「resistivity structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a mounting structure for optics with has a stable main pipe structure with resistivity against the disturbance in temp. variation, and to obtain its control method.例文帳に追加

温度変化の外乱に強く、安定したメインパイプ構造を備える光学用マウント構造およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

The sectional structure of the image receiving sheet S made to have a laminated structure of at least a sheet surface layer 2 including the pits 5 and projections 6 and a sheet core layer 3, are the volume resistivity ρ1 of the surface layer 2 is set to be different from the volume resistivity ρ2 for the core layer 3.例文帳に追加

受像シートＳの断面構造を、少なくとも、上記凹凸部５，６を有するシート表層２と、シート芯層３とが含まれる積層構造とし、各層２，３の体積抵抗率ρ1,ρ2を異ならせる。 - 特許庁

To provide a thin-film resistor structure having a high resistivity and a low temperature coefficient of resistance (TCR).例文帳に追加

高い抵抗率および低い抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有する薄膜抵抗器構造物を提供する。 - 特許庁

AUSTENITIC ALLOY WELDING STRUCTURE SUPERIOR IN INTERGRANULAR CORROSION RESISTIVITY AND REPAIR WELDING CAPABILITY AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

耐粒界腐食性及び補修溶接性に優れたオーステナイト系合金溶接構造物及びその製造法 - 特許庁

To provide a fiber whose electric resistivity changes in response to temperature, to provide a fiber structure; and to provide a fiber product.例文帳に追加

温度によって電気抵抗率が変化する繊維および繊維構造体および繊維製品を提供する。 - 特許庁

An image forming system includes an image receiving structure containing a tunable-resistivity material; and an energy source to emit an energy beam to the image receiving structure to program the tunable-resistivity material in a pattern.例文帳に追加

可調整抵抗材料を含む画像受容構造と、可調整抵抗材料をパターン状にプログラムすべく画像受容構造にエネルギービームを放射するエネルギー源と、を含む画像形成システムにより上記課題を解決する。 - 特許庁

LOW RESISTIVITY LIGHT ATTENUATION REFLECTION PREVENTING COATING LAYER STRUCTURE HAVING TRANSMITTING SURFACE CONDUCTIVE LAYER AND METHOD OF MAKING THE SAME例文帳に追加

透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止塗布層構造及びその作製方法 - 特許庁

The volume resistivity of the fibrous structure is larger than that of the insulating liquid 31 and the volume resistivity of the partition wall 35 is larger than that of the insulating liquid 31.例文帳に追加

繊維状構造体の体積抵抗率は絶縁性液体３１の体積抵抗率よりも大きく、かつ、隔壁３５の体積抵抗率は絶縁性液体３１の体積抵抗率よりも大きい。 - 特許庁

An endless belt 10 having a single layer structure is configured to have a volume resistivity of the belt higher than a surface resistivity in a back face 10b side of the belt, and to control the surface resistivity in the back face 10b side of the belt within the range from 1.0×10^8 to 1.0×10^13 [Ω/unit square].例文帳に追加

単層構成の無端ベルト１０において、ベルトの体積抵抗率をベルトの裏面１０ｂ側における表面抵抗率よりも高くするとともに、ベルトの裏面１０ｂ側における表面抵抗率を１．０×１０^８〜１．０×１０^１３［Ω／□］の範囲内にする。 - 特許庁

To provide a honeycomb structure which can easily suppress the dependence of electric resistivity on temperature change in comparison with the conventional.例文帳に追加

従来に比べて容易に電気抵抗率の温度変化依存性を抑制することが可能なハニカム構造体を提供する。 - 特許庁

To obtain a GPS network capable of easily moving location to location, having resistivity and relliability with cheap and simple production and structure.例文帳に追加

場所から場所へ容易に移動できて、耐久性と信頼性が有り、製作と組立が安価で簡単なＧＰＳネットワークを得る。 - 特許庁

The multilayered structure 10 is superior in an oil resistivity and recycling performance, and is suitable to use as a packaging material for foodstuffs or medicines and a container 20 and a lid 30.例文帳に追加

この多層構造体１０は耐油性、リサイクル性に優れ、食品や医薬品の包装材料や容器２０、蓋３０に適する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an interposer which is unaffected by the capacitive load and the resistivity of a transmission line and to provide a method for manufacturing a light guiding structure.例文帳に追加

伝送路の容量負荷と固有抵抗に左右されないインターポーザ、及び導光構造の製造方法の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an embedded type multilayer wiring structure with a low electrical resistivity for excellently embedding via-holes or the like to a highly integrated finer pattern.例文帳に追加

