「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(664ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor substrate 2 has a high-concentration layer 21 on the second principal surface side, and irregular unevenness 22 is formed at least on a region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG.例文帳に追加

半導体基板２は、第２主面側に高濃度層２１を有し、第２主面における少なくともフォトゲート電極ＰＧ直下の領域に対向する領域には、不規則な凹凸２２が形成されている。 - 特許庁

The silicon oxide layers are preferably deposited at a substrate temperature less than about 40°C onto a liner layer produced from the organosilicon compound to provide gap fill layers having a dielectric constant less than about 3.0.例文帳に追加

酸化珪素層は、約３．０未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約４０℃未満の基板温度で堆積されることが好ましい。 - 特許庁

To provide a carbon material suppressing generation of unevenness in a coating film or decrease in adhesiveness of a coating film by suppressing generation of a part where a metal carbide layer is not formed on a carbon substrate.例文帳に追加

炭素基材に炭化金属層が形成されていない部分が生じるのを抑制することにより、被膜にむらが生じたり、被膜の密着性が低下するのを抑えることができる炭素材を提供する。 - 特許庁

In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.例文帳に追加

配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁

A transparent first ITO film is attachedly formed on a transparent substrate, and it is patterned in a shape of a plurality of striped electrode parts and a plurality of wiring parts that are lead wiring lines thereof to form a first electrode layer.例文帳に追加

透明な基板上に透明な第１ＩＴＯ膜を着膜し、これをストライプ状の複数の電極部とそれらそれぞれの引出配線である複数の配線部の形状にパターニングし第１電極層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photoelectric conversion semiconductor layer which does not require a high-temperature process, can be manufactured at low cost, shows high adhesion to a substrate, has less residual organic component, and possesses superior electric characteristics.例文帳に追加

高温プロセスを必須とせず、低コストに製造することができ、基板への密着性が高く、有機成分の残留が少なく、電気的特性に優れた光電変換半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A single layer bond coat 54 is applied to the superalloy metal substrate in a thermal spray process from a homogeneous powder composition having a particle size distribution wherein about 90% of the particles by volume are within a range of about 10 μm to about 100 μm.例文帳に追加

粒子の約９０体積％が約１０μｍ〜約１００μｍの範囲内にある粒度分布を有する均一粉末組成から溶射法で超合金金属基板に単層ボンドコート５４を施工する。 - 特許庁

A temperature in the preparation is controlled to prepare directly the bilayer on the semiconductor substrate without providing the modified layer, and the temperature is brought into a liquid crystal transition temperature of a lipid forming the bilayer, or more.例文帳に追加

修飾層を持たずに二分子膜を半導体基板上に直接作製させるため、その作製時の温度を制御し、その温度を二分子膜を形成している脂質の液晶転移温度以上にしている。 - 特許庁

The laminated material is constituted by providing a layer containing an inorganic laminar compound such as swellable synthetic mica or the like and a polyvinylidene chloride latex on at least the single surface of a substrate comprising a norbornene polymer or the like.例文帳に追加

ノルボルネン系重合体等からなる基体の少なくとも片面に、膨潤性合成雲母等の無機層状化合物と、ポリ塩化ビニリデンラテックスと、を含む層を有する積層材料により本課題は解決される。 - 特許庁

To provide a cleaning technology for reducing adhesion of impurities to a silicon layer in a technology for fabricating a semiconductor device having an integrated circuit of thin film transistor formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に薄膜トランジスタを用いた集積回路を有する半導体装置の製造方法に関する技術に関して、シリコン層への不純物の付着量を減少させる洗浄技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an antireflection film material having a high etching selectivity ratio to a resist, that is, a high etching speed and to provide a pattern forming method by which an antireflection film layer is formed on a substrate using the antireflection film material.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

To manufacture a reliable semiconductor element and integrated device having high performance with improved yield by preventing fail, such as deformation in the shape of a single-crystal semiconductor layer and a glass substrate and film separation.例文帳に追加

単結晶半導体層及びガラス基板の形状の変形及び膜剥がれなどの不良を防ぎ、高信頼性及び高性能な半導体素子、及び集積回路を歩留まり良く作製することを目的とする。 - 特許庁

The lead frame 10 is obtained by forming the Ni-plated layers of the same thickness at both sides of a metal substrate 11 and then performing the etching treatment of the Ni-plated layer only at the mounting side of the semiconductor element 6.例文帳に追加

