「string voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the serial string of solar battery modules for obtaining a desired voltage, even at the time of using a small-sized solar battery module and easily performing parallel connection work.例文帳に追加

小型の太陽電池モジュールを用いても所望の電圧が得られ、しかも並列接続作業を簡単に行える太陽電池モジュールの直列ストリングを提供する。 - 特許庁

To obtain an electroconductive string material having static removing functions, high tensile strength and large stretchability, readily handleable and simply produced at low cost, and to provide an static removing member, a static removing space and a voltage application type static remover using the electroconductive string material.例文帳に追加

静電気除去機能を有し、導電性繊維よりも引張り強度、伸縮性が大きく、取扱いが容易であり、簡易且つ低コストで製造できる導電性紐材、これを用いた除電部材、除電空間及び電圧印加式除電器を提供すること。 - 特許庁

During a time period in which a switch circuit of a constant-current circuit 10 is put in an on state and a driving current IL1 is caused to flow in an LED string S1, feedback control is performed in such a manner that a voltage drop VSINK may come close to a reference voltage VP.例文帳に追加

定電流回路１０のスイッチ回路がオン状態となってＬＥＤストリングＳ１に駆動電流ＩＬ１が流れる期間において、電圧降下ＶＳＩＮＫが基準電圧ＶＰに近づくように帰還制御が行われる。 - 特許庁

This photovoltaic power generator wherein the plurality of solar battery strings comprising one or more solar battery elements are connected in parallel has a temperature adjustment means adjusting output voltage of the solar battery string by heating or cooling the prescribed solar battery string.例文帳に追加

１以上の太陽電池素子で構成される太陽電池ストリングを複数並列接続した太陽光発電装置であって、所定の太陽電池ストリングを加熱または冷却することによって、太陽電池ストリングの出力電圧を調整する温度調整手段を有するように構成する。 - 特許庁

When measuring a leakage current, a dry air circulation unit 31 including an air compressor 32, a tube 33, a plastic bag 34, and a string member 35 is attached to the edge of a high-voltage cable 1.例文帳に追加

漏れ電流を測定する際には、高圧ケーブル１の端縁に、エアコンプレッサ３２、チューブ３３、ビニール袋３４、紐部材３５等からなる乾燥空気循環装置３１が取り付けられる。 - 特許庁

For example, the non-local self-boosting and the local self-boosting are selectively applied in response to the first string of serially connected cells in response to the programming voltage during an incremental step pulse programming operation.例文帳に追加

例えば、ノンローカルセルフブーストとローカル−セルフブーストは、増加形ステップパルスプログラミング動作間のプログラミング電圧に応答して、直列接続したセルの第１ストリングに選択的に適用される。 - 特許庁

To provide an ultrasonic beauty appliance which makes it possible to treat the skin to details and has both of a beauty effect by ultrasonic vibrations and a beauty effect by energizing of a small voltage pulse string to a subcutaneous tissue.例文帳に追加

肌の細部まで手入れができると共に、超音波振動による美用効果と皮下組織に小電圧パルス列を通電することによる美容効果を併せ持つ超音波美容器。 - 特許庁

To apply selectively different self-boosting techniques to a string of serially connected memory cells in response to a programming voltage applied to the selected word line, in a flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置において、相異するセルフブースト技術が選択されたワードラインに印加されるプログラミング電圧に応答して、選択的に直列接続したメモリセルのストリングに適用される。 - 特許庁

The solar power generation apparatus electrically connects the respective outputs of a plurality of low-voltage solar cell strings 1 in series or series-parallel connection through a voltage regulating means 2, and, further, electrically connects the outputs in parallel with the output of a standard solar cell string.例文帳に追加

複数の低電圧太陽電池ストリング１のそれぞれの出力を電圧調整手段２を介して電気的に直列接続もしくは直並列接続し、さらに標準太陽電池ストリングの出力と電気的に並列接続した太陽光発電装置。 - 特許庁

To provide a photovoltaic power generation array and a photovoltaic power generation system which stably take out generated power from each string, even when imbalance in output voltage values arises among strings.例文帳に追加

各ストリング間に出力電圧値の不均衡が生じた場合であっても、各ストリングから発電電力を安定的に取り出す太陽光発電アレイ及び太陽光発電システムを提供する。 - 特許庁

