「substrate s」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A layer of a resin laminate (1) is provided on a surface of a substrate S to form a pattern.例文帳に追加

基板(S) 面に樹脂積層体(1) の層を設けてパターンを形成する。 - 特許庁

A substrate S with a titanium film S 12 and a catalyst metallic film S 13 are successively formed on a base material S 11 is prepared.例文帳に追加

基材Ｓ１１上において、チタン膜Ｓ１２及び触媒金属膜Ｓ１３が順次に形成された基板Ｓを準備する。 - 特許庁

The pure-water layer WS remaining on the four sides of the substrate S smoothly flows out from the side face of the substrate S.例文帳に追加

基板Ｓの四辺に残る純水層ＷＳは、スムーズに基板Ｓの側面から流出する。 - 特許庁

In addition, the substrate 10 is exposed inside the void S.例文帳に追加

また、基板１０がボイドＳ内に露出している。 - 特許庁

The substrate insertion extraction pole 3 is changed over from an opening control position 5 where the contact pin 2 is displaced in a direction separating from the surface T of the substrate S to a closing control position 6 which allows contact of the contact pin 2 to the surface T of the substrate S, since the substrate S is pushed by the substrate insertion extraction pole 3 when the substrate S is inserted into the opening 4 of the housing 1.例文帳に追加

基板挿抜用支柱３は、ハウジング１の上記開口４に基板Sを挿入する際に基板挿抜用支柱３によって押し込まれることで、基板Sの表面Tから離れる方向へコンタクトピン２を変位させる開口制御位置５から、基板Sの表面Tに対するコンタクトピン２の接触を許容する閉塞制御位置６へと切り替えられる。 - 特許庁

The crosspieces 4 have a work placing face for placing the substrate S.例文帳に追加

桟４は、基板Ｓを載置するワーク載置面を有する。 - 特許庁

The rotary substrate holder 20 is equipped with a substrate holding member 21 which holds the substrate S to be treated, and simultaneously, rotates integrally with the held substrate S to be treated.例文帳に追加

被処理基板Ｓを保持すると共に保持した被処理基板Ｓと一体に回転する基板保持部材２１を備えた回転基板ホルダー２０である。 - 特許庁

The crosspiece 4 includes a work placement surface on which the substrate S is placed.例文帳に追加

桟４は、基板Ｓを載置するワーク載置面を有する。 - 特許庁

Since the flatness is secured regardless of the size of the substrate S, the substrate S does not warp by its own weight.例文帳に追加

基板Ｓのサイズに関係なくその平坦性が確保されるため、自重により基板Ｓが反ることがない。 - 特許庁

The substrate S is adsorbed and fixed on the surface-A inspection and adsorption tables 22 from a substrate supply part 7 and, after the surface A of the substrate S is imaged by a surface-A inspection head 4, the substrate S is delivered to a second inspection stage 3.例文帳に追加

基板Ｓは、基板供給部７からＡ面検査吸着テーブル２２に吸着固定され、Ａ面検査ヘッド４でＡ面が撮像され、第２検査ステージ３に受け渡される。 - 特許庁

This treating method is a substrate treating method, wherein the surface of the substrate S is treated with ozone water Lo, and in this method, the substrate S is heated and the high ozone concentration-ozone water Lo is fed to the surface of this substrate S at a low temperature.例文帳に追加

基板Ｓの表面をオゾン水Ｌｏで処理する基板処理方法であって、基板Ｓを加熱し、この基板Ｓの表面に低温でオゾン濃度の高いオゾン水Ｌｏを供給する。 - 特許庁

The flow channel (4) has an upstream portion (4a) arranged on the upstream side of the substrate (S) and an inner bottom surface (22) of the upstream portion (4a) extends the gaseous raw materials continuing into a top surface (SF) of the substrate (S).例文帳に追加

フローチャンネル(4)は、基板(S)の上流側に位置する上流側部分(4a)を有し、上流側部分(4a)の内側下面(22)は、原料ガスを基板(S)の上面(SF)に連なって延びている。 - 特許庁

The first electrode 2 is provided on the substrate S.例文帳に追加

前記第１の電極２は、前記基体Ｓ上に設けられる。 - 特許庁

An n^- drift region 1 is formed in the substrate S.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域１が基板Ｓ内に形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate surface inspection device preventing a reduction in detection sensitivity even when a line width on a substrate is 50 nmL/S or less.例文帳に追加

基板上の線幅が５０nmL/S以下の場合にも検出感度が低下しない基板表面検査装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate S, a couple of holes 17 are formed from its top surface Sa at right angles to the semiconductor substrate S.例文帳に追加

