「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(665ページ目) - Weblio英語例文検索

A sacrificial oxide layer 1 and a polysilicon/silicon nitride film are deposited sequentially on a substrate 2, an opening is made therein by etching (at the part of 5, 15) and ions are implanted in order to suppress hot carriers 11 thus suppressing punch through 8 between source and drain.例文帳に追加

基板２上に犠牲酸化物層１及びポリシリコン・窒化珪素膜を順次堆積し、エッチング開口（５・１５の部分）してソースドレイン間のパンチスルー抑制用８ホツトキャリア抑制用１１のイオン注入を行う。 - 特許庁

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。 - 特許庁

The imaging apparatus is equipped with the optical filter in which a near-infrared-ray reflecting layer of cholesteric liquid crystal, shutting off light of 600 to 1,200 nm in wavelength is formed on a plastic substrate.例文帳に追加

撮像装置は、プラスチック製の基板上に、波長６００〜１２００ｎｍの光を遮断するコレステリック液晶よりなる近赤外線反射層が形成されてなる光学フィルターを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gas barrier laminated film with high gas barrier properties while securing high transparency by smoothing minute irregularities on a transparent substrate surface and forming an inorganic oxide layer on the smoothed surface.例文帳に追加

透明基材表面の微細な凹凸を平滑化し、平滑な面上に無機酸化物層を形成することで、高い透明性を保持しつつ、高いガスバリア性を有し耐久性もあるガスバリア積層フィルムを提供する。 - 特許庁

A gold layer in a part to which the microcapsule is stuck on the surface of the substrate is oxidized/dissolved and etched and an electrode wiring formed of gold is formed in a part to which the microcapsule is not stuck.例文帳に追加

すると、基板の表面の金層のうちマイクロカプセルが付着していた部分の金層が酸化溶解してエッチングされ、マイクロカプセルが付着していなかった部分に金からなる電極配線が形成された。 - 特許庁

The original plate for heat-sensitive lithographic printing plate has a heat-sensitive layer containing microcapsules, a hydrophilic resin and a compound for crosslinking the hydrophilic resin on an aluminum substrate on which hydrophilic treatment done after anodic oxidation treatment is performed is provided.例文帳に追加

陽極酸化処理した後に親水化処理を行ったアルミニウム支持体上に、マイクロカプセル、親水性樹脂、及び親水性樹脂を架橋させる化合物を含有する感熱層を有する平版印刷用原板。 - 特許庁

The lattice layer 2 is formed by arranging lattice members 21 periodically on the substrate 1 and has such a structure that any member is not packed between the lattice members 21 adjacent to each other.例文帳に追加

格子層２は、格子部材２１を、基板１の上に周期的に配置することにより形成されており、互いに隣接する格子部材２１の間にはどのような部材も充填されない構造となっている。 - 特許庁

Ground electrodes 5, 6 opposing the ground electrode 2 on the center layer are formed on both the main surfaces of the piezoelectric substrate 1 and on an intermediate region between the input electrode 3 and the output electrode 4 in the main surface directions.例文帳に追加

圧電基板１の両主面に、中央層のアース電極２と対向し、かつ主面方向における入力電極３と出力電極４との中間領域にアース電極５，６を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 2, a gate insulating film 3, a silicon semiconductor layer (a-Si) 4, an n+ semiconductor film 5, a source electrode 61, and a drain electrode 62 are fabricated on a glass substrate 1, and a protective film 7 is formed over the entire surface.例文帳に追加

ガラス基板１上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、シリコン半導体層（ａ-Ｓｉ）４、n+半導体膜５、ソース電極６１、ドレイン電極６２を形成し、この上の全面に保護膜７が成膜される。 - 特許庁

An insulating film 18 made of silicon oxide is formed on the surface of a substrate 1, and a photoelectric conversion section 15 that is a photodiode in which a hole accumulation layer 15A is provided is formed directly below the insulating film 18.例文帳に追加

基板１の表面に酸化シリコンからなる絶縁膜１８が形成されており、絶縁膜１８の直下に正孔蓄積層１５Ａが設けられたフォトダイオードである光電変換部１５が形成されている。 - 特許庁

To easily discriminate an optical disk having an identification mark displayed on an information recording surface, the mark being unseen or difficult to be seen because of the color of a substrate or the semi-transmission film of a first layer, from other optical disks.例文帳に追加

