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substrate structureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10380件
According to this structure, since isotropy by an equiaxed crystal structure of the conductor 3 is acquired in the region which faces the substrate 1, the generation of the crack of the conductor 3, the breakdown of the insulating film, the crack of the substrate 1 or the like is controlled.例文帳に追加
この構造によれば、基板1と対面する領域で、導体3の等軸晶組織による等方性が得られるため、導体3の亀裂、絶縁膜の破壊及び基板1のクラックなどの発生が抑制される。 - 特許庁
The coil module 1 has such a constitution that the plate coil 2 is built inclined to a surface side of the resin structure 3; the circuit substrate 4 is disposed in a horizontal direction to the plate coil 2; and at least part of the circuit substrate 4 is built in the resin structure 3.例文帳に追加
コイル2を樹脂構造体3の一面側に偏って内蔵し、回路基板4をコイル2に対して水平方向に配置して、少なくとも回路基板4の一部を樹脂構造体3に内蔵してある。 - 特許庁
An optical element comprises a substrate 1, and optical waveguide structure layer 10 of resin disposed in a part of the region on the substrate 1, and a recess 21 formed in the region where the optical waveguide structure layer 10 is not disposed.例文帳に追加
基板1と、基板1上の一部の領域に配置された樹脂製の光導波路構造層10と、光導波路構造層10が配置されていない領域に形成された凹部21とを有する。 - 特許庁
To provide a bonding material structure suitable for securing metal bonds, when a substrate is constituted of a metal, and the structure of a semiconductor device employing an ultra fine metal particle bonding material, in the bonding material, provided with a particle layer consisting of ultra-fine metal particles on the surface of the substrate.例文帳に追加
金属超微粒子よりなる粒子層を基材の表面に設けた接合材において、基材を金属で構成したときに、金属結合を確保するのに適した接合材構造を提供する。 - 特許庁
The semiconductor laser 1 comprises an n-type GaN substrate 2, a semiconductor laminate structure 3 that is formed on the n-type GaN substrate 2 and includes a p-n junction, and an electrode 8 formed on the semiconductor laminate structure 3.例文帳に追加
半導体レーザ1は、n型GaN基板2と、n型GaN基板2上に形成されpn接合を含む半導体積層構造3と、半導体積層構造3上に形成された電極8とを有する。 - 特許庁
The semiconductor laminated structure 14 has a front surface inclining to a supporting surface 11a of the support substrate 11, while being joined to the support substrate 11 since a part of the semiconductor laminated structure 14 is embedded in the melting layer 12.例文帳に追加
半導体積層構造14は、その一部が融着層12に埋め込まれることによって支持基板11に接合されるとともに、支持基板11の支持面11aに対して傾斜する表面を有する。 - 特許庁
Further, a trench 12 is formed which penetrates the substrate 2 from the other surface (reverse surface) of the substrate 2 in the lamination direction of the nitride semiconductor laminate structure portion 3 to reach a halfway point of the nitride semiconductor laminate structure portion 3.例文帳に追加
さらに、窒化物半導体積層構造部3の積層方向において、基板2の他方面(下面)から、基板2を貫通して窒化物半導体積層構造部3の途中に至る、トレンチ12を形成する。 - 特許庁
To provide a method capable of effectively compensating an inclination between a substrate and a support structure or a misregistration including a displacement in the vertical direction when the substrate is moved by the support structure in a lithographic projection apparatus.例文帳に追加
リソグラフィ投影装置の中で基板を支持構造体によって移動する際、その基板と支持構造体との間の傾斜や垂直方向変位を含む位置ずれを効果的に補償する方法を提供すること。 - 特許庁
The method for reinforcing a concrete structure, characterized by impregnating a reinforcing fiber substrate with the above reinforcing resin composition, before and/or after the reinforcing fiber substrate is adhered to the surface of the concrete structure.例文帳に追加
コンクリート構造物の表面に補強用繊維製基材を披着する前および/または後に、該補強用繊維製基材に上記補強用樹脂組成物を含浸させることにより、コンクリート構造物を補強する。 - 特許庁
This semiconductor device comprises a silicon substrate 1, an element isolation insulating film 2, a gate structure formed selectively on a main plane of the silicon substrate 1, and a sidewall 6 formed on a side plane of the gate structure.例文帳に追加
半導体装置は、シリコン基板1と、素子分離絶縁膜2と、シリコン基板1の主面上に選択的に形成されたゲート構造と、ゲート構造の側面上に形成されたサイドウォール6とを備えている。 - 特許庁
