「side drift」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed on the other side of the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の他方の側方にはＮ^+型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

(1) Annular curved pipes 5 of high rigidity are inserted into the ground from the side wall of the pile drift 2.例文帳に追加

１）上記先進導坑２の側壁より剛性の高い環状曲管５を地盤内に挿入する。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

The sub-drift pins 20 are arranged on one side and the other side of the metal plate 16 in a thickness direction so as to extend at right angles to the main drift pins 18, and they each abut on the main drift pin 18 at a location closer to the end face 1402.例文帳に追加

副ドリフトピン２０は、金属板１６の厚さ方向の一方の面側と他方の面側で主ドリフトピン１８と直交する方向に延在し、それぞれ端面１４０２寄りの主ドリフトピン１８箇所に接するように配設されている。 - 特許庁

To provide a pier controlling drift sand capable of obtaining the stability of a structure by preventing a scour on the lower side so that permeability can be given to a pier and that the sand can be also supplied to the lower side of a structure while maintaining a function as the pier controlling the drift sand.例文帳に追加

突堤に透過性をもたせ、漂砂を制御する突堤としての機能を維持しつつ構造物の下手側にも砂が供給されるようにし、下手側の洗掘を防止して構造物の安定性を得る。 - 特許庁

One-side-drift suppressing control is carried out, which adds a one-side-drift steering assisting torque in a direction canceling steering torque Tp to a steering portion, when the vehicle travels straight ahead.例文帳に追加

そして、直進走行時の転舵トルクＴｐを打ち消す方向の片流れ抑制操舵補助トルクを操舵部に付加する片流れ抑制制御を行う。 - 特許庁

This drift prevention device fixedly installed in a pipe 1 and removing the drift from the three-dimensional flow with the drift comprises a porous pipe 11 disposed in a fluid flow direction and an impact plate 12 installed on the flow direction outer side of the porous pipe 11.例文帳に追加

配管１内に固定設置されて偏流のある三次元流れから偏流を除去する偏流防止装置が、流体流れ方向に配置された多孔管１１と、多孔管１１の流れ方向出口側に設けられた衝突板１２とを具備してなる。 - 特許庁

When voltage is applied between the m-type regions 8a and the surface electrode 7 by placing the surface electrode 7 on the high-potential side, by the electric field acting on the drift parts 6a, electrons injected from the n-type regions 8a drift in the drift parts 6a and are emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形領域８ａと表面電極７との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部６ａに作用する電界によりｎ形領域８ａから注入された電子がドリフト部６ａをドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

(3) The advance of the annular curved pipes 5 is continued to make the tip part reach a side wall on the opposite side of the pile drift 2.例文帳に追加

３）上記環状曲管５の推進を続行させ先端部を先進導坑２の反対側の側壁に到達させる。 - 特許庁

To provide a remote operating unit in which voice can be transmitted from the transmitting side to the receiving side with no drift and the voice can be made apprehensible.例文帳に追加

送話側からの音声を受話側へと音飛びさせることなく伝え、音声を聞き取りやすくすることができる遠隔操作装置を提供する。 - 特許庁

To form an aimed drilled hole by simply correcting a side drift even when the side deviation occurs during an excavation.例文帳に追加

掘削の途中で横ずれが生じても簡単に横ずれを修正して目的とする掘削孔を形成できる。 - 特許庁

A high-field drift part 6 is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1 and a front electrode 7 is formed on the drift part 6.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に表面電極７が形成される。 - 特許庁

Then, when the polysilicon film is deposited further on the polysilicon films 106 and 113, 'drift' of the polysilicon film is generated, and the film becomes thick on the side of a memory cell region and the drift is not generated on a peripheral circuit region.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜１０６、１１３上にさらにポリシリコン膜を堆積させると、メモリセル領域側ではポリシリコン膜の「吹き溜まり」が生じて膜が厚くなる一方、周辺回路領域側では吹き溜まりは生じない。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 is formed on the surface side of a n-type silicon substrate 1 forming a conductive substrate, a thin gold film 7 forming a thin metal film is formed on the strong field drift layer 6.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に金属薄膜たる金薄膜７が形成されている。 - 特許庁

