「rapid heating method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF RAPID HEATING AND QUENCHING Nb3AL SUPERCONDUCTIVE WIRE ROD例文帳に追加

急熱急冷Ｎｂ３Ａｌ超電導線材の製造方法 - 特許庁

The induction-heating method includes an initial heating process, a rapid heating process and a soaking heating process.例文帳に追加

この誘導加熱方法は、初期加熱工程と、急速加熱工程と、均熱加熱工程と含むことを特徴とする。 - 特許庁

RAPID HEATING METHOD OF LIGHT METAL INJECTION MOLDING DIE, AND LIGHT METAL INJECTION MOLDING METHOD例文帳に追加

軽金属射出成形金型の急速加熱方法および軽金属射出成形方法 - 特許庁

To provide a constitution wherein rapid and excellent finishing of heating cooking is practicable, in a heating cooking apparatus where steam forms a heating medium and to provide a control method.例文帳に追加

蒸気を熱媒体とした加熱調理器において、早く且つ仕上がりの良い加熱調理できる構成と制御方法を提供する。 - 特許庁

MEDIUM-CARBON STEEL PLATE EXCELLENT IN RAPID HEATING/QUENCHING PROPERTY AFTER COLD FORGING, AND QUENCHING METHOD THEREOF例文帳に追加

冷間鍛造後の急速加熱焼入れ性に優れた中炭素鋼板およびその焼入れ方法 - 特許庁

To provide a burner furnace, and a heating method of the burner furnace capable of coping with temporary rapid heating in the furnace without increasing a scale of a device.例文帳に追加

装置を大がかりにすることなく、炉内の一時的な急速加熱に対応できるバーナ炉及びバーナ炉の加熱方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing an alloyed hot dip galvanized steel plate wherein uneven alloying does not occur on the surface of a steel plate even when rapid cooling and/or rapid heating, such as roll cooling or induction heating, are applied.例文帳に追加

ロール冷却や誘導加熱のように急速冷却および／または急速加熱を施しても、鋼板表面に合金化むらが発生しない合金化溶融亜鉛めっき鋼板の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer that improves reducing effect of a Grown-in defect while suppressing a slip occurrence during a rapid-heating and rapid-cooling heat treatment, and also improves surface roughness of an obtained silicon wafer after the rapid-heating and rapid-cooling heat treatment.例文帳に追加

急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができ、加えて、急速加熱・急速冷却熱処理後、得られるシリコンウェーハの表面荒れも改善することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Rapid thermally oxidization is performed in a rapid heating method, and as preferred conditions, a lamp annealing device be used, oxidation temperature in dry oxygen be 800°C to 900°C, and oxidation time be 30 to 120 minutes.例文帳に追加

急速熱酸化は急速加熱法により行い、条件としては、ランプアニール装置を使用し、乾燥酸素中で酸化温度を８００℃ないし９００℃、酸化時間を３０分ないし１２０分とすることが望ましい。 - 特許庁

To provide a rapid cooling method of a channel induction heating device capable of efficiently performing rapid cooling in a short time without using a special device, and without damaging a used refractory.例文帳に追加

特別な装置を使用することなく、しかも使用済みの耐火物に損傷を与えることなく、短時間で効率的に急速冷却できる溝型誘導加熱装置の急速冷却方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer that improves reducing effect of Grown-in defects while suppressing a slip occurrence during a rapid-heating and rapid-cooling heat treatment.例文帳に追加

急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rapid processing method with an automatic processing machine by which conveyance trouble such as jamming is not caused and a color print free from curl is obtained even when rapid drying by heating is carried out within 10 sec.例文帳に追加

１０秒以内という迅速加熱乾燥を行ってもジャミングなどの搬送故障が起こらず、しかもカラープリントにもカールを生じさせない自動現像処理装置による迅速現像処理方法を提供する。 - 特許庁

The present invention provides an apparatus and a method for achieving uniform heating to a substrate during a rapid thermal process.例文帳に追加

本発明は、急速加熱処理中に基板に対する均一な加熱を達成する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the manufacturing method includes a process for coating the inner surface of the mold with the resin solution and rapidly heating the mold by induction heating immediately after the coating with the resin solution and a process for uniformizing the coating film by the rotation of the mold after the rapid heating process.例文帳に追加

また、金型の内面に樹脂溶液を塗布し、その直後の誘導加熱による金型の急速加温工程および、その工程後の金型の回転による塗膜の均一化工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a grain-oriented electromagnetic steel sheet from an inhibitor-free base material, which can stably obtain an effect of reducing iron loss by rapid heating treatment, when subjecting a cold-rolled sheet to primary recrystallization annealing including the rapid heating treatment.例文帳に追加