A high voltage generating insulation transformer comprises a bobbin 10 with flanges 12, 13, 14, and 15 incorporating a core CA, primary winding L1 on the bobbin 10, an insulation layer 21 formed with an insulative string member, and secondary winding L2.例文帳に追加

コアＣＡを組み込むフランジ１２、１３、１４、１５付きのボビン１０と、ボビン１０上の１次巻線Ｌ1 と、絶縁性の糸材により形成する絶縁層２１と、２次巻線Ｌ2 とを設ける。 - 特許庁

A pulse modulator 19 generates a pulse signal Spwm whose duty factor is regulated so that a detected voltage V_LED according to the Vout of the switching power supply 4 corresponds to a given reference voltage Vref during a light-on period of the LED string 6.例文帳に追加

パルス変調器１９は、ＬＥＤストリング６の点灯期間において、スイッチング電源４の出力電圧Ｖｏｕｔに応じた検出電圧Ｖ_ＬＥＤが所定の基準電圧Ｖｒｅｆと一致するようにデューティ比が調節されるパルス信号Ｓｐｗｍを生成する。 - 特許庁

A power-down switch 71 is provided between the reference voltage source 1 and resistor string 2, a switch group 111 for actuation is brought under on/off control based upon the actuation pulse signal 10 of an actuation pulse signal generating circuit 9, and a charging path for charging directly from the reference voltage source 1 at the start is provided.例文帳に追加

パワーダウンスイッチ７１を基準電圧源１と抵抗ストリング２との間に設け、起動用スイッチ群１１１を、起動パルス信号発生回路９の起動パルス信号１０でオン・オフ制御し、起動時に基準電圧源１から直接充電する充電経路を設けるようにした。 - 特許庁

The driving section applies third signals (Pp1), having a voltage smaller than an absolute value of the voltage of the second signal to gate electrodes of all the memory cells included in the memory string, prior to the read-out of the data stored in the memory cell, by applying the first signal to at least any one of the memory cells.例文帳に追加

駆動部は、メモリセルの少なくともいずれかに第１信号を印加してメモリセルに記憶されたデータを読み出す前に、メモリストリングに含まれる全てのメモリセルのゲート電極に、第２信号の電圧の絶対値よりも小さい電圧を有する第３信号（Ｐｐ１）を印加する。 - 特許庁

The dynamic headroom controller supplies a third control signal to the power supply circuit by generating the third control signal changed in response to changes of the current signal circulating to the light-emitting diode string on the basis of a voltage signal of a first terminal of each light-emitting diode string and a second control signal including the light-emitting diode current information.例文帳に追加

ダイナミックヘッドルームコントローラは発光ダイオードストリングそれぞれの第１端子の電圧信号及び発光ダイオード電流情報を含む第２制御信号に基づいて発光ダイオードストリングに流れる電流信号の変化に伴って変化する第３制御信号を発生させてパワーサプライ回路に提供する。 - 特許庁

After removing the switching noise by making this pulse string pass through a low-pass filter 9, the pulse is outputted at a point where the logical levels of both of the pulses coincide with each other, by taking the logical AND of an drive pulse output and the induced voltage with an AND circuit 6.例文帳に追加

このパルス列をローパスフィルタ９を通過させスイッチングノイズを除去して、論理積回路６で駆動パルス出力との論理積を取ると、両者のパルスの論理レベルが一致した点でパルスが出力される。 - 特許庁

A register string 2 for generating a reference voltage Vref to be compared with an analog input signal Vin is folded (n) times or multiple times corresponding to a number (n) of high-order bits of an output bit ADB of the relevant ADC.例文帳に追加

アナログ入力信号Ｖinと比較する基準電圧Ｖref を生成するレジスタストリング２が、当該ＡＤＣの出力ビットＡＤＢの上位ビット数ｎに対応して２^n 回もしくはその倍数回折り返されている。 - 特許庁

To provide a back electrode solar cell to which a prevention function of failure caused by reverse bias voltage can be easily added, and to provide a solar cell string and a solar cell module using the back electrode solar cell.例文帳に追加

逆バイアス電圧による故障の防止機能を容易に付加することができる裏面電極型太陽電池、その裏面電極型太陽電池を用いた太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

