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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
The adhesive sheet is manufactured first forming the non-adhesive pattern on the peeling sheet by coating a non-adhesive pattern forming agent, then coating an adhesive, and pasting the sheet substrate on the thus formed adhesive layer.例文帳に追加
この粘着シートは、剥離シート上に非粘着パターン形成剤を塗布して非粘着パターンを形成し、次いで粘着剤を塗布し、形成された粘着剤層上にシート基材を貼着することによって作製される。 - 特許庁
In the treatment method of an amorphous carbon film which is formed on a substrate and has been treated with wet washing after dry etching, the surface of the amorphous carbon film is treated with reforming processing before forming an upper layer thereon after the wet washing.例文帳に追加
基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 - 特許庁
To provide an anode formation system in which current density distribution can be made uniform by controlling the magnitude or distribution of leak current and a porous layer can be formed uniformly over the entire surface of a substrate.例文帳に追加
リーク電流の大きさや分布を制御して電流密度分布を均一化することができ、基板の表面の全体にわたって均一に多孔質層を形成することができる陽極化成装置を提供する。 - 特許庁
To reduce the electrical resistance between a bump 6 of a wiring circuit forming substrate (copper framework) 1 and a copper layer (copper foil) 2 connected with it by lamination, improve electrical connectivity and increase stability.例文帳に追加
配線回路形成用基板(銅部材)1のバンプ6と、積層によりそれと接続される銅層(銅箔)2との間の電気抵抗値を少なくし、電気的接続性をより良好にし、且つ安定性を高める。 - 特許庁
there is an organic compound, at least in one of the electrolyte composition layer (10), the surface of the n-type semiconductor electrode (4), and the surface of the facing substrate (5).例文帳に追加
前記電解質組成物層(10)、前記n型半導体電極(4)の表面、および前記対向基板(5)の表面の少なくとも1つには、ハロゲン原子が1つのみ置換した有機化合物が存在することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for obtaining a glass ceramic substrate in which a sintering shrinkage of a glass ceramic green sheet is surely restricted, which has a high dimensional accuracy and high reliability without deteriorating an insulation of a glass ceramic coating layer.例文帳に追加
ガラスセラミック・グリーンシートの焼結収縮を確実に拘束して、寸法精度が高く、かつガラスセラミック被覆層の絶縁性の劣化がない高信頼性のガラスセラミック基板を得る方法を提供することである。 - 特許庁
In the manufacturing method for a stimulable phosphor panel of this invention, the phosphor plate 4 on which the specified substrate 2, a stimulable phosphor layer 3 is formed in vapor-phase deposition method is heated under an organic solvent gas atmosphere.例文帳に追加
本発明に係る輝尽性蛍光体パネルの製造方法では、所定の基板2上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層3が形成された蛍光体プレート4を有機溶剤ガス雰囲気下で加熱する。 - 特許庁
In an optical detection semiconductor device including a photodiode section 1 and an NPN transistor section 2 both integrated into a unit, a first light absorption layer 26 is provided between the photodiode section 1 and the NPN transistor section 2 formed on a silicon substrate 11.例文帳に追加
フォトダイオード部1とNPNトランジスタ部2を一体化した受光半導体装置において、シリコン基板11に形成されたフォトダイオード部1とNPNトランジスタ部2との間に、第1光吸収層26を設ける。 - 特許庁
The shape of the dry film 10 is formed, so that a pattern formed on the active surface side of the IC chip 1 is removed and a solder resist layer 11 that increases the adhesion between the dry film 10, and the substrate 4 is formed.例文帳に追加
ドライフィルム10の形状は、ICチップ1の能動面側に形成されたパターンを除くように形成され、ドライフィルム10と基板4との間に基板との密着力を高めるソルダーレジスト層11を形成する。 - 特許庁
The first treatment gas is generally mixed with a second one supplied from a second gas pipeline in a mixing device before being introduced to the chamber to deposit a layer onto a substrate arranged in the chamber.例文帳に追加