One surface side of a conductive substrate 1 is formed with a strong field drift part 6 made of the porous amorphous silicon, and a surface electrode 7 formed of a conductive thin film is formed on the strong field drift part 6.例文帳に追加

導電性基板１の一表面側に酸化された多孔質アモルファスシリコンよりなる強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に導電性薄膜よりなる表面電極７が形成されている。 - 特許庁

In this field emission electron source, a strong electric field drift part 6 is formed on the main surface side of a n-type silicon substrate 1, and a surface electrode 7 of a gold foil film is formed on the strong electric field drift part 6.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板１の主表面側に強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に金薄膜よりなる表面電極７が形成されている。 - 特許庁

To provide a drift-sand preventive structure, by which drift sand can be controlled for a prolonged term and the scour and erosion of the bottom of the sea on the offing side can be prevented.例文帳に追加

長期間に亘って漂砂を制御することができ、しかも沖側の海底の洗掘や浸食を防止することを可能ならしめる漂砂防止構造物を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer 2 has an N-type drift region 5 and a P-type body region 6 formed in order from a base side of the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体層２に、Ｎ型のドリフト領域５およびＰ型のボディ領域６が半導体層２の基層部側からこの順に形成されている。 - 特許庁

A top face 171a of the oxide film 171 is located on the lower side than a boundary surface B1 of the drift region 112 and the body region 141.例文帳に追加

酸化膜１７１の上面１７１ａは、ドリフト領域１１２とボディ領域１４１との境界面Ｂ１よりも下方側に位置している。 - 特許庁

The plate 41 is so mounted as to close the opening 3a of the cylindrical member 3 from the drift chamber 21 side.例文帳に追加

プレート４１は、筒状部材３の一方の開口３ａをドリフト室２１側から塞ぐように、設けられている。 - 特許庁

A disc-like electrode substrate 41 having electric insulation is installed on the other end side of a drift chamber 21.例文帳に追加

ドリフト室２１の他端側には、電気絶縁性を有する円板状の電極基板４１が設けられている。 - 特許庁

An end on the drift region 11 side of the body 5 is positioned near a boundary surface between the first gate electrode 4 and the second gate electrode 7S.例文帳に追加

第１のゲート電極４と第２のゲート電極７Ｓとの境界面近傍には、ボディ部５のドリフト領域１１側の端部が位置する。 - 特許庁

A fitting structure (3, G1) is formed on a main surface of the anode electrode 6 on a side in contact with the drift region 2.例文帳に追加

アノード電極６の主表面のうち、ドリフト領域２に接している側の主表面に、嵌合構造（３、Ｇ１）が形成されている。 - 特許庁

The n+ stopper layer 4 stops the extension of a depletion layer extended from the side of the p+ anode layer 3 to an n- drift layer 1 by an applied voltage.例文帳に追加

このｎ^+ ストッパ層４は、印加電圧でｐ^+ アノード層３側からｎ^- ドリフト層１へ広がる空乏層の伸びを停止させる。 - 特許庁

An n-type drift region DRI and a p-type body region BO are formed at the main surface side of the p^- epitaxial region EP2.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２の主表面側には、ｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとが形成されている。 - 特許庁

A silicon-drift type X-ray detector held by a sample holding member 31 is assembled in a tip portion of a sample holder SH of a side-entry type.例文帳に追加

サイドエントリー型の試料ホルダＳＨの先端部に試料台支持部材３１で支持されたシリコンドリフト型Ｘ線検出器を組み込む。 - 特許庁

Further, a recess part 6 is provided which reaches the p^+-type isolation layer 11 from the reverse side of the n-type drift region 1.例文帳に追加

