「read strobe」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Serial write access by means of a serial interface 110 and read access with a read strobe signal from an independent read device are generated asynchronously.例文帳に追加

シリアルインタフェース１１０によるシリアル書き込みアクセスと独立型読み出し装置からの読み出しストローブ信号による読み出しアクセスは非同期で発生する。 - 特許庁

The semiconductor memory device that operates in synchronization with the system clock given from the outside, outputs a data strobe signal from a data strobe terminal at the execution of a read command, and outputs read data in synchronization with the data strobe signal is provided with a read preamble register that specifies the length of a read preamble outputted prior to an output of the read data.例文帳に追加

外部から与えられたシステムクロックに同期して動作し、リードコマンド実行時にデータストローブ信号をデータストローブ端子から出力すると共に、データストローブ信号に同期してリードデータを出力する半導体記憶装置であって、リードデータの出力に先立って出力するリードプリアンブルの長さを指定するリードプリアンブルレジスタを備える。 - 特許庁

When the second read strobe signal 11 is received, the retry signal 13 is returned to the host again.例文帳に追加

２度目のリードストローブ信号１１を受け取ると、再びホストに対してリトライ信号１３を返す。 - 特許庁

The data output circuit also synchronizes with the data strobe signal and outputs the read data.例文帳に追加

またデータ出力回路は前記データストローブ信号に同期して前記読出しデータを出力する。 - 特許庁

The semiconductor memory transmits a first read-out strobe signal used for taking-in of first read-out data to the memory controller based on read-out request from the memory controller.例文帳に追加

半導体メモリは、メモリコントローラからの読み出し要求に基づいて、第1読み出しデータの取り込みに使用される第1読み出しストローブ信号をメモリコントローラに送信する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit that is not malfunctioned even when a read strobe signal is shorter than one period of a clock.例文帳に追加

リードストローブ信号がクロックの１周期より短い時も誤動作のない半導体集積回路。 - 特許庁

To provide a signal masking circuit and a semiconductor integrated circuit, preventing a read data strobe signal from becoming a Hi-Z state at masking and gating of the read data strobe signal.例文帳に追加

本発明は、リードデータストローブのマスク及びゲーティングの時点において、リードデータストローブがＨｉ−Ｚ状態となることを防止する信号マスキング回路及び半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Energy saving is achieved by guaranteeing only one read strobe, even when multiple write accesses occur during one read access.例文帳に追加

１つの読み出しアクセスの間に多重書き込みアクセスが発生するときでも単一の読み出しストローブを保証することにより省エネルギーが実現される。 - 特許庁

A strobe signal corresponding to the heat generation read out from the heat generation memory 60 is then inputted to a head driver 55.例文帳に追加

そして、発熱量メモリ６０から読み出した発熱量に対応するストローブ信号をヘッドドライバ５５に入力する。 - 特許庁

A read data latch 11 latches looped-back write data WD in synchronism with a delay write strobe signal WDQS_d.例文帳に追加

リードデータラッチ１１は、ループバックされたライトデータＷＤを遅延ライトストローブ信号ＷＤＱＳ＿ｄに同期してラッチする。 - 特許庁

To provide a circuit or wiring for a data strobe signal which is other than the data in a digital parallel data read circuit.例文帳に追加

ディジタルの並列データ読込み回路では、データ以外にデータストローブ信号用の回路や配線等が必要となっている。 - 特許庁

The memory 200 thus establishes data sending using the data strobe signal input from the controller 100 not only in data writing but also in data reading, and does not need to generate a read data strobe signal from a clock signal by itself and synchronize the read data strobe signal with the clock signal.例文帳に追加

従って、メモリ２００は、データ書込時は勿論のこと、データ読出時においても、コントローラ１００から入力されたデータストローブ信号を用いてデータ送信を行うこととなり、クロック信号から読出データストローブ信号を自前で生成する必要もなければ、読出データストローブ信号をクロック信号に同期させる必要もない。 - 特許庁

To provide a column path circuit capable of preventing generation of two different column selection signals for one read strobe signal.例文帳に追加