第1処理ガスは、チャンバ内に配置された基板上に層を蒸着するためにチャンバに導入される前に、一般的に混合デバイス中で第2ガス管路から供給される第2処理ガスと混合される。 - 特許庁
The antistatic transparent film is constituted by providing an antistatic layer, which contains at least one of 4-7C straight-chain sugar alcohols solidified at normal temperature, on a plastic film substrate material.例文帳に追加
プラスチックフィルム基材上に、常温で固体の炭素数4〜7個の直鎖状糖アルコール類から選ばれる少なくとも1種類を含有する帯電防止層を有することを特徴とする帯電防止性透明フィルム。 - 特許庁
Moreover, the metal film removed part 26 is formed over substantially whole length in the submount substrate 21, and formed along the whole length of the solder layer 25 formed in the solder forming region 24.例文帳に追加
また、金属膜除去部26は、サブマウント基板21のほぼ全長にわたって形成されることにより、はんだ形成領域24に形成されたはんだ層25の全長に沿って形成されるように構成されている。 - 特許庁
On an upper face of the solid oxide substrate 1 such as alumina ceramic, a belt-state cathode layer 2 such as SSC, and permeable belt-state anode layers 3_1, 3_2 of rhenium metal powders or the like are arranged in parallel with a prescribed spacing.例文帳に追加
アルミナセラミック等の固体酸化物基板1の上面に、SSC等の帯状カソード層2と、レニウム金属粉末等の透過性の帯状アノード層3_1、3_2とを所定間隔空けて並行配列する。 - 特許庁
To reduce a heat shrinkage of a printed circuit board made of a nonwoven fabric consisting essentially of a poly-p-phenylene tetraphthalamide fiber as a substrate of insulating layer and to reduce hole wall unevenness of holes bored by laser radiation.例文帳に追加
ポリ−p−フェニレンテレフタラミド繊維を主体とする不織布を絶縁層の基材に用いたプリント配線板の熱による寸法収縮を小さくし、レーザ光を照射してあけた穴の穴壁凹凸も小さくする。 - 特許庁
In the thread 11, a metal thin film layer whose thickness is continuously changed is laminated on a thread substrate and when observing under a backlight environment, the preset pattern, characters or the like is transparently seen.例文帳に追加
上記スレッド11は、スレッド基材に連続的に厚みが変化する金属薄膜層を積層して構成し、逆光環境下で観察した場合は、予め設定した絵柄や文字等が透けて見えるようにする。 - 特許庁
To achieve a method capable of manufacturing an image display device by a sealing process using a conventional frit glass at low cost by regulating material composition of a soda-lime glass substrate, a cathode wiring material, and an inter-layer insulation film material.例文帳に追加
ソーダライムガラス基板の材料組成の規定と、カソード配線材料、層間絶縁膜材料を規定することにより、従来のフリットガラスを用いた封着プロセスで安価に製造できる方法を実現する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer capable of giving a further excellent conductivity, gas permeation performance, and water repellency to a conductive porous substrate for fuel cell, and a paste composition used for the same.例文帳に追加
燃料電池用導電性多孔質基材に、一段と優れた導電性、ガス透過性及び撥水性を付与できるガス拡散層の製造方法及びそれに用いるペースト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁
A plenum housing 30 is bonded to the single substrate assembly 14 via a low temperature bonding process such as adhesive bonding and is configured to provide extended manifold layer inlet and outlet ports 32, 34.例文帳に追加
プレナムハウジング30は、接着剤接合のような低温接合法により単一の基板組立体14に接合され、また延長マニフォルド層入口及び出口ポート32、34を形成するように構成される。 - 特許庁
After n-type diffused layers 5a and 5b are formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1, polysilicon layers 10a and 10b are sequentially formed on the n-type diffused layers 5a and 5b, providing a gettering site layer.例文帳に追加
p型半導体基板1の表面にn型拡散層5a及び5bを形成した後、n型拡散層5a及び5bの上にポリシリコン層10aとポリシリコン層10bとを順次形成して、ゲッタリングサイト層とする。 - 特許庁
Particularly, a plurality of nitride semiconductor layers is formed on the same film- forming substrate in a state where the layers are electrically separated from each other and each nitride semiconductor layer is electrically connected with a conductive wire.例文帳に追加
特に、窒化物半導体層は同一成膜基板上で電気的に複数分離してなり、それぞれの窒化物半導体層が導電性ワイヤで電気的に接続されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁
To provide a method for producing a glass substrate with metal electrodes, in which the reliability of a plasma display panel is not deteriorated even though linear silver electrodes are covered with a dielectric layer comprising B_2O_3-containing glass with low-melting.例文帳に追加
B_2O_3含有低融点ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプレイパネルの信頼性が低下しない金属電極付きガラス基板の製造方法の提供。 - 特許庁
To eliminate large steps on a wafer (substrate) due to a plated seed layer at a part that is not in contact with electrolytic polishing liquid that remains for connecting an electrode and was a subject when introducing the electrolytic polishing method into a wafer process.例文帳に追加
電解研磨法をウエハプロセスに導入する場合の課題となっていた、電極を接続させるために残った電解研磨液に触れない部分のめっきシード層によるウエハ(基体)上の大きな段差を解消する。 - 特許庁
The second semiconductor elements 26, 27 are formed on the substrate 1 and include a gate insulating film 15 composed of the same layer as the intermediate insulating film 15 and gate electrodes 16e, 16f that are formed on the gate insulating film 15.例文帳に追加
第2の半導体素子26、27は、基板1上に形成され、中間絶縁膜15と同一層からなるゲート絶縁膜15と、ゲート絶縁膜15上に形成されたゲート電極16e、16fとを含む。 - 特許庁
In the bottom face of the semiconductor substrate 2, an n-type electrode 14 electrically conducting to the n-type layer of the mesa structure portion 4 is formed via a clearance with the p-type electrode 13 formed in the lower face side of the surface-emitting laser 1.例文帳に追加
半導体基板2の底面には面発光レーザ1の下面側に形成されたp型の電極13に間隔を介してメサ構造部4のn型の層に導通するn型の電極14を形成する。 - 特許庁
An assembly unit-type plaster comprises a plurality of laminate units 4 each having a support 2 made of a polyester film and an adhesive layer 3, wherein the laminate units 4 are held to a substrate 5 through the polyester film.例文帳に追加
ポリエステルフィルムからなる支持体2と粘着剤層3を有する複数の積層体ユニット4が、前記ポリエステルフィルムを介して保持体5に保持されていることを特徴とする集合ユニット型貼付剤。 - 特許庁
Since the reflecting layer is directly formed on the substrate, no undulation is ensured on the whole and dependence of the intensity of reflected light on visual angle is eliminated.例文帳に追加
以上により、反射層は基板に直接形成されるため、全体的に起伏がなくなるとともに反射光強度の視角依存性が無くなり、サンドブラスト法のためフォトエッチングをもちいるよりもコスト的に有利である。 - 特許庁
By providing the layer composed of crystalline alkali titanate nanofibers on at least the part of the substrate composed of a metal or a ceramic, the antibacterial product having antibacterial properties even in a dark place can be provided.例文帳に追加
本発明によれば、金属又はセラミックスからなる基体の少なくとも一部に、結晶性アリカリチタネートナノファイバーからなる層を設けることで暗所でも抗菌性を有する抗菌製品を提供することが可能となる。 - 特許庁
A piezoelectric thin film resonator 1 has such a structure as an adhesive layer 12, a cavity forming film 13, a lower surface electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper surface electrode 17 are laminated in this order on a supporting substrate 11.例文帳に追加
圧電薄膜共振子1は、支持基板11の上に、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極15、圧電体薄膜16及び上面電極17をこの順序で積層した構造を有している。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the penetration of boron into a substrate while suppressing an increase in thickness of a base interface layer and can reduce dopants in a gate insulation film.例文帳に追加
下地界面層の膜厚増加を抑制しつつ、ホウ素の基板への突き抜けを防止するとともに、ゲート絶縁膜中の不純物を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A front surface panel 12 of a plasma display panel has a front surface glass substrate 4, a maintained discharge electrode (X-electrode) 1, a maintained discharge electrode (Y-electrode) 2, a front surface dielectric layer 5, and high secondary electron emitting film 6.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルの前面パネル12は、前面ガラス基板4,維持放電電極(X電極)1,維持放電電極(Y電極)2,前面誘電体層5、および高2次電子放出膜6を有する。 - 特許庁
