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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
The optical waveguide type semiconductor optical device has an optical waveguide comprising at least a core layer 3 having at least a function of absorbing light and a clad layer 2 on a semiconductor substrate 1, and in the device, while the light entering the entrance end face propagates the optical waveguide, the light is absorbed to generate a photo current.例文帳に追加
半導体基板1上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層3とクラッド層2とからなる光導波路を形成し、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬するでコア層に吸収されることにより光電流が生成される光導波路型半導体光デバイスである。 - 特許庁
This decorative plate 1 for the exterior wall material is characterized in that a printed pattern layer 12 is formed on a surface part of a thin steel plate 10 which is formed with a colored substrate coating layer 11 on its whole surface formed with joint grooves 2 and having the surface part 3 dividedly formed by the joint grooves.例文帳に追加
表面に目地溝2が形成されると共に該目地溝により区画形成された表面部3を有する表面全面に着色下地塗膜層11が形成された薄板鋼板10の前記表面部に印刷絵柄層12が形成されてなることを特徴とする外壁材用化粧板1。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加
高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
The transparent conductive thin film laminated product formed by laminating the transparent, high-refraction factor thin film layer 2 and the transparent metal thin film layer 30 on a transparent substrate 10 is exposed to the gas obtained by decomposing reaction gas with plasma and having the pressure of 10 Pa or below for etching.例文帳に追加
透明基体10上に、透明高屈折率薄膜層20及び透明金属薄膜層30を積層してなる透明導電性薄膜積層体を、反応ガスをプラズマにより分解した圧力10Pa以下の気体に曝すことによりよってエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁
In the method for successively forming the buffer layer of zinc oxide and the zinc oxide crystalline film on the substrate of, for example, sapphire by an organic vapor deposition process, the zinc oxide buffer layer is formed by utilizing gas of an organic metallic compound like zinc acetylacetonate containing zinc and oxygen without using other gases containing oxygen.例文帳に追加
例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the steps of forming a semiconductor deposition layer 150 having a plurality of columnar parts 110 on a semiconductor substrate 101, forming a buried insulating layer 120, made of resin-based material around the columnar parts, and forming a chip separated from the wafer.例文帳に追加
半導体発光装置の製造方法は、半導体基板101上に、複数の柱状部110を有する半導体堆積層150を形成する工程、柱状部の周囲に樹脂系の材料からなる埋込み絶縁層120を形成する工程、および、ウェハを分離してチップを形成する工程、を含む。 - 特許庁
This inkjet recording medium is characterized in that a surface layer containing a binder and inorganic particulates with a mean refractive index of 1.9-2.9, and a porous layer containing inorganic particulates and a hydrophilic binder including a polymer compound cross-linked or polymerized by an ionizing radiation are provided on a substrate.例文帳に追加
支持体上に、平均屈折率が1.9〜2.9の無機微粒子及びバインダーを含有する表面層と、電離放射線により架橋または重合された高分子化合物を含む親水性バインダーと無機微粒子を含有する多孔質層とを有することを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁
The thermal transfer ribbon is composed by winding a thermal transfer sheet having at least one of a thermal transfer ink layer and a sublimation ink layer on one side of a substrate around a supply core wherein the start-of-winding of the thermal transfer ribbon is fixed to the supply core by thermobonding.例文帳に追加
本発明の熱転写受像リボンは、基材の一方の面に、熱溶融型インク層及び昇華型インク層の少なくとも一方を有する熱転写シートを供給コアに巻き付けてなる熱転写リボンであって、該熱転写リボンの巻き始め端部が該供給コアに熱接着により取り付けられていることを特徴とする。 - 特許庁
Crosslinked molecules of a crosslinking layer 4 coupled to a surface of a substrate 2 of the detecting element 1 via an adhesive layer 3 contain a carboxyl group converted or the like from a functional group contained in a silane or titanium coupling agent by a hydrolysis, and the trapped substance 5 can be directly carried to this carboxyl group.例文帳に追加