To provide a mounting structure of a cable to a substrate which is simple in structure and capable of preventing the torn-off or the like of a terminal by a load applied to the terminal, when the cable, attached to a substrate, is bent or lengthened.例文帳に追加
構造が簡単であり、基板に取付けられたケーブルが曲げ伸ばしされるときに、端子に負担がかかって千切れたりすることを防ぐことができるケーブルの基板への取付構造を提供する。 - 特許庁
The friction material has resin material layer having an irregular surface structure and bonded on the substrate and fiber-like or needle-shaped bodies bristled within protrusions in the irregular surface structure on the flat surface of the substrate.例文帳に追加
基板上に凹凸構造を有する樹脂系材料層が接着されており、該凹凸構造の凸部内に繊維状或いは針状の物質が該基板平面に林立していることを特徴とする摩擦材。 - 特許庁
The heating element 204 includes a carbon nanotube complex, and the carbon nanotube complex includes a carbon nanotube structure and a substrate material, and the carbon nanotube structure and the substrate material are combined.例文帳に追加
前記加熱素子204がカーボンナノチューブ複合構造体を含み、該カーボンナノチューブ複合構造体がカーボンナノチューブ構造体及び基体材料を含み、該カーボンナノチューブ構造体及び基体材料が複合される。 - 特許庁
The method for manufacturing a layered structure of an insulator and silicon aims to manufacture a layered structure of a first substrate made of silicon and a second substrate made of an insulating material.例文帳に追加
絶縁体とシリコンとの積層構造体の製造方法は、シリコンによって形成される第1の基板と、絶縁体材料によって形成される第2の基板とを積層した積層構造体を製造する方法である。 - 特許庁
This substrate for the bio-microarray is characterized by having a reflecting function region comprising a micro irregularity structure or a micro porous structure on the substrate surface.例文帳に追加
本発明は、基板表面に、微細な凹凸構造または微細な多孔質構造からなる反射機能領域を有することを特徴とするバイオマイクロアレイ用基板を提供することにより上記目的を達成するものである。 - 特許庁
The semiconductor device includes an n-channel MOS transistor 1 having an insulating layer 4 separated in SOI structure and a capacitor formed with an insulating film, and the structure is such that a capacity of a substrate is reduced by thinning the silicon substrate B.例文帳に追加
SOI構造で絶縁分離された絶縁分離層4を備えるNchMOSトランジスタ1と、絶縁膜を用いて形成されるコンデンサとを有し、シリコン基板Bを薄くして基板容量を減らす構成とする。 - 特許庁
The silicon nitride film and the first thermal oxide film of the isolation structure formation region 10a are removed, and a groove 14 is formed from the surface of a substrate which is an isolation structure formation region to the inside of the substrate.例文帳に追加
素子分離構造部形成領域10aの、シリコン窒化膜及び第1熱酸化膜を除去し、かつ素子分離構造部形成領域である基板の表面から基板内に至る溝部14を形成する。 - 特許庁
The semiconductor optical element in which a mesa structure is formed by wet etching includes a mesa structure of a ridge-type or a high-mesa-type, formed on a semiconductor substrate, and an extended mesa formed on the semiconductor substrate and connected to a corner of the mesa structure, the material of which is the same as the material of the mesa structure.例文帳に追加
ウェットエッチングによりメサ構造が形成された半導体光素子であって、半導体基板上に形成されたリッジ型またはハイメサ型の該メサ構造と、該半導体基板上に形成され、かつ、該メサ構造の角部に接続された該メサ構造と同一材料である延伸メサと、を有することを特徴とする。 - 特許庁
A structure in which a control circuit substrate 5 disposed at the back of the display panel structure 4 of the thin type television 1 is disposed in an inner circumferential area of the front cabinet while avoiding the thickness of the display panel structure and a structure for making the thin type television thin by distributingly arranging a control circuit substrate into the housings of the stand unit 7 and the speaker unit, are adopted.例文帳に追加
薄型テレビのディスプレイパネル構体の背面に配設される制御回路基板をフロントキャビネットの内側周辺領域にディスプレイパネル構体の厚みを回避して配設した構造と、前記制御回路基板をスタンドユニットおよびスピーカーユニット筐体内に配設することによって薄型テレビの薄型化を図る構造を採る。 - 特許庁
To provide a laminate structure substrate capable of scribing a sectioned and formed laminate structure by irradiation with laser light, without being affected by an adhesive layer and easily taking out the sectioned and formed laminate structure and to provide a liquid droplet discharge head substrate, a method for manufacturing the laminate structure, and a method for manufacturing a liquid droplet discharge head.例文帳に追加
