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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
To provide a manufacturing process capable of forming at a low temperature an inorganic oxide semiconductor layer on an inorganic oxide porous excellent in conversion efficiency by using a resin substrate, and to enable manufacturing a photoelectric conversion electrode and a photoelectric conversion cell using the inorganic oxide semiconductor layer.例文帳に追加
本発明の目的は、樹脂基材を用いて高い変換効率を有した無機酸化物多孔質上の無機酸化物半導体層を低温で形成できる製造工程を提供し、ひいては、当該無機酸化物半導体層を用いた光電変換電極、光電変換セルの製造をも可能とすることである。 - 特許庁
Auxiliary electrodes are formed on the substrate 1 in the vicinity of the high voltage side electrode 3 interposing an insulating layer or a high resistant layer for applying a higher voltage to the auxiliary electrode than to the high voltage electrode 3 to pull electrons emitted by the electron emission part toward the auxiliary electrode.例文帳に追加
また、高電位側電極3の近傍の基板1上に、絶縁層または高抵抗層10を挟んで補助電極を設け、高電位側電極3よりも高い電圧を補助電極に印加することにより、電子放出部から放出された電子を補助電極側に引き寄せることができる。 - 特許庁
The overprinting agent for forming an overcoat layer for coating and protecting a sheet surface comprises an aqueous emulsion based overcoating agent and a liquid toner receiving resin, and using the overprinting agent, an overcoat layer having liquid toner receptivity is formed on a prescribed portion of a sheet substrate surface.例文帳に追加
シート面を被覆保護するためのオーバーコート層を形成するためのオーバープリント剤であって、水性エマルジョン系オーバーコート剤と液体トナー受容性樹脂を含むオーバープリント剤を用い、シート基材面の所定箇所に、液体トナー受容性を有するオーバーコート層を形成したシートにより課題を解決できる。 - 特許庁
By controlling an epitaxial growth temperature and a supply amount of an n-type impurity doping gas with supplying organic metal gallium as a material gas on a substrate, carbon resulting from the organic metal gallium is subjected to doping and epitaxial growth by serving a nitride gallium layer that achieves an intended resistance as a buffer layer.例文帳に追加
基板上に、原料ガスとして有機金属ガリウムを供給しながら、エピタキシャル成長温度とn型不純物のドーピングガスの供給量を制御することにより、有機金属ガリウムに起因する炭素がドーピングされて所望の抵抗率となる窒化ガリウム層をバッファ層としてエピタキシャル成長する。 - 特許庁
Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加
層間絶縁膜分離帯12に、半導体基板2から最上層の層間絶縁膜43に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン611〜631を接続孔ダミーパターン4101〜4301内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン511〜531を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁
The magnetic recording medium comprises a soft magnetic layer formed on a substrate, a plurality of magnetic patterns made of projecting ferromagnetic substance, provided separately on the soft magnetic layer, and two layers or more of non-magnetic layers made of the same material, formed on the soft magnetic layers between the plurality of magnetic patterns.例文帳に追加
基板上に形成された軟磁性層と、前記軟磁性層上に分離して設けられた凸状の強磁性体からなる複数の磁性パターンと、前記複数の磁性パターン間の前記軟磁性層上に形成された、同一材料からなる2層以上の非磁性層とを具備したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁
A part, having two different optical functions that are light emission part provided with a light emission layer including the active layer, and the reflection part provided with the slope which receives the light emitted from the side face of the light emission part and reflecting it on the same substrate, are formed with the small-sized and high-output LED element.例文帳に追加
同一の基板上に、活性層を含む発光層を有する発光部と、この発光部の側面から放出される発光を受けてそれを反射させる斜面を有する反射部との、異なる2つの光学機能を有する部位を形成させることで、小型で高出力のLED素子を実現する。 - 特許庁
On the surface of an organic insulation film 2 formed on a substrate 1, a surface reforming layer having a surface reforming coefficient of 0.1-0.5 is provided and a metallization 5 (4) is applied to the surface of the organic insulation film 2 provided with the surface reforming layer in order to enhance adhesion strength of the metallization 5 (4).例文帳に追加