かかるリードフレーム１０は、金属製基材１１の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子６の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって得られる。 - 特許庁

By plasma CVD with substrate temperatures at the time of forming a film at 200°C or more, a fine crystal silicon germanium with a composition ratio of germanium being 20% to 50% is formed, and this fine crystal silicon germanium is used as an optical active layer.例文帳に追加

成膜時の基板温度を２００℃以上でプラズマＣＶＤにより、ゲルマニウムの組成比が２０％以上５０％以下の微結晶シリコンゲルマニウム形成し、この微結晶シリコンゲルマニウムを光活性層として用いる。 - 特許庁

The substrate, having the semiconductor layer has a closed loop circuit in which an antenna coil and a semiconductor element are connected in series and the surface of an area over which the circuit is formed, is covered with an insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体層を有する基板は、アンテナコイルと半導体素子とが直列に接続されてなる閉ループ回路が形成され、回路が形成された領域の表面は絶縁膜で覆われている。 - 特許庁

To provide an electrode substrate on the whole surface of which a reaction gas spreads, which effectively supplies the reaction gas to a catalyst layer and is capable of preventing a flooding phenomenon in the vicinity of a gas flow path outlet.例文帳に追加

電極基材全面に反応ガスが広がり、触媒層に反応ガスを効率よく供給でき、かつガス流路出口付近のフラッディング現象を防止できる電極基材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A stress relax member 4 made of an aluminum plate 10 having a plurality of through holes 9 serving as stress absorption spaces is interposed between the metal layer 7 on the insulating substrate 3 and the heat sink 5.例文帳に追加

絶縁基板３の金属層７とヒートシンク５との間に、複数の貫通穴９が形成されたアルミニウム板10からなり、かつ貫通穴９が応力吸収空間となっている応力緩和部材４を介在させる。 - 特許庁

On a transparent adhesive layer 8 on a glass substrate 9 having a size in response to a plurality of semiconductor packages, silicon substrates 1 each having a photoelectric conversion region in the undersurface are adhered away from each other.例文帳に追加

複数の半導体パッケージに対応するサイズのガラス基板９上の透明接着層８上には、下面に光電変換デバイス領域２を有するシリコン基板１が相互に離間して接着されている。 - 特許庁

The end face of the pole layer 24 arranged at a medium facing surface has a first portion 41 and a second portion that is loacated apart from a substrate at the first portion and connected to the first portion.例文帳に追加

媒体対向面に配置された磁極層２４の端面は、第１の部分４１と、この第１の部分４１よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の部分に接続された第２の部分４２とを有している。 - 特許庁

To provide an active energy beam curable composition for an optical disc, having a low curing shrinkage, excellent in hardness, transparency and durability and capable of forming a cured material layer having a protecting performance of a recorded film on a substrate for the optical disc.例文帳に追加

硬化収縮率が低く、硬度、透明性及び耐久性に優れ、記録膜の保護性能を有する硬化物層を光ディスク用基板に形成しうる光ディスク用活性エネルギー線硬化性組成物を得る。 - 特許庁

The substrate 2 alternately laminates conductor layers 5, 7, 9 and 11 and insulating glass layers 6, 8 and 10, and makes a rate of a low melting point glass contained in the buffer glass layer 3 higher than those of the insulating glass layers 6, 8 and 10.例文帳に追加

基板２には、バッファガラス層３を介して導体層５，７，９，１１と絶縁ガラス層６，８，１０とを交互に積層し、バッファガラス層３に含まれる低融点ガラスの割合を絶縁ガラス層６，８，１０よりも高くする。 - 特許庁

To obtain an optical recording medium which is provided with a substrate, in which a laser beam transmitting-light transparent layer is extremely thin and uniform, in an optical recording medium which performs at least the reproduction of information by the laser beam.例文帳に追加

レーザ光により少なくとも情報の再生を行なう光記録媒体において、レーザ光の透過する光透過層が極薄で均一な基板を備えた光記録媒体を得ることを目的とする。 - 特許庁

The light is substantially confined in a space surrounded by the reflection plate 19 and the boundary between the liquid crystal layer 18 and the pixel electrode 13 by being totally reflected on the boundary and is not made to exit to the outside via the substrate 12.例文帳に追加