インヒビターフリー系の素材による方向性電磁鋼板の製造方法において、急速加熱処理を含む一次再結晶焼鈍を行う場合に、急速加熱処理による鉄損低減効果を安定して得る方途について提案する。 - 特許庁

Usually, in the case that the heating speed is not rapid, the softening can not be obtained, but in this invention, the heating method, in which the heating speeds are changed at the first-half step and at latter-half step, is used and the softening can be obtained by setting the average heating speed, etc., to the specific condition.例文帳に追加

通常、加熱速度を速くしななければ軟質化することはできなかったのに対し、本発明では加熱前半段階と加熱後半段階で加熱速度を変更する加熱方式を用い、平均加熱速度等を特定な条件に設定することで、軟質化することが可能となる。 - 特許庁

To provide a sintering device capable of rapid heating and uniform heating and thereby capable of producing a thin sintered material by a material having low thermal conductivity and to provide a method therefor.例文帳に追加

急速加熱と均一加熱が可能であり、これにより低い熱伝導性材料で薄い焼結材を製造することができる焼結装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a steel sheet which has excellent press formability before hardening and rapid heating/hardening property and in which martensitic structure can be obtained after hardening even in the case of low heating temperature and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

焼入れ前のプレス成形性、急速加熱焼入れ性に優れ、加熱温度が低くても焼入れ後にマルテンサイト組織が得られる鋼板とその製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon wafer includes the rapid-heating and rapid-cooling heat treatment on the silicon wafer manufactured from a silicon single-crystal ingot grown in a Czochralski method at a maximum ultimate temperature (T_1) of 1,300 to 1,380°C in an oxidizing gas atmosphere of 20 to 100% in oxygen gas partial pressure.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度（Ｔ_１）１３００℃以上１３８０℃で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う - 特許庁

To provide a method for producing a phosphor excellent in production stability without fracturing a baking vessel or causing oxidation unevenness even when rapid heating or rapid cooling is carried out in a production process and having a sufficient photostimulable luminous quantity and excellent erasing characteristics capable of readily carrying out the erasion.例文帳に追加

製造過程で急加熱や急冷却を行っても、焼成容器が割れたり、酸化むらが発生することがなく製造安定性に優れ、十分な輝尽発光量を有するとともに、容易に消去しうる優れた消去特性を有する蛍光体の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a heating method of a tank, a pan and a pot facilitating rapid heating/cooling and temperature control, exerting heat efficiency of 90% or more, reducing a heat loss of energy saving heat source, emitting no carbon dioxide, and stably heating with a small amount of solution and steam.例文帳に追加

急速加熱冷却、温度制御が簡単となる、熱効率が９０％以上となり省エネルギー熱源の熱のロスがない、炭酸ガスの発生がない、少量の溶液や蒸気で安定した加熱ができる、タンクや鍋及び釜の加熱方法の提供。 - 特許庁

To provide a temperature control method, a method of thermal process of a semiconductor substrate and a device of thermal process which can improve a uniformity of the in-plane temperature of the substrate during a rapid thermal process using lamp heating.例文帳に追加

ランプ加熱を用いる短時間熱処理における半導体基板の面内温度の均一性を向上することができる温度調整方法、基板の熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a heating device, an image formation device and a power control method capable of keeping the maximum power at a certain value in heating a metallic fixating belt with a magnetic induction heating fixation method, eliminating the deterioration of output in conjunction with temperature rise, realizing relatively rapid and stable on-demand fixation, and of carrying out the emergency stop of the heating fixation operation by securing safety.例文帳に追加

磁気誘導加熱定着方式で金属製の定着ベルトの発熱を行う際に最大電力を一定値に保ち、温度上昇に伴う出力低減を無くし、より高速且つ安定なオンディマンド定着を実現可能とすると共に、安全を確保し加熱定着動作の緊急停止も可能とした加熱装置、画像形成装置及び電力制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rapid thermal processing apparatus and method ensuring accurate measurement of substrate temperature and high precision heating of a semiconductor substrate even under a low temperature state of a low translucence semiconductor substrate.例文帳に追加

遮光性の低い半導体基板の温度が低い状態においても正確な基板温度の測定及び半導体基板に対する高い精度の加熱を可能にする急速熱処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

After forming the second conductive film 108A, the semiconductor substrate 100 is subjected by using a rapid heating method to a heat treatment at a temperature not lower than the crystallization temperature of the insulating metal oxide film 107A.例文帳に追加

