「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(652ページ目) - Weblio英語例文検索

In a structure where an SiO_2 mask 103 and GaN layers 104 and 106 are formed selectively on a single crystal substrate 101, dielectric constant of the SiO_2 mask 103 is lower than that of the GaN layer 104 and an AlGaN layer 105 is inserted between the GaN layers 104 and 106.例文帳に追加

単結晶基板１０１上に選択的に形成されたＳｉＯ_2マスク１０３とＧａＮ層１０４、１０６が順次形成された構造であって、ＳｉＯ_2マスク１０３の誘電率がＧａＮ層１０４より低く、さらにＧａＮ層１０４とＧａＮ層１０６との間にＡｌＧａＮ層１０５が挿入された構成とする。 - 特許庁

In the semiconductor device which includes an HCBT 100 having an N-hill layer 11 on an Si substrate 1 and an open region 21 opened to a shallow trench isolation 6 as an element isolation region surrounding the N-hill layer 11; amorphous Si films 30, 31 having no surface orientation are formed on the open region 21.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上のＮ−ｈｉｌｌ層１１と、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１を囲む素子分離領域であるシャロートレンチアイソレーション６に開口されたオープン領域２１と、を備えたＨＣＢＴ１００を含む半導体装置において、オープン領域２１上に面方位のないアモルファスＳｉ膜３０，３１を形成する。 - 特許庁

The pixel electrode is formed on a substrate, a mixed material comprising a dopant material and a host material is supplied, the mixed material is heated at either a sublimation temperature of the dopant material or a sublimation temperature of the host material, whichever is higher, to form a luminous layer, and a counter electrode is formed on the luminous layer.例文帳に追加

基板上に前記画素電極を形成し、ドーパント材料及びホスト材料からなる混合材料を供給し、混合材料を、ドーパント材料及び前記ホスト材料の昇華温度のうちいずれか高い方の温度以上で加熱することで発光層を形成し、発光層上に対向電極を形成する。 - 特許庁

To provide a coating liquid for color conversion layer formation by which a color conversion layer that has less generation of gas, superior fluorescence performance, and low sintering temperature is formed and a substrate for organic EL element capable of displaying excellent image without a defect such as a dark spot, and an organic EL display device.例文帳に追加

本発明は、ガスの発生が少なく、蛍光性能に優れ、焼結温度の低い色変換層を形成するための色変換層形成用塗工液、ならびに、ダークスポット等の欠陥のない良好な画像表示が可能な有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ表示装置を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The counter electrode substrate is formed of any one of Al, Cu, Ag, Au or SUS, the corrosion-resistant conductive layer is formed of any one of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is formed of any one of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or conductive polymer, respectively.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The surface-treated metallic plate 5 includes an inorganic surface-treated layer 52 formed by being precipitated by cathode electrolytic treatment from an aqueous solution on a surface of a metal substrate 51, wherein the inorganic surface-treated layer 52 contains aluminum hydroxide or oxyhydroxide mainly containing Al, O, and F.例文帳に追加

金属基体５１の表面に、水溶液からの陰極電解処理により析出して形成された無機表面処理層５２を有する表面処理金属板５であって、前記無機表面処理層５２が、Ａｌ，Ｏ及びＦを主体とするアルミニウムの水酸化物又はオキシ水酸化物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises a step of cutting one substrate obtained by patterning, and laminating the non-single crystal semiconductor layer containing at least the hydrogen, the group III element and the nitrogen and at least two electrodes, in accordance with the patterning of the semiconductor layer and the electrodes.例文帳に追加

少なくとも水素とＩＩＩ族元素と窒素とを含む非単結晶半導体層及び少なくとも二つの電極をパターニングして積層した、一枚の基板を、前記非単結晶半導体層及び前記電極のパターニングに従って、切断することを特徴とする半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

In this thermal transfer sheet 1 wherein a dye receiving layer 3 is formed on one surface of a substrate sheet 2, the layer 3 contains a copolymer of a 40-60 wt% phenoxy polyethylene glycol (meth)acrylate, a 10-20 wt% hydroxyethyl (meth)acrylate and a 20-50 wt% tertiary butyl (meth)acrylate.例文帳に追加

基材シート２の一方の面に染料受容層３が形成されている被熱転写シート１において、染料受容層３が、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート ４０〜６０重量％、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート １０〜２０重量％及びターシャリーブチル（メタ）アクリレート ２０〜５０重量％の共重合体を含有する。 - 特許庁