また、ｎ型ドリフト領域１の裏面から、ｐ^+型分離層１１に達する凹部６が設けられている。 - 特許庁

A p^+-type injector region and an n^+-type source region 14 are formed at an opposite side of the substrate 15 of the drift region 13.例文帳に追加

ドリフト領域１３の基板１５と反対側にはｐ^＋型インジェクタ領域とｎ^＋型ソース領域１４とが形成されている。 - 特許庁

To measure a one-side-drift amount of a vehicle on a bench test machine in a short time without damaging a body and a tire.例文帳に追加

車両の片流れ量を台上試験機上で車体やタイヤに傷を付けることなく短時間で計測できるようにする。 - 特許庁

To improve drift of a refrigerant particularly on the upstream side of a refrigerant flowing flow passage in a heat exchanger to increase the efficiency of heat exchange.例文帳に追加

冷媒が流れる熱交換器内流路の特に上流側での冷媒の偏流を改善して、熱交換効率を向上する。 - 特許庁

The portion wherein the impurity concentration of the semiconductor region 25 becomes maximum is formed on the side of the drift region 28.例文帳に追加

半導体領域２５の不純物濃度が最大となる位置は、ドリフト領域２８側に形成されている。 - 特許庁

An SJ structure where an N-type second drift region 10 and a P-type region 9 are arranged is formed on one side of an element isolation trench 5.例文帳に追加

素子分離用トレンチ５の側方において、Ｎ型の第２ドリフト領域１０とＰ型領域９とが並ぶＳＪ構造が形成されている。 - 特許庁

In a surface-side part of the drift region 1, base regions 3b and source regions 4 are formed, to be connected with the columnar base regions 3a.例文帳に追加

ドリフト領域１の表面側に柱状ベ−ス領域３ａに連続するベ−ス領域３ｂとソ−ス領域４とを設ける。 - 特許庁

In the IGBT 100, a lot of holes are stored in an emitter region-side part 22a in the drift region 22 in turning off.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００では、ターンオン時にドリフト領域２２内のエミッタ領域側の部位２２ａにも正孔が多く蓄積される。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

A p-type first drift layer 6 is formed at the left side of the LOCOS film 4, and a p^+-type source layer 7 is arranged on the surface of the epitaxial silicon layer 2 at the right side of the LOCOS film 4 while sandwiching the gate electrode 5 opposite to the first drift layer 6.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜４の左側にはＰ型の第１のドリフト層６が形成され、ゲート電極５を間に挟んでＬＯＣＯＳ膜４の右側のエピタキシャル・シリコン層２の表面には、第１のドリフト層６と対向してＰ＋型のソース層７が配置されている。 - 特許庁

One- side edges of a plurality of n-type divided drift path regions 1 are pn-joined to a p-type channel diffusion region 7, and the other edges are connected to an n^+-type drain region 9 so that a drift path group 100 connected in parallel can be formed so as to be branched from the n^+-type drain region 9 side.例文帳に追加

複数のｎ型分割ドリフト経路域１の一方端はｐ型のチャネル拡散領域７にｐｎ接合し、それらの他端はｎ＋型のドレイン領域９に接続しており、ｎ＋型のドレイン領域９側から分岐して並列接続のドリフト経路群１００を形成している。 - 特許庁

The LCD driver chip includes a first conductivity well formed in a substrate, a second conductivity drift region formed in the first conductivity well, a first element isolation film formed in the second conductivity drift region, a gate formed at a first side of the first element isolation film, and a second conductivity first ion implantation region formed in the second conductivity drift region between the first element isolation film and the gate.例文帳に追加

基板に形成された第１導電型ウェルと、前記第１導電型ウェルに形成された第２導電型ドリフト領域と、前記第２導電型ドリフト領域内に形成された第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の一側に形成されたゲートと、前記第１素子分離膜と前記ゲートの間の第２導電型ドリフト領域内に形成された第２導電型第１イオン注入領域を含む。 - 特許庁