第２の導電膜１０８Ａを形成した後に、急速加熱法を用いて半導体基板１００に対して絶縁性金属酸化物膜１０７Ａの結晶化温度以上の温度で熱処理を行なう。 - 特許庁

In a method for producing a bundle of quartz-clad carbon nanotubes, carbon nanotubes are vacuum-sealed in a quartz tube and this quartz tube is drawn under heating and converted to a linear body in a rapid cooling process.例文帳に追加

カーボンナノチューブを石英管中に真空封入し、加熱延伸して急冷の過程で線状体とする石英−クラッド・カーボンナノチューブ束の製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method, a rapid thermal annealing (RTA, local heating) is conducted only to desired spots using a lamp (typically, a halogen lamp) for heat treatment.例文帳に追加

本発明は、所望の箇所にのみ加熱処理を行うランプ（代表的にはハロゲンランプ）を用いた瞬間熱アニール（ＲＴＡ、局所加熱）を行う。 - 特許庁

Under a rapid heating method which uses a lamp as a heat source, the insulating substrate 1 is rapidly heated for a hydrogen to be diffused in the semiconductor thin-film 2, repairing a crystal defect.例文帳に追加

この後水素化工程を行い、熱源にランプを用いた急速加熱法により絶縁基板１を急速に加熱して水素を半導体薄膜２に拡散させ結晶欠陥を修復する。 - 特許庁

To provide a temperature control method for a preliminarily heating device in an electrophotographic device by which a stabilized printing quality and fixing intensity are obtained by preventing rapid temperature rise for set temperature.例文帳に追加

設定温度に対する急激な温度上昇を防ぎ、安定した印刷品質と定着強度を得ることが可能な電子写真装置における予備加熱装置の温度制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-frequency heat treatment method by which the quality of an article can be stabilized by accurately calculating diffused length of C while considering the change of austenizing temperature at the time of rapid heating.例文帳に追加

急速加熱時のオーステナイト化温度の変化を考慮してＣの拡散長を正確に計算することで製品の品質を安定化できる高周波熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To realize members for fixing and a fixing device wherein a molding method is easy and a long life is secured and wherein a rapid heating property is simultaneously enhanced outstandingly by the use of a heat generating resis tor.例文帳に追加

成形方法が容易で、長寿命性を確保でき、同時に高速加熱性を飛躍的に高めた発熱抵抗体利用の定着用部材及び定着装置を実現することである。 - 特許庁

This method corrects crystal defects generated during the injection process by means of rapid heating process.例文帳に追加

これによって、前記ウェル及びチャンネル不純物イオンを注入する工程の間形成された結晶欠陷を前記急速熱処理工程を通じて治癒させることができる。 - 特許庁

To provide a heating means having a resistance heat generator with excellent power consumption efficiency and allowing a rapid increase in the temperature of a base body of the resistance heat generator to a certain set value, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

抵抗発熱体の基体部分が一定の設定温度に急速に昇温でき且つ消費電力効率が優れた加熱体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes subjecting a composite wire rod consisting of an Al alloy containing more Si and Ge than the solid solubility limit in the equilibrium state and Nb, to rapid heating and quenching treatment in the state of the composite wire rod, to change an Al alloy core into a supersaturated solid solution.例文帳に追加

ＡｌにＳｉ、Ｇｅ等を平衡状態の固溶限を越えて添加した合金とＮｂとの複合線材において、複合線材のままの状態で急熱急冷処理することにより、Ａｌ合金芯を過飽和の固溶体に変える。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for the rapid heat sterilization carrying out a heat sterilization at a temperature responding to kind of foods by heat sterilizing the food at the objective temperature in a short time heating.例文帳に追加

短時間の加熱で食品を目的温度にして加熱殺菌処理を行い、食品の種類に応じた温度で加熱殺菌処理を行うことができる高速加熱殺菌方法及び高速加熱殺菌装置を提供すること。 - 特許庁

In the method of heat treating the silicon wafer obtained by slicing a silicon monocrystalline ingot manufactured by Czochralski method, a rapid heating and rapid cooling heat treatment is performed on the silicon wafer which is at least 1.4×10^18 atoms/cm^3 in oxygen concentration under an oxygen-containing atmosphere and at a highest end-point temperature which is at least 1,325°C and not more than the melting point of the silicon.例文帳に追加

チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素濃度が１．４×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上のシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３２５℃以上シリコンの融点以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 - 特許庁

In a seam welding method of a titanium thin sheet 12 and a steel sheet 10 through an intermediate insert material 11, by controlling a welding current of seam welding, a welding speed and cooling of electrodes 13, 14, rapid heating and rapid cooling of a welding part are conducted and welding is conducted while suppressing the generation of an intermetallic compound between the titanium sheet 12 and the insert material 11.例文帳に追加