検出素子1の基体2の表面に、接着層3を介して結合される架橋層4の架橋分子は、シラン系もしくはチタン系カップリング剤に含まれる官能基が加水分解により変換されるなどしたカルボキシル基を含むので、このカルボキシル基に直接捕捉物質5を担持することができる。 - 特許庁
To provide a flexible protective film preventing the adhesive layer from being separated from the substrate layer and left on the to-be-protected surface, thereby not only saving wiping off or cleaning the surface after peeling but also affording favorable adhesion retention in sticking again.例文帳に追加
各種材料からなる被保護面からの剥離の際に、粘着層が基材層から分離して、被保護面に残存することが防止され、これにより剥離後の拭き取り・清浄が不要となるばかりか、再貼り付けする際の粘着性の保持を良好にすることができる柔軟性保護フィルムを提供すること。 - 特許庁
Also, a method of manufacturing a tape-like oxide superconducting thin film wire includes forming an oxide superconducting thin film on the intermediate layer formed on the orientation metal substrate using the formation method of the intermediate layer for the tape-like oxide superconducting thin film wire.例文帳に追加
前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造するテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 - 特許庁
The semiconductor device includes a copper wiring 8 formed above a semiconductor substrate 1; a plated layer 10 formed so as to cover a top surface and side surfaces of the copper wiring 8; and a copper wire 11, which is wire-bonded above the copper wiring 8 with the plated layer 10 therebetween.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、半導体基板1上に形成された銅配線8と、前記銅配線8の表面及び側面を覆うように形成されたメッキ層10と、前記メッキ層10を介して前記銅配線8上にワイヤボンディングされた銅ワイヤ11とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.例文帳に追加
多層レジストプロセス用、特には2層レジストプロセス用又は3層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing method for the ink jet recording sheet and in regard to the ink jet recording sheet (1), the ink receiving layer containing at least the polyurethane resin having water-swelling properties is formed on a substrate, and a water solution containing at least a urea and/or a 2-pyrrolidone is applied to the surface of the ink receiving layer.例文帳に追加
(1)支持体上に、少なくとも水膨潤性ポリウレタン系樹脂を含むインク受容層を形成し、該インク受容層の表面に、少なくとも尿素および/または2−ピロリドンを含む水溶液を付与することを特徴とするインクジェット用記録シートの製造方法およびインクジェット用記録シート。 - 特許庁
The steam barrier film has at least one inorganic gas barrier layer on a substrate film of a polyalkylene naphthalate resin where the glass transition point (Tg) of the polyalkylene naphthalate resin is 70-150°C, and also the steam barrier film has at least one conductive layer having the resistance of 10^12 Ω (25°C, relative humidity 60%) or lower.例文帳に追加
ポリアルキレンナフタレート樹脂基材フィルム上に少なくとも一層の無機ガスバリア層を有する水蒸気バリアフィルムにおいて、該ポリアルキレンナフタレート樹脂のガラス転移点(Tg)が70〜150℃であり、かつ該水蒸気バリアフィルムが、抵抗が10^12Ω(25℃・相対湿度60%)以下である導電性層を少なくとも一層有する。 - 特許庁
A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加
単結晶の絶縁性基板1上に、Si濃度が4×10^19cm^−3以上である高濃度SiドープGaNバッファ層2をエピタキシャル成長し、このSiドープGaNバッファ層2上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層3を形成する。 - 特許庁
When plural photosensitive material layers 11, 12 each having a desired pattern are periodically laminated to obtain a laminated structure, the under surface of the upper layer side one of photosensitive material layers adjacent to each other in the laminating direction is formed apart from the substrate in the gaps in the pattern of the lower layer side one.例文帳に追加
所望のパターンを有する複数の感光材料層11、12が周期的に積層された積層構造体であって、積層方向で互いに隣接する感光材料層の下層側の感光材料層のパターン間において上層側の感光材料層の下面が下地から離間して形成されている。 - 特許庁
On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加
p^++型高濃度基板7の主面上のn^+型エピタキシャル層8の表面にp^++型半導体領域12、p^++型半導体領域13およびp^++型半導体領域14を形成し、n^+型エピタキシャル層8とp^++型半導体領域12、13とによる2つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁
Thus, when the fourth floating wiring layer M4 or the wiring of the fourth wiring layer M4 and the other layers connected with this is accumulated with a fixed or larger quantity of electric charge, the electric charge is made to flow into the clamp diode Da in the substrate 1, so that electric discharge between adjoining wiring can be prevented.例文帳に追加