基板1上に形成された有機絶縁膜2の表面に、表面改質係数が0.1〜0.5の表面改質層を設け、この表面改質層を備えた有機絶縁膜2の表面に金属配線5(4)を施すことにより、金属配線5(4)の密着強度を向上させる。 - 特許庁
A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加
C面サファイア単結晶基材1aの上にMOCVD法によってAlNからなる表面層1bをエピタキシャル形成した後、該積層体を1300℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁
When the alignment layer 52 on a substrate 51 is irradiated with UV through an optical mask 53 to perform alignment division of the alignment layer 52, the optical mask 53 formed by providing a metal-dielectric multi- layered film 55 which is so optimized that UV 56 having a specified incident angle is transmitted on a light shielding patterned surface thereof is used.例文帳に追加
基板51上の配向膜52に光学マスク53を通し紫外線を照射して配向膜52の配向分割を行うに際し、特定の入射角の紫外線56を透過するように最適化した金属−誘電体多層膜55を遮光パターン面に設けた光学マスク53を使用するようにする。 - 特許庁
This ink recording medium, wherein at least one ink absorbing layer is provided on a substrate, is characterized as follows: the ink absorbing layer contains ground and dispersed silica particulates which are manufactured by a sedimentation method or a gel method; and a water content of the inkjet recording medium is in the range of 5-30 g/m^2.例文帳に追加
支持体上に少なくとも1層のインク吸収層を有するインクジェット記録媒体において、該インク吸収層が粉砕分散された沈降法またはゲル法で製造されたシリカ微粒子を含有し、かつ、該インクジェット記録媒体の含水量が5〜30g/m^2であることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁
Since the particle layer incapable of being sintered at 585°C becomes a layer with only high-melting-point particles arranged by destroying resin in fire, the produced sheet member is not fixed to the substrate, so that it can be used as a sustaining electrode only by easily separating it from the surface thereof and by fixing it to a back plate.例文帳に追加
そのため、585(℃)では焼結させられない粒子層は、樹脂が焼失させられることにより高融点粒子のみが並ぶ層となることから、生成されたシート部材は基板に固着されないため、その表面から容易に剥離して背面板に固定するだけで維持電極として用いることができる。 - 特許庁
A three-dimensional integrated circuit laminate comprises: a semiconductor substrate laminate formed by stacking at least two or more layers of semiconductor substrates in which a semiconductor device layer is formed thereon; and a first interlaminar filler layer containing a resin (A) and an inorganic filler (B) and having heat conductivity of 0.8 W/mK or higher between the semiconductor substrates.例文帳に追加
半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも2層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂(A)及び無機フィラー(B)を含有し、熱伝導率が0.8W/(m・K)以上の第1の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 - 特許庁
The capacitor 11 has such a structure that a lower conductor 21 consisting of an underlying conductor 21a and a conductor 21b, a dielectric film 31 composed of alumina, a resin layer J1 composed of resist, and an upper conductor 25 consisting of an underlying conductor 25a and a conductor 25b are formed on the planarization layer 52 of the substrate 51.例文帳に追加
コンデンサ11は、基板51の平坦化層52上に、下地導体21a及び導体21bからなる下部導体21、アルミナ等からなる誘電体膜31、レジスト等からなる樹脂層J1、並びに、下地導体25a及び導体25bからなる上部導体25が形成された構造を有している。 - 特許庁
The manufacture of a raw composite laminate 11, having a raw multilayer aggregate substrate 15 and a contraction suppression layer 19, arranged so that the raw multilayer aggregate layer 15 is sandwiched, a through-hole 22 is provided on a division line so that a conductor 18 is divided; and at the same time a notching groove 23 is provided along the division line.例文帳に追加
生の多層集合基板15およびこれを挟むように配置されている収縮抑制層19を備える、生の複合積層体11を作製するにあたって、分割線上であって、導体18を分断するように、貫通孔22を設けるとともに、分割線に沿って切り込み溝23を設ける。 - 特許庁