To provide polishing slurries and methods which do not corrode excessively the surface of a soft magnetic layer formed on the surface of a substrate for a perpendicular magnetic recording hard disk and can precisely flatten at a high polishing rate.例文帳に追加
垂直磁気記録ハードディスク用の基板の表面に形成した軟磁性層の表面を、過度に腐食させず、高い研磨レートで高精度に平坦化できる研磨スラリー及び方法を提供することである。 - 特許庁
In the inside of the notch 40, a stress generation part 50 is formed, which is mainly formed of a material having a thermal expansion coefficient larger than the thermal expansion coefficient of an active layer 12 and the substrate 10.例文帳に追加
切り欠き40の内部には、活性層12および基板10の熱膨張係数よりも大きな熱膨張係数を有する材料によって主に形成された応力発生部50が形成されている。 - 特許庁
The phosphor layer formed on the substrate is irradiated with an electron beam, light emission generated by the irradiation of the electron beam is measured photometrically, and the film formation is controlled in response to a measured result therein to solve the problem.例文帳に追加
基板上に形成された蛍光体層に電子線を照射して、この電子線の照射によって生じる発光を測光し、この測光結果に応じて、成膜をコントロールすることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
A through hole 32 is punched by a laser on a core substrate 30 consisting of a core material 30a where a heartwood is impregnated with resin, and a resin insulating layer 30b that is formed onto both the surfaces of the core material 30 and is subjected surface roughening.例文帳に追加
樹脂を心材に含浸させてなるコア材30aと該コア材30aの両面に形成され表面粗化された樹脂絶縁層30bとから成るコア基板30に、レーザで貫通孔32を穿設する。 - 特許庁
A semiconductor chip 11 is provided with a silicon substrate 16 including an element forming region 21 on the upper side of which a MIS transistor source-drain diffusion layer is formed, and a scribe region 22 for surrounding the element forming region 21.例文帳に追加
半導体チップ11は、MISトランジスタのソース・ドレイン拡散層を上面に有する素子形成領域21と、素子形成領域21の周囲を囲むスクライブ領域22とを有するシリコン基板16を備える。 - 特許庁
In the ultraviolet light emitting element 10, negative voltage is applied to the electrode 4 from an external power supply, and positive voltage is applied to the conductive substrate 1, so that ultraviolet light is emitted on the B-doped diamond layer 2.例文帳に追加
この紫外線発光素子10は、外部電源から電極4に負の電圧が印加される共に、導電性基板1に正の電圧が印加され、これにより、Bドープダイヤモンド層2において紫外線発光が生じる。 - 特許庁
The releasing oil of amount corresponding to 75% of a saturated impregnation amount is impregnated into the substrate 22, and the release oil of amount corresponding to 90% of a saturated impregnation amount is impregnated into a felt layer 23.例文帳に追加
そして、基材22に対してその飽和含浸量の75%に相当する量の離型オイルを含浸させ、フェルト層23に対してその飽和含浸量の90%に相当する量の離型オイルを含浸させる。 - 特許庁
A monolayer type organic photosensitive layer containing an electric charge generating agent, a hole transport agent and at least one of an electron transport agent and an electron accepting compound is disposed on an electrically conductive substrate.例文帳に追加
単層型有機感光層を備える電子写真感光体は、導電性基体上に電荷発生剤、正孔輸送剤、並びに電子輸送剤及び電子受容性化合物の少なくとも1種、を含有する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a thin film semiconductor substrate, which can form an air bubble layer including more microscopic air bubbles and which can accordingly improve the TAT and yield.例文帳に追加
より微細な気泡によって気泡層を形成することが可能で、これによりTATおよび歩留まりの向上を図ることが可能な薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 100 including an active layer 102, an etching mask pattern 104 composed of an etching mask 104a for an optical waveguide and an etching mask 104b for the mirror part is formed as shown in Fig. 1 (A).例文帳に追加