中間部にインサート材１１を介してチタン薄板１２と鋼板１０のシーム溶接を行う方法において、シーム溶接の溶接電流、溶接速度及び電極１３、１４の冷却を制御して溶接部の急速加熱及び急速冷却を行い、チタン薄板１２とインサート材１１との間の金属間化合物の生成を抑制して溶接を行う。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a silicon wafer using a rapid heating/quenching apparatus, particularly a heat-treatment method for a silicon wafer for obtaining a wafer exhibiting enough gettering capability in a device process.例文帳に追加

シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する方法に関し、特に、デバイス工程において十分なゲッタリング能力を発揮するウエーハを得るためのシリコンウエーハの熱処理方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for realizing rapid analysis of high precision in a method of measuring the concentration of oxygen in a steel sample from the infrared absorbance of either one of or both of carbon monoxide and carbon dioxide produced by heating and melting the steel sample put in a graphite crucible in an inert gas.例文帳に追加

鉄鋼試料を黒鉛るつぼに入れて不活性ガス中で加熱融解し、発生した一酸化炭素または二酸化炭素のいずれかひとつあるいは両方の赤外線吸収度から該試料中の酸素濃度を測定する方法において、高精度かつ迅速な分析を実現する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring an ohmic electrical resistance of a conductive substance during a rapid rise in temperature due to self-heating energization according to the principle of a four-terminal method, which is capable of accurately and efficiently deriving an electrical resistivity in a wide temperature range.例文帳に追加

本発明は、通電自己加熱により急速昇温中のオーミックな導電性物質の電気抵抗を４端子法の原理により測定する方法において、広い温度範囲における電気抵抗率を正確かつ効率的に導出できる電気抵抗の測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for producing sintered ore by which explosive fracture of a granule granulated mainly by using a powdery raw material is prevented even if being subjected to rapid heating upon sintering in a selective granulation line provided separately from the conventional granulation line, thereby inhibition of permeability in a sintering machine resulting in productivity reduction can be prevented.例文帳に追加

従来の造粒ラインとは別途に設けられた選択造粒ラインで、主として粉状の原料を用いて造粒した造粒物が、焼結時に急激な加熱を受けても爆裂しないようにして、焼結機における通気性を阻害し、生産性を低下させることがないようにすることを課題とする。 - 特許庁

To provide an atmosphere control method for a heating furnace, which stabilizes combustion in regenerative burners, and prevents rapid combustion, when an air ratio in the furnace is transferred from a low air ratio to a high air ratio, or transferred from the high air ratio to the low air ratio.例文帳に追加

炉内の空気比を低空気比から高空気比へ移行、或いは高空気比から低空気比への移行させる際に、蓄熱式バーナーの燃焼の安定化を図るとともに、急激な燃焼の発生を回避する加熱炉の雰囲気制御方法を提案する。 - 特許庁

By rapid heating method, in which the temperature-increase rate is set so that the thicknesses of the silicon oxide films 64 will be film thicknesses, in which tunneling phenomenon is generated, the strong field drift layer 6 is formed by a thermal oxidation of a porous polycrystalline silicon layer formed by a positive electrode oxidation treatment.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、陽極酸化処理により形成された多孔質多結晶シリコン層を、シリコン酸化膜６４の厚さが電子のトンネリング現象が発生する膜厚となるように昇温速度を設定した急速加熱法によって熱酸化することで形成する。 - 特許庁

To provide an atmosphere control method for a heating furnace, which stabilizes combustion in regenerative burners, and prevents rapid occurrence of combustion, when an air ratio in the furnace is shifted from a low air ratio to a high air ratio, or shifted from the high air ratio to the low air ratio.例文帳に追加

炉内の空気比を低空気比から高空気比へ移行、或いは高空気比から低空気比への移行させる際に、蓄熱式バーナーの燃焼の安定化を図るとともに、急激な燃焼の発生を回避する加熱炉の雰囲気制御方法を提案する。 - 特許庁

This method for heat treatment comprises arranging an annealing means 100 for annealing the workpiece W, as a pretreatment step prior to main treatment such as solution treatment, rapidly heating the workpiece W by using a rapid temperature-raising furnace of a hot-blast circulation type, and removing the internal stress accumulated in the workpiece W during processing.例文帳に追加

溶体化処理などの本処理する前処理工程として、ワークＷを焼き鈍し処理するアニール手段１００を設け、ワークＷを熱風循環式の高速昇温炉を用いて高速加熱し、加工時にワークＷ内に蓄積した内部応力を除去する。 - 特許庁