An aluminium film 14 is stacked on the surface of a substrate 10 on which a fine grating pattern 12 is formed so as to cover the grating pattern 12, a resist layer 16 is applied to the surface of the aluminium film 14 and an aperture 18 is formed in an area of the resist layer 16 except an area in which the grating pattern 12 is formed.例文帳に追加
表面に微細な格子パターン12が形成されている基板10の表面上に格子パターン12を被ってアルミニウム膜14を堆積し、その上にレジスト層16を塗布し、レジスト層16には格子パターン12が形成されている領域以外の領域に開口18を設ける。 - 特許庁
The inkjet recording medium has ink receiving layers comprising mainly inorganic fine particles on double sides of a substrate, and is provided with a surface layer comprising smectite and a colloidal silica on at least one face of the ink receiving layers, and in the inkjet recording method, the face on the side provided with the surface layer is at first printed by using it.例文帳に追加
支持体の両面に無機微粒子を主体に含有するインク受容層を有し、少なくとも片面の前記インク受容層上にスメクタイトとコロイダルシリカとを含有する表面層が設けられたインクジェット記録媒体及びそれを用いて表面層の設けられた側の面を先に印画するインクジェット記録方法。 - 特許庁
A prescribed quantity of a liquid crystal or a precursor 19 of a light controlling layer containing the liquid crystal is applied on the the inner part of a region enclosed by a sealant 14 and a substrate 18 to be transferred having an electrode layer 17 is superposed thereon and stuck thereto by curing the sealant 14 while a prescribed gap is maintained by spacers 16.例文帳に追加
液晶又は液晶を含む調光層前駆体19を所定量シール剤14で囲まれた領域内に塗布し、(b)に示すように、スペーサ16によって所定の間隔を保った状態で、電極層17を有する被転写基板18を重ね合わせてシール剤14を硬化接着させる。 - 特許庁
In the liquid crystal display device 1, a liquid crystal layer 30 is held between a pair of substrates 10, 20 having flexibility disposed facing each other, and many recesses whose each inner face forming a part of a sphere are continuously formed on the surface of the substrate 10 in the liquid crystal layer 30 side.例文帳に追加
互いに対向して配置された可撓性を有する一対の基板の10、20の間に液晶層30が挟持されており、前記基板10の液晶層30側の面に、内面が球面の一部をなす多数の凹部が連続して形成されていることを特徴とする液晶表示装置1を採用する。 - 特許庁
In memory cells of a non-volatile semiconductor memory, a charge storage layer 26 is formed on a control gate 22 made of high melting point metal formed on a glass substrate 2 through a gate insulating film 24, and an active layer 34 which process at right angles with the control gate 22 is formed through an insulating film 32 for transferring charges.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ12のメモリセルでは、ガラス基板2上の高融点金属材の制御ゲート22上にゲート絶縁膜24を介して電荷蓄積層26が形成され、さらに電荷授受用絶縁膜32を介して制御ゲート22と交差する活性層34が形成されている。 - 特許庁
The method for forming electrical isolation includes a step of forming multiple wiring lines 16 on the surface of the substrate, and that of a primary layer 48 composed of amorphous carbon by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method so that air may be filled and air gap may be arranged between adjoining wiring lines under the primary layer 48 on the wiring lines 16.例文帳に追加
複数の配線ライン16を基板表面の上に形成すること、および前記配線ライン16の上に、第1層48の下であって隣りあう配線間には、空気が満たされ空隙を設けるように、非晶質炭素である第1層48をプラズマ助長化学気相(PECVD)により形成すること、を含む。 - 特許庁
In a method for manufacturing a magnetic recording medium having two or more magnetic recording layers and a carbon-based protective layer, sequentially formed on a nonmagnetic substrate, the uppermost magnetic recording layer of the two or more magnetic recording layers is formed by a cathodic arc method.例文帳に追加
非磁性体基板上に2層以上の磁気記録層とカーボン系保護層とを順次成膜する磁気記録媒体の製造方法において、前記2層以上の磁気記録層のうち最上層の磁気記録層を、陰極アーク放電法により成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁
In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer.例文帳に追加
このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を400℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、SiNx膜、SiOx膜、SiOC膜、SiNC膜及びSiC膜のいずれかとすることが望ましい。 - 特許庁
The layer 206 of a suboxide material is formed on the substrate 202, and the suboxide material contains a material selected from among a group formed of HfSiOx, ZrSiOx, LaSiOx, YSiOx, ScSiOx and CeSiOx and includes a process for forming a structure 210 on the layer of the suboxide material.例文帳に追加
この方法は基板202の上に亜酸化物材料の層206を形成し、この亜酸化物材料はHfSiO_x、ZrSiO_x、LaSiO_x、YSiO_x、ScSiO_x及びCeSiO_xから成る群から選ばれた材料を含み、亜酸化物材料の層の上に構造210を形成する工程を含む。 - 特許庁
An inkjet recording medium is prepared by successively coating a gas-permeable substrate with an undercoat layer coating composition comprising a reactive surfactant-containing nitrile-butadiene copolymer and a water-absorbing inorganic pigment, and with a top layer coating composition comprising a sub-micrometer pigment and a binder, and performing cast processing.例文帳に追加
透気性の支持体上に、反応性界面活性剤を含有するニトリルブタジエン共重合体と吸水性無機顔料を含有する下層塗工組成物と、サブミクロン顔料及びバインダーを含有する上層塗工組成物を順次塗工し、キャスト処理を行うことによってなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁
Since openings 10c and 10d are formed at an embedded silicon oxide film 10b by dry etching and the SOI layer 10A is connected partially with a wafer 20 for a supporting substrate at a connection area part X, iron and nickel in the SOI layer 10A can be captured to the gettering site of the wafer 20 via the connection area part X.例文帳に追加
ドライエッチングにより埋め込みシリコン酸化膜10bに開口部10c,10dを形成し、SOI層10Aと支持基板用ウェーハ20とを連結領域部Xで部分的に連結したので、SOI層10A中の鉄、ニッケルを連結領域部Xを介して支持基板用ウェーハ20のゲッタリングサイトに捕獲できる。 - 特許庁
Further, the groove part DH is formed on the dry film 14 on a pattern inclusion layer PL by the photolithography method by which the back face 11r of the glass substrate 11 is exposed to light by using the pattern inclusion layer PL composed of the residual part of the gold 15 and the dry film 14 as a mask, and further the gold 15 is imbedded to the groove part DH.例文帳に追加
さらに、この金15とドライフィルム14の残部から成るパターン含有層PLをマスクとし、ガラス基板11の裏面11rから露光するフォトリソグラフィー法で、このパターン含有層PL上のドライフィルム14に溝部DHを形成し、さらに金15でその溝部DHを埋める。 - 特許庁
As a substrate 34 comprising a deposited bond coat layer 30 and a deposited ceramic coating layer 36 moves in the direction of an arrow 40, a heat source 42 elevates the surface temperature of a low thermal gradient area 50 to form a surface heating area 52, and induces a thermal gradient causing the surface to expand and close existing cracks therein.例文帳に追加
蒸着されたボンディングコート層30と、セラミックコーティング層36を備えた基体34が矢印40の方向へ移動するに従い、熱源42が低温度勾配エリア50の表面温度を上昇させて表面加熱エリア52を形成し、この表面を膨張させて亀裂を閉じるように働く温度勾配を誘導する。 - 特許庁
In this semiconductor Hall sensor, for example, an active layer 2 of N-type silicon is provided, in an island-separated manner, on a semiconductor substrate 1 of P-type silicon, and input-voltage contact layers 3a, 3b of N+ silicon and input-voltage electrodes 6a, 6b are provided on lengthwise both end parts of the active layer 2, respectively.例文帳に追加
本発明の半導体ホールセンサーでは、例えばP型シリコンの半導体基板1上に、N型のシリコンの能動層2が島分離されて設けられており、この能動層2の長手方向の両端部に、N^+ シリコンの入力電圧コンタクト層3a、3bと入力電圧電極6a、6bがそれぞれ設けられている。 - 特許庁
The method comprises a step for forming an insulating film 29 on a silicon substrate 21, a step for forming a contact hole 34 in the insulating film 29, a step for forming an inorganic layer 31 on the side surface of the contact hole 34, and a step for forming a selectively conductive plug 35 in the contact hole 34 including the surface of the inorganic layer 31.例文帳に追加