高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a dense, lumpy structure or a film body which has reduced volume resistivity without adding impurity metals and performing baking, and has high hardness.例文帳に追加

不純物金属を添加すること及び焼成することなく体積抵抗率を下げた高硬度の緻密質な塊状の構造物や被膜体を提供する。 - 特許庁

By making the ratio of O/Al higher than the stoichiometric composition of Al_2O_3, i.e. allowing the structure or film body to excessively retain oxygen, its volume resistivity reaches <10^13 Ωcm.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3の量論組成よりもＯ／Ａｌ比が大きい、すなわち酸素を過剰に保有することで体積抵抗率は１０^13Ω・ｃｍ未満となる。 - 特許庁

The volume resistivity of the structure or a film body is controlled to <1013 Ω.cm by making an O/Al ratio higher than the stoichiometric composition of Al2O3, i.e., by excessively incorporating oxygen therein.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3の量論組成よりもＯ／Ａｌ比が大きい、すなわち酸素を過剰に保有することで体積抵抗率は１０^13Ω・ｃｍ未満となる。 - 特許庁

The conjugate fiber structure is constituted by nanofibers spun by an electrospinning method and a fiber structure, and either one fiber structure of a nonwoven fabric, a woven fabric and a knitted fabric each having a surface resistivity of 10^3 to 10^12Ω is used as the fiber structure.例文帳に追加

エレクトロスピニング法により紡糸されたナノファイバーと繊維構造体からなる複合繊維構造体であって、該繊維構造体として表面抵抗率が１０^３〜１０^１２Ωである不織布、織物、編物のいずれかの繊維構造体を用いることにより解決される。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based semiconductor diode capable of improving a withstand voltage of a diode structure formed on a gallium nitride substrate whose resistivity in the surface is uneven.例文帳に追加

面内の抵抗率が不均一である窒化ガリウム基板上に形成したダイオード構造の耐圧を向上させることができる窒化ガリウム系半導体ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a heat-resistant foam composed of a fine cell structure and having low relative density, low heat-conductivity, and small volume resistivity.例文帳に追加

微細なセル構造からなり、低い相対密度を有し、さらに低熱伝導性であって耐熱性があり、さらにまた体積抵抗率の小さい発泡体を提供する。 - 特許庁

In this structure, the first common gate 10G can electrically be connected to the p-type drain diffusion layer 21d by the bimetal layer 34 having small resistivity.例文帳に追加

この構造により、第１共有ゲート１０Ｇは、抵抗率が小さいバリアメタル層３４によって、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄとの電気的な接続を取ることができる。 - 特許庁

An alignment film 113 is formed with a two-layer structure of a photo-alignment film 1131 capable of photo-alignment and a low-resistance alignment film 1132 having smaller resistivity than the photo-alignment film.例文帳に追加

配向膜１１３を光配向が可能な光配向膜１１３１と光配向膜よりも抵抗率が小さい低抵抗配向膜１１３２の２層構造とする。 - 特許庁

To provide a pressure sensor structure with high reliability even in high temperature atmosphere such as vehicle use and the like or in an environment wherein high medium resistivity is required and realizing a low height.例文帳に追加

車載用途等の、高温雰囲気中や、高い耐媒体性を要求される環境下においても信頼性が高く低背化が図れる圧力センサの構造を提供する。 - 特許庁

By the two-layer structure, the alignment film can be made small in resistivity as a whole while retaining excellent photo-alignment properties, accordingly DC residual images can be controlled.例文帳に追加

配向膜を２層構造とすることによって優れた光配向特性を維持しつつ、配向膜全体としては抵抗率を小さくできるので、ＤＣ残像を抑えることが出来る。 - 特許庁

To provide a method for the manufacture of a heat insulating layer and a functional layer having an anisotropic columnar micro structure and exhibiting high resistivity to corrosion, and to provide a component manufactured thereby.例文帳に追加

基体上に、異方性柱状微細構造をもち、腐食に対し大きな抵抗性を示す熱絶縁層、機能性層を製造する方法、及び製造された部品を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon-salicide which is of a low-resistivity and stable and a semiconductor device and integrated circuit structure including the salicide attained by the salicide-forming method.例文帳に追加

抵抗値が低く且つ安定なシリコンサリサイドを製造する方法、及び該サリサイド形成方法により得られるサリサイドを含む半導体デバイス及び集積回路構造を提供すること。 - 特許庁

