「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(658ページ目) - Weblio英語例文検索

If the EL element is manufactured by laminating an organic luminescent layer, an cathode layer, and other layers on the electrode substrate of the organic EL element, the organic EL element having high transparency, high durability, and high brightness even when low voltage (for example, DC 5 V or less) is applied can be obtained.例文帳に追加

この有機ＥＬ素子用電極基板１８上に有機発光層、陰極層、その他の層を積層することによいって有機ＥＬ素子を製造すれば、透明性や耐久性に優れ、しかも、低電圧（例えば、直流５Ｖ以下）の印加であっても優れた発光輝度が得られる有機ＥＬ素子が得られる。 - 特許庁

The high efficiency heat conducting circuit board for electrically connecting an electronic part (5) includes a plurality of conductive contactors (4) for electrically connecting a metal oxide layer (3) formed of a micro arc oxidation on a metal substrate (2) and the electronic part (5) formed by plasma ion plating on the metal oxide layer (3).例文帳に追加

電子部品（５）を電気的に接続する高効率熱伝導回路基板は、金属基板（２）の上にマイクロアーク酸化により形成した金属酸化物層（３）と、金属酸化物層（３）の上にプラズマイオンメッキにより形成した、電子部品（５）を電気的に接続する複数の導電性接触子（４）とを含む。 - 特許庁

An array substrate 1 has a structure having a drive circuit formation region 24 where the driver circuit of a signal line 9, an electrostatic shield member 19, etc., are formed, a flattening layer 23 formed on the drive circuit formation region 24, and the pixel electrode 15 and common electrode 18 forme don the flattening layer 23.例文帳に追加

アレイ基板１は、信号線９、静電遮蔽部材１９等の駆動回路が形成された駆動回路形成領域２４と、駆動回路形成領域２４上に形成された平坦化層２３と、平坦化層２３上に形成された画素電極１５および共通電極１８とを備えた構造を有する。 - 特許庁

This optical filter is formed by combining an organic EL element 20 with an optical filter having a fine-rugged surface 14 with innumerable ruggedness at the pitch of the wavelength of light or less formed above the lamination of a black matrix 12, a color filter layer 13, and a color conversion layer 15 on a transparent substrate 11.例文帳に追加

例えば、透明基板１１上にブラックマトリックス１２、カラーフィルター層１３および色変換層１５等が積層された上方に、光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸が形成された微細凹凸面１４を有する光学フィルター１０と有機ＥＬ素子２０とを組合せることにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

The display panel 40 is built by sequentially stacking anodes 12, an organic layer 36 which includes a light emitting layer of an organic EL device, and cathodes 14 on a glass substrate 28; and disposing the anode wiring 31 on the cover glass 30, then spatially connecting the anode wiring 31 and the anodes 12 with an ACF 33.例文帳に追加

ガラス基板２８上に陽極１２，有機ＥＬ素子の発光層を含む有機層３６，陰極１４を順次積層し、カバーガラス３０に陽極側配線３１を配置し、陽極側配線３１と陽極１２とをＡＣＦ３３により空間的に配線接続して表示パネル４０を構成する。 - 特許庁

On one substrate 1, a plurality of pixel electrodes 5 distributed on the upper layer, a plurality of switching elements TFT distributed on the lower layer via intermediate insulating layers 6a, 6b, and contact parts 7 for electrically connecting each pixel electrode 5 and each switching element TFT through the insulating layers 6a, 6b are formed.例文帳に追加

一方の基板１には、上層に配された複数の画素電極５と、中間の絶縁層６ａ，６ｂを介して下層に配された複数のスイッチング素子ＴＦＴと、絶縁層６ａ，６ｂを通して各画素電極５と各スイッチング素子ＴＦＴを互いに電気接続するコンタクト部７とが形成されている。 - 特許庁

The solar cell substrate includes a film of polyimide having a specific structure unit, a thermal expansion coefficient of -10 to 10 ppm/°C and a Young's modulus of 700 kg/mm2 or more, a metallic electrode formed on the film, an amorphous silicon layer formed on the electrode, and a transparent electrode formed on the amorphous layer.例文帳に追加