シリコン基板21上に絶縁膜29を形成する段階と、前記絶縁膜内にコンタクトホール34を形成する段階と、前記コンタクトホールの側面に無機質層31を形成する段階と、前記無機質層の表面を含むコンタクトホール内に選択的導電性プラグ35を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁
To provide an image protecting method which enables formation of a protecting layer covering an image surface even on an ink jet recording medium using resin-coated paper as a substrate, without causing a disadvantage such as a transfer fault of a transfer layer or waviness of the recording medium, and overcoat equipment which is optimum for execution of the image protecting method and excellent in operability.例文帳に追加
樹脂被覆紙を支持体とするインクジェット記録媒体に対しても、転写層の転写不良や記録媒体の波打ちなどの不都合を起こさずに、画像面を被覆する保護層を形成し得る画像保護方法、及び該画像保護方法の実施に最適で、操作性に優れたオーバーコート装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor with which a dip coating method of an overflow system capable surely forming an excellent photosensitive layer free of coating unevenness on a substrate can be performed in the case a wipe-up treatment of a bottom end and a drying process are not carried out after the dip coating of a charge generation layer (CGL) and the photoreceptor.例文帳に追加
電荷発生層(CGL)を浸漬塗布した後に、下端の拭き取り処理および乾燥工程を行わない場合において、基体に塗布ムラのない優れた感光層を確実に形成することができるオーバーフロー方式の浸漬塗布ができる電子写真感光体の製造方法及びその感光体を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an optical device by which an optical device wafer, on which a plurality of optical devices are formed of an optical device layer on the surface of a substrate, is divided along streets which compart the plurality of optical devices, and a heat sink is efficiently bonded to the optical device which is made of only the optical device layer.例文帳に追加
基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、光デバイス層のみからなる光デバイスにヒートシンクを効率よく接合することができる光デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
The adhesive film is such that a substrate layer is laminated with an adhesive layer consisting of a composition comprising a noncrystalline olefin copolymer (a), a crystalline olefin (b) and a thermoplastic elastomer (c) and having a maximum 10Hz loss tangent (tanδ) at -20 to 5°C and a tanδ of 0.2 or greater but less than 1.0.例文帳に追加
非晶性オレフィン共重合体(a)、結晶性オレフィン(b)、および熱可塑性エラストマー(c)からなる組成物であって、その10Hzでの損失正接(tanδ)の最大値が温度−20℃〜5℃にあり、かつtanδが0.2以上1.0未満である組成物からなる粘着層が基材層に積層された粘着フィルム。 - 特許庁
To provide an epoxy resin composition for a multilayer printed wiring board that is excellent in flow characteristics during the lamination, is excellent in the embedding property into an inner layer circuit, adhesion to a circuit substrate and surface smoothness of an outer layer circuit after the lamination, is capable of making a board thickness ultra-thin substantially without using a glass cloth and further has heat resistance and storage stability.例文帳に追加
ラミネート時のフロー特性に優れ、内層回路への埋め込み性、回路基板との接着性及びラミネート後の外層回路の平滑性に優れ、かつガラスクロスをほとんど用いず板厚を極薄にでき、さらに耐熱性と貯蔵安定性のある多層プリント配線板用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an MoSi_2-Si_3N_4 composite coating layer which is formed on a substrate material composed of molybdenum, a molybdenum alloy, molybdenum- coated niobium or a molybdenum-coated niobium alloy and by which repeated-oxidation resistance and low temperature oxidation resistance can be improved and the high- temperature mechanical properties of a coating layer can be improved, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
モリブデン、モリブデン合金又はモリブデンが被覆されたニオビウム若しくはニオビウム合金の基材材料に、反復耐酸化性及び低温耐酸化性を向上させ、被覆層の高温の機械的性質を改善し得るMoSi_2−Si_3N_4複合被覆層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