情報記録面に表示された識別標識が基板の色や１層目の半透過膜等で見えないか又は見えにくくなっている光学ディスクを、その他の光学ディスクから容易に識別できるようにする。 - 特許庁

A GaN (0001) or an AlN (0001) single crystal film, or a super-lattice structure of the GaN (0001) and the AlN (0001) is formed on a Si (110) substrate via a 2H-AlN buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of low voltage n-well area 31 biased at different potentials and isolated from a substrate 1 by a common n^+ buried layer 11 and at least one high voltage n-well area 27.例文帳に追加

異なる電位上でバイアスされた複数の低電圧Ｎウェル領域３１を備え、共通のＮ^+埋め込み層１１および少なくとも一つの高電圧Ｎウェル領域２７により基板１と隔離する。 - 特許庁

The plating method for magnesium or magnesium alloy includes a step of forming an electroconductive resin layer containing an electroconductive filler other than a metal on a magnesium or magnesium alloy substrate, prior to a plating step.例文帳に追加

マグネシウム又はマグネシウム合金のめっき方法は、マグネシウム又はマグネシウム合金基材上に、めっきを施すに先立って、金属以外の導電性のフィラーを含む導電性樹脂層を形成する工程を備える。 - 特許庁

The semiconductor device furthermore includes a source region and a drain region, wherein one of these regions is electrically coupled to the metal carrier substrate and includes a conductive region extending through the first semiconductor layer.例文帳に追加

半導体デバイスはさらに、ソース領域およびドレイン領域を含み、これらの領域のうちの一方が金属キャリア基板と電気的に接続され、第１の半導体層を介して延在する導電性領域を含む。 - 特許庁

The member 20 may have at least one laminated layer having a film edge removed piece having an outside diameter capable of fitting the inside diameter of the substrate 10 to be contacted with.例文帳に追加

上記端部塗膜除去部材２０は、接触させる円筒状基体１０の内径にそれぞれ対応可能な外径を有する端部塗膜除去片が少なくとも１つ以上積層して形成されていてもよい。 - 特許庁

In the ceramic green sheet manufacturing method, first, a conductor layer 5a comprising a conductive material soluble in a given solvent is formed on the substrate 1 which is release-processed on the surface 1a thereof.例文帳に追加

本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法では、まず、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層５ａを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask.例文帳に追加

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

An integrated spacer 13 has a thick region 131 and a thin region 132 and is overlapped and adhered to the flexible circuit substrate 11 as shown by broken line arrows and supports the laminated layer of each of electronic components 121-125.例文帳に追加

一体型スペーサ１３は厚い領域１３１と薄い領域１３２を有し、破線矢印のようにフレキシブル回路基板１１上に重なって固着され、各電子部品１２１〜１２５の積層を支持する。 - 特許庁

By having ion implantation in a substrate having the passivation layer 112, an ROM code programming step is conducted.例文帳に追加

そして、このパッシベーション層１１２を選択的に食刻してボンディングパッドを露出する工程を実行してから、パッシベーション層１１２が形成された基板にイオン注入を実行することでＲＯＭコードプログラミング工程を行う。 - 特許庁

By forming the banked layer 7 between the source signal line 2 and the array substrate 1, the deterioration of step coverage of a protective film 3 caused by a reverse-tapered hollow on a side surface of the source signal line 2 is suppressed.例文帳に追加

かさ上げ層７をソース信号配線２とアレイ基板１との間に形成することによって、ソース信号配線２の側面の逆テーパ状の窪みを原因とした、保護膜３のステップカバレッジの悪化を抑制する。 - 特許庁

In particular, the first electrode is formed using a corrugated shape provided by anisotropic-etching one face of an Si substrate 11 for forming the cavity, the second electrode is formed thereon via sacrifice layer 16, and the backplate is formed further.例文帳に追加

特に第１の電極を、キャビティを形成するＳi基板１１の一面を異方性エッチングした波形形状を利用して形成し、この上に犠牲層１６を介して第２の電極を、更にバックプレートを形成する。 - 特許庁

The barrier film 13 is a film for generating a tensile stress in the semiconductor substrate 1 and the metal silicide layer, consisting of a mono silicide MSi of a metal element M constituting the metal film 12 is formed upon the first heat treatment.例文帳に追加