光は、この界面で全反射されることにより、反射板１９と、液晶層１８と画素電極１３との界面と、の間に実質的に閉じこめられ、基板１２を介して外部に出射されない。 - 特許庁

A reduced-pressure heater 8 sucks the air within a chamber 41 by a pressure reduction section 9, and a heating part 10 suppresses the temperature drop within the chamber 41, and simultaneously heats a coloring layer 45 of a substrate 3.例文帳に追加

減圧加熱装置８は、減圧部９によりチャンバ４１内の空気を吸引して減圧し、加熱部１０はチャンバ４１内の温度低下を抑制すると同時に基板３の着色層４５を加熱する。 - 特許庁

In an electrode pattern 6 provided in a first interlayer insulating layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, insulator-made dummy patterns 8 are provided, which are separated from each other by specified gaps and surround the bottom of a via contact hole 5a.例文帳に追加

半導体基板１に形成された第１の層間絶縁層３に設けられた電極パターン６に、ビア・コンタクト・ホール５ａの底部を取り囲むように所定間隔を離間して絶縁体のダミーパターン８を設ける。 - 特許庁

The plurality of lands 108 for test are arranged on the peripheral portion side (the side close to a dicing region DA) of the undersurface of the map substrate 200, and an Au plating layer is formed on the surface thereof by electrolytic plating.例文帳に追加

複数のテスト用ランド１０８は、マップ基板２００の下面の周縁部側（ダイシング領域ＤＡに近い側）に配置されており、それらの表面には電解メッキ法によってＡｕメッキ層が施される。 - 特許庁

In succession, a heat treatment is executed to the substrate at a temperature which is higher than the formation temperature of the first laminate 17a and which is lower than the melting point of Al, and the reorientation of Al crystal particles in the AlCu layer 5 is promoted.例文帳に追加

続けて、基板上に、第１積層１７ａの形成温度よりも高く，Ａｌの融点よりも低い温度で熱処理を行なうことにより、ＡｌＣｕ層５におけるＡｌ結晶粒の再配向を促す。 - 特許庁

Since moisture permeation from a substrate surface pinching the display region can be ignored and moisture permeating the seal 11 is absorbed by the drying agent, deterioration of a light-emitting layer by moisture can be prevented.例文帳に追加

表示領域を挟む基板面からの水分透過はほとんど無視でき、かつ、シール１１を透過する水分は、乾燥剤によって吸着されるので、発光層が水分によって劣化することを防止できる。 - 特許庁

Next, a semiconductor constituting body 23, provided on the silicon substrate 24 with a rewiring 31, a columnar electrode 32 and a sealing film 33, is bonded onto the bonding layer 22 in the opening of the embedding member 34.例文帳に追加

次に、埋込材３４の開口部内における接着層２２上に、シリコン基板２４上に再配線３１、柱状電極３２および封止膜３３を設けてなる半導体構成体２３を接着する。 - 特許庁

To provide a circuit board wherein warp deformation is restrained, wettability to solder is excellent, and adhesion between a substrate and a surface conductor layer can be maintained high before and after soldering.例文帳に追加

本発明は、基体の反り変形を抑制し、半田の濡れが良好で、基体と表面導体層との接着強度が、初期状態及び半田付け後を行った後でも強固に維持できる回路基板を提供する。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

The substrate layer 40 consists of a material mainly consisting of at least one kind of metal selected from Cu, Co, Pd, Au, Ag, In, Sn, Ni, Ti, Zn, Cr, Al and Fe or an alloy containing the same metal.例文帳に追加

下地層４０は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、ＡｌおよびＦｅのうちの少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を主とする材料で構成されるものである。 - 特許庁

The tape-shaped locking member for fixation of a seat skin material is composed in such a way that the rear side of a hook surface fastener obtained by mounting hook-shaped fastening elements to stand on a substrate cloth surface of a double-raschel knitted fabric is laminated integrally with a foamed resin layer.例文帳に追加

ダブルラッセル編の基布表面にフック状係合素子が立設されているフック面ファスナーの裏面と発泡樹脂層が積層一体化されている座席表皮材の固定用テープ状係止部材。 - 特許庁

In the thermal head 40 of the present invention, the thermal storage 49 positioned between the heater 43a and the space 48 is constituted of a covering layer 50 (a glass plate) formed on a substrate 41 so as to cover the upper surface of a protrusion 42.例文帳に追加