一つのリードストローブ信号に対して２つの異なるコラム選択信号が生成されることのないコラム経路回路を提供する。 - 特許庁

The RAM 11a includes a strobe signal control part 15a determining whether or not the RAM 11b connected in parallel is in a read status, and delaying the output start timing of the data strobe signal DQS when the RAM 11b is in the read status.例文帳に追加

ＲＡＭ１１ａは、並列接続されるＲＡＭ１１ｂがリード状態にあるか否かを判定し、ＲＡＭ１１ｂがリード状態である場合には、データストローブ信号ＤＱＳの出力開始タイミングを遅延させるストローブ信号制御部１５ａを備える。 - 特許庁

The data output circuit generates and outputs the instruction signal DQSW notifying the data strobe signal and the output of read data.例文帳に追加

データ出力回路は、データストローブ信号と読出しデータの出力を知らせる指示信号ＤＱＳＷを発生させて出力する。 - 特許庁

The memory interface circuit determines the delay of arrival of a data strobe signal relative to the internal clock signal by using the data strobe signal inputted in a read cycle to the DDR-SDRAM, samples arriving read data on the basis of a signal resulting from shifting the phase of the arriving data strobe signal and synchronizes the sampled read data with the internal clock signal on the basis of a determination result of arrival delay.例文帳に追加

メモリインタフェース回路は、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭに対するリードサイクルで入力されるデータストローブ信号を用いて内部クロック信号に対する前記データストローブ信号の到達遅延を判定すると共に、到達したデータストローブ信号の位相をシフトした信号に基づいて、到達したリードデータをサンプリングし、サンプリングしたリードデータを前記到達遅延の判定結果に基づいて前記内部クロック信号に同期化する。 - 特許庁

When a read strobe signal 11 is received from a host, a retry signal 13 is returned to the host, and the value of a main counter 1 is fetched into a read buffer 3 by a data transfer signal 14.例文帳に追加

ホストからリードストローブ信号１１を受け取ると、ホストに対してリトライ信号１３を返すと共に、データ転送信号１４によりメインカウンタ１の値をリードバッファ３に取り込む。 - 特許庁

The read-out data can be output from the memory to the memory controller always with optimum timing by transferring the strobe signal for each output of read-out data between the semiconductor memory and the memory controller.例文帳に追加

半導体メモリとメモリコントローラとの間で、読み出しデータの出力毎にストローブ信号を授受することで、読み出しデータを常に最適なタイミングでメモリからメモリコントローラに出力できる。 - 特許庁

A write control circuit 11 writes data in the buffers according to a strobe clock, and a read control circuit 10 transmits a read address to a selector 12 in response to a RDY synchronizing pulse.例文帳に追加

ライト制御回路１１はストローブクロックによりデータを緩衝バッファに書き込み、リード制御回路１０はＲＤＹ同期化パルスに応答して、リードアドレスをセレクタ１２に送出する。 - 特許庁

In the DDR-SDRAM, read-out from the memory cell by read-operation is performed synchronizing with the system clock CLK, writing in the memory cell by write-operation is performed based on the data strobe signal DQS.例文帳に追加

ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭは、リード動作によるメモリセルからの読出しがシステムクロックＣＬＫに同期して実行し、ライト動作によるメモリセルへの書込みがデータストローブ信号ＤＱＳに基づいて実行する。 - 特許庁

In the case of performing image pickup without using the strobe 22 or in a forced emitting mode or a slow synchronization mode, the correction data in which all the data values are the same are read.例文帳に追加

ストロボ２２を使用せずに撮像を行った場合や、強制発光モードや、スローシンクロモードでは、データ値が全て同じな補正データを読み出す。 - 特許庁

Memory data DQ are acquired from a data strobe signal DQS delayed by predetermined delay quantity by a delay part 301h, and read by a CPU 300.例文帳に追加

遅延部３０１ｈにより所定の遅延量遅延したデータストローブ信号ＤＱＳよりメモリデータＤＱが取得され、ＣＰＵ３００に読み込まれる。 - 特許庁

A memory interface circuit (3) can be connected to a DDR-SDRAM (6) which outputs a data strobe signal (DQS) and outputs read data (DQ) synchronously with this signal.例文帳に追加

メモリインタフェース回路（３）は、データストローブ信号（ＤＱＳ）と共にこれに同期してリードデータ（ＤＱ）を出力するＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ（６）を接続可能である。 - 特許庁