A layer 13 containing luminous material is formed on a substrate 11 having an electrode 12a, and the doping material is diffused thermally, using a transcription sheet 20 which is composed of a transcription layer 22 containing a doping material and a base material 21, after sublimation or transcription under thermal fusion by the use of a thermal head 30.例文帳に追加

電極１２ａを有する基板１１上に、発光材料を含む層１３を形成し、ドーピング物質を基材２１上の転写層２２中に含有する転写シート２０を用いて、サーマルヘッド３０等により昇華もしくは熱溶融転写した後、熱拡散させることにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

The semiconductor device includes a pad 12 whose main constituent is aluminum and which is for electrically connecting a semiconductor element formed in a semiconductor substrate 11 to the outside, a sintered conductive layer 13 formed on the pad 12 whose main constituent is aluminum, and a conductive ball 14 welded on the sintered conductive layer 13.例文帳に追加

半導体基板１１に形成された半導体素子を外部に電気的に接続するためのアルミニウムを主成分とするパッド１２と、アルミニウムを主成分とするパッド１２上に形成された焼結導電層１３と、焼結導電層１３上に溶着された導電性ボール１４と、を具備する。 - 特許庁

This surface film for a polarizer is configured by printing a transparent pattern having the regularity of invisible beam reflexibility on the surface of a substrate, and forming a reflection prevention layer or an antidazzle layer on this or on the back face, wherein ink configuring the transparent pattern contains materials on which the invisible beam is reflected.例文帳に追加

基板の表面に非可視光線反射性の規則性を有する透明パターンが印刷され、その上に又は裏面に反射防止層又は防眩層が形成されてなるフィルムであって、該透明パターンを構成するインキが非可視光線を反射する材料を含むことを特徴とする偏光板用表面フィルムである。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises: a first insulation layer 4 formed on a semiconductor substrate 1; a contact plug 9 formed in the first insulation layer 4; and a capacitance element 20 that is electrically connected to the contact plug 9 and consists of a lower electrode 12, a capacitance insulating film 18, and an upper electrode 19.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された第１の絶縁層４と、該第１の絶縁層４に形成されたコンタクトプラグ９と、該コンタクトプラグ９と電気的に接続され、下部電極１２、容量絶縁膜１８及び上部電極１９からなる容量素子２０とを備えた半導体記憶装置である。 - 特許庁

In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.例文帳に追加

基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁

Then a second resin layer 106 is so formed on the top surface of the core substrate 100 as to cover the first semiconductor chip 102 and then the second resin layer 106 and first semiconductor chip 102 are ground from the opposite side of the first semiconductor chip 102 from the circuit formation surface to thin the first semiconductor chip 102.例文帳に追加

その後、コア基板１００の上面に第１の半導体チップ１０２を覆うように第２の樹脂層１０６を形成した後、第２の樹脂層１０６及び第１の半導体チップ１０２を該第１の半導体チップ１０２の回路形成面の反対側から研削して第１の半導体チップ１０２を薄くする。 - 特許庁

To provide an aqueous fluororesin dispersion which makes it possible to form a under layer simultaneously with the application of a fluororesin and which has high heat resistance so that the under layer with good adherence to a substrate can be formed even under high-temperature conditions, to provide a fluororesin coating film obtained therefrom, and its manufacturing method.例文帳に追加

フッ素樹脂の塗工と同時に下地成分を形成することができ、しかも高い耐熱性を有していて高温下でも基材との密着性がよい下地成分を形成することができるフッ素樹脂水分散液並びにそれから得られるフッ素樹脂塗膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the second layer 22, a crystal grain 22b composed of aluminum has columnar structure extended approximately in the perpendicular direction on the surface of the piezoelectric substrate 1 and a columnar crystal grain 22c composed of aluminum copper alloy from the surface of the first layer 12 to the surface of the electrode 2 is formed on its crystal grain boundary.例文帳に追加

第２層２２では、アルミニウムからなる結晶粒２２ｂは、圧電基板１表面に概ね垂直な方向に伸びた柱状構造を有し、その結晶粒界には、第１層１２の表面から電極２の表面に至るアルミニウム銅合金からなる柱状の結晶粒２２ｃが形成されている。 - 特許庁

The multi-color image forming material for laser thermal transfer comprises the image receiving sheet with an image receiving layer and at least four kinds of thermal transfer sheets of yellow, magenta, cyan and black on a substrate, and a period of unevenness on the surface of the image receiving layer is 50-160 μm.例文帳に追加

