け、これを増幅するシングルエンド型のセンスアンプ回路Ｓ／Ａ０、およびビット線ＢＬ１の電位を受け、これを増幅するシングルエンド型のセンスアンプ回路Ｓ／Ａ１を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT WITH POTENTIAL DETECTION CIRCUIT AND SIGNAL TRANSMISSION-RECEPTION SYSTEM例文帳に追加

電位検知回路を備えた半導体集積回路及び信号送受信システム - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SOURCE POTENTIAL SWITCHING METHOD FOR TRANSISTOR CONTAINED IN THE INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

半導体集積回路、および半導体集積回路内のトランジスタのソース電位切換方法 - 特許庁

MASTER-SLICE-TYPE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND REFERENCE POTENTIAL GENERATION CIRCUIT LAYOUT DEVICE AND METHOD例文帳に追加

マスタスライス方式の半導体集積回路装置、基準電位発生回路配置装置及びその方法 - 特許庁

POTENTIAL ADJUSTMENT CIRCUIT, DIFFERENTIAL BALANCE ADJUSTMENT CIRCUIT, ELECTRIC FIELD DETECTION OPTICAL SYSTEM, AND TRANSCEIVER例文帳に追加

電位調整回路、差動バランス調整回路、電界検出光学システム、およびトランシーバ - 特許庁

To provide a potential generating circuit having a circuit for charging electricity in a special case.例文帳に追加

特別の場合に充電を行う回路を備える電位生成回路を提案する。 - 特許庁

The latch circuit 15a and the potential difference detection circuit 16 operate on a voltage Vin 2.例文帳に追加

ラッチ回路１５ａ、および、電位差検出回路１６は、電圧Ｖｉｎ２によって動作する。 - 特許庁

To provide a circuit configuration in a small area that allows accurate control of a source potential in a controlled circuit.例文帳に追加

被制御回路のソース電位を精度良く制御する回路構成を小面積で実現する。 - 特許庁

The power supply circuit has an internal potential generating circuit and a first transistor.例文帳に追加

前記電源回路部は、内部電位生成回路と第１のトランジスタとを有する。 - 特許庁

To provide a reference potential generation circuit for a CMOS integrated circuit usable in a low power supply voltage.例文帳に追加

低電源電圧で使用可能なＣＭＯＳ集積回路用の基準電位発生回路を提供する。 - 特許庁

To reduce the influence of fluctuation of electric potential in power lines of a storage circuit in a pixel circuit.例文帳に追加

画素回路内の記憶回路の電源線における電位の変動の影響を低減する。 - 特許庁

Potential generated in the bias circuit is applied to a control terminal of the three-terminal element of the rectifier circuit.例文帳に追加

整流回路の３端子素子の制御端子に、バイアス回路で生成した電位を印加する。 - 特許庁

The short circuit detecting part 110 detects the short circuit of the casing 30a based on the potential difference Vc1.例文帳に追加

短絡検出部１１０は電位差Ｖｃ１に基づいて筐体３０ａの短絡を検出する。 - 特許庁

To reduce potential variations in a power supply ground system of an internal circuit in discharge processing in a semiconductor circuit device that discharges a power supply voltage.例文帳に追加

ディスチャージ処理において、内部回路の電源グランド系の電位変動を低減する。 - 特許庁

An input circuit 5 converts this potential difference into an electric signal and outputs it to a detecting circuit 6.例文帳に追加

入力回路５は、この発生した電位差を電気信号に変換して検出回路６に出力する。 - 特許庁

Switching means QP and QN for controlling a subthreshold current flowing to a circuit (driving circuit) between the circuit and a positive power supply potential Vcc and between the circuit and a ground potential are provided in the circuit that operates mainly at an intermediate potential between the positive power supply potential and the ground potential.例文帳に追加

正の電源電位Ｖｃｃとグランド電位との中間電位を中心に動作を行う回路（駆動回路）に対して、回路と正の電源電位との間及び回路とグランド電位との間に回路に流れるサブスレッショルド電流を制御するためのスイッチ手段Ｑ_P、Ｑ_Nを設け、上記スイッチ手段は選択機能を有する。 - 特許庁

The control circuit CU supplies, during an offset potential write period, potential of a value obtained by adding offset potential Voffset corresponding to the value of the data potential to the data potential VD to the gate of the drive transistor, thereby setting a voltage between both ends of the capacitive element to a value where the mobility of the drive transistor is compensated for.例文帳に追加

オフセット電位書込期間において、データ電位の値に応じたオフセット電位Ｖｏｆｆｓｅｔを当該データ電位Ｖｄに加えた値の電位を駆動トランジスタのゲートに供給することで、容量素子の両端間の電圧を駆動トランジスタの移動度が補償された値に設定する。 - 特許庁

The drive signal generating circuit 9 is arranged such that potential information is supplied from a potential information storage means 12 and the middle potential (VC) of a drive signal being inputted to the piezoelectric oscillator 25 is set based on the potential information stored in the potential information storage means.例文帳に追加