This surface protecting sheet is characterized in that in a re- removable sheet obtained by providing the surface of a substrate composed of a flexible plastic film with an adhesive layer, the adhesive layer is formed by using an adhesive prepared by mixing 100 pts.wt. of a main agent of the adhesive with 0.1-3 pts.wt. of an ultrafine particle metal oxide.例文帳に追加
表面保護シートは、可とう性プラスチックフィルムからなる基材の表面に粘着剤層を備えた再剥離可能なシートにおいて、前記粘着剤層が粘着剤主剤100重量部に対し超微粒子金属酸化物0.1〜3重量部を配合してなる粘着剤を用いて形成されることを特徴とする。 - 特許庁
On a substrate 10, a drain electrode 11, a source electrode 12, a drain line 13, a semiconductor layer 14, a gate insulating film 15, a gate electrode 16, and a gate line 17 are provided to constitute a TFT, and on an inter-planarization-layer insulating film 29 covering TFTs and their electrode lines, reflecting electrodes 29 are formed and are connected to the source electrodes 12.例文帳に追加
基板10上にドレイン電極11、ソース電極12、ドレインライン13、半導体層14、ゲート絶縁膜15、ゲート電極16、ゲートライン17が設けられてTFTが形成され、これらTFTとその電極ラインを覆う平坦化層間絶縁膜29上に、反射電極29が形成されてソース電極12に接続される。 - 特許庁
The heater cover 10 has a plurality of gas eject ports 16 for ejecting a seal gas to create a seal gas layer that is a layer of an inert gas not reacting with the material gas between a surface of the heater cover 10 and the waste gas within a range of 30 mm from a circumference of the substrate 5 and thereby reducing an amount of deposit on the heater cover 10.例文帳に追加
ヒーターカバー10にはシールガスを噴出する複数のガス噴出口16が設けられ、ヒーターカバー10の表面と廃棄ガスとの間に、原料ガスと反応しない不活性ガスの層、シールガス層を、基板5の外周から30mm以内の範囲にわたり作り、ヒーターカバー10への付着物の量を減少させる。 - 特許庁
An optical waveguide core layer 3 is so formed on a conductive substrate 2 on which micro optical modulators 10A and gap regions 10B are alternately formed that the optical waveguide core layer 3 is alternately intersected with the micro optical modulators 10A and the gap regions 10B by forming an insulating material 6 at every prescribed interval.例文帳に追加
所定間隔毎に絶縁材料6が形成されることで、微小光変調器10Aとギャップ領域10Bとが交互に形成された導電性基板2上に、微小光変調器10A及びギャップ領域10Bと交互に交差するように光導波路コア層3を形成する。 - 特許庁
To inexpensively manufacture an optical information recording medium having high reliability in a short period of time, wherein a recording layer has a flat structure which does not receive influence of ruggedness (the recording layer is deformed in a rugged shape on which the shape of the track guide grooves reflects) of track guide grooves formed in only a substrate.例文帳に追加
記録層が、基板のみに形成されたトラックガイド溝の凹凸の影響(記録層がトラックガイド溝の形状を反映した凹凸形状になってしまうこと)を受けない平坦な構造であり、信頼性の高い光情報記録媒体を、低コストかつ短時間に作製することを課題とする。 - 特許庁
In a portion of a ground solid pattern 121 of a ground layer 12 wherein it overlaps with the oscillation circuit pattern 161 of the wiring layer 16 when projected in a substrate vertical direction, a pattern punch is formed 122 wherefrom a portion of the same width or a larger range of the oscillation circuit pattern 161 is removed.例文帳に追加
また、グランド層12についても、グランドベタパターン121のうち配線層16の発振回路パターン161と基板垂直方向に投射したときに重なる部分について当該発振回路パターン161と同一幅またはそれよりも広範囲の部分を除去したパターン抜き部122を形成するようにしている。 - 特許庁
A solder resist layer 42 is formed on the pad 31a and the distribution layer 31b to form a solder resist pattern 42a through patterning process and plating is effected on the pad 31a and the ball lands 31c to obtain a substrate 100 for semiconductor device having ball lands 51 and pad 52, on which a plating film is formed.例文帳に追加
パッド31a及び配線層31b面にソルダーレジスト層42を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン42aを形成し、パッド31a及びボールランド31c上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド51及びパッド52を有する半導体装置用基板100を得る。 - 特許庁
