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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
A first and second single crystal layers 11 and 12 are arranged on the material substrate 22 so that a gap GP placed between a first and second side faces S1 and S2 is disposed on the sublimation prevention layer 31.例文帳に追加
第1および第2の側面S1、S2によって挟まれた空隙GPが昇華防止層31上に配置されるように、材料基板22上に第1および第2の単結晶層11、12が並べられる。 - 特許庁
To provide a hologram recording device that eliminates the need for precise alignment of a light emitting element when hologram is recorded on a recording layer formed on a substrate on which a plurality of light emitting elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally.例文帳に追加
複数の発光素子が一次元状又は二次元状に配列された基板上に形成された記録層にホログラムを記録する場合に、発光素子の精密な位置合せが不要な、ホログラム記録装置を提供する。 - 特許庁
To readily and in approximation compute interface state density on the interface of an SOI(silicon-on-insulator) thin-film and an insulating layer, in an SOI substrate, even when impurity concentration in the SOI thin-film cannot be obtained accurately.例文帳に追加
SOI薄膜中の不純物濃度が正確に求められない場合にも、SOI基板のSOI薄膜と絶縁層との界面における界面準位密度を簡便にかつ近似的に算出する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a substrate which can control the reduction of the wiring width of copper wiring, when carrying out the etching removal of weld slag copper or weld slag nickel of a seed layer, in fine wire copper wiring formation by a semi additive method.例文帳に追加
セミアディティブ法での細線銅配線形成において、シード層のスパッタ銅またはスパッタニッケルをエッチング除去する際に、銅配線の配線幅の減少を抑制できる基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To make it difficult to manufacture a pirated version of a disk by providing a recording layer by printing even in a recent high recording density disk wherein a pit surface of a substrate is provided on a laser beam incident side surface.例文帳に追加
基板のピット面がレーザ光の入射側の面に設けられる近年の高記録密度化ディスクに対しても、印刷による記録層を設けて海賊版ディスクの製造が極めて困難にできるようにする。 - 特許庁
To provide a packaging structure of a semiconductor chip which can prevent a crack from being generated by alleviating a stress concentration to a resin sealing layer and which can avoid a substrate failure and to provide a portable terminal device using the same.例文帳に追加
樹脂封止層への応力集中を軽減してクラックの発生を防止することができ、基板不良を回避し得る半導体チップの実装構造及びこれを用いた携帯端末機器を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated film which has heat resistance/high gas barrier performance and shows a small difference in the coefficient of linear exapsion from an adjacent layer, and an image display element which uses the laminated film as a substrate and shows high definition/durability.例文帳に追加
耐熱性及び高ガスバリア性能を併有し、かつ隣接層との線膨張係数差が小さい積層フィルム、及び該フィルムを基板として用いた、高精細及び高耐久性を有する画像表示素子の提供。 - 特許庁
A substrate for crystal growth composed by successively crystal- growing the respective layers of a light emitting diode element provided with a multi-layer structure is divided and a bar-shaped body for which the plurality of light emitting diode elements are linearly arrayed is attained.例文帳に追加
多層構造を有する発光ダイオード素子の各層が順次結晶成長されてなる結晶成長用基板を分割して複数の発光ダイオード素子が直線状に配列された棒状体とする。 - 特許庁
A phase shift element 1B formed on an internal surface of the glass substrate 2 is an SnN layer, and a substance between the phase shift elements is a flattening film 3 of ≥600°C in heatproof temperature which has a low refractive index and flattening effect.例文帳に追加
ガラス基板2の内面に形成する位相シフト素子1BはSiN層であり、位相シフト素子間の物質としては耐熱温度が600℃以上で、屈折率が低く、平坦化効果のある平坦化膜3とする。 - 特許庁