この駆動信号発生回路９には、電位情報格納手段１２より電位情報が供給され、前記圧電振動子２５に入力される駆動信号における中間電位（ＶＣ）が、前記電位情報格納手段に格納された電位情報に基づいて設定されるように構成されている。 - 特許庁

A multi-value potential generating circuit 18, making the grounding level VSS serve as the reference, generates potential levels V2, V1, MV1 and MV2 from a potential difference between the potential level V3 and the center potential VC, and supplies them to a panel of the liquid crystal device driven for display by an MLS drive method.例文帳に追加

多値電位生成回路１８は、接地レベルＶＳＳを基準として、電位レベルＶ３とセンター電位ＶＣとの電位差から電位レベルＶ２、Ｖ１、ＭＶ１、ＭＶ２を生成し、ＭＬＳ駆動法により表示駆動される液晶装置のパネルに供給する。 - 特許庁

When the selection period ends and returns to the non-selection period, the circuit part 22 changes over at least one electrode K of the two to a prescribed potential higher than the anode potential to raise the surface potential VG of the substrate 4 up to the level between the anode potential and the prescribed potential, and accelerates the rise of the discharge in the next selection period.例文帳に追加

回路部２２は選択期間が終って非選択期間に戻る時二本のうち少くとも一本の電極Ｋをアノード電位より高い所定電位に切り換えて基材４の表面電位ＶＧをアノード電位と所定電位の間まで高め、次の選択期間における放電の立上りを加速する。 - 特許庁

In this coordinate input device, when inputting the coordinates, a transparent electrode 101 receives a coordinate signal outputted by a coordinate signal drive circuit 116 for a row having a reference potential of the same potential as a prescribed reference potential from the other end in a state that a potential of one end is set to be equal to the prescribed reference potential.例文帳に追加

座標を入力する際は、透明電極１０１は、一方の端の電位を所定の基準電位と等しくした状態で、他方の端から基準電位が所定の基準電位と同電位である行用座標信号駆動回路１１６が出力する座標信号を受信する。 - 特許庁

A rectifier circuit 12 comprises a diode D1 bridge, a prescribed offset potential is applied to the fixed potential side input terminal T1, and an input potential for which a polarity switchable fixed voltage is added to the offset potential is applied to the variable potential side input terminal T2.例文帳に追加

整流回路１２は、ダイオードＤ１ブリッジで構成され、その固定電位側入力端子Ｔ１に所定のオフセット電位が印加され、その可変電位側入力端子Ｔ２に、オフセット電位に極性切替可能な固定電圧が加算された入力電位が印加される。 - 特許庁

The application of a positive potential control voltage and a negative potential control voltage which are positively and negatively reversed by a signal reversal circuit 59 always helps hold a contact between the two diodes 53 and 54 at a midpoint potential (direct current 0 V) between the positive potential voltage and the negative potential control voltage.例文帳に追加

正電位制御電圧と信号反転回路５９により正負反転処理を施した負電位制御電圧とを印加することにより、２つのダイオード５３とダイオード５４との接続点は、常に正電位制御電圧と負電位制御電圧との中点電位（直流０Ｖ）に保持される。 - 特許庁

At this time, the difference between the memory potential stored in the memory element 145 at the dark time and an amplifier reference potential given to the read amplifier 146 is detected by a digital operation circuit 150, and the amplifier reference potential is set to the memory potential at the dark time or a potential proximate to it.例文帳に追加

このとき、デジタル演算回路１５０にて、暗時におけるメモリ素子１４５に蓄積されたメモリ電位と読み出しアンプ１４６に与えるアンプ基準電位との差が検出され、アンプ基準電位を暗時のメモリ電位、あるいはその近傍電位に演算設定することが行われる。 - 特許庁

The first transistor is connected between an input and an output of the internal potential generating circuit, where a threshold voltage is set so that the transistor is turned on when the first potential drops below the input potential to hold the first potential higher than the input potential.例文帳に追加

前記第１のトランジスタは、前記内部電位生成回路の入力と出力との間に接続され、前記第１の電位が前記入力電位よりも低下したときオンして前記第１の電位を前記入力電位以上に保持するようにしきい値電圧が設定されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a boosting circuit semiconductor device in which overshoots and ripples in the output potential of a boosting circuit are reduced compared with a conventional boosting circuit without increasing a clock generating circuit and the output potential of the boosting circuit is maintained in the vicinity of a desired potential.例文帳に追加

クロック生成回路を増加させることなく、昇圧回路の出力電位に生じるオーバーシュートおよびリップルを従来よりも低減させ、昇圧回路の出力電位を所望の電位の近傍に維持することができる昇圧回路半導体装置を提供する。 - 特許庁

The sense circuit includes a comparator so designed as to compare the potential of a standard high-potential power source with the potential of a signal applied to an input node of the bus hold circuit.例文帳に追加

感知回路は、標準的な高電位電源の電位とこのバス・ホールド回路の入力ノードに加えられる信号の電位とを比較するように設計されたコンパレータを含む。 - 特許庁