The memory interface circuit includes a detection circuit for detecting a level change in a data strobe signal to control the timing of reading data, and a read mask control circuit for generating a read mask signal prohibiting the detection by the detection circuit except in a non-mask period, and includes a delay calculation circuit for detecting a level change in the data strobe signal to calculate a delay of the data strobe signal relative to a clock signal.例文帳に追加

メモリインターフェース回路は、データストローブ信号のレベル変化を検出してデータの読み取りのタイミングを制御する検出回路と、非マスク期間を除いて検出回路による検出を禁止する読み取りマスク信号を生成する読み取りマスクコントロール回路とを有するとともに、データストローブ信号のレベル変化を検出し、クロック信号に対するデータストローブ信号の遅延値を計算する遅延値計算回路を有する。 - 特許庁

A control circuit 14 inputs a read request signal Read_RQ relating to data read of a memory and a burst length information signal BL relating to read request and controls a pull-up circuit 11 so as to pull up a data strobe signal DQS when the read request Read_RQ becomes active.例文帳に追加

制御回路１４は、メモリのデータリードに係るリード要求信号Ｒｅａｄ＿ＲＱとリード要求に係るバースト長情報信号ＢＬとを入力し、リード要求信号Ｒｅａｄ＿ＲＱがアクティブとなった場合にデータストローブ信号ＤＱＳをプルアップするようにプルアップ回路１１を制御する。 - 特許庁

The DDRSDRAM1 of this invention has a phase adjustment circuit 3a which shifts a phase of a strobe signal to a data signal by only predetermined angle α, and when data is read, outputs the data signal and the strobe signal by shifting the phase of the strobe signal to the data signal only by a predetermined angle α by the phase adjustment circuit 3a.例文帳に追加

本発明のＤＤＲＳＤＲＡＭ１は、データ信号に対してストローブ信号の位相を所定の角度αだけずらす位相調整回路３ａを備え、データが読み出される場合に、位相調整回路３ａによってデータ信号に対して所定の角度αだけストローブ信号の位相をずらして、データ信号およびストローブ信号を出力する。 - 特許庁

Since an integrated output can be read out slowly after strobe flashing, the photometric time can be equalized even if the number for dividing a sensor is increased.例文帳に追加

積分測光モードでは積分された出力をストロボ発光の後でゆっくり読み出すことができるので、センサの分割数を増やしても測光時間を同じにすることができる。 - 特許庁

Prerequisites for the implementation are: firstly, use of the serial interface 110 providing a serial clock signal SCLK; secondly, write access to SPRAM 120 has to occur at the end of serial transmission; thirdly, a write strobe impulse has to be short compared to the original read strobe.例文帳に追加

インプリメンテーションの前提として、第１にシリアルクロック信号ＳＣＬＫを供給するシリアルインタフェース１１０を使用し、第２にＳＰＲＡＭ１２０に対する書き込みアクセスはシリアル伝送の終了時に発生する必要があり、第３に書き込みストローブインパルスは原読み出しストローブに比べて短い。 - 特許庁

The memory device control circuit controls a memory device having the data strove signal for fetching the data, and comprises two kinds of delay circuits for delaying the data strobe signal, handling the data strobe signal delayed by one delay circuit as a clock for fetching read data, and handling the data strobe signal delayed by the other delay circuit as an enable signal for fetching the read data.例文帳に追加

データを取り込むためのデータストローブ信号を有するメモリデバイスの制御を行うメモリデバイス制御回路であって、データストローブ信号に対して遅延を付加する２種類の遅延回路を有し、一方の遅延回路にて遅延が付加されたデータストローブ信号を読み込みデータを取り込むためのクロックとして取り扱い、他方の遅延回路にて遅延が付加されたデータストローブ信号を読み込みデータを取り込むためのイネーブル信号として取り扱うことを特徴とするメモリデバイス制御回路。 - 特許庁

An exposure time Tb which is effective to prevent camera shaking/blur of object in motion, a time Tg from setting of an AGC gain until its reflection, and a maximum irradiation time Tf of strobe light are read (S101).例文帳に追加

