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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > solid liquid interfaceの意味・解説 > solid liquid interfaceに関連した英語例文

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solid liquid interfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 98



例文

SOLID/LIQUID INTERFACE REACTION EVALUATING METHOD AND SOLID/LIQUID INTERFACE REACTION EVALUATING DEVICE例文帳に追加

固液界面反応評価方法および固液界面反応評価装置 - 特許庁

CHANNEL CHIP FOR EVALUATING SOLID/LIQUID INTERFACE REACTION, AND SOLID/LIQUID INTERFACE REACTION EVALUATING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

固液界面反応評価用流路チップ及びそれを用いた固液界面反応評価装置 - 特許庁

EVALUATION METHOD AND EVALUATION DEVICE FOR SOLID-LIQUID INTERFACE例文帳に追加

固液界面の評価方法および評価装置 - 特許庁

APPARATUS FOR OBSERVING CONTACT INTERFACE OF LIQUID PHASE/SOLID PHASE METAL例文帳に追加

液相/固相金属接触界面観察装置 - 特許庁

例文

METHOD FOR CALCULATING WALL VISCOSITY STRESS IN SOLID-LIQUID INTERFACE例文帳に追加

固液界面における壁粘性応力計算方法 - 特許庁


例文

APPARATUS FOR DETECTING SOLID-LIQUID INTERFACE, CASTING APPARATUS AND CASTING METHOD例文帳に追加

固液界面検出装置、鋳造装置及び鋳造方法 - 特許庁

To provide a solid/liquid interface reaction evaluating device capable of accurately evaluating solid/liquid interface reaction.例文帳に追加

本発明は、固液界面反応の評価を精度よく行うことができる固液界面反応評価装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

METHOD OF SIMULATING FORM OF SOLID-LIQUID INTERFACE BETWEEN SINGLE CRYSTAL AND MELT例文帳に追加

単結晶及び融液の固液界面形状のシミュレーション方法 - 特許庁

To detect that a solid/liquid interface is a concave form in a crucible during growing a single crystal and to make the interface flat.例文帳に追加

単結晶育成中における、るつぼ内の固液界面が凹面型になったことを検出してこれを平坦にする。 - 特許庁

例文

To provide a new polyalkylene glycol derivative usable as a nonionic surfactant exhibiting excellent surface activity in a liquid-liquid interface and a solid-liquid interface.例文帳に追加

液−液界面および固−液界面において優れた界面活性能を発揮する非イオン性界面活性剤として使用可能な、新規なポリアルキレングリコール誘導体を提供する。 - 特許庁

例文

The solid-liquid interface 26 becomes upward convex by the action of the heat generated from the source 43.例文帳に追加

この熱源43からの放熱により固液界面26が上凸状となるように構成される。 - 特許庁

In the gas-liquid catalytic reaction using a solid catalyst and in the gas generating reaction from a liquid, a gradient magnetic field is generated near the interface of the solid catalyst.例文帳に追加

固体触媒を利用する気液接触反応および液体からの気体発生反応において、該固体触媒の界面近傍に勾配磁場を発生させた構成とする。 - 特許庁

A two-dimensional CCD camera 28 to photograph the fusion ring appearing near the solid-liquid interface and its mirror image on the melt surface of the auxiliary heating means is disposed outside the chamber and opposing the solid liquid interface.例文帳に追加

上記固液界面近傍に発生するフュージョンリング及び補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を撮影する2次元CCDカメラ28がチャンバ外に固液界面を臨むように設置される。 - 特許庁

To attain further excellent cooling performance, by eliminating or minimizing heat resistance generated in an interface between a solid of a solid layer and liquid of a liquid layer, in a heat exchanger based on solid-liquid contact.例文帳に追加

固液接触を基本とする熱交換器等において、固体層の固体と液体層の液体との界面において発生する熱抵抗を解消もしくはでき得る限り抑制して、より優れた冷却性能を達成すること。 - 特許庁