これにより、フローティング配線である第4配線層M4、または第4配線層M4とこれに繋がる他層の配線に一定量以上の電荷が溜まった場合は、電荷をクランプダイオードDaへ流して、基板1へと逃がすことができるので、隣接する配線間での放電を防ぐことができる。 - 特許庁
This adhesive tape for can sealing is prepared by laminating a rubber adhesive layer on one side of a polyolefin resin substrate layer, and has an adhesive force measured by 180 degree peeling method based upon JIS Z-0237 of not lower than 2 N/cm and a high speed winding back force of 1.5-4 N/cm.例文帳に追加
ポリオレフィン系樹脂基材層の一方の面にゴム系粘着剤層が積層されてなり、且つ、JIS Z−0237に準拠して180度ひきはがし法で測定された粘着力が2N/cm以上であり、高速巻戻し力が1.5〜4N/cmであることを特徴とする封缶用粘着テープ。 - 特許庁
Related to a valid imaging region 100A, an N- type impurity region 132 is formed on a P- type well layer 130 provided at the deep layer of an N- type Si substrate 110, over which an N- type photoelectric conversion region 134 and a P+ type impurity region 136 which constitute a photodiode 112 are formed.例文帳に追加
有効撮像領域100Aでは、N型Si基板110の深層に設けたP型ウエル層130の上にN−型不純物領域132を形成し、その上にフォトダイオード部112を構成するN型光電変換領域134とP+型不純物領域136を形成する。 - 特許庁
In a touch panel 1 of an automatic processing apparatus, an antibacterial layer 1b having antibacterial properties is formed on the operation surface for displaying an operation image which indicates predetermined process contents and being contacted with by the operation image, and a transparent insulating substrate 1a comprising conductive members 1c on the surface of the antibacterial layer 1b is provided.例文帳に追加
自動処理装置のタッチパネル1において、所定の処理内容を示す操作画像を表示して当該操作画像に接触される操作面に抗菌性を備える抗菌層1bが形成され、抗菌層1bの表面に導電部材1cが設けられた透明絶縁基板1aが具備されている。 - 特許庁
The original plate for the lithographic printing plate is characterized by successively laminating a hydrophilic layer (A) comprising a hydrophilic polymer compound expressed by formula (I) and an image forming layer (B) comprising a polymer compound with a functional group whose hydrophilic nature/hydrophobic nature is changed by acid, heating or irradiation of radiation beams on a substrate.例文帳に追加
支持体上に、(A)下記一般式(I)で表される親水性高分子化合物を含有する親水性層と、(B)酸、加熱または輻射線の照射により親水性/疎水化が変化する官能基を有する高分子化合物を含有する画像形成層とを順次積層してなることを特徴とする。 - 特許庁
A cavity part 41 is formed around the surface acoustic wave element 2 in the thermosetting resin layer 4 so as to prevent at least the annular sealing electrode 24 and the thermosetting resin layer 4 from coming into contact with each other, and the cavity part 41 is communicatively connected to external space on the end edge of the front side of the wiring substrate 1.例文帳に追加
熱硬化性樹脂層4における弾性表面波素子2の周囲には少なくとも環状封止電極24と熱硬化性樹脂層4とが接触しないように空洞部41が形成されており、空洞部41が配線基板1の表面の縁端上で外部空間と連通している。 - 特許庁
That is to say, a semiconductor light emitting element 150 can be manufactured without generating cracks even if a semiconductor having a high AlN molar fraction, in which the internal stress is easily accumulated caused by lattice mismatch, as in the case of the first clad layer 121 and the second clad layer 124, is deposited on a nitride semiconductor substrate 110.例文帳に追加
すなわち、第一のクラッド層121および第二のクラッド層124のように格子不整合に起因して内部応力が蓄積しやすい高AlNモル分率半導体を窒化物半導体基板110上に成長させても、クラックを発生させることなく半導体発光素子150を作製することができる。 - 特許庁
In an insulation film layer 110 covering an upper surface of a substrate 100 in which a charge generation portion 102 is provided on a surface layer, a waveguide 140 is provided at a position corresponding to the charge generation portion 102, a hollow portion 150 is provided outside the waveguide 140 and the hollow portion 150 is made airtight in a structure with its opening sealed.例文帳に追加
電荷生成部102が表面層に設けられている基板100の上面を覆う絶縁膜層110において、電荷生成部102と対応する位置に導波路140を設けるともに、導波路140よりも外側に中空部150を設け、中空部150は空密とし間口を塞ぐ構造にする。 - 特許庁
To provide an intermediate transfer body, acquiring the thickness of a substrate layer where an elastic member layer is stacked on the surface thereof without breaking work such as cutting in a manufacturing process, restraining the occurrence of a color shift due to uneven thickness of the intermediate transfer body, and executing image formation with high quality.例文帳に追加