特定の構造単位を有するポリイミドからなり、熱膨張係数が−１０〜１０ppm/℃、ヤング率が７００kg/mm^2以上のポリイミドフィルムの表面に金属電極を形成し、この金属電極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにこのアモルファスシリコン層上に透明電極を形成したことを特徴とする太陽電池基板。 - 特許庁

Furthermore, an etching process to the single crystal silicon layer 10b of a substrate which requires a long time, and film deposition of the piezoelectric material layer 34 by a hydrothermal crystallization method are performed simultaneously, by which time required for one process is shortened, and improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost are attained.例文帳に追加

更に、長時間を要する基板の単結晶シリコン層１０ｂに対するエッチング処理と水熱合成法による圧電体層３４の成膜とを同時に行うことで、一方の工程に要する時間を短縮することが可能となり、生産効率の向上と製造コストの削減とを図ることができる。 - 特許庁

The method is used to manufacture a semiconductor device that includes a PIN junction part with an I-type semiconductor layer formed on the main surface of a semiconductor substrate and is provided with a PIN junction side wall having a flat face where a part corresponding to the I-type semiconductor layer is vertical to the main surface thereof.例文帳に追加

半導体基板主面に形成されたＩ型半導体層を有するＰＩＮ接合部とを含んで、上記Ｉ型半導体層に対応した部分が上記主面に対して垂直方向に向かう平面的な面を持つＰＩＮ接合部側壁を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

This photorecording medium has the recording layer composed mainly of an organic coloring matter, formed on a substrate in such a way that the film thickness of the recording layer becomes gradually smaller from the inner peripheral part side to the outer peripheral part side and the film thickness of the outer peripheral part side is 3 to 30% smaller than that of the inner peripheral part side.例文帳に追加

基板上に記録層を設けてなる円盤状の光記録媒体において、記録層の主成分が有機色素から成り、その記録層の膜厚を内周部側から外周部側に向かって漸次薄くし、かつ、内周部側よりも外周部側の方を３〜３０％薄くしたことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

Base layers in at least one or more layers are adhered between a non-magnetic substrate and a Co based magnetic layer in this magnetic recording medium, and at least one layer of the base layers is formed of CoTa based alloy in which Ta content is 30-65 at.% and the remainder has Co as the main component.例文帳に追加

本発明は、非磁性基板とＣｏ系磁性層との間に少なくとも１層以上の下地層が被着されている磁気記録媒体において、前記下地層のうち少なくとも１層はＴａ量が３０〜６５ａｔ％、残部Ｃｏを主体とするＣｏＴａ系合金からなる磁気記録媒体である。 - 特許庁

In an SOI wafer 10 formed by placing a silicon wafer 11 for an active layer on a silicon wafer 12 for a supporting substrate via an insulating film 13, a gettering region 14 is formed on the surface of the sticking side of the silicon wafer 11 for an active layer prior to sticking.例文帳に追加

支持基板用シリコンウェーハ１２に絶縁膜１３を介して活性層用シリコンウェーハ１１を貼り合せたＳＯＩウェーハ１０として、貼り合せ前の活性層用シリコンウェーハ１１の貼り合せ側の表面に予め機械的ダメージを与えたゲッタリング領域１４を形成しておくことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with the semiconductor chip 11 and the substrate 21 where the semiconductor chip 11 is die-bonded across the solder layer, and a beveled part 12 is formed at least at one of corners and edges, coming into contact with the solder layer 18, that the semiconductor chip 11 has.例文帳に追加

半導体チップ１１と、半導体チップ１１が半田層を介してダイボンディングされた基板２１とを備えた半導体装置であって、半導体チップ１１が有する半田層１８と接する角及び辺のうち、少なくとも１つには、面取り部１２が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The pattern forming material has at least a photosensitive layer on a substrate, wherein the photosensitive layer contains a copolymer comprising at least one of structural units derived from monomers represented by formulae (1) and (2) and a structural unit derived from an ethylenically unsaturated monomer having a polyoxyalkylene group; a binder; a polymerizable compound; and a photopolymerization initiator.例文帳に追加