Since the heater tool for bonding is constituted in the structure, the difference of the thermal expansions of the heater 1 and the head 2 can be reduced extremely and, at the same time, the electrical resistivity of the heater 1 and the head 2 can be adjusted.例文帳に追加

ボンディング用ヒーターツールを本発明の構造とすることにより、熱膨張差が極めて小さくすると共に両者の電気抵抗率を調整することができる。 - 特許庁

To provide a growth method, by which a semiconductor layer structure comprising a layer, including a region having improved resistivity can be grown, without having to form a low-resistance region for all the semiconductor layers constituting the semiconductor layer structure.例文帳に追加

半導体層構造を構成する全ての半導体層に低抵抗領域を形成することなく、改善された抵抗率を持つ領域を含む層を有する半導体層構造を成長させることができる成長方法を提供する。 - 特許庁

In particular, such substrate is impregnated or coated with a peroxo-containing ceramic precursor, and the ceramic precursor is crystallized to obtain an insulation structure in which the substrate of a volume resistivity of 10^8 to 10^12 Ωcm and the formed surface resistance layer has a surface resistivity of 10^7 to 10^11 Ω/square.例文帳に追加

即ち、基板にペルオキソ基を持つセラミックス前駆体を含浸または塗布し、前記セラミックス前駆体を結晶化させて、前記基板の体積比抵抗が１０^８〜１０^１２Ω・ｃｍであると共に表面比抵抗が１０^７〜１０^１１Ω／□である表面抵抗層を形成した絶縁構造体である。 - 特許庁

To provide a thermistor which shows a reproducible measured value and has a more high conductivity with a long stability by constituting from a mixed oxide material which has an electric resistivity having a negative temp. coefficient, a Perovskite crystal structure and a specified formula.例文帳に追加

酸素含有量の少ない非酸化性プロセスにおいても再現性のある測定値を提示し、長期間安定性であり、かつより高い導電性を有するサーミスタを提供する。 - 特許庁

In the case structure, non-magnetic members 42, 43 whose electric resistivity is set to 7.0 μΩ-cm or less in the watch case 30 for accommodating an antenna 37 and a watch device are provided.例文帳に追加

このケース構造においては、アンテナ３７と時計装置とを収納した時計ケース３０内に電気抵抗率が７．０μΩ−ｃｍ以下に設定された非磁性部材４２，４３を設けている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which allows rapid formation of a conductive film, which has a low concentration of impurities permeated from a material owing its dense structure, and a low resistivity, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a biaxially stretch blow molded polyethylene terephthalate resin bottle structure or a bottle production method for increasing the heat resistivity or productivity of a bottle with a large opening.例文帳に追加

本発明の技術的な課題は、ポリエチレンテレフタレート樹脂系の２軸延伸ブロー成形による広口ボトルの耐熱性あるいは生産性を向上するための壜体構造あるいは製造方法を創出する点にある。 - 特許庁

To provide a power storage device that can provide high output by controlling the resistance ratio of porous curent collectors different in electrode width, inter-terminal distance and resistivity to achieve a current collection structure having low electronic resistance.例文帳に追加

電極幅と、端子間距離と、抵抗率が異なり孔を有する集電体の抵抗比が制御され、電子抵抗の低い集電構造を得ることにより、高出力化の可能な蓄電デバイスを提供する。 - 特許庁

The block polymer(A) is characterized by having a structure in which a block of polyolefin (a) and another block of hydrophilic polymer (b) having the specific volume resistivity of 105-1011 Ω.cm c m are repeatedly and alternately bonded with each other.例文帳に追加

ポリオレフィン（ａ）のブロックと、体積固有抵抗値が１０^5〜１０^11Ω・ｃｍの親水性ポリマー（ｂ）のブロックが繰り返し交互に結合した構造を有することを特徴とするブロックポリマー（Ａ）を用いる。 - 特許庁

The electrostatic chuck 100 has a structure for sandwiching an electrode 101 between insulating layers 103, and the insulation layer is made of a sintered material of AlN.TiC or the like having a volume resistivity of 1010 Ω.cm or less.例文帳に追加

静電チャック１００は絶縁層１０３で電極１０１を挟持した構造を有し、絶縁層は１０^１０Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有するＡｌＮ・ＴｉＣ等の焼結体からなる。 - 特許庁

By virtue of this structure, influence of resistance loss caused by high resistivity of a transparent conductive film constituting the one-side electrode relative to that of a metal electrode constituting the other-side electrode can be prevented.例文帳に追加