手ぶれ・動体ぶれ防止に効果的な露光時間Ｔｂ、ＡＧＣゲインの設定から反映されるまでの時間Ｔｇ、ストロボ光の最大照射時間Ｔｆを読み出す（Ｓ１０１）。 - 特許庁

To provide a memory control system, memory control method, memory control means and control method in the memory control means allowing a data requestor to read data from memory and recognize the abnormality in the data strobe signal upon receiving the data, even when an abnormality occurs in the data strobe signal.例文帳に追加

データストローブ信号に異常が生じた場合であっても、データ要求元がメモリからデータを読み出すことが可能であり、かつ、データ要求元がデータ受取時にデータストローブ信号の異常を認識可能なメモリ制御システム、メモリ制御方法、メモリ制御手段およびメモリ制御手段における制御方法を提供する。 - 特許庁

Thus, even when an environmental parameter such as a surrounding temperature or power supply voltage changes, the data strobe signal is delayed according to it so that it is possible to stably read memory data.例文帳に追加

このような構成では、周囲温度や電源電圧などの環境パラメータが変化しても、それに応じてデータストローブ信号が遅延されるので、安定してメモリデータを読み込むことが可能となる。 - 特許庁

The SDRAM related to the present invention receives a data masking signal for masking input data in write operation, and comprises data masking pins for outputting a signal being the same as a data strobe signal in read operation.例文帳に追加

本発明に係るSDRAMは、書込み動作時は、入力データをマスキングするためのデータマスキング信号を受信し、読出し動作時はデータストローブ信号と同じ信号を出力するデータマスキングピンを有する。 - 特許庁

Thus, strobe signals due to noises fall (a5), and hence even if the data on the lines D0-D3 are read in since the data are '0' data, the delivery substrate does not deliver prize balls excessively so that a normal operation is performed.例文帳に追加

よって、ノイズによりストローブ信号が立ち下がって（ａ５）、データ信号線Ｄ０〜Ｄ３上のデータが読み込まれても、それは「０」データなので、払出基板は余分な賞球を払い出すことはなく、正常に動作する。 - 特許庁

Even if the strobe signal is boosted by the noise (a5) and the data on the data signal wires D0-D3 are read, the data are 0 data, so that the delivery board can be normally operated without delivering excessive prize balls.例文帳に追加

よって、ノイズによりストローブ信号が立ち下がって（ａ５）、データ信号線Ｄ０〜Ｄ３上のデータが読み込まれても、それは「０」データなので、払出基板は余分な賞球を払い出すことはなく、正常に動作する。 - 特許庁

In a display device displaying an image, a data line supplying luminance being the brightness of a pixel to the pixel, a luminance memory holding the supplied luminance value, a strobe line generating a write-in strobe to the luminance memory and a light emitting part generating luminance, corresponding to the luminance value read out from the memory are provided for every pixel.例文帳に追加

画像を表示する表示装置において、各画素ごとに、該画素に該画素の明るさである輝度値を供給するデータ線と、供給された前記輝度値を保持する輝度メモリと、前記輝度メモリへの書き込みストローブを発生するストローブ線と、前記輝度メモリより読み出した前記輝度値に応じた、輝度を発生する発光部とを備えたことを特徴とする - 特許庁

The ECU in the middle of receiving the communication frame acquires a reservation for the next transmission right by transmitting the dominant value to the strobe bus as a reservation signal in an ACK field when acquiring a reservation for transmission right for read response (b).例文帳に追加

通信フレームを受信中のＥＣＵは、リード応答のために送信権を予約取得する場合、ＡＣＫフィールドにおいて、予約信号としてストローブバスにドミナント値を送信することで、次回の送信権を予約取得する（ｂ）。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which reduces loading of global lines by dividing bank regions in the read and write operations and generates bank strobe signals in the bank area which is not in a peripheral area.例文帳に追加

読み出し動作及び書き込み動作の際、バンク領域を区分して使用しようとするグローバル線のローディングを低減し、周辺領域でないバンク領域でバンクストローブ信号を生成する半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Prize ball number data are outputted from a principal substrate through data signal lines D0-D3 (a1), and if a strobe signal falls (a2), data on the lines D0-D3 are read in by a delivery substrate and the receipt of the prize ball data is completed.例文帳に追加