A semiconductor substrate 20 of an upright semiconductor device 11 is provided with a drift region 28 containing n^--type impurities, and two kinds of partial regions 62, 64 formed along the surface of the semiconductor substrate 20 on the surface side of the drift region 28.例文帳に追加

縦型の半導体装置１１の半導体基板２０は、ｎ^−型の不純物を含むドリフト領域２８と、そのドリフト領域２８の表面側において半導体基板２０の表面に沿って形成されている２種類の部分領域６２、６４を備えている。 - 特許庁

According to this structure, a depletion layer at the PN junction between the p-type deep layer 10 and an n^--type drift layer 2 is significantly extended to the side of the n^--type drift layer 2 and thereby a high voltage caused by a drain voltage is hardly input into a gate oxide film 8.例文帳に追加

このような構造によれば、ｐ型ディープ層１０とｎ^-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ^-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。 - 特許庁

The air is spread along a wall face 17b directed to the side of a combustion chamber 18 of the drift cylindrical body 17 in the radial direction and made easy to mix with sprayed fuel, thus suppressing the temperature rise of the drift cylindrical body 17 and effectively preventing the oxidation resulting from the exposure of the wall face 17b directly to a high temperature gas mass.例文帳に追加

空気は、偏流筒体１７の燃焼室１８側に向いた壁面１７ｂに沿って半径方向に広がり、燃料噴霧と混合しやすくなり、偏流筒体１７の温度上昇を抑止すると共に、壁面１７ｂが高温ガス塊との直接曝露に起因した酸化防止にも効果的である。 - 特許庁

Gettering sites 31 absorbing crystal defects 30 generated in a drift region 20 are arranged at part positions except the drift region 20 as an operation region on the main surface side of the N-type semiconductor layer 1 between the P-type well region 4 and an N+ type drain region 2.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４とｎ^^^+形ドレイン領域２との間におけるｎ形半導体層１の主表面側の動作領域たるドリフト領域２０以外の部位に、ドリフト領域２０に発生した結晶欠陥３０を吸収するゲッタリングサイト３１が設けられている。 - 特許庁

An n-type lightly doped drift layer 11 is provided so as to cover an n-type heavily doped drain layer 41 from an internal section side of a p-type silicon substrate 100, and an n-type lightly doped drift layer 12 is provided so as to cover an n-type heavily doped source layer 42 likewise.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ドレイン層４１にＰ型シリコン基板１００の内部側から被さるようにＮ型低濃度ドリフト層１１が設けられており、同様にＮ型高濃度ソース層４２に対してＮ型低濃度ドリフト層１２が設けられている。 - 特許庁

In the device, a high-field drift layer 6 is formed on the surface side of an n-type silicon substrate 1 that is a conductive substrate, a field alleviating layer 9 consisting of silicon nitride film is formed on the high-field drift layer 6 and a surface electrode 7 consisting of a thin metal film is formed on the field alleviating layer 9.例文帳に追加

導電性基板たるｎ形シリコン基板１の表面側に強電界ドリフト層６を形成し、強電界ドリフト層６上に窒化シリコン膜よりなる電界緩和層９を形成し、電界緩和層９上に金薄膜よりなる表面電極７を形成している。 - 特許庁

A lower wiring 12a a part of which constitutes a lower electrode and an intense-field drift layer 6 are fomed in order on one surface side of an insulating substrate 11, and an insulating layer 8 with an opening formed for the portion corresponding to the forming planned part of a surface electrode 7 is formed on the intense-field drift layer 6 (fig.(a)).例文帳に追加

絶縁性基板１１の一表面側に一部が下部電極を構成する下部配線１２ａ、電子通過層たる強電界ドリフト層６を順次形成し、強電界ドリフト層６上に表面電極７の形成予定部位に対応した部分が開孔された絶縁層８を形成する（図１（ａ））。 - 特許庁