この構造により、一方の電極を構成する透明導電膜の抵抗率が、他方の電極を構成する金属電極に比較して高いことによる抵抗損失の影響を抑制することができる。 - 特許庁

The low resistivity light attenuation reflection preventing film having the transparent surface conductive layer has a multilayer structure described with HL(HL)_6H (H is a high refractive index material, and L is a low refractive index material).例文帳に追加

透過可能な表面導電層を有する低抵抗光減衰反射防止フィルムは、該低抵抗光減衰反射防止フィルムの多層構造がHL(HL)_6Hである（Hは高屈折率の材料、Lは低屈折率の材料である）。 - 特許庁

To provide a flexible laminated board cladded with a copper layer on a single site totally made of polyimide superior in a heat resistivity and transparency of a polyimide layer, which is preferably used for mounting electronic members or the like comprised of a flexible wiring board, a semiconductor package, a TAB structure or a COF structure, and also to provide a manufacturing method of it.例文帳に追加

ポリイミド層の耐熱性、透明性に優れ、フレキシブル配線板や半導体パッケージ、ＴＡＢ構造やＣＯＦ構造からなる電子部品実装等に好適に用いることのできるオールポリイミドのフレキシブル片面銅張積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This block polymer has such a structure that blocks of a polyolefin and blocks of a hydrophilic polymer are repeatedly and alternately coupled with each other, wherein the block of the hydrophilic polymer has polyoxyalkylene groups of a branched structure so that the hydrophilic polymer has a volume specific resistivity of 10^4 to 10^11 Ω.cm.例文帳に追加

ポリオレフィンのブロックと、親水性ポリマーのブロックとが、繰り返し交互に結合した構造を有するブロックポリマーにおいて、親水性ポリマーのブロックが分岐構造のポリオキシアルキレン基を有し、体積固有抵抗値が１０^4〜１０^11Ω・ｃｍであることを特徴とするブロックポリマーを使用する。 - 特許庁

In the semiconductor belt which is made of a polyimide resin containing a conductive filler and has seamless structure, an outer surface part has a region of 1 to 10 μm thickness in which concentration of the conductive filler is discontinuously different from the concentration in other parts and difference between surface resistivity of the outer surface and surface resistivity of the inner surface is ≥1.5 based on common logarithms.例文帳に追加

導電性フィラーを含有するポリイミド系樹脂からなるシームレス構造の半導電性ベルトにおいて、外表面部分に前記導電性フィラーの濃度が他の部分と不連続的に異なる厚み１〜１０μｍの領域を有して、常用対数に基づく外表面と内表面との表面抵抗率の差が１．５以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In particular, such substrate is impregnated or coated with a mixture of a peroxo-containing ceramic precursor and a colloidal conductive ultramicroparticle solution, and the ceramic precursor is crystallized to obtain an insulation structure in which the substrate has a volume resistivity of 10^8 to 10^12 Ωcm and the formed surface resistance layer has a surface resistivity of 10^7 to 10^11 Ω/square.例文帳に追加

即ち、基板にペルオキソ基を持つセラミックス前駆体とコロイド状の導電性超微粒子溶液の混合物を含浸または塗布し、前記セラミックス前駆体を結晶化させて、前記基板の体積比抵抗が１０^８〜１０^１２Ω・ｃｍであると共に表面比抵抗が１０^７〜１０^１１Ω／□である表面抵抗層を形成したことを特徴とする絶縁構造体である。 - 特許庁

This structure allows a breakover voltage to be decided in the second p type conductive area 30 and around it, thereby, the resistivity of the substrate can be increased and its capacitance can be reduced as the breakover voltage is in the prior state.例文帳に追加

この構造によって、ブレークオーバー電圧が第２Ｐ型導電領域３０とその周辺で決定されるようになるため、ブレークオーバー電圧は従来のままで基板の抵抗率を高くして静電容量を小さくすることが出来る。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

The lithium-nickel-manganese-cobalt-based composite oxide powder for lithium secondary battery positive electrode material is formed by including a crystalline structure which belongs to a layered structure and has a composition represented by the formula (I) below and volume resistivity ρ: 1×10^5Ω cm<ρ<8×10^6Ω cm, when it is consolidated at 40 MPa.例文帳に追加

層状構造に帰属する結晶構造を含んで構成され、組成が下記（Ｉ）式で表され、４０ＭＰａの圧力で圧密した時の体積抵抗率ρが１×１０^５Ω・ｃｍ＜ρ＜８×１０^６Ω・ｃｍであるリチウム二次電池正極材料用リチウムニッケルマンガンコバルト系複合酸化物粉体。 - 特許庁