In this heterogeneous reaction method comprising reacting substances to be reacted in a heterogeneous system containing a solid-like interfacial catalyst and forming liquid/liquid interface, the interfacial catalyst is arranged in a position at which the catalyst comes into contact with the liquid/ liquid interface and the reaction is carried out by using the liquid/liquid interface as a reaction zone.例文帳に追加

固体状の界面触媒を含有し、液/液界面を形成する不均一系で反応物を反応させてなる不均一系反応方法であって、該界面触媒を該液/液界面に接する位置に配置して該液/液界面を反応帯域として反応を行う不均一系反応方法。 - 特許庁

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase.例文帳に追加

単結晶基板5による液相エピタキシー作用と、液相固相界面10の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面10の移動と、単結晶基板5と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。 - 特許庁

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9.例文帳に追加

るつぼ3内のランガサイト融液8と種結晶2との固液界面9近傍に5点式熱電対10を設けて、単結晶育成中(るつぼ下降中)に固液界面9近傍温度分布を測定する。 - 特許庁

Hollow particles are manufactured by forming a solid film at the gas-liquid interface of air bubbles generated by blowing the gas containing a monomer into a liquid.例文帳に追加

液体中にモノマーを含む気体を吹き込んで発生させた気泡の気液界面において固体膜を形成させて中空粒子を製造する。 - 特許庁

The vicinity of the solid-liquid interface of the pulled crystal is forcibly heated by the heater 9, thus the cracking of the crystal or the formation of dislocation thereof which is caused by the increase of thermal stress in the vicinity of the solid-liquid interface due to forcible cooling is prevented, so that the yield of the crystal is improved.例文帳に追加

引上げ結晶の固液界面近傍を加熱体9により強制加熱することにより、強制冷却による固液界面近傍での熱応力増大に起因する結晶の割れや有転位化を防止し、歩留りを改善する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a time domain vibration spectroscopy and its device of an interface based on the 4th nonlinear optical effect capable of measuring even an interface in liquid or a solid-solid interface which is difficult in conventional measurement, and observing a very high speed response from an interface material corresponding to various materials.例文帳に追加

従来測定が困難であった液中の界面や固体−固体界面まで測定可能で、かつ、種々の物質にも対応して界面の物質の超高速応答を観測することが可能な、4次の非線形光学効果に基づく界面の時間領域振動分光法および装置を提供する。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

LEC法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

A solder having a Pb content of 75% or more and a sold-liquid phase line temperature difference of 20°C or higher is heated into a solid-liquid coexisting state to solder the interface in this state.例文帳に追加

Pbが75%以上で、かつ固液相線温度差が20℃以上のはんだを固液共存状態とするように加熱し、この状態で界面をはんだ付けする。 - 特許庁

Height of the solid-liquid interface 8 on the boundary of the single crystal rod 5 in the middle of pulling up and the fused solution of raw material 3 is to be controlled.例文帳に追加

引上げ途中の単結晶棒5と原料融液3との境界に発生する固液界面8の高さを制御する。 - 特許庁

To provide a numerical analysis method in the production of silicon single crystal, wherein a calculated value of a solid-liquid interface shape between a silicon single crystal and a silicon molten salt or the temperature distribution adjacent to a solid-liquid interface conforms very well to an actual measurement value even when the drawing-up condition of the silicon single crystal is changed.例文帳に追加

シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。 - 特許庁

The natural convection S overcomes a forced convection formed near the solid-liquid interface by a relative rotation of the GaAs single crystal 3 and the crucible 7 and becomes the dominant convection in the GaAs melt 6, which enables the solid-liquid interface to be convexly curved toward the GaAs melt 6.例文帳に追加

これにより、GaAs単結晶3とルツボ7との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、GaAs融液6内の対流は自然対流Sが支配的となり、固液界面形状をGaAs融液6側に凸面に制御可能となる。 - 特許庁