支持体上に感光層を少なくとも有し、感光層が、下記構造式（１）及び（２）で表されるモノマーに由来する構造単位の少なくともいずれかと、ポリオキシアルキレン基を有するエチレン性不飽和モノマーに由来する構造単位とを有する共重合体、バインダー、重合性化合物、並びに光重合開始剤を含む。 - 特許庁

The surface of the glass substrate 33 on the opposite side to the field emission type electron source 10 is formed with collector electrodes 31 in a stripe state, and a phosphor layer 32 emitting visible light by electrons emitted from surface electrodes 7 of the field emission type electron source 10 so that the phosphor layer 32 covers the collector electrodes 31.例文帳に追加

ガラス基板３３の電界放射型電子源１０と対向する側の面にはストライプ状にコレクタ電極３１が形成され、電界放射型電子源１０の表面電極７から放射される電子によって可視光を発光する蛍光体層３２がコレクタ電極３１を覆うように形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal.例文帳に追加

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A sacrifice region 21 is formed on a substrate 20 of a semiconductor material, an epitaxial layer 25 grows, then a stress release groove 31 is formed by surrounding a region 33 of the epitaxial layer 25 in which an electromechanical microminiature integrated structural body is formed, and then a wafer 28 is heat-treated to release residual stress.例文帳に追加

半導体材料の基板（２０）上に犠牲領域（２１）を形成し、そしてエピタキシャル層（２５）が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層（２５）の領域（３３）を囲んで応力解放溝（３１）が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ（２８）が熱処理される。 - 特許庁

A coating liquid containing an amorphous metal oxide is applied onto a conductive substrate 3 and further the particle of the metal oxide is applied without any crystallization, and then both of them are heat-treated simultaneously, so that a ground layer 7 made of a fine crystallization particle and a porous metal oxide layer 8 are formed in the method for manufacturing a semiconductor electrode 2.例文帳に追加

導電性基板３上に、非晶質金属酸化物を含む塗布液を塗布し結晶化せずに、さらに金属酸化物の粒子を塗布し、これらを同時に加熱処理することで緻密な結晶化粒子からなる下地層７と多孔質な金属酸化物層８とを形成する半導体電極２の製造方法。 - 特許庁

A skin layer 12, a substrate layer 13 and a non-foamed resin material mixed with a foaming agent and a microwave absorbing material are preformed to be set in a mold 15 and the mold 15 is irradiated with a microwave to generate heat in the microwave absorbing material contained in the non-foamed resin material.例文帳に追加

予め成形した表皮材層１２および基材層１３と、発泡剤およびマイクロ波吸収材料を混合した未発泡樹脂材料とを成形型１５の内部にセットし、成形型１５にマイクロ波を照射して未発泡樹脂材料に含まれるマイクロ波吸収材料を発熱させる。 - 特許庁

The active image sensor consists of a semiconductor substrate that demarcates read layers 17 to which a plural read cells 20 are formed, the read layer 17 is made of a dielectric material to demarcate a sensing layer 3 having a plurality of cavities 6, and the cavity 6 has an opening through one signal input of the read cell 20.例文帳に追加

能動イメージセンサは、複数の読出しセル２０が形成される読出し層１７を画定する半導体基板からなり、読出し層は、複数の空洞６を有する検出層３を画定する誘電材料から形成され、空洞が読出しセルの１つの信号入力と通じる開口を備える。 - 特許庁

The electrochromic element constituted by disposing at least an electrochromic layer 23 and a pair of electrode layers 21, 22 holding this electrochromic layer 23 on substrates 20 or between these substrates is the electrochromic element which is characterized in that the laminate of respective layers are end-sealed by an end-sealing substrate 25 and an end-sealing resin 24 contg. thiol.例文帳に追加

基板２０上に少なくとも、エレクトロクロミック層２３と、該エレクトロクロミック層２３を挟む一対の電極層２１，２２とを設けてなるエレクトロクロミック素子において、封止基板２５とチオールを含む封止樹脂２４により前記各層の積層体が封止されていることを特徴とするエレクトロクロミック素子。 - 特許庁