図1(A)に示すように、活性層102を含む半導体基板100上に、光導波路用エッチングマスク104a、ミラー部用エッチングマスク104bから構成されるエッチングマスクパターン104を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser which prevents stray light from entering and noises from occurring a semiconductor laser chip formed by forming various semiconductor layers, including an active layer on a transparent substrate, is mounted on a package.例文帳に追加
透明な基板上に活性層を含む各種の半導体層を形成してなる半導体レーザ装置において、迷光の入射を防ぎ、雑音の発生を防止した半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To obtain an adhesive composition which does not decrease an adhesive strength at about 100°C, decreases an adhesive strength by heating at 200°C or above and hereby easily peels an adhesive layer from a substrate.例文帳に追加
100℃程度では接着力が低減せず、200℃以上に加熱することによって接着力が低減し、これによって接着剤層を基板から容易に剥離することができる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁
In the part B and the part D of a layer insulating film which do not include a wiring pattern on a semiconductor substrate, dummy patterns 13b and 13d dividing the low dielectric film into a plurality of isolated regions E are formed.例文帳に追加
半導体基板上の配線パターンを含まない層間絶縁膜の部分Bおよび部分Dにおいて、低誘電率膜を複数の孤立領域Eに仕切るダミーパターン13bおよび13dを形成する。 - 特許庁
To provide a method for precisely and easily manufacturing a device provided with a function layer such as a cantilever having a free part arranged in a state of separating from a substrate and floating in the air.例文帳に追加
基板から遊離して空中に浮き上がった状態で配置される遊離部を有するカンチレバー等の機能層を備えたデバイスを精密にかつ容易に製造することができるデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
A plurality of material films constituting TFTs are formed by stacking on an insulating-film coated substrate, and subsequently a resist mask having a plurality of regions of mutually different film thicknesses is formed by patterning on the uppermost layer of the material films.例文帳に追加
TFTを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。 - 特許庁
Light emitted to the ZnO substrate from the ZnO-based semiconductor crystal layer 13 can be reflected for discharge to the outside of the element, so the external quantum efficiency of the light emitting element can be improved.例文帳に追加
ZnO系半導体結晶層13よりZnO基板11に向かって放射された光を反射して素子外部に放出させることができるので、発光素子の外部量子効率の向上を図ることができる。 - 特許庁
To provide a light emitting diode device which can prevent or reduce such deformations as the warps of its substrate and its resin layer and can increase its heat radiating quantity, and to provide a lighting apparatus.例文帳に追加
本発明は、基板や樹脂層の反り等の変形を防止または低減することができると共に、放熱量を増大させることができる発光ダイオード装置および照明装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
Then, between the work 11 and the substrate 13 facing each other, on the other surface 11b of the work 11 for instance, an infrared ray transmission prevention layer 15 is formed for blocking or suppressing the transmission of the infrared rays.例文帳に追加
そして、互いに対向するワーク11と基板13との間、例えばワーク11の他方の面11bには、赤外線の透過を阻止、あるいは抑制する赤外線透過防止層15が形成されている。 - 特許庁
Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
次に、ビット線拡散層9上にシリコン酸化膜10を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のSTI領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁
After this PZT piezoelectric membrane 63 is anneal-treated, a common electrode 64 and a diaphragm 65 are formed on the PZT piezoelectric membrane 63, and thereafter, the sacrifice layer 62 is removed by etching, and the sacrifice substrate 61 is released (Fig.5 (C)-(F)).例文帳に追加
このPZT圧電膜63のアニール処理後、PZT圧電膜63上に共通電極64及び振動板65を形成し、その後、エッチングで犠牲層62を取り去り、犠牲基板61を剥離する(図5(C)〜(F))。 - 特許庁
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