To provide an apparatus for detecting a solid-liquid interface with which the position of the solid-liquid interface in a melting crucible can accurately and easily be grasped at real time, and to provide a casting apparatus and a casting method with which a good quality ingot suitably controlled in the solidifying direction can be cast by using the above detecting apparatus.例文帳に追加

溶融ルツボ内での固液界面の位置を正確かつリアルタイムで容易に把握することができる固液界面検出装置、およびこれを用いて固化方向が適切に制御された良質なインゴットを鋳造可能な鋳造装置及び鋳造方法を提供する。 - 特許庁

To attain unidirectional crystal growth of large size grains by making the recessed surface of a solid-liquid interface into a horizontal surface within a melting furnace.例文帳に追加

溶解炉内において、固液界面が凹面状から水平面状となるようにし、一方向性の大粒径の結晶成長を可能とする、 - 特許庁

To provide a measuring method and measuring device capable of accurately measuring the interface position between solid and liquid or a surface shape.例文帳に追加

固体と液体との界面の位置あるいは表面形状を正確に測定することができる測定方法及び測定装置を提供すること。 - 特許庁

A single crystal rod is pulled according to a set speed at which the temperature gradient at the interface between a liquid and a solid of the single crystal rod becomes constant.例文帳に追加

単結晶棒は、単結晶棒の固体と液体の界面の温度勾配を一定するような速度設定に従い引上げられる。 - 特許庁

A mixed solution of sulfuric acid and nitric acid is adopted to an electrolyte on the liquid side in which the electric double-layer is formed at an interface between the solid and the liquid, while the function due to nitric acid of improving activated carbon surface on the solid side is utilized.例文帳に追加

固体と液体の界面に形成する電気二重層を構成する液体側の電解液に硫酸と硝酸の混合溶液を採用し、硝酸による固体側の活性炭表面を改質する作用を利用する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたLEC法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the coating apparatus and a coating method, vibration wave propagated through a groove made on a solid device constituting the coating apparatus is led to the end part of the solid device to finely vibrate the end part and the coating liquid is vibrated in the interface formed by the coating liquid with the end part of the solid device in the coating process.例文帳に追加

本塗布装置および塗布方法は、塗布装置を構成する固体装置に溝加工などを施し伝搬する振動波を該固体装置の端部に指向誘導し微細に振動させて塗布の行程で塗液が該固体装置端部と形成する界面で塗液を振動運動させる。 - 特許庁

Controlling the pulling speed of the single crystal makes the heat stress at the center of the single crystal above the solid-liquid interface 33 set at not higher than 50 MPa.例文帳に追加

単結晶の引上げ速度を制御することにより、固液界面33上であって単結晶の中心部での熱応力を50MPa以下とする。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL NOBLE-METAL SUPER-THIN FILM NANO PARTICLE FORMED USING AN ADSORPTION MICELL FILM FORMED IN SOLID/LIQUID INTERFACE AS A REACTION FIELD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

固/液界面に形成された吸着ミセル膜を反応場として形成される単結晶質の貴金属超薄膜ナノ粒子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor single crystal preventing the formation of a concave solid/liquid interface and restraining the generation of a polycrystal part.例文帳に追加

固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

LEC法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

Consequently, the interface between a conductive liquid 3 and an insulative liquid 4 which is heretofore nearly sphericity as shown by A (dashed line) in the prior art becomes an aspherical shape as shown by B (solid line).例文帳に追加

このため、従来技術ではA(破線)として示すように球面に近かった導電性液体3と絶縁性液体4との界面が、B(実線)として示すように非球面形状になる。 - 特許庁

To markedly improve the yields of a GaAs single crystal by highly reproducibly controlling a solid-liquid interface profile so as for the interface to be convex toward the melt side throughout the entire growth process, especially, during the period till the pass of a seeding part through a liquid encapsulant.例文帳に追加

成長過程全般、特に種付け部が液体封止剤中を通過するまでの固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、GaAs単結晶の収率を大幅に向上させることができるようにする。 - 特許庁