The voltage output circuit 3 generates a plurality of different coefficients (a1, -a1, a2, 0, -a2, ...) in accordance with the combination of bit information in a plurality of the pulse signals S1 to Sn, and changes the output vout of the voltage output circuit 3 in accordance with a coefficient string obtained when a plurality of the generated coefficients are combined.例文帳に追加

電圧出力回路３は、複数のパルス信号Ｓ１〜Ｓｎ内のビット情報の組み合わせに応じて異なる複数の係数（ａ１，−ａ１，ａ２，０，−ａ２，…）を生成し、生成した複数の係数をさらに組み合わせたときに得られる係数列に応じて、当該電圧出力回路３の出力ｖｏｕｔを変化させる。 - 特許庁

Since the circuit configuration and the resistance ratio of a resistor string in the gamma reference voltage generating circuit are made equal to those of the gamma correction voltage generating circuit 2 and the input/output voltages of the operational amplifiers 3 arranged between both the circuits 1, 2 are made equal, gamma correction can be performed, while the current consumption of the operational amplifiers 3 is reduced.例文帳に追加

ガンマ参照電圧生成回路１とガンマ補正電圧生成回路２内の抵抗ストリングの回路構成と抵抗比を同じにし、両回路の間に配置されるオペアンプ３の入出力電圧を等しくするため、オペアンプ３の消費電流を低減しつつ、ガンマ補正を行うことができる。 - 特許庁

The write time of the signal line can be shortened, since the signal line is precharged on the basis of the reference voltage selected according to the bit string of the higher 3 bits of the digital pixel data before the signal line is written on the substrate.例文帳に追加

信号線の書き込みを行う前に、デジタル画素データの上位３ビットのビット列に応じて選択された基準電圧に基づいて信号線のプリチャージを行うため、信号線の書き込み時間を短縮することができる。 - 特許庁

To boost a bit line to a higher level than a power supply voltage without using any booster circuit and without utilizing an inter-bit line capacitance in a NAND string to which a plurality of electrically rewritable nonvolatile memory cells are connected in series.例文帳に追加

電気的書き換え可能な複数の不揮発性メモリセルが直列接続されたＮＡＮＤストリングにおいて、昇圧回路を用いず、ビット線間容量を利用することなくビット線を電源電圧より高いレベルに昇圧する。 - 特許庁

The first current source generates first current, and voltage derived from the first current at least partially comprises a cell position dependent temperature coefficient varying with the position of a memory cell in the string of bit cells connected with each other.例文帳に追加

第１電流源は第１電流を生成し、第１電流から導出される電圧は、相互接続されたビット・セルのストリングにおけるメモリ・セルの位置と共に変化するセル位置依存温度係数を少なくとも部分的に含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a solar cell module, a solar cell string and a solar cell array, which are excellent in withstand voltage in insulation between a plurality of semiconductor elements provided on a conductive substrate composed of a conductive material and the conductive substrate.例文帳に追加

導電性材料からなる導電性基板上に設けられる複数の半導体素子と導電性基板との間の絶縁耐電圧性が優れた半導体装置、太陽電池モジュール、太陽電池ストリングおよび太陽電池アレイを提供する。 - 特許庁

This display has a resistance string type D/A converting circuit, whose dynamic range can be made large by equalizing the source voltage of the D/A converting circuit to that of a signal line driving circuit of the display.例文帳に追加

本発明の表示装置は、抵抗ストリング型Ｄ／Ａ変換回路を有し、Ｄ／Ａ変換回路の電源電圧を表示装置の信号線駆動回路と同じとすることによって、Ｄ／Ａ変換回路のダイナミックレンジを大きく取ることができる。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device where almost no residual charge takes place for a string chuck force, regardless of the volume resistivity of a dielectric layer, polarity and magnitude of an applied voltage, or the presence of plasma discharge.例文帳に追加

誘電体層の体積抵抗率の大きさ、印加電圧の極性および大きさ、およびプラズマ放電の有無に拘らず、残留電荷が生じるおそれが殆どないとともに、強いチャック力を得ることができる静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

This discharge tube 10 as an electric field-inducing light emitting conductor is attached to a cap or pin of an insulator constituting an insulator string, or a line hardware connected to the cap or pin, and emits light by an electric field generated by a voltage shared by a wholesome insulator.例文帳に追加