A complex board 50 is prepared by laminating a transparent conductive semiconductor substrate of GaP to the first main surface of a light emitting layer growth preparation layer wherein a plurality of unit preparation layers 8 of AlGaInP are arranged in the in-plane direction separated from each other by growth inhibiting gaps 11.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰからなる単位準備層８が、成長抑制用空隙１１にて互いに隔てられた形で面内方向に複数個配列した発光層成長準備層の第一主表面側にＧａＰからなる透明導電半導体基板を貼り合わせて複合基板５０を作製する。 - 特許庁

Firm sticking of the dielectric layer of the multilayer-wiring element 2 to the optical waveguides (4-6) can be improved, and the optical waveguides (4-6) having good characteristic can be formed with sufficient firmness on the multilayer-wiring substrate for which the fluororesin having an excellent high-frequency electric transmission characteristic is used in the dielectric layer.例文帳に追加

多層配線部２の誘電体層と光導波路（４〜６）との密着性を向上させることができ、高周波電気伝送特性に優れたフッ素樹脂を誘電体層に用いた多層配線基板上に十分な密着強度で良好な特性の光導波路（４〜６）を形成することができる。 - 特許庁

A DFB laser device 100 is provided with an n-type InP substrate 101, V grooves 102 having specific periods, diffraction regions 103 composed of InNAsP and formed so as to be padded in respective V grooves 102, an n-type InP clad layer 104, an active region 105, and a p-type In clad layer 106.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ装置１００は、ｎ型ＩｎＰ基板１０１と、特定周期を有するＶ溝１０２と、各Ｖ溝を埋め込むように形成されたＩｎＮＡｓＰからなる回折領域１０３と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０４と、活性領域１０５と、ｐ型Ｉｎクラッド層１０６とを備えている。 - 特許庁

A mesh power wiring that is constituted of first power wirings 110, second power wirings 120, and mesh power wiring conducts 130 is connected to strap power wirings 140 on a third wiring layer, which is more on the substrate side than the wiring layer of the mesh power wiring, by strap power wiring contacts 150.例文帳に追加

第１の電源配線１１０、第２の電源配線１２０、およびメッシュ電源配線用コンタクト１３０によって構成されたメッシュ電源配線と、メッシュ電源配線の配線層より基板側の第３の配線層上のストラップ電源配線１４０とがストラップ電源配線用コンタクト１５０によって接続される。 - 特許庁

In the thermal recording material, on the substrate of which a thermal color developing layer including a normally colorless or light-colored color developing compound and a developing compound, which can develop color in the color developing compound, the thermal color developing layer includes a compound expressed by formula (1).例文帳に追加

通常無色ないし淡色の発色性化合物、該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を含有する感熱発色層を支持体上に設けた感熱記録材料において、該感熱発色層が下記式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁

A rubbing device by which an alignment layer is aligned by rubbing the upper surface of a substrate for the liquid crystal display device, on which the alignment layer is formed, by using a rubbing cloth attached to the outer peripheral surface of a roller, is characterized in that a surface potentiometer for measuring the surface electric potential of the rotating rubbing cloth is provided.例文帳に追加

ローラの外周面に装着されたラビング用布で、配向膜の形成された液晶表示装置用基板の上面を擦ることにより、該配向膜を配向付けをするラビング装置において、回転する上記ラビング用布の表面電位を測定する表面電位計を設けたことを特徴とするラビング装置。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 with an electrode 14 formed thereon, a resin layer 20 formed to avoid the electrode 14, a land 32 provided on the resin layer 20, wiring 34 electrically connecting the electrode 14 and the land 32, and an external terminal 40 bonded to the land 32.例文帳に追加

半導体装置は、電極１４が形成されてなる半導体基板１０と、電極１４を避けるように形成されてなる樹脂層２０と、樹脂層２０上に設けられたランド３２と、電極１４とランド３２とを電気的に接続する配線３４と、ランド３２に接合された外部端子４０とを有する。 - 特許庁

In a capacitor holding substrate where a capacitor is formed on an inner layer or a surface layer and used as a bypass capacitor in the power supply section or control section of an active component, an electrode 106 on the earth electrode side of the capacitor is split into electrodes 106a, 106b.例文帳に追加