受像層を有する受像シートと、支持体上に少なくともイエロー、マゼンタ、シアン、及びブラックの４種類の熱転写シートとからなるレーザー熱転写用多色画像形成材料において、受像層表面の凹凸の周期が５０〜１６０μｍであることを特徴とする多色画像形成材料。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a gate insulating film 13 formed of pyro ceramics which has an amorphous matrix layer 22 arranged on the main surface of the silicon substrate 11, and crystal 21 of the high dielectric constant dispersed in the amorphous matrix layer; and with a gate electrode 14 disposed on the gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１１の主表面上に設けられたアモルファスマトリックス層２２と前記アモルファスマトリックス層中に散在された高誘電率の結晶体２１とを備えたパイロセラミクスにより形成されたゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１４とを具備している。 - 特許庁

A passivation layer is formed by using a masking deposition method with a P-CVD device and, by applying a protective layer onto local regions by using an inkjet coating method, a TFT array substrate for liquid crystal display which is super large-sized and has a wide viewing angle and ultra-high speed response can be manufactured by three times of photomask processes.例文帳に追加

パッシベーション層は、マスキングデポジッション法を用いてＰ−ＣＶＤ装置で成膜するか、インクジェット塗布法を用いて保護層を局所領域に塗布することで、３回のホトマスク工程で超大型広視野角超高速応答液晶表示用ＴＦＴアレイ基板を製造することができる。 - 特許庁

In a liquid crystal device 100, a conductive light-shielding layer 29 is provided in a region lower than a common electrode 21 in a counter substrate 20, and has electric continuity with the common electrode 21 in contact holes 27a and 27b of an insulating layer 27, a first conducting part 25a and a second conducting part 25b.例文帳に追加

液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。 - 特許庁

While an electrolyte solution holding member 9 is mounted on a central portion of the porous semiconductor layer 5 of the semiconductor electrode 2, an adhesive member 7 is mounted on a circumferential portion, and a counter electrode 3 having a carbon coated layer 6 is overlapped on a lower surface of the transparent conductive glass substrate 4, and is heated in a temporarily held condition and bonded.例文帳に追加

半導体電極２の多孔質半導体層５部分の中央部に電解液保持部材９を載置すると共に、周囲部に接着部材７を載置し、透明導電ガラス基板４の下面にカーボン塗布層６を有する対向電極３を重ね合せ、仮止め状態として加熱、接合する。 - 特許庁

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.例文帳に追加

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of polymerizer and capacitor for stably and efficiently realizing the formation of a solid state electrolytic layer upon manufacturing the solid state electrolytic capacitor with the solid state electrolytic layer, through current carrying technique employing an anode substrate with a dielectric oxide film formed on the surface thereof as an anode.例文帳に追加

表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体を陽極として通電手法により固体電解質層形成する固体電解コンデンサを製造する際、固体電解質層の形成を安定して効率的に実現するための重合装置及びコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

When protective layers are formed to resistors 8, 9 or the like arranged on an insulating substrate 1 for a multiple chip resistor, the protective layer 8 is formed so that not only a section between the electrodes is covered with the protective layer 8 but also parts (the sections of sides) of each of the adjacent electrodes 21 and 23 and electrodes 22 and 24 on the same sides of the resistor are covered.例文帳に追加

多連チップ抵抗器の絶縁基板１上に配した抵抗体８，９等に保護層を施す際、電極間を保護層８で覆うことのみならず、抵抗器の同一の側において隣り合う電極２１，２３、電極２２，２４各々の一部（辺の部分）をも覆うように保護層８を形成する。 - 特許庁

The probe card comprises a substrate 10 forming a wiring layer therein, a plurality of probe needles 16 aligned in 3 layers or more, a plurality of connection lands 18 to which the base ends of the probe needles 16 are electrically connected, and a plurality of tester lands 12 to which the connection lands 18 are electrically connected via the wiring layer.例文帳に追加

このプローブカードは、内部に配線層が形成された基板１０と、３層以上に配列された多数のプローブ針１６と、このプローブ針１６の基端が電気的に接続されている多数の接続ランド１８と、この接続ランド１８が配線層を介して電気的に接続されている多数のテスターランド１２とを備えている。 - 特許庁

In display pixel elements of a color filter substrate used in the semi-transmissive type color liquid display device, a color filter layer formed on a reflection part is thin and a color filter layer formed on a transmission part is thick, and a thickness of a metallic reflective film formed on the reflection part is set to 0.2μm or more.例文帳に追加

半透過型のカラー液晶表示装置に用いられているカラーフィルタ基板の表示画素のうち、反射部の上に設けるカラーフィルタ層の膜厚を薄くし、透過部に設けられたカラーフィルタの膜厚を厚くする構成とし、反射部に形成される金属反射膜の膜厚を０．２μｍ以上とした。 - 特許庁