To reduce center segregation by applying a large quantity of light rolling reduction to the limit which does not cause the squeezing of concentrated molten steel, without caursing the crack in the interface between the solid and the liquid in a cast slab.例文帳に追加

鋳片の固液界面に割れを発生させることなく、濃化溶鋼の絞り出しが発生しない限界まで軽圧下量を大きくして、中心偏析を低減する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which has a structure capable of efficiently cooling the upper part of a furnace and making the shape of the solid-liquid interface into a projected shape.例文帳に追加

炉体上部を効率よく冷やして固液界面形状を凸化させる構造を有する化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

The solid-liquid interface 12c between the ingot and the molten silicon liquid is controlled to become convex upward by controlling the flow rate of the blown inert gas in accordance with the change of convection 12b of the molten silicon liquid with the gas blowing means.例文帳に追加

またガス吹付け手段がシリコン融液の対流12bの変化に応じて上記吹付けられる不活性ガスの流速を調整することにより、インゴットとシリコン融液との固液界面12cが上凸状となるように制御される。 - 特許庁

To provide a method not for detecting only an interface between a sludge accumulation layer and a supernatant water phase but capable of detecting also an interface between each layer in the sludge accumulation layer, and to provide a management method of a solid-liquid separation tank using the method.例文帳に追加

汚泥堆積層と上澄水相との界面のみを検出するのではなく、汚泥堆積層内の層同士の界面を検出することができる方法と、この方法を用いた固液分離槽の管理方法を提供する。 - 特許庁

The auxiliary heating means 24 to heat the solid-liquid interface and its vicinity between the seed crystal and the melt is disposed to surround with a predetermined space the periphery of the seed crystal in contact with the melt.例文帳に追加

種結晶及び融液の固液界面近傍を加熱する補助加熱手段24が融液に接触した種結晶の周面を所定の間隔をあけて包囲する。 - 特許庁

To provide both a method for producing a semiconductor crystal by which the slip dislocation is scarcely caused and the semiconductor crystal having a convex solid-liquid interface can be grown and an apparatus for producing the semiconductor crystal.例文帳に追加

スリップ転移が発生しにくく、固液界面が凸状の半導体結晶を成長させることのできる半導体結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-accuracy method for calculating a wall viscosity stress, not depending on a lattice even if a solid-liquid interface is oblique to the lattice and moves.例文帳に追加

格子に対して斜行した固液界面であっても、また固液界面が移動する場合であっても、格子に依存しない、高精度な壁粘性応力の計算方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal.例文帳に追加

結晶成長炉100内に、少なくとも原料融液11と単結晶13の固液界面14を加熱する固液界面加熱用ヒータ120と、固化後の単結晶13を加熱する結晶加熱用ヒータ130と、結晶加熱用ヒータ130の裏側領域を冷却する冷却装置150とが配設されている単結晶の製造装置。 - 特許庁

The single crystal silicon having low resistivity is produced by the Czochralski process, by controlling a height of a solid liquid interface when the single crystal silicon is pulled up.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 - 特許庁

To make an even magnetic field obtainable in a silicon melt, make impurities preventable from concentrating on the central surface of the silicon melt, and to effectively control a solid-liquid interface form directly below a silicon single crystal rod.例文帳に追加

シリコン融液に均一な磁場が得られ、不純物がシリコン融液の中央表面に集中することを防止でき、かつシリコン単結晶棒直下の固液界面形状を有効に制御する。 - 特許庁

例文

To permit uniform and higher temperature gradient of a single crystal in the crystal pulling direction in the vicinity of the solid-liquid interface by reducing the thermal stress and controlling the distribution of point defects uniformly in the single crystal rod.例文帳に追加

単結晶棒内の熱的ストレスを低減し、点欠陥濃度分布を均一に制御し、固液界面付近での引上げ方向の結晶温度勾配を径方向に均一で高くできる。 - 特許庁




  
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