バリア膜１３は半導体基板１に引張応力を生じさせる膜であり、第１の熱処理では、金属膜１２を構成する金属元素ＭのモノシリサイドＭＳｉからなる金属シリサイド層が形成される。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an under layer 2 made of a nitride semiconductor containing at least Al and formed on a substrate 1 made of a conductive SiC having a resistivity of 1×10^5 Ω cm or less in thickness of preferably 2 μm or more.例文帳に追加

抵抗率が１×１０^５Ωｃｍ以下の導電性ＳｉＣからなる基材１上に、少なくともＡｌを含む窒化物半導体からなる下地層２を、好ましくは２μｍ以上の厚さに形成する。 - 特許庁

A ground electrode 2 is formed on the center layer in a thickness direction of a piezoelectric substrate 1, and an input electrode 3 and an output electrode 4 which partially oppose the ground electrode 2 do not oppose with each other are formed on both main surfaces.例文帳に追加

圧電基板１の厚み方向中央層にアース電極２を形成し、両主面にアース電極２と部分的に対向しかつ相互には対向しない入力電極３と出力電極４とを形成する。 - 特許庁

In addition 20 to 100 mol % of PZT precursor adding excess Pb is used with lead titanate as a buffer layer to permit the use of the substrate inexpensive and having a low melting point such as glass and Al metal.例文帳に追加

また、チタン酸鉛をバッファー層として使用し、２０〜１００ｍｏｌ％のＰｂ過剰添加のＰＺＴ前駆体ゾルを使用し、ガラス、金属Ａｌ等の安価で低融点の基板を使用することを可能とする。 - 特許庁

The upper section of the substrate 1 is coated with a paste comprising aluminum, the paste is baked in an atmosphere in which the sum of the partial pressure of oxygen and nitrogen reaches 10 kPa or less, and the aluminum electrode layer 8 is formed.例文帳に追加

シリコン半導体基板１の上にアルミニウムを含むペーストを塗布し、酸素と窒素の分圧の和が１０ｋＰａ以下の雰囲気中で加熱することによってペーストを焼成してアルミニウム電極層８を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 12 composed of an aluminum type metal which gets transparent on anodic oxidation, an auxiliary capacitance line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed on a base insulating film 11 on a thin film transistor substrate 1.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１上の下地絶縁膜１１上に、陽極酸化されると透明となるアルミニウム系金属からなるゲート電極１２、補助容量ライン６および反射層７を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles.例文帳に追加

高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming a film to be processed including a conductive layer on a semiconductor substrate; and forming a dummy film on the film to be processed.例文帳に追加

本発明の一態様の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上に導電層を含む被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜上にダミー膜を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

To provide: a semiconductor wafer allowing a compound semiconductor layer to be thickly formed on a substrate, and capable of reducing parasitic capacitance generated in a buffer region; a semiconductor element; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To detect the shape of fluorophor layer formed on a substrate by non-destructive inspection during the manufacturing process of a plasma display panel, with respect to a method for evaluating the application state of the fluorophor of a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの蛍光体塗布状態を評価する方法に関し、基板に形成された蛍光体層の形状を非破壊検査によって、プラズマディスプレイパネルの製造工程中に検出することを課題とする。 - 特許庁

In an n^+-silicon substrate 1 having the main surface 1a and rear surface 1b, a trench 2 is extended in thickness direction from the main surface 1a and a p-type silicon layer 3 made of epitaxial films is formed in the trench 2.例文帳に追加

主表面１ａと裏面１ｂとを有するＮ^＋シリコン基板１においてトレンチ２が主表面１ａから厚み方向に延設され、トレンチ２内にエピタキシャル膜からなるＰ型シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

Consequently, the low-viscosity layer 41b around the hole 40a is prevented from being damaged by the laser light, and the correction liquid 20 is prevented from entering the gap between the film 41 and substrate 14.例文帳に追加

したがって、レーザ光によって孔４０ａの周りの低粘着層４１ｂがダメージを受けるのを防止することができ、修正液２０がフィルム４１と基板１４の隙間に侵入するのを防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laminated film in which flatness is obtained at an interface between an Si substrate and a metal layer formed adjacent thereto so as to reduce junction leakage at the Si/metal interface in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体デバイスなどにおけるＳｉ／金属界面では接合リークを抑制すべく、Ｓｉ基板と、これに隣接して形成される金属層との界面平坦性を確保した半導体積層膜を提供する。 - 特許庁