The substrate for the light-emitting element package includes: an insulating layer 1 composed of a resin 1a including thermally-conductive fillers 1b, 1c; a metal thick part 2 formed under a mounting position of the light-emitting element 4; and a surface electrode part 3 formed on the mounting side surface of the insulating layer 1 differently from the metal thick part 2.例文帳に追加

熱伝導性フィラー１ｂ，１ｃを含む樹脂１ａから構成された絶縁層１と、発光素子４の実装位置の下方に形成された金属肉厚部２と、絶縁層１の実装側面に金属肉厚部２とは別に形成された表面電極部３とを備える発光素子パッケージ用基板。 - 特許庁

In the effective display region of a substrate plate having the effective display region 60a for forming a paste layer and a non-effective display region 60b not forming the paste layer outside the effective display region, paste is discharged when the dispenser runs relatively and the discharge of the paste is cut off at the time of the non-effective display region.例文帳に追加

ペースト層を形成する有効表示領域６０ａと、有効表示領域の外側にペースト層を形成しない非有効表示領域６０ｂを有する基板のうちの有効表示領域をディスペンサーが相対的に走行しているときはペースト吐出し、非有効表示領域のときはペースト吐出を遮断する。 - 特許庁

H_2 gas is introduced during film formation of an Si layer 3 having a high compression stress, in a process for manufacturing the multilayered film reflecting mirror by film-forming Mo layers 2 and the Si layers 3 alternately on a substrate 1, by a magnetron spattering device, to contain the hydrogen in the Si layer 3, and the compression stress in the film is thereby reduced.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置によって、基板１上にＭｏ層２とＳｉ層３を交互に成膜し、多層膜反射鏡を製作する工程において、圧縮応力の大きいＳｉ層３の成膜中にＨ_2 ガスを導入し、Ｓｉ層３に水素を含有させることで、膜内の圧縮応力を低減する。 - 特許庁

To positively suppress spike noise and medium noise, even when information recording and reproduction are carried out at high recording-area density in a vertical magnetic recording medium, in which a pair of soft magnetic layers laminated via a non-magnetic layer and coupled anti-parallel with each other is arranged between the non-magnetic substrate and a magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性層を介して積層され互いに反平行結合している一対の軟磁性層を非磁性基板と磁気記録層との間に設けた垂直磁気記録媒体において、高記録面密度の情報記録及び再生を行う場合においても、スパイクノイズ及び媒体ノイズを確実に抑制することができるようにする。 - 特許庁

The apparatus 20 for rubbing the alignment layer includes a frame 50, a rubbing table 30 which is installed in the frame 50 and to which a substrate 3 having the alignment layer 10 is loaded, the rubbing roll 35 disposed at an upper portion of the rubbing table 30, and a head 60 disposed at an upper portion of the frame 50 that supports the rubbing roll 35.例文帳に追加

配向膜ラビング装置２０は、フレーム５０と、フレーム５０の内部に設置され、配向膜１０が形成された基板３が載置されるラビングテーブル３０と、ラビングテーブル３０の上部に設置されるラビングロール３５と、フレーム５０の上部に設置されてラビングロール３５を支持するヘッド６０とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.例文帳に追加

ＦＤ−ＳＯＩの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium 1 for successively laminating at least a magnetic film 5, the protective film 6 and the lubricating layer 7 on a non-magnetic substrate 2, before depositing a lubricant on the protective film 6 and forming the lubricating layer 7, the surface of the protective film 6 is processed by using dry etching such as plasma etching.例文帳に追加

非磁性基板２上に少なくとも磁性膜５、保護膜６および潤滑層７を順次積層する磁気記録媒体１の製造方法において、潤滑剤を保護膜６上に蒸着し潤滑層７を形成する前に、保護膜６の表面をプラズマエッチングなどのドライエッチングを用いて処理する。 - 特許庁

In a lighting fixture of a liquid fuel combustion type, a solid oxide fuel battery cell C equipped with a platy solid oxide substrate, a cathode electrode layer and an anode electrode layer is arranged in contact with a mantle M emitting light with flame due to combustion of fuel or so as to face an opening part of the mantle.例文帳に追加

液体燃料燃焼式照明器具において、板状の固体酸化物基板とカソード電極層及びアノード電極層とを有する固体酸化物燃料電池セルＣが、燃料の燃焼による火炎で発光するマントルＭに接触して、又はマントルの開口部に臨む様に配置される。 - 特許庁