製造工程で切断などの破壊作業をすることなく、表面に弾性部材層が積層された基材層の厚みを把握でき、中間転写体の厚みむらに起因する色ずれの発生が抑制され、高品質な画像形成を遂行することが可能な中間転写体を提供する。 - 特許庁
In the electrophotographic photoreceptor obtained by disposing a photosensitive layer on a conductive substrate, the photosensitive layer contains a copolymer comprising at least a repeating structural unit shown by formula [2-1] and a repeating structural unit shown by formula [2-7].例文帳に追加
導電性支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体において、前記感光層が少なくとも下記一般式〔2−1〕で示される繰り返し構造単位と一般式〔2−7〕で示される繰り返し構造単位を有する共重合体を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
In the electrophotographic photoreceptor obtained by disposing a photosensitive layer on a conductive substrate, the photosensitive layer contains a copolymer comprising at least a repeating structural unit shown by formula [2-1] and a repeating structural unit shown by formula [2-5].例文帳に追加
導電性支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体において、前記感光層が少なくとも下記一般式〔2−1〕で示される繰り返し構造単位と一般式〔2−5〕で示される繰り返し構造単位を有する共重合体を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
In the electrophotographic photoreceptor obtained by disposing a photosensitive layer on a conductive substrate, the photosensitive layer contains a copolymer comprising at least a repeating structural unit shown by formula [2-1] and a repeating structural unit shown by formula [2-4].例文帳に追加
導電性支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体において、前記感光層が少なくとも下記一般式〔2−1〕で示される繰り返し構造単位と一般式〔2−4〕で示される繰り返し構造単位を有する共重合体を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
A Co silicide layer 17 is formed as a cap layer in a specified region of a silicon substrate 1 provided with a polymetal gate electrode 9 including tungsten by using a TiN film 16, and the TiN film 16 is wet-etched using an H_2SO_4 solution, for example, so that a TiN/W selection ratio becomes 5 or larger.例文帳に追加
タングステンを含むポリメタルゲート電極9が設けられたシリコン基板1の所定の領域に、キャップ膜としてTiN膜16を用いてCoシリサイド層17を形成した後、TiN/W選択比が5以上となるように、TiN膜16に対して例えばH_2SO_4溶液を用いてウェットエッチングを行なう。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device includes preparing the semiconductor element 10 having a bump electrode 10b arranged on a principal surface, and the circuit substrate 20 having a conductive layer 20b on electrode terminals 10p and 20p, and coating at least a part of a surface of the bump electrode with a bonding material 30 having a lower melting point than the bump electrode and conductive layer.例文帳に追加
バンプ電極10bを主面に配設した半導体素子10と、電極端子10p・20p上に導電層20bを配設した回路基板20を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材30を被覆する。 - 特許庁
In the state in which one end of the coaxial cable 24ai is supported by a connection substrate 20, having a conductive layer 20G, an outer conductor 24I thereof is connected to the conductive layer 20G, and an internal conductor 24C of the coaxial cable 24ai is connected directly to the lower end of the contact terminal 14ai in the IC socket 10.例文帳に追加
同軸ケーブル24aiの一端が導電層20Gを有する接続基板20に支持されるもとで、その外部導体24Iが導電層20Gに接続され、かつ、同軸ケーブル24aiの内部導体24CがICソケット10におけるコンタクト端子14aiの下端に直接的に接続されるもの。 - 特許庁
To provide a method for producing an ultraprecise component with an electrocasting method, which strongly integrates a substrate having high mechanical strength and superior thermal stability with an electrocast layer, does not cause distortion on the transcripted face when releasing the electrocast layer from a master die, and can keep the shape of the transcripted face after having been released from the die highly precise.例文帳に追加
機械的強度が高く、熱的安定性に優れた基材と電鋳層とを強固に一体化し、マスター型からの離型時に転写面に歪を生じさせず、また離型後の転写面を高精度に形状を維持することが可能な電鋳法による超精密部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the circuit substrate includes the steps of forming a plated resist layer 3 of predetermined thickness on the bump forming surface of a copper-clad of one or both surfaces, forming an opening for forming the bump and a register mark on the plated resist layer 3, and forming the bump 4 and the register mark 5 thick not protruding from this opening.例文帳に追加