半導体基板Ｓには、その表面Ｓａから半導体基板Ｓに垂直に一対の孔１７を形成した。 - 特許庁

An etching device 10 supplies etching liquid onto an upper face of the substrate S while it conveyed the substrate S in a horizontal posture.例文帳に追加

エッチング装置１０は基板Ｓを水平姿勢で搬送しながらその上面にエッチング液を供給するものである。 - 特許庁

A current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) read head structure has the MR read head 100 located between first and second shields (S 1, S 2) on a substrate with a shunt resistor R 1 connecting S 1 to the substrate and a shunt resistor R 2 connecting S 2 to the substrate, with R 1 and R 2 being approximately equal.例文帳に追加

CPP読取ヘッド構造は、MR読取ヘッド100が基板上で第１と第２のシールド（S1、S2）の間に配置されており、シャント抵抗R1がS1を基板に接続し、シャント抵抗R2がS2を基板に接続している。 - 特許庁

Moreover, on the substrate treating chamber (4), the substrate supporting stand (7) is arranged in such a manner that a substrate (S) is supported parallel to the flows of plasma from the plasma blow-off ports (6).例文帳に追加

更に、前記基板処理室(4) には、基板(S) が前記プラズマ吹出口(6) からのプラズマの流れと平行して支持されるように、基板支持台(7) が配されている。 - 特許庁

A substrate is provided (510) and background color(s) are selected (520).例文帳に追加

基体が提供され（５１０）、背景色が選択される（５２０）。 - 特許庁

Between the substrate film S and the opening part K, a partitioning wall 42 whose top face projects more than the surface of the substrate film S is provided.例文帳に追加

下地膜Ｓと開口部Ｋとの間に、頂面が下地膜Ｓの表面よりも突出する隔壁４２が設けられる。 - 特許庁

The substrate supporting means 6 has a susceptor 31 for mounting a substrate S, and susceptor supporting arms 32 extending in three ways from the upper end of a column 33.例文帳に追加

基板支持手段6は、基板Sを載せるサセプタ31と、支柱33の上端部から三方にのびるサセプタ支持腕32とを有している。 - 特許庁

In addition, the sputtering apparatus 10 includes a substrate stage 13 which has a heating surface for heating a substrate S and heats the substrate S while sucking it to the heating surface, and a rotary section 18 for turning the substrate stage 13 in the circumferential direction of the substrate S.例文帳に追加

また、スパッタ装置１０は、基板Ｓを加熱する加熱面を有して、基板Ｓを該加熱面に吸着しながら加熱する基板ステージ１３と、基板ステージ１３を基板Ｓの周方向に回転させる回転部１８とを備えている。 - 特許庁

The apron part 3e is formed so that the maximum extending amount of each corner part of the substrate S from the stage body 3a in the rotation of the substrate S is formed to be ≤3% of the diagonal length of the substrate S.例文帳に追加

張出し部３ｅは、基板Ｓの回転時における基板Ｓの各角部のステージ本体３ａからの最大はみ出し量が基板Ｓの対角線長さの３％以下になるように形成される。 - 特許庁

The spacing between the substrate and S 1 may be selected to make the capacitance between S 1 and the substrate approximately equal to the capacitance between S 2 and the substrate to substantially reduce interference pickup in the high frequency region.例文帳に追加

基板とS1との間のスペースdをS1と基板の間の電気容量とS2と基板の間の電気容量をほぼ等しくして、高周波数領域内での干渉ピックアップをかなり低減することができる。 - 特許庁

A plurality of target integral exposure amounts S are set in a plurality of shot regions S of a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐの複数のショット領域Ｓに複数の目標積算露光量Ｓが設定されている。 - 特許庁

Before sputtering a first target T1, a surface of a substrate S is irradiated with a plasma using Ar to wash the surface of the substrate S.例文帳に追加

第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。 - 特許庁

As a result, any deviation or raise of the substrate S can be prevented irrespective of the temperature of the substrate S before treatment and the temperature of the conveying cart 3.例文帳に追加

その結果、処理前基板Ｓや搬送カート３の温度に関係なく、基板Ｓのずれや舞上がりを防止することができる。 - 特許庁

A color camera 1 is disposed above a substrate S so that its light receiving surface may be opposite to a substrate surface, and the illuminating device 2 is disposed between the camera 1 and the substrate S, and then the inspection is carried out for a fillet 71 on the substrate S.例文帳に追加