A core layer 12 of an optical waveguide 3 is composed of an electro-optic material exhibiting a rhombohedral structure, and the electro-optic material is grown and formed as a film grown and formed on a substrate whose crystal orientation of the principal surface is (100).例文帳に追加
光導波路3のコア層12が、菱面体構造を示す電気光学材料からなり、主面の結晶方位が(100)である基板上に成長形成した膜として成長形成されている。 - 特許庁
The thin-film transistor has at least the source-drain electrodes to be formed to have a gap on a substrate, and the oxide semiconductor thin-film layer principally containing zinc oxide (ZnO) and to be formed as a channel on the gap and the surface of the source-drain electrodes.例文帳に追加
また、トップゲート型構造において、ソース・ドレイン電極からチャネルに至るまでの酸化物半導体薄膜層の膜厚方向の抵抗を抑え、電流律速を抑制することも解決課題とする。 - 特許庁
When the diameter of an almost circular electrode pad 10 is (w) and the spacing between the electrode pad 10 and internal layer ground conductors 22, 23 in the direction parallel to the primary plane of a substrate 1 is (d), the relation 0<d≤w is established.例文帳に追加
略円形状の電極パッド10の直径をw、基体1の主面に平行な方向における電極パッド10と内層接地導体22,23との間隔をdとした場合、0<d≦wとした。 - 特許庁
The magnetic recording medium is formed by a thin film consisting of the B2 rule lattice deposited by the target as at least one layer of the ground film to be formed between a Co-based magnetic film and a nonmagnetic substrate.例文帳に追加
また、本発明の磁気記録媒体は、上記ターゲットで成膜したB2規則格子でなる薄膜を、Co系磁性膜と非磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも1層とする磁気記録媒体である。 - 特許庁
The n-type layer 12 has a channel 13 which is formed so as to extend from a second surface 12B as a surface opposite to a first surface 12A as the surface of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加
n型層12は基板11側の表面である第1の面12Aとは反対側の表面である第2の面12Bから第1の面12Aに向けて延びるように形成された溝13を有している。 - 特許庁
To prevent substrate floating effect caused when a channel area of a transistor consisting of a single crystal silicon layer covered by an insulating film is in an afloat state electrically, and to stabilize electrical property of an element.例文帳に追加
特に、絶縁膜により覆われた単結晶シリコン層からなるトランジスタのチャネル領域が電気的に浮いた状態となるために発生する基板浮遊効果を防止し、素子の電気的特性を安定させる。 - 特許庁
At least the transparent electrode 24, among the organic EL layer 25, the reflecting electrode 26 and itself 24, is provided with a three-dimensional structure 24A following the above 22A on a surface opposite to the substrate 22.例文帳に追加
透明電極22、有機EL層25および反射電極26のうち少なくとも透明電極24には、基板22とは反対側の表面に立体構造22Aに倣った立体構造24Aが設けられている。 - 特許庁
An etching stop layer 124 and an interlayer insulating film 126 are sequentially formed on the entire surface of a resultant substrate, and then subjected to etching operation to form a first contact hole 128a and a second contact hole 128b for a borderless contact.例文帳に追加
結果物の全面にエッチング阻止層124および層間絶縁膜126を順次に形成した後、これをエッチングして第1コンタクトホール128aおよびボーダレスコンタクト用第2コンタクトホール128bを形成する。 - 特許庁
Even when the level difference of the substrate is large, the formation of the organic EL light emitting layer, depending on the pattern control of the hydrophilic part/water repellent part, is ensured to provide the organic EL display device with excellent reliability and stability.例文帳に追加
基板表面段差が大きな場合でも、親水部/撥水部のパターン制御による有機EL発光層の形成を確実にし、信頼性、安定性に優れた有機EL表示装置を提供できる。 - 特許庁
The first barrier ribs 20 have a shape or a height which prevents that a negative electrode layer 15 formed by vapor deposition on a region of the substrate 10 to become the negative electrode climbs over the first barrier rib 20 and extends.例文帳に追加
第1障壁20は、基板10上の領域への蒸着により形成されて陰極となる陰極層15が第1障壁20を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a wiring board in which a build-up wiring layer is formed on a temporary substrate in a peelable state such that the wiring board can be manufactured with good reliability at low cost without any trouble.例文帳に追加