本発明に係るサーマルヘッド４０は、発熱部４３ａと空隙部４８との間に位置する蓄熱部４９を、突部４２の上面を覆うように基板４１上に形成された被覆層（ガラス板）５０で構成する。 - 特許庁

Plurality of light-emitting parts 1 are formed, by electrically isolating a semiconductor lamination 17 laminated so as to form light-emitting layer on a substrate 1, into plural pieces, and they are connected in series and parallel, respectively.例文帳に追加

基板１上に発光層を形成するように積層された半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部１が形成され、それぞれ直並列に接続されている。 - 特許庁

To provide an active matrix type display device which is formed by sticking a thin glass layer obtained by forming active elements as a film onto a light resin substrate so as not to break it, and also to provide its producing method.例文帳に追加

アクティブ素子を形成して薄膜化した薄ガラス層を、軽量な樹脂基板に割れを生じないよう貼り付けて形成することの可能な、アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The film substrate is constituted by providing at least one gas barrier layer at least on one side of a polybenzazole-containing film of which the transmittance at a wavelength of 400 nm when the thickness of the film is set to 20 μm is 60% or above.例文帳に追加

膜厚を２０μｍとしたときの４００ｎｍにおける透過率が６０％以上であり、かつ、ポリベンズアゾールを含むフィルムの少なくとも片面に、少なくとも１層のガスバリア層が設けられたフィルム基板。 - 特許庁

To form a fine pattern with a high aspect ratio by applying a layer which absorbs light to convert into heat on the lower and upper faces of a resist and processing the resist by heat when a fine pattern is formed on the objective substrate.例文帳に追加

被処理基板上に微細パターンを加工する際に、レジストの下面および上面に光吸収熱変換層を配し、熱によるレジストの加工を行うことで高アスペクト比の微細パターン加工を可能とする。 - 特許庁

The substrate 11 for mounting a light emitting element is such that an enamel layer 13 formed of an enamel material added with 5-50 pts.wt. of alumina out of 100 pts.wt. of the material is formed on the surface of a core metal 12.例文帳に追加

コア金属１２の表面に、原料１００質量部のうちアルミナを５〜５０質量部添加したホーロー材料からなるホーロー層１３が設けられたことを特徴とする発光素子実装用基板１１。 - 特許庁

For the circuit substrate, the conductive circuit 2a is formed by coating and hardening a paste-like conductive material on a base film 11, and an insulation layer 3a is formed by coating and hardening the paste-like conductive material.例文帳に追加

ベースフィルム１１上にペースト状の導電性材料を付与して硬化させることにより導電性回路２ａを形成し、ペースト状の絶縁材料を付与して硬化させることにより絶縁層３ａを形成する。 - 特許庁

The packaging substrate has a double-layer conductive pattern structure, has signal wiring patterns and power supply wiring patterns 300-307 for connecting the memory device to the data processing device on the first surface, and has a ground pattern on a second surface.例文帳に追加

前記実装基板は２層の導電パターン構造を有し、第１面にはメモリデバイスとデータ処理デバイスを接続する信号配線パターンと電源配線パターン（３００〜３０７）を有し、第２面にはグランドパターンを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated ceramic substrate having suppressed variation of firing shrinkage in the plane direction, free from the existence of residue in a restricting layer and having high dimensional precision and high quality.例文帳に追加

平面方向の焼成収縮ばらつきが抑えられると共に拘束層の残渣が存在することのない、高寸法精度かつ高品質の積層セラミックス基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The passivation film 9 is so formed as to be contacted with the mesa structure 20, the wiring electrode 11 is formed on a portion of the contact layer 8 and on the passivation film 9. and further, the n-side electrode 12 is formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

パッシベーション膜９は、メサ構造体２０に接して形成され、配線電極１１は、コンタクト層８の一部およびパッシベーション膜９上に形成され、ｎ側電極１２は、基板１の裏面に形成される。 - 特許庁

The incoherent powder with color-flopping property exhibiting a red hue comprises a scaly substrate and, carried on the surface thereof, a reddish brown ferric oxide fine particle having its surface coated with non-colored titanium dioxide layer.例文帳に追加

鱗片状基材の表面に赤褐色の酸化第二鉄微粒子を担持させ、さらにその表面を無彩色の二酸化チタン層で被覆してなる、赤色の色相を呈する非干渉性のカラーフロップ粉体。 - 特許庁