主基板から賞球数データがデータ信号線Ｄ０〜Ｄ３を介して出力され（ａ１）、ストローブ信号が立ち下げられると（ａ２）、払出基板によってデータ信号線Ｄ０〜Ｄ３上のデータが読み込まれ、賞球数データの受信が完了する。 - 特許庁

Then, a read data (DQ) signal is latched with a time difference less than the half period from the center of a time point when time corresponding to n periods of the basic clock has passed from a rise edge or a fall edge of the data strobe signal (DQS).例文帳に追加

そして、データストローブ信号（ＤＱＳ）の立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジから基本クロックのｎ周期分に対応する時間が経過した時点を中心として、半周期分未満の時間差で読み出しデータ（ＤＱ）の信号がラッチする。 - 特許庁

By the memory 2 of 1st specification, a row address strobe signal RAS of a 1st activation control signal is activated at an effective timing, and read or write is executed by catching a testing address given to a partially shared address bus while operating by using a testing clock as reference.例文帳に追加

第１の仕様のメモリ２は、第１の活性化制御信号ロウアドレスストローブ信号ＲＡＳが有効のタイミングにおいて活性化され、テスト用クロックを基準に動作して、一部共有のアドレスバスに与えられたテスト用アドレスをとらえてリードまたはライトを実行する。 - 特許庁

The mask control circuit further generates a mask signal for delay calculation prohibiting the detection by the delay calculation circuit except in a non-mask period including only a part of an active state a predetermined time after READ command transmission, and generates the read mask signal according to the delay of the data strobe signal calculated by the delay calculation circuit via the mask signal for delay calculation.例文帳に追加

マスクコントロール回路は、さらに、ＲＥＡＤコマンド送信から所定の時間の後から活性状態の一部のみを含む非マスク期間を除いて、遅延値計算回路による検出を禁止する遅延値計算用マスク信号を生成し、遅延値計算用マスク信号を利用して遅延値計算回路により計算されたデータストローブ信号の遅延値に基づいて、読み取りマスク信号を生成する。 - 特許庁

The semiconductor element includes the pad for outputting the data for cyclic redundancy check for error detection to output the data for cyclic redundancy check or the data strobe signal which is output together with data output in response to a read command, through the pad according to the operation mode.例文帳に追加

誤り検出のための巡回冗長検査用データを出力するパッドを備えており、該パッドを介し動作モードに応じて前記巡回冗長検査用データを出力するか、又は読み出し命令に対応して出力されるデータとともに出力されるデータストローブ信号を出力することを特徴とする。 - 特許庁

A timing for rising and falling of a reference clock outputted simultaneously with data read from a semiconductor device is read by plural signal reading circuit sampling acting with strobe pulse consisting of polyphase pulse having slight phase difference, and the timing for rising and falling of the reference clock is prescribed by a phase number of the polyphase pulse detecting a changing point, and the phase number is memorized by a memory 32.例文帳に追加

被試験半導体デバイスから読み出されるデータと共に出力される基準クロックの立上り又は立下りのタイミングをわずかずつ位相差が与えられた多相パルスで構成されたストローブパルスでサンプリング動作する複数の信号読取回路で読み取り、その変化点を検出した多相パルスの相番号により基準クロックの立上り又は立下りのタイミングを規定すると共に、この相番号をメモリ３２に記憶する。 - 特許庁

A repeater 150 receives internal clocks CLK_-PF, CLK_-NF (the following: internal clock) provided from a DLL circuit 100 in spite of data read-out operation, and outputs DLL clocks CLK_-P, CLK_-N (the following: DLLclock) to a data output circuit 200 and a data strobe signal output circuit 300 in accordance with an internal signal DLLENCLK.例文帳に追加

リピータ１５０は、データ読出動作に拘わらずＤＬＬ回路１００から配信される内部クロックＣＬＫ＿ＰＦ，ＣＬＫ＿ＮＦ（以下、単に内部クロック）を受け、内部信号ＤＬＬＥＮＣＬＫに応じて、データ読出動作時のみデータ出力回路２００およびデータストローブ信号出力回路３００にＤＬＬクロックＣＬＫ＿Ｐ，ＣＬＫ＿Ｎ（以下、単にＤＬＬクロック）を出力する。 - 特許庁