本発明は、仮基板上に剥離できる状態でビルドアップ配線層を形成する配線基板の製造方法で、何ら不具合の発生なく、信頼性よく低コストで製造できる方法を提供する。 - 特許庁
To obtain the subject sheet excellent in appearance weather resistance, flexibility, applicability to a three-dimensional curved surface and suitable film tear properties required for a marking film and disposable in simple incineration equipment after use by providing a substrate layer with a specific constitution.例文帳に追加
マーキングフィルムに必要とされる外観耐候性、柔軟性、3次曲面への施工性、適当なるフィルム引き裂き性に優れ、かつ使用後は簡単な焼却設備で処理可能な粘着シートを提供する。 - 特許庁
To provide an optical recording medium provided with a plurality of information layers laminated on a substrate via at least an intermediate layer, wherein data can be desirably recorded in any of the information layers.例文帳に追加
基板上に、少なくとも中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、いずれの情報層にも、所望のように、データを記録することができる光記録媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁
On a wafer substrate 1, a laminated body S, which is composed of a nitride semiconductor and has at least a contact layer S1 for forming a lower electrode inside, is formed, and isolation trenches 2 surrounding the circumference of each element are formed.例文帳に追加
ウエハー基板1上に、窒化物系半導体からなりかつ下部電極形成用のコンタクト層S1を少なくとも内部に有する積層体Sを形成し、各素子部の外周を取り巻く区画溝2を形成する。 - 特許庁
After the surface of the copper foil 4 is roughened, a laser beam L is irradiated for forming holes in the copper foil 4 and the adhesive resin layer 3 for forming a via hole 5 in the bottom, of which one of the circuits 2 of the substrate 1 is positioned.例文帳に追加
この銅箔4の表面を粗面化処理した後、レーザ光Lを照射して銅箔4及び接着樹脂層3に穴明け加工をして基板1の回路2が底面に位置するバイアホール5を形成する。 - 特許庁
A ferroelectric substance PZT layer 110 and a rare metal electrode 120 are laminated on a silicon substrate 100, and a TiO2 hard mask 130 is formed thereon, and then it is patterned by a resist 140 so as to form a hard mask 131.例文帳に追加
シリコン基板100上に強誘電体PZT層110、貴金属電極120を積層した構造上にTiO_2ハードマスク130を成膜し、レジスト140でパターニングしてハードマスク131を形成する。 - 特許庁
A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加
VCSEL10、基板12上に形成され、Alを構成元素とする電流狭窄層32を含む下部DBR14と、活性領域16と、ポストPに加工された上部DBR18とを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a resin molding 4 which enables simple forming of a resin layer 10 and inhibiting of the development of a void B when an electronic component 12 mounted on a substrate 11 is embedded.例文帳に追加
基板11上に実装された電子部品12を埋め込む際に、樹脂層10を簡単に形成することができると共に、ボイドBの発生を防止することができる樹脂成形体4の製造方法を提供する。 - 特許庁
The second polarizing plate has a polyvinyl alcohol layer, which is a polymer polarizing medium, as a basis and is constructed by locating triacetyl cellulose supporting body layers on the upper and lower surfaces thereof and is formed by coating the inside surface of the second substrate.例文帳に追加
第2偏光板は高分子偏光媒質であるポリビニルアルコール層を基準に、上下両面にトリアセチルセルロース保持体層が位置する構成を有し、第2基板の内側表面のコーティングにより形成される。 - 特許庁
To provide a polarizing element which has little fluctuation of an alignment angle with an optical axis of a refractive index and a substrate in a prescribed axial direction such as the width direction, can be easily manufactured at a low cost and has a retardation control layer.例文帳に追加
幅方向など所定の軸方向において屈折率の光軸および基材との配向角のバラツキが少なく容易かつ安価に製造しうる位相差制御層を有する偏光素子を提供する。 - 特許庁
A protective film 60 covering almost the whole face of a substrate is formed on the upper layer of the opposed-electrode to prevent the deterioration of the element 40 by preventing moisture and oxygen by the protective film 60.例文帳に追加