この放電管１０を碍子連を構成する碍子のキャップ、ピン、あるいはこれらに接続された架線金具に電界感応型発光体として取付け、健全碍子が分担する電圧によって生ずる電界で発光させる。 - 特許庁

The excessive increase of Vch2 is prevented by modifying the voltage applied to string select line and/or to the bit line BL, or the pass voltage Vpass applied to the unselected word lines WL<i+1 through WL<n->, only if the selected word line WL <i> location (i) is equal or greater than a predetermined location number (x).例文帳に追加

選択ワードラインＷＬ＜ｉ＞の位置ｉが予め決定、又は記憶された位置ナンバｘより大きい、或いは同一である場合に、第２ローカルチャンネルＣｈ２電位の過度な上昇は、ストリング選択ライン、ビットラインＢＬ、又は非選択ワードラインＷＬ＜ｉ＋１〜ＷＬ＜ｎ−＞に印加されるパス電圧Ｖｐａｓｓを調整することによって防止される。 - 特許庁

In a reading operation, the control circuit AR2 applies a reading pulse voltage Vread to the gate of at least one of the memory transistors MTr1 to MTr8 of the unselected memory string MS, and applies ground potential Vss to the gate of another memory transistor MTr.例文帳に追加

制御回路ＡＲ２は、読み出し動作の際、非選択メモリストリングＭＳの中の少なくとも一つのメモリトランジスタＭＴｒ１〜ＭＴｒ８のゲートに読み出しパス電圧Ｖｒｅａｄを印加し、別のメモリトランジスタＭＴｒのゲートには接地電位Ｖｓｓを印加する。 - 特許庁

When a single voltage pulse of pulse width Ti corresponding to a multiplicand is input to a terminal A of the resistance change type variable resistor element 1 having terminals A, B and a voltage pulse string of a pulse frequency Fi corresponding to a multiplier is input to the terminal B, a PWM (pulse width modulation) signal according to the Fi, Ti corresponding to a product operation result between the multiplicand and the multiplier is output.例文帳に追加

端子Ａ・Ｂを有する抵抗変化型可変抵抗素子１の、端子Ａに被乗数に対応するパルス幅Ｔｉの単一電圧パルスを入力し、端子Ｂに乗数に対応するパルス周波数Ｆｉの電圧パルス列を入力することにより、被乗数と乗数との積演算の結果に対応するＦｉ・Ｔｉに応じたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号が出力される。 - 特許庁

In the write operation of the NAND-type flash memory, a row decoder applies a first voltage lower than a voltage applied to a control gate of other memory cells of a NAND string to a control gate of a first memory cell adjacent to a drain side selection gate transistor in NAND strings to cut off an area between the other memory cells of the NAND strings and the drain side selection gate transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ロウデコーダは、ＮＡＮＤストリングのうちドレイン側選択ゲートトランジスタに隣接する第１のメモリセルの制御ゲートに、ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルの制御ゲートに印加される電圧よりも低くい第１の電圧を、前記ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルと前記ドレイン側選択ゲートトランジスタとの間をカットオフするように、印加する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element is provided with a string selection transistor, a plurality of memory transistors and a ground selection transistor between a bit line and a common source line, and is capable of erasing data in the plurality of memory transistors by applying an erasing voltage to the bit line or the common source line.例文帳に追加

本発明は、ビットラインと共通ソースラインとの間にストリング選択トランジスタ、複数のメモリトランジスタ及び接地選択トランジスタを備え、ビットラインまたは共通ソースラインに消去電圧を印加して、複数のメモリトランジスタのデータを消去できる不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

Currents flowing to respective strings and voltages thereof are measured by a current detector for measuring the currents of the respective strings 51-1 to 51-N, and a voltage detector 77 for measuring the voltages of the respective strings, and a current integration value and a power integration value in a certain period for each string are obtained.例文帳に追加

各ストリング５１−１〜ストリング５１−Ｎの電流を測定する電流検出器と、各ストリングの電圧を測定する電圧検出器７７により、各ストリングに流れる電流と電圧を測定し、各ストリングについて一定期間の電流積算値または電力積算値を求める。 - 特許庁