A single transmission line is formed by connecting a line electrode 191 to a line electrode different from the line electrode 191 provided on a conductive layer so that the strip line has an overlapping part in a substrate laminating direction.例文帳に追加

基板積層方向に対し重畳部分を有するように、線路電極１９１と線路電極１９１とは異なる導体層に線路電極を設けて接続することにより１つの伝送線路を形成する。 - 特許庁

The detector device extends on a substrate 2, including a reflection layer 4 and is provided with a wave guide path 8 formed by protrusions whose range in horizontal direction is demarcated by an oxide a region for protection and containment.例文帳に追加

検出素子は、反射層4 を含む基板2 上に延び、保護及び格納酸化物領域11によって横方向の範囲を画定された突出構造物6 によって形成される導波路8 を備えている。 - 特許庁

A copper fuse 1 and a copper wiring 5 that could be cut by a laser beam are formed on a silicon substrate so that the film thickness of the copper fuse 1 is thinner than that of the other copper wiring 5 in the same layer.例文帳に追加

レーザ光により切断可能な銅ヒューズ１と銅配線５をシリコン基板上に形成したものにおいて、銅ヒューズ１の膜厚が同層の他の銅配線５の膜厚よりも薄くなるように形成する。 - 特許庁

A coating composition of an aqueous dispersion of fluorine-containing particles and poly(alkylene carbonate) is coated on a resilient layer 22 disposed on a substrate 25, and heated to a temperature of about 200-260°C at which the poly(alkylene carbonate) decomposes.例文帳に追加

基板２５に配置される弾性層２２に、フッ素を含有する粒子およびポリ（アルキレンカーボネート）の水系分散物のコーティング組成物を塗布し、約２００℃〜約２６０℃で加熱することによりポリ（アルキレンカーボネート）が分解する。 - 特許庁

On the TFT array substrate 10 of a reflective electrooptical device 100, a recess and projection forming film 13a, a pixel electrode 9a, an upper layer insulation film 7a and a light reflection film 8a are formed in the order.例文帳に追加

反射型電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０には、凹凸形成膜１３ａ、画素電極９ａ、上層絶縁膜７ａおよび光反射膜８ａがこの順に形成されている。 - 特許庁

To obtain a magnetic recording medium that has excellent dispersibility, especially dispersibility of ultrafine particle alloy powder, excellent filling properties, orientation, durability of magnetic layer, abrasion resistance, heat resistance, adhesiveness to a nonmagnetic substrate, etc.例文帳に追加

分散性、特に超微粒子合金粉末の分散性に優れ、充填性、配向性、かつ磁性層の耐久性、耐摩耗性、耐熱性、非磁性支持体との接着性等に優れた磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To shorten the time required to form each colored layer and to enhance the productivity when a color filter is manufactured by applying each of coloring inks on a substrate with a black matrix by an ink jet system.例文帳に追加

インクジェット方式にて着色インキをブラックマトリックス付き基板に塗布することによりカラーフィルターを作製するに際して、着色層の形成に要する時間の短縮を図り、生産性を上げることを可能にする。 - 特許庁

Then, with the remaining peripheral oxide film 110 abutting against a side face of a spot facing portion 33 of a susceptor 32, the silicon epitaxial layer 13 is grown on the principal plane 12 of the silicon single crystal substrate 10 by vapor growth epitaxy.例文帳に追加

次に、残存した外周酸化膜１１０をサセプタ３２の座ぐり部３３の側面に当接させた状態で、シリコン単結晶基板１０の主表面１２上にシリコンエピタキシャル層１３を気相成長させる。 - 特許庁

Another masking process defines an insulating oxide layer of a distal region thicker than the active region of the transistor, whereby a contamination of a substrate in a production process is reduced and the process controllability can be improved.例文帳に追加

別のマスキング工程により、トランジスタのアクティブ領域よりも厚い末端領域の絶縁酸化層が画定され、これによって製造工程での基板の汚染を低減し、プロセス制御性を改善することが出来る。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W is produced by forming a silicon epitaxial layer 2 on the major surface 11 of a lightly doped p^- type or n^- type silicon single crystal substrate 1 having a resistivity of 0.02 Ωcm or above.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、抵抗率が０．０２Ω・ｃｍよりも高いｐ^−型又はｎ^−型の低ドープのシリコン単結晶基板１の主表面１１にシリコンエピタキシャル層２が形成されたものである。 - 特許庁