コンデンサが内層もしくは表層に形成され、そのコンデンサが能動部品の電源部もしくは制御部のバイパスコンデンサとして使用されるコンデンサ保持基板であって、コンデンサの接地電極側の電極１０６が、電極１０６ａ、１０６ｂに分割されていることを特徴とするコンデンサ保持基板。 - 特許庁

This scintillator plate has a scintillator layer comprising a vapor deposition columnar crystal containing cesium iodide and an activator, on a substrate, an in-plane concentration distribution of the activator is within ±20% in the scintillator layer, and a growth-directional concentration distribution of the vapor deposition columnar crystal is within ±40% therein.例文帳に追加

基板上に、ヨウ化セシウムと賦活剤を含有する蒸着柱状結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、該シンチレータ層における該賦活剤の面内濃度分布が±２０％以内であり、かつ該蒸着柱状結晶の成長方向濃度分布が±４０％以内であることを特徴とするシンチレータプレート。 - 特許庁

In the press trader II, after the synthetic resin substrate 1 is manufactured from the raw material with an optical disk manufacturing apparatus B, the optical disk d is manufactured by laminating the recording layer 2 and a reflecting layer 3 in turn, and further the prescribed information is recorded to the optical disk d by an information recording device C.例文帳に追加

プレス業者ＩＩにおいて、光ディスク製造装置Ｂにより原料から合成樹脂製基板１を製造したあと、前記記録層２、反射層３を順次積層することにより光ディスクｄを製造し、さらに情報記録装置Ｃにより前記光ディスクｄに対して所定の情報を記録する。 - 特許庁

To provide a thermal recording body having a thermal recording layer in which a dye, a color developing agent and a sensitizer are made into fine particles so as to make a particle distribution sharp, and which is excellent in high image quality and recording sensitivity in the thermal recording body having the thermal recording layer in a substrate, and to provide a method for manufacturing it with favorable production efficiency.例文帳に追加

支持体上に感熱記録層を有する感熱記録体において、染料、顕色剤及び増感剤が粒度分布がシャープになるように微粒化され、高画質かつ記録感度に優れた感熱記録層を有する感熱記録体、及びそのための生産効率のよい製造方法を提供する。 - 特許庁

The vapor deposition material 3 on the doughnut-shaped flat plate 2 on each layer is heated by heaters 12 surrounding the crucible 1 to generate vapor from the vapor deposition material 3, and the vapor is made to flow through a flow space A on each layer into a vertical flow path B and discharged from an opening 10a at the top of the flow path B toward a substrate to be deposited.例文帳に追加

ルツボ１を囲むヒーター１２の加熱により各段のドーナツ型平板２上の蒸着材料３から発生する蒸気を、各段の流動スペースＡを経て上下方向の流動路Ｂに流動させ、その上端の開口部１０ａから被蒸着基板に向かって放出する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor equipped with the photosensitive layer on a conductive substrate, wherein the photosensitive layer contains charge generation agent, and a charge transport agent, and a binder resin, and uses phthalocyanine particulates and a hybrid-based metal-phthalocyanine nano crystal having a metallic film formed on the surface thereof as the charge generation agent.例文帳に追加

導電性基体上に感光層を備える電子写真感光体であって、上記感光層が、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダ樹脂とを含み、上記電荷発生剤として、フタロシアニン微粒子と、その表面に形成されている金属膜とを有するハイブリッド系金属−フタロシアニンナノ結晶を使用する。 - 特許庁

The substrate with a built-in electronic component has: a second conductive pattern 6 that is provided inside a first insulating layer 1 and is made of a first metal; and a via hole 8 passing through a second insulating layer 4 and connecting the second conductive pattern 6 to a third conductive pattern 7 electrically, with a second plating film 9.例文帳に追加

本発明の電子部品内蔵基板は、第１絶縁層１の内部に設けられた第１金属からなる第２導電性パターン６を備え、第２絶縁層４を貫通し、第２めっき膜９により第２導電性パターン６と第３導電性パターン７とを電気的に接続するビアホール８を備える。 - 特許庁