対向電極opの上層には基板の略全面を覆う保護膜60が形成されており、この保護膜60によって水分や酸素の侵入を防いで薄膜発光素子40の劣化を防止する。 - 特許庁
To provide a ceramic multilayer substrate which can reduce deformation and increase a dimensional accuracy by suppressing a shrinkage in a surface direction, and can inspect the location of an insulating layer in a thickness direction in an easy manner.例文帳に追加
面方向の収縮を抑制して変形を低減するとともに寸法精度を高精度化し、絶縁層の厚み方向の配置を容易な方法で検査することを可能にしたセラミック多層基板を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with improved reliability by preventing fail caused by the edge of a silicon layer provided in an island shape in a semiconductor device manufactured by an SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加
SOI基板を用いて作製した半導体装置において、島状に設けられたシリコン層の端部に起因する不良を防止し、信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁
The light emitting panel 1 has a basic configuration of the lamination structure where an anode electrode 3, an organic EL light emitting layer 4 for emitting light, and a transparent cathode electrode 5 are laminated on one surface 2a of the transparent substrate 2.例文帳に追加
発光パネル1は、透明基板2の一方の面2aに透明なアノード電極3、発光する有機EL発光層4、透明なカソード電極5が順に積層された積層構造を基本構成としている。 - 特許庁
In the other embodiment, a via is omitted, the second electrode is in such a state that the electrode is electrically connected to the substrate or is formed on the dielectric layer, thereby forming a pair of capacitors in series.例文帳に追加
他の実施例ではビアは省略され、第二の電極は基板と電気的に接続されているか、誘電層上に形成されるかのどちらかであり、一対の連続して接続されたキャパシタを作り出す。 - 特許庁
To obtain a device which can easily form a resist layer on a conductive substrate, at a low cost and without being influenced by the width of the land of a through-hole which can be protected from etchant without using filling ink.例文帳に追加
穴埋めインクを使用せずにスルーホール部をエッチング液から保護することができ、簡単でコストがかからず且つスルーホールのランド幅の影響を受けない、導電性基板上にレジスト層を形成する装置。 - 特許庁
To provide a diffusion method which is suitable for reducing the fluctuation of a diffusion layer at the time of simultaneously sealing and tube-diffusing two types of impurities to a silicon substrate, and for simultaneously diffusing the two types of impurities with satisfactory reproducibility.例文帳に追加
シリコン基板へ二種類の不純物を同時に封管拡散させる際の拡散層のばらつきを低減し、二種の不純物を同時に再現性よく拡散させるのに適した拡散方法を提供する。 - 特許庁
In the solar cell which is formed on a metal substrate, solar cell elements are formed linearly at prescribed intervals, and the contact surface of a transparent insulating layer under a lower-part element is formed as an uneven face.例文帳に追加
金属基板上に設ける太陽電池であって、太陽電池素子を所定の間隔を有して線状に形成し、下部電極下の透明絶縁層の接触表面を凹凸面に形成してなること。 - 特許庁
Since a build-up wiring layer can be formed on the surface of a low thermal expansion substrate 50 featuring excellent flatness, a conductor circuit 38 featuring fine wiring and excellent thickness accuracy can be formed, achieving a fine pitch.例文帳に追加
平坦性に優れた低熱膨張基板50の表面にビルドアップ配線層を形成できるので、細い配線や厚み精度に優れた導体回路38を形成することができ、ファインピッチ化が実現できる。 - 特許庁
In the step for forming an electrolyte layer, the valve metal substrate is left, as it is, in the air under humidity conditions of 35%RH-60%RH after it is immersed into the polymerization liquid.例文帳に追加
そして、電解質層を形成する工程においては、弁金属基体を重合液に浸漬した後、35%RH以上60%RH未満である湿度条件の空気中に放置することを特徴としている。 - 特許庁
A gate structure formed on a semiconductor substrate 101 comprises the insulation film 104 having a high dielectric constant, and a reaction prevention layer 105 which is formed on top of the insulation film 104 and composed of a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film.例文帳に追加