区画形成された積層構造体を接着層に影響されずにレーザ光の照射によりスクライブして容易に取り出すことが可能な積層構造体基板および液滴吐出ヘッド基板、この積層構造体の製造方法および液滴吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure.例文帳に追加
該方法は、少なくとも1つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むSOI型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。 - 特許庁
The semiconductor light-emitting device is provided with a substrate 31 and a semiconductor layer, an active layer, and an electrode layer formed on the substrate, in which a multi-pattern structure is provided including a first pattern 32 formed in a corrugated structure between the substrate and the semiconductor layer, and a second pattern 33 having a corrugated structure formed on the corrugated structure of the first pattern.例文帳に追加
基板31及び基板上に形成された半導体層、活性層及び電極層を備える半導体発光素子において、基板と半導体層との間に凹凸構造で形成された第1パターン32と、第1パターンの凹凸構造上に形成された凹凸構造の第2パターン33と、を備える多重パターン構造を有する半導体発光素子である。 - 特許庁
An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加
GaN基板101に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD1ウェハとGaAs基板201に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD1ウェハとGaAs基板201に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD2ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁
To obtain an optical filter comprising a transparent substrate, a near infrared light reflecting structure, a light absorbing structure and a hard protective film layer and having excellent scratch resistance and abrasion resistance with respect to the light absorbing structure.例文帳に追加
透明基板と、近赤外光反射構造体と、光吸収構造体と、硬質保護膜層とから成り、光吸収構造体に対する耐擦傷性・耐磨耗性の優れた光学フィルタを得る。 - 特許庁
To provide a method to reduce cost by forming a micro structure and a semiconductor element to control the micro structure on the same substrate in mass-production of a micro machine having micro structure.例文帳に追加
微小構造を有するマイクロマシンの量産に際して、微小構造体と微小構造体を制御する半導体素子を同一基板上に形成し、コストを低減する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a structure by which the structure having an uneven pattern oblique to a substrate surface can easily be manufactured, and to provide the structure having such an uneven pattern.例文帳に追加
基板面に対して斜め方向の凹凸パターンを有する構造体を容易に作製することが可能となる構造体の製造方法、このような凹凸パターンを有する構造体を提供する。 - 特許庁
A surface emitting laser 200 has a layered structure where a lower mirror 212, an active layer 214 and an upper mirror 216 are stacked on a substrate 210, and comprises a first structure 280 with a surface step structure.例文帳に追加
面発光レーザ200は基板210上に下部ミラー212、活性層214、上部ミラー216が積層された積層構造を有し、表面段差構造を有する第1の構造体280を備える。 - 特許庁
A first magnetic semiconductor multiple quantum well structure 2, a non-magnetic semiconductor quantum well structure 3 and a second magnetic semiconductor multiple quantum well structure 4 are formed in this order on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1上に、第1の磁性半導体多重量子井戸構造2、非磁性半導体量子井戸構造3、及び第2の磁性半導体多重量子井戸構造4を順次形成する。 - 特許庁
In a waveguide connection structure for connecting a first dielectric substrate 100 having a waveguide structure and a second dielectric substrate 200 having a waveguide structure via a plurality of bumps 30, formed at least around the waveguide structures between the first dielectric substrate 100 and the second dielectric substrate 200, a dummy waveguide constituted of the plurality of bumps 30 is formed in a ridge waveguide structure.例文帳に追加
導波管構造を有する第1誘電体基板100と、導波管構造を有する第2誘電体基板200とを、第1誘電体基板100および第2誘電体基板200との間であって導波管構造の少なくとも周囲に形成された複数のバンプ30によって接続する導波管の接続構造において、複数のバンプ30によって構成される擬似導波管をリッジ導波管構造とする。 - 特許庁
This micro structure is provided with a semiconductor substrate 10, a structure layer 100 formed on a semiconductor substrate 10 surface with a cavity 90 therebetween, a vertical pipe 12 extended from the semiconductor substrate 10 inside the cavity 90 into the semiconductor substrate 10, and a lateral pipe 20 connected to the vertical pipe 12 and formed inside the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体基板10と、その半導体基板10表面に空洞90を隔てて形成されている構造体層100と、その空洞90内の前記半導体基板10表面から半導体基板10内に伸びている縦パイプ12と、その縦パイプ12に接続するとともに前記半導体基板10内に形成されている横パイプ20とを備えている。 - 特許庁