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.例文帳に追加

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁

To provide a heat dissipating material which has little warpage after being bonded with a semiconductor insulating substrate and is more compact, by providing fins having satisfactory ebullient efficiency for cooling liquid on a heat dissipating layer side of the heat dissipating material and by making a heat receiving layer side have a lower thermal expansion coefficient, and to provide a method for manufacturing it at a low cost.例文帳に追加

放熱材の放熱層側の冷却液に対し沸騰効率の良いフィンを設け、放熱材の受熱層側はより低熱膨張率として、半導体用絶縁板と放熱材との接合後の反りが小さく、よりコンパクトな放熱材及びそれを廉価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

A transparent conductive film where a transparent conductive layer 8 is formed on a transparent film 7 and its resistance value is 1×10^5 to 1×10^12 (Ω/sq.) is stuck to the outer surface of the transparent substrate 1 through a transparent adhesive material 9, and the transparent conductive layer 8 is electrically and conductively connected to a ground of a circuit board 5.例文帳に追加

透明フィルム７上に透明導電層８が形成されたその抵抗値が１×１０^5 〜１×１０^12（Ω／□）である透明導電フィルムを透明基板１の外部表面へ透明粘着材９で貼り合わせ、透明導電層８と回路基板５のグランドが電気導通接続されている。 - 特許庁

A metallic coating process is preferably carried out in an integrated processing system that includes both PVD and CVD processing chambers so that once the substrate is introduced into a vacuum environment, the metallic coating of the vias and contacts can be carried out without the formation of an oxide layer over the CVD Al layer.例文帳に追加

金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、ＰＶＤおよびＣＶＤ処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、ＣＶＤによるＡｌ層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor with the resin layer on an electrically conductive substrate, the resin layer contains a resin having an organic polymer component and a siloxane condensate component and an electric charge transporting compound, and the mass ratio between the organic polymer component and the siloxane condensate component is 1:(0.1-2).例文帳に追加

導電性支持体上に樹脂層を有する電子写真感光体において、該樹脂層が有機ポリマー成分、シロキサン縮合体成分を有する樹脂、及び電荷輸送性化合物を含有し、前記樹脂の有機ポリマー成分とシロキサン縮合体成分の質量比が１：０．１〜２であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

In a display electrode for plasma display made by providing a display electrode layer on a back substrate, physical development centers are provided on the back surface and the display electrode layer is a silver film obtained by dissolving silver halide and by receiving an image by the physical development centers at the time of development.例文帳に追加

背面基板上に表示電極層を設けてなる、プラズマディスプレイ用表示電極において、該背面基板上に物理現像核を有し、該表示電極層がハロゲン化銀が溶解され、現像時に該物理現像核によって受像して得られる銀膜であることを特徴とするプラズマディスプレイ用表示電極。 - 特許庁

A covering layer 40 for covering a region where the plurality of first and second terminals 14, 24 overlap is provided on a surface at a side opposite to the surface in which the first terminal 14 is formed on the first substrate 10.例文帳に追加

第１の基板１０における第１の端子１４が形成された面とは反対側の面には、複数の第１及び第２の端子１４，２４のオーバーラップする領域を被覆する被覆層４０が設けられている。 - 特許庁

A solar-cell module M is comprised of a base body 1 and a solar-cell main body 2 made with a solar-cell layer 21 formed on the surface of a plastic film substrate 20, thereby permitting to simplify the module structure and to reduce its weight.例文帳に追加

ベース体１と、プラスチックフィルム基板２０の表面に太陽電池層２１を形成してなる電池本体２とで太陽電池モジュールＭを構成して、モジュール構造の簡素化と軽量化とを実現する。 - 特許庁

On the surface at a side opposite to a substrate 4 side of a resin sealing layer 10, a first recessed section 14 is formed between adjacent light-emitting elements 5, and a section for totally reflecting light advanced in the longitudinal direction is formed.例文帳に追加

樹脂封止層１０の基板４側とは反対側の表面において、隣接する発光素子５の間に第１凹部１４を形成し、長手方向に進行する光を全反射させる部分を形成している。 - 特許庁