The hard coat film having a hard coat layer is produced by coating a transparent substrate with a coating composition for forming a hard coat layer and containing a resin curable by ionizing radiation, organic or inorganic fine particles and a (meth)acrylate copolymer containing amino group or quaternary ammonium group and having an amine value of 1.0-50 mg-KOH/g.例文帳に追加
電離放射線硬化型樹脂、有機または無機の微粒子、アミノ基または、4級アンモニウム基を含有しかつアミン価が1.0〜50mg・KOH/gである(メタ)アクリレート共重合物とを含有するハードコート層形成用塗料組成物を透明な支持体上に塗布し、ハードコート層を設けてハードコートフィルムを作成する。 - 特許庁
The antiglare film for a liquid crystal display is configured by forming an antiglare hard coat layer including a cured product of an antiglare hard coat layer forming composition containing an active energy ray curing resin, a photopolymerization initiator and light-transmissive organic fine particles on a transparent substrate composed of a cellulosic material.例文帳に追加
液晶ディスプレイ用防眩性フィルムは、セルロース系材料よりなる透明基材上に、活性エネルギー線硬化型樹脂、光重合開始剤及び透光性有機微粒子を含有する防眩性ハードコート層形成用組成物の硬化物よりなる防眩性ハードコート層が形成されて構成されている。 - 特許庁
An aluminum oxide vapor deposition layer of aluminum oxide expressed by the general formula of AlOx (X is 1.5-1.7) is formed on a plasma-pretreated layer formed by applying pretreatment by reactive ion etching (RIE) using plasma on at least one surface of a substrate of a plastic material.例文帳に追加
プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面にプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング(RIE)による前処理によって設けられているプラズマ前処理層上に、一般式AlOxで表され、Xが1.5〜1.7の範囲である酸化アルミニウムからなる酸化アルミニウム蒸着層を設ける。 - 特許庁
In a method of manufacturing thin film transistor, the thin film transistor having a controlled threshold voltage can be obtained by preparing a substrate and forming the silicon target containing the impurity, and then, causing an amorphous silicon layer to deposit from the target by the physical vapor growth method and crystallizing the amorphous silicon layer.例文帳に追加
よって、薄膜トランジスタの製造方法では、基板を準備し、所定の不純物を含むシリコンターゲットを形成し、そのターゲットから物理的気相成長法によってアモルファスシリコン層を堆積し、そのアモルファスシリコン層を結晶化することによって、閾値電圧を制御した薄膜トランジスタを得ることができる。 - 特許庁
The organic EL display includes signal electrodes 1 formed in a plurality of lines on a substrate, scanning electrodes 2 formed in a plurality of lines so as each to cross each signal electrode 1, and light emission pixels with an organic layer at least equipped with a light-emitting layer formed laminated between the signal electrodes 1 and the scanning electrodes 2.例文帳に追加
基板上に複数ライン形成される信号電極1と、各信号電極1と交差するように複数ライン形成される走査電極2と、信号電極1と走査電極2との間に少なくとも発光層を有する有機層が積層形成されてなる発光画素と、を備えてなる有機ELディスプレイである。 - 特許庁
The photomask blank is for dry-etching processing and has, in order from the light-transmissive substrate side, a layer comprising a material having metal, silicon, oxygen, and/or nitrogen as main components and a layer comprising a material mainly containing chromium and nitrogen and substantially having a diffraction peak of CrN(200) in X-ray diffraction.例文帳に追加
該フォトマスクブランクは、ドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、透光性基板側から、金属、シリコン、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする材料からなる層と、主にクロムと窒素とを含む材料からなり、かつ、X線回折による回折ピークが実質的にCrN(200)からなる層とを有する。 - 特許庁
To provide a current mirror circuit 40 configured in an integrated circuit that eliminates the effect by a photo current IPD of a parasitic photo diode PD caused between an epitaxial layer and a substrate layer in a structure of the integrated circuit without taking measures of particular light shading while suppressing increase in an element area.例文帳に追加
集積回路内に構成されるカレントミラー回路40において、素子面積の増加を抑えつつ、また特別な遮光のための対策を講じることなく、集積回路の構造上、エピタキシャル層とサブストレート層との間に発生する寄生フォトダイオードPDの光電流IPDによる影響を除去する。 - 特許庁
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