半導体基板101に形成されたゲート構造は、高誘電率絶縁膜104及びその上にシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる反応防止層105から構成される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a ceramic circuit board capable of forming a circuit pattern on an unbaked ceramic substrate without forming a solid state-like base layer high in remaining possibility.例文帳に追加
本発明は、残留する可能性の高い固体状の下地層を設けることなく、未焼成セラミックス基板に回路パターンを形成可能なセラミックス回路基板の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
To obtain a MOS semiconductor device which enables a high speed operation without an electrostatic capacitance caused by a PN junction of a silicon substrate and an adjacent growing layer and has a structure for easy controlling in a manufacture step.例文帳に追加
シリコン基板と隣接する成長層とのPN接合による静電容量がなく高速動作が可能であって、製造工程における制御が容易な構造を有するMOS半導体装置を提供する。 - 特許庁
A silicon epitaxial layer of the SOS substrate is provided with a channel formation part 121 which is of p-type and has hexahedron structure, and a gate oxide film 125 and a gate electrode 131 are provided on both sides of the channel formation part 121.例文帳に追加
SOS基板のシリコンエピタキシャル層にp型で六面体構造のチャネル形成部121を設けるとともに、このチャネル形成部121の両側面にゲート酸化膜125とゲート電極131とを設ける。 - 特許庁
The VCSEL 10 includes: a lower DBR 14 formed on a substrate 12 and including a semiconductor oxidized layer 32 whose constitution element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 worked on a post P.例文帳に追加
VCSEL10、基板12上に形成され、Alを構成元素とする半導体被酸化層32を含む下部DBR14と、活性領域16と、ポストPに加工された上部DBR18とを備える。 - 特許庁
A catalyst coat layer 15 is formed of an upstream coat 16 and a downstream coat 17, and the downstream coat 17 has higher carrying density which is a carrying amount of noble metal per unit bulk volume of a honeycomb substrate 14 than that of the upstream coat 16.例文帳に追加
上流コート部16と下流コート部17とから触媒コート層15を形成し、ハニカム基材14の単位嵩容積当たりにおける貴金属の担持量である担持密度は、上流コート部16より下流コート部17の方が高い。 - 特許庁
The protection layer 103 preventing water/oxygen intrusion from the outside is arranged over the organic element 101 formed on a substrate 100 and including a first electrode 103, an organic compound 104, and a second electrode 105.例文帳に追加
基板100上に形成された、第1電極103、有機化合物104、第2電極105を含む有機素子101上に、外部の水分や酸素の侵入を防ぐための保護層102を設ける。 - 特許庁
To provide a highly reliable semiconductor laser in which introduction of spot defect is suppressed by epitaxially growing a double heterostructure on the periphery of an active layer through pulse growth in an AlGaInP based semiconductor laser on an off substrate.例文帳に追加
オフ基板上のAlGaInP系半導体レーザにおいて、パルス成長により活性層周辺のダブルヘテロ構造を結晶成長することにより、点欠陥の導入の少ない高信頼な半導体レーザを提供する。 - 特許庁
A plurality of such LED1's are monolithically formed on the substrate 10 so as to be connected in series, while causing the temperature distribution within the wafer plane when forming the InGaN light emitting layer and causing composition distribution therein.例文帳に追加
基板10上に複数のLED1をモノリシックに複数形成して直列接続するとともに、InGaN発光層を形成する際にウエハ面内で温度分布を生じさせ、組成分布を起こさせる。 - 特許庁
A structure formed with a cathode electrode 2, an insulating layer 3, a gate electrode 4, and an opening part on a substrate 1 is disposed in a chamber and an electron emission film is formed on the structure by a plasma film formation.例文帳に追加
基板1上にカソード電極2、絶縁層3、ゲート電極4および開口部が形成された構造体をチャンバ内に配置して、プラズマ成膜により構造体上に電子放出膜を成膜する。 - 特許庁
An area corresponding the CCD 3 on the back side of the semiconductor substrate 1 is made thin while a peripheral area 1a of the area is left as it is, thereby forming an accumulation layer 5 on the back side thereof.例文帳に追加
次に、半導体基板1の裏面側におけるCCD部3に対応する領域を、当該領域の周辺領域1aを残して薄化し、半導体基板1の裏面側にアキュムレーション層5を形成する。 - 特許庁
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