To lessen troubles in a photoresist process in the manufacture of an optical MOSFET where a power MOSFET element and a photovoltaic device 4 which drives the element are formed on the same substrate, by a method wherein a level difference made by a polycrystalline Si layer is relaxed when the photovoltaic device 4 is formed of a polycrystalline Si layer.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ素子５とそれを駆動する光起電力装置４とが同一基板上に形成されている光ＭＯＳＦＥＴにおいて、光起電力装置４を多結晶Ｓｉ層１０６ｃで形成する場合に、多結晶Ｓｉ層１０６ｃが作る段差を緩和して、フォトレジスト処理でのトラブルを少なくする。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element includes a nitride semiconductor layer (semiconductor laser element part 50) formed on a substrate 10, a resonator end face 110 formed on the nitride semiconductor layer (semiconductor laser element part 50), and a coating film 200 formed on the resonator end face 110 and containing Ar.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子は、基板１０上に形成された窒化物半導体層（半導体レーザ素子部５０）と、窒化物半導体層（半導体レーザ素子部５０）に形成された共振器端面１１０と、共振器端面１１０上に形成されたＡｒを含むコーティング膜２００とを備えている。 - 特許庁

This front substrate for a plasma display panel is provided with the black layer in the bus electrode having a black and white two-layer structure, and the black matrix both of which are formed by using the composition.例文帳に追加

（Ａ）耐熱性黒顔料、（Ｂ）有機バインダー、（Ｃ）光重合性モノマー、（Ｄ）光重合開始剤、及び（Ｅ）有機金属化合物を含有する光硬化性樹脂組成物、並びに該組成物を用いて形成された白黒２層構造のバス電極における黒層とブラックマトリックスとを具備するプラズマディスプレイパネル用前面基板。 - 特許庁

The color filter array has a yellow filter layer formed on a substrate, and the yellow filter layer contains a pyridone azo dye having the absorption maximum at 400 to 500 nm wavelength and has ≤5% transmittance at 450 nm wavelength, ≥80% at 535 nm wavelength and ≥90% at 650 nm wavelength.例文帳に追加

基体上に黄色フィルタ層を有してなり、該黄色フィルタ層は波長４００〜５００ｎｍに吸収極大を有するピリドンアゾ系色素を含有し透過率が波長４５０ｎｍで５％以下であり波長５３５ｎｍで８０％以上であり波長６５０ｎｍで９０％以上であることを特徴とする色フィルタアレイ。 - 特許庁

The catalytic layer 2 containing properly mixed amorphous iridium oxide or an oxide except the iridium oxide in addition is formed on the surface of an electroconductive substrate 1 comprising a valve metal such as titanium through an intermediate layer 3 comprising a mixture obtained by properly mixing crystalline iridium oxide or an oxide except the iridium oxide in addition.例文帳に追加

チタン等のバルブ金属からなる導電性基体１の表面に、結晶質の酸化イリジウム或いは更に酸化イリジウム以外の酸化物を適量混合した混合物からなる中間層３を介して、非晶質の酸化イリジウム或いは更にそれ以外の酸化物を適量混合した触媒層２を形成する。 - 特許庁

In the inkjet recording medium where an ink absorbing layer is provided on a substrate, the ink absorbing layer contains a complex which is formed of at least a divalent metal and an acidic group-containing compound having a substituent including a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom.例文帳に追加

支持体上にインク受容層を有するインクジェット記録用媒体において、該インク受容層が、少なくとも、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を含んだ置換基を有する酸性基含有化合物と２価以上の金属から形成される錯体を含有することを特徴とするインクジェット記録用媒体。 - 特許庁

Alternating layers of tantalum and tantalum nitride are deposited onto the semiconductor device substrate by chemical vapor deposition from a tantalum pentafluoride precursor vapor, with intermittent ammonia plasma treatment of the tantalum and tantalum nitride such that each tantalum layer and each tantalum nitride layer are treated at least once to thereby reduce the evolution of HF gas.例文帳に追加

タンタル及び窒化タンタルの交互層を、各タンタル層及び各窒化タンタル層を少なくとも一回処理することによりＨＦガスの発生を減少させるようなタンタル及び窒化タンタルの断続的なアンモニアプラズマ処理と共に、五フッ化タンタル前駆体の蒸気から化学蒸着によって半導体デバイスの基板上へ堆積させる。 - 特許庁

In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上に、第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥＤ層および第２電極を順次形成して有機ＬＥＤ素子を製造するにあたり、第２電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