基板Ｓの上方に、カラーカメラ１を受光面が基板面に対向するように配備するとともに、このカメラ１と基板Ｓとの間に照明装置２を設け、基板Ｓ上のフィレット７１に対する検査を実行する。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁

The crystallization device includes a substrate stage S for supporting the substrate 1 where the amorphous silicon thin film 3 is formed.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜３が形成された基板１を支持する基板ステージＳを有する。 - 特許庁

In the above substrate treating chamber (4), the region for reducing the scattering of contaminants over the substrate (S) and also the region capable of easily controlling the temperature of the substrate (S) is set with a heating means (9) for activating a gaseous starting material and plasma.例文帳に追加

前記基板処理室(4) には、前記基板(S) への汚染物質の飛散を低減する領域であって且つ前記基板(S) の温度制御を容易になし得る領域に、原料ガス及びプラズマを活性化させるための加熱手段(9) が設置されている。 - 特許庁

In this case, the ratio of the distance between the substrate S and the inner wall opposing to the substrate S in the chemical film deposition chamber 11b, to the distance between the substrate S and the target arranged opposed to the substrate S in the sputtering chamber 11a, is set to be within a range of 0.07 to 0.3.例文帳に追加

この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 - 特許庁

The substrate-treatment equipment comprises a wet treatment section 2 for performing chemical treatment on a substrate S, and a pretreatment section 1 for performing pretreatment, such as, dry cleaning on the substrate S.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。 - 特許庁

The level sensor generates one or a plurality of measuring beam(s), and emits the measuring beam(s) toward a measuring spot on the substrate to generate a reflected measuring beam(s).例文帳に追加

レベル・センサは、１つ又は複数の測定ビームを生成し、測定ビームを基板上の測定スポットに向け、反射測定ビームを生成する。 - 特許庁

The substrate 2 having the film 30 formed on a principal surface S is fixed.例文帳に追加

主面Ｓ上に膜３０が形成された基板２が固定される。 - 特許庁

Beveled surfaces S are formed at the corner portions K1 and K2 of the source substrate.例文帳に追加

元基板の角部Ｋ１，Ｋ２には、面取り面Ｓが形成されている。 - 特許庁

The thin film structure P formed on the front face of a substrate S made of a resin is provided with an adhesion layer M formed on the front face of the substrate S and the inorganic thin film layer F formed on the front face of the substrate S.例文帳に追加

樹脂製の基板Ｓの表面に形成された薄膜構造体Ｐであって、基板Ｓの表面に形成された密着層Ｍと、密着層Ｍの表面に形成される無機薄膜層Ｆとを備えている。 - 特許庁

The charge/discharge system includes a master substrate M and slave substrates S connected thereto.例文帳に追加

マスター基板Ｍとこれに接続されたスレーブ基板Ｓとを備える。 - 特許庁

Such a substrate S as having dislocation density 104 cm-2 or less is used.例文帳に追加

前記基板Ｓは転位密度が１０^4 cm^-2以下のものが用いられる。 - 特許庁

The surface of the substrate S is washed and treated, a treating-liquid holding frame 16 is brought into contact with the side face of the substrate S and a pure-water layer WS is formed.例文帳に追加

基板Ｓの表面の洗浄処理後、処理液保持枠１６を基板Ｓの側面に接触させ、純水層ＷＳを形成する。 - 特許庁

The surface S1 of the glass substrate S becomes flat and a good resist film RF is formed even if there is ununiformity in the thickness of the glass substrate S.例文帳に追加

ガラス基板Ｓの厚みに不均一性があっても、ガラス基板Ｓの表面Ｓ１は平坦になり、良好なレジスト膜ＲＦが形成される。 - 特許庁

The substrate holder includes an engagement part 2 for attaching the substrate holder to a chassis S, and a substrate lock part 3 for being locked to an edge Be of a holding object substrate B to hold the substrate B.例文帳に追加

シャーシＳに取着するための係合部２と、被保持基板Ｂの縁部Ｂｅに係止して当該基板Ｂを保持するための基板係止部３を備える。 - 特許庁

A formation method of self-aligned double pattern is capable of providing a substrate processing method using a double patterned shadow (D-P-S) processing.例文帳に追加

本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)処理を用いた基板処理方法を供することができる。 - 特許庁

A formation method of self-aligned double pattern of the present invention is capable of providing a substrate processing method using a double patterned shadow (D-P-S) processing.例文帳に追加

本発明は、二重パターニングされたシャドー(D-P-S)処理を用いた基板処理方法を供することができる。 - 特許庁