片面あるいは両面の銅張り板のバンプ形成面に所定厚さのめっきレジスト層3を形成し、めっきレジスト層3にバンプおよび位置合わせ用ターゲット形成のための開口を形成し、この開口から突出しない厚さにバンプ4および位置合わせ用ターゲット5をめっきにより形成する。 - 特許庁
In the respective mesas 100A to 100D of the surface-emitting lasers 10A to 10D, the semiconductor layer 104 has an equal outside dimension in plan view from the side of the substrate, and a current injection region 104A surrounded by a current constriction region formed by oxidation of a part of the semiconductor layer 104 has approximately an equal area.例文帳に追加
各面発光レーザ10A〜10Dの各メサ100A〜100Dは、基板面側からの平面視において半導体層104の外形寸法が等しく、かつ、半導体層104の一部を酸化して形成された電流狭窄領域に囲まれる電流注入領域104Aが略同一面積である。 - 特許庁
A semiconductor wafer before a dicing comprises a silicon substrate 50 with its surface divided into a element forming region 42 and a scribing line region 43, with a passivation film 55 and a polyimide film 56 covering the element forming region 42, and with the accessary pattern 53 comprising a top layer interconnection layer 52 exposing to the scribing line region 43.例文帳に追加
ダイシング前の半導体ウェーハは、シリコン基板50上が素子形成領域42とスクライブ線領域43とに分けられ、パッシベーション膜55及びポリイミド膜56が素子形成領域42を覆い、最上層配線層52からなるアクセサリパターン53がスクライブ線領域43に露出しているものである。 - 特許庁
There is provided a double-sided coating film in which one surface of a substrate film has a coating layer A formed by crosslinking/curing an ionizing radiation curable resin A and an ionizing radiation curable resin composition A containing a hydrophilizing agent and an ultraviolet absorber while the other surface has a coating layer B containing a drip-proof agent.例文帳に追加
基材フィルムの一方の面に電離放射線硬化性樹脂A、親水化剤及び紫外線吸収剤を含む電離放射線硬化性樹脂組成物Aを架橋硬化してなるコーティング層Aを有し、他方の面に防滴剤を含むコーティング層Bを有する両面コーティングフィルムである。 - 特許庁
The semiconductor layers 3a, 3b are formed to local areas on the buffer layer 2, and a channel layer 4 is formed in the dopant concentration lower than the semiconductor layers 3a, 3b using the same semiconductor material as the semiconductor substrate 1 on the opposing edges of the semiconductor layers 3a, 3b, or between the opposing edges thereof.例文帳に追加
そして、緩衝層2上に夫々局所的に半導体層3a及び3bを形成し、この半導体層3a及び3bの対向する端部上及びこれらの間に、半導体基板1と同じ半導体材料を使用し、半導体層3a及び3bよりもドーパント濃度が低いチャネル層4を形成する。 - 特許庁
To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加
本実施形態の基板処理方法によれば、SOD膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したCu露出表面の還元処理及び当該SOD膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Cu配線と上層Cu配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁
A photosensitive layer containing a water-insoluble and alkaline water-soluble high molecular compound and a material which absorbs light and generates heat and capable of attaining writing with an IR laser is disposed on a substrate with a coating layer containing an inorganic fluorine compound on the surface of an aluminum-base metallic plate to obtain the objective original plate.例文帳に追加
アルミニウムを主体とする金属板表面に無機フッ素化合物を含む被覆層を有する支持体上に、水不溶であり、且つ、アルカリ水可溶性の高分子化合物と、光を吸収し熱を発生する物質を含有し、赤外線レーザで書き込み可能な感光層を設けてなることを特徴とする。 - 特許庁
The anti-glare anti-reflection film is characterized by having a layer containing a binder, hollow silica particles, and inorganic particles of which the average particle size of the primary particles is ≥1 nm less than that of the hollow silica particles, and the average particle size of the primary particles is 25-60 nm, directly on the transparent substrate or via another layer.例文帳に追加
透明支持体上に直接または他の層を介して、バインダー、中空シリカ粒子、及び、一次粒子の平均粒径が該中空シリカ粒子より1nm以上小さく、かつ前記一次粒子の平均粒径が25〜60nmである無機粒子を含有する層を有することを特徴とする防眩性反射防止フィルム。 - 特許庁