The cover piece 15 has a holding member 26 which holds the high voltage reduction wire 5B by pressing the pull-down wire on a press 38 side, in which a string member 29 for pulling the holding member 26 on the side opposite to the press 38 side of the holding member 26 is connected to the holding member 26 and the cover piece 16.例文帳に追加

カバー片１５は、高圧引下線５Ｂを押し当て部３８側に押し当てて保持する保持部材２６を有すると共に、保持部材２６の押し当て部３８側と反対側に保持部材２６を引っ張る紐状部材２９が保持部材２６とカバー片１６とに連結されている。 - 特許庁

In the D/A converter, with each resistor string in a voltage selecting circuits 11 to 18 being connected in the same connection order as that of the resistor strings are arranged in the order of 11, 18, 13, 16, 15, 14, 17, and 12 and connected adjacently, in this order.例文帳に追加

このＤ／Ａコンバータは、電圧選択回路１１〜１８内の各抵抗ストリングを、「１１ １８ １３ １６ １５ １４ １７ １２」という順序に並べ替えた状態で隣接する抵抗ストリングを順次接続した場合と同じ接続順序で各抵抗ストリングを接続したものである。 - 特許庁

An A/D converter 37 converts control data into a control signal, an LDD 12 generates a drive current corresponding to transmission information of a bit string based on the control signal, an LD 14 receives input of the drive current and transmits an optical signal, an MPD 16 converts the optical signal received from the LD 14 into a voltage signal, and a filter 30 extracts a partial frequency band from the voltage signal.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換器３７は、制御データを制御信号に変換し、ＬＤＤ１２は、ビット列である送信情報に応じた駆動電流を制御信号に基づいて生成し、ＬＤ１４は駆動電流の入力を受けて光信号を送信し、ＭＰＤ１６は、ＬＤ１４から送信された光信号を電圧信号に変換し、フィルタ３０はこの電圧信号から一部の周波数帯域を抽出する。 - 特許庁

A method for programming the semiconductor memory device includes the steps of: charging at least one inhibit string channel connected to a program bit line among a plurality of bit lines and at least one channel among inhibit strings connected to an inhibit bit line, to a precharge voltage supplied to a common source line; and boosting the precharged channel by supplying a word line voltage to a plurality of cell strings.例文帳に追加

本発明による半導体メモリー装置のプログラム方法は、複数のビットラインの中でプログラムビットラインに連結される少なくとも１つのインヒビットストリングのチャンネルと、インヒビットビットラインに連結されるインヒビットストリングの中で少なくとも何れか１つのチャンネルとを共通ソースラインに供給されるプリチャージ電圧に充電する段階と、ワードライン電圧を複数のセルストリングに供給してプリチャージされたチャンネルをブースティングさせる段階と、を有する。 - 特許庁

The part 1 includes a digital signal generation circuit 11 which outputs a transmission digital signal being a binary pulse signal string whose duty factor changes in accordance with the voltage level of an analog input signal, a resistor 12 for adjusting the peak value of the transmission digital signal, a peak value detection circuit 13 and a peak value adjusting circuit 14.例文帳に追加

送信部１は、アナログ入力信号の電圧レベルに対応してデューティ比が変化する２値パルス信号列である送出ディジタル信号を出力するディジタル信号発生回路１１と、送出ディジタル信号の波高値調整するための抵抗器１２、波高値検出回路１３および波高値調整回路１４とを含む。 - 特許庁

The sequencer for a driver IC receives a trigger from the CPU 110, a trigger from a sequencer 113 for a VCM (voice coil motor) or a servo mark detection signal, executes a command string stored in an RAM 115a and makes read access and write access to a driver IC 124 to thereby measuring acceleration, temperature, and counter electromotive voltage that occurs in the voice coil motor, or the like.例文帳に追加

ドライバＩＣ用シーケンサは、ＣＰＵ１１０からのトリガ、ＶＣＭ用シーケンサ１１３からのトリガ、又はサーボマーク検出信号を受けて、ＲＡＭ１１５ａに記憶されたコマンド列を実行し、ドライバＩＣ１２４に対してリードアクセス及びライトアクセスを行うことにより、加速度の測定、温度の測定、ボイスコイルモータに生じる逆起電圧の測定等を行う。 - 特許庁