The film laminate consists of a laminate of an inorganic layer (A) of an inorganic layered compound laminated on at least one side of a substrate layer (C); wherein the inorganic layered compound preferably has a particle size of 5 μm or smaller and an aspect ratio of from 50 to 5,000, and is a clay mineral that can be swollen and cleaved by a solvent.例文帳に追加
基材層(C)の少なくとも片面に、無機層状化合物からなる無機物層(A)が積層されてなることを特徴とするフィルム積層体であって、該無機層状化合物が、粒径5μm以下、アスペクト比50以上5000以下であり、溶媒で膨潤・劈開する粘土鉱物であることがのぞましい。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11に行列状に配置された複数のメモリセル部11と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線12と、埋め込み絶縁膜16と、埋め込み絶縁膜16の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線13とを備えている。 - 特許庁
A macromolecular cholesteric liquid crystal layer, which reflects right-spiral or left-spiral circularly polarized light, and a cholesteric liquid crystal flake layer, which contains at least either a micro-flaky cholesteric liquid crystal whose spiral axis direction is right or a micro-flaky cholesteric liquid crystal whose spiral axis direction is left, are simultaneously and visually arranged on a substrate.例文帳に追加
右回り若しくは左回りの円偏光を反射する高分子コレステリック液晶層と、螺旋軸の回転方向が右若しくは左である微小なフレーク状コレステリック液晶の少なくとも一方を含有してなるコレステリック液晶フレーク層とを同時に目視可能な状態で基材上に配置する。 - 特許庁
In the manufacture of copper wiring substrate formation by a semi additive method, an etching solution containing a hydrogen peroxide of 0.1 to 10 wt.% and a phosphoric acid of 0.5 to 50 wt.% is used as an etching solution of a metal thin film layer (seed layer), whose weight ratio of a hydrogen peroxide/phosphoric acid is 0.02-0.2.例文帳に追加
セミアディティブ法における銅配線基板製造において、金属薄膜層(シード層)のエッチング液として、過酸化水素 0.1〜10重量%とリン酸 0.5〜50重量%を含有し、かつ過酸化水素/リン酸の重量比が 0.02〜0.2であるエッチング液を使用する銅配線基板製造方法。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition for a color filter which leaves no residue on a substrate in an unexposed portion and on a light shielding layer after it is applied, exposed and developed, ensures excellent heat and alkali resistances for pixels post-baked after development, and keeps a low resistance of an ITO transparent electrode layer of a liquid crystal display.例文帳に追加
塗布、露光、現像処理を行った後に未露光部の基板上及び遮光層上に残渣を生じることがなく、現像後ポストベークされた画素が耐熱性、耐アルカリ性に優れており、液晶ディスプレイのITO透明電極層の抵抗値が低いカラーフィルター用感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁
In the magnetic disk having at least one magnetic layer provided on a substrate, plural radial direction magnetization regions each consisting of a magnetic domain whose magnetization direction is a radial direction and an outer peripheral direction and a magnetic domain whose magnetization direction is a radial direction and an inner peripheral direction are provided at an interval of nearly equal angle in the magnetic layer.例文帳に追加
基板上に少なくとも一層の磁性層を設けてなる磁気ディスクであって、 該磁性層には、磁化方向が半径方向かつ内周方向である磁区と磁化方向が半径方向かつ外周方向である磁区からなる半径方向磁化領域が、ほぼ等角度間隔に複数設けられてなる磁気ディスク。 - 特許庁
The laminate structure 10 includes a wettability changing layer 12 containing a polyimide and an electrical conductor layer 13 laminated on a substrate 11 in order, wherein the polyimide is obtainable by dehydrating and ring-opening a polyamic acid, wherein the polyamic acid is obtainable by ring-opening and addition-polymerizing a diamine and a tetracarboxylic acid dianhydride, wherein the diamine includes a compound represented by general formula 1.例文帳に追加
積層構造体10は、基板11上に、ポリイミドを含む濡れ性変化層12及び導電体層13が順次積層されており、ポリイミドは、ポリアミド酸を脱水閉環させて得られ、ポリアミド酸は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物を開環重付加させて得られ、ジアミンは、一般式(1)で表される化合物を含む。 - 特許庁
The solar cell comprises a texture layer 3 having a texture structure on the upper surface thereof, a lower electrode 4, a photoelectric conversion layer 5 and an upper electrode 6 formed sequentially on a substrate 2 of flexible film wherein the texture structure has protrusions and recesses arranged regularly.例文帳に追加
フレキシブル性をもつフィルムからなる基板2上に、上面にテクスチャ構造をもつテクスチャ層3、下部電極4、光電変換層5および上部電極6をこの順で有する太陽電池であって、前記テクスチャ構造は、それぞれ規則的に配列した凹部および凸部を有する凹凸からなる太陽電池。 - 特許庁
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