Accordingly, a structure is relatively simple, whereas reliability in detecting the substrate W can be improved.例文帳に追加
したがって、構成を比較的簡単にしつつも基板Wの検出信頼性を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a substrate treatment apparatus which is easy in maintenance owing to the adoption of a drawing structure.例文帳に追加
引き出し構造を採用することにより、メンテナンスを容易に行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a structure of connecting a beam to a floor joist in which no gap is generated between the beam and a floor substrate.例文帳に追加
梁と床下地材との間に隙間を生じることのない梁と根太との連結構造を提供する。 - 特許庁
To achieve a solder joint mounting structure in which a heavy component is solder joined to a substrate by self-alignment.例文帳に追加
セルフアライメントにより、重量の重い部品が基板に半田接合された半田付け実装構造を実現する。 - 特許庁
To provide a connecting structure which can improve the coupling reliability between substrates or a substrate and an electronic element.例文帳に追加
基板相互あるいは基板と電子素子との結合信頼性を向上させる接続構造を提供する。 - 特許庁
To compose a package having structure to reduce temperature cycling failures of substrate.例文帳に追加
熱サイクルにより引き起こされる基板破壊が減じられるような構造を有するパッケージ構成を作り出すこと。 - 特許庁
To provide a ground connection structure of a game machine substrate, which allows reliable connection and facilitates confirmation of the connection.例文帳に追加
確実に接続を行い、かつ、その接続確認を容易にした、遊技機基板のアース接続構造を提供する。 - 特許庁
In the process (2), a periodical structure where the GaAs and AlGaAs layers are alternately laminated is formed on an Si substrate.例文帳に追加
(2)Si基板上にGaAs層とAlGaAs層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。 - 特許庁
To provide a lamella structure oriented in a direction vertical to a substrate and in one in-plane direction with an easy means.例文帳に追加
簡便な方法で基板垂直方向及び面内の1方向に配向したラメラ構造を提供する。 - 特許庁
To provide a method for burying a recess having a high aspect ratio such as a separated trench structure of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板のトレンチ分離構造のような高アスペクト比からなる凹部における埋設方法を提供する。 - 特許庁
The common-use substrate 14 is divided into the first area 32 and the second area 33 in each layer of a four-layered structure.例文帳に追加
共用基板14は、4層構造の各層で第一エリア32及び第二エリア33にエリア分けされている。 - 特許庁
To provide a silicon-on-insulator (SOI) substrate structure and a manufacturing method thereof which are simple and cost-efficient.例文帳に追加
簡単でコスト効率のよいシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板構造およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
An insulating protruding structure or a chipped portion of a counter electrode 107 is not disposed on a counter substrate 102.例文帳に追加
対向基板102上には、絶縁性の突起構造または対向電極107の欠落部を設けない。 - 特許庁
COMPOSITE BOARD HAVING INTER-SUBSTRATE CONNECTION STRUCTURE, SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING THE COMPOSITE BOARD, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE例文帳に追加
基板間接続構造を有する複合基板、これを用いた固体撮像装置およびその製造方法 - 特許庁
The investigation method of the joining reliability of a substrate joined structure includes a heating and peeling process and an inspection process.例文帳に追加
基板接合構造の接合信頼性調査方法は、加熱剥離工程と検査工程とを備えている。 - 特許庁
The sensor chip may be used, in which two sensors having the same structure are formed in the same direction on one semiconductor substrate.例文帳に追加
1つの半導体基板に同じ構造の2つのセンサを同じ方向に形成したセンサチップを用いてもよい。 - 特許庁
To structure an image pickup device by forming an image pickup element and a driver for driving it on the same substrate.例文帳に追加
撮像素子とこれを駆動するためのドライバを同一の基板上に形成して撮像装置を構成する。 - 特許庁
The bank 12 has a laminated structure of, from the substrate 10 side, a metal film 20 and a photosensitive org. thin film 30.例文帳に追加
バンク12は基板10側から金属膜20と感光性有機薄膜30の積層構造を有している。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of a crack on an insulating substrate of a package with a simple structure.例文帳に追加
簡単な構成でパッケージの絶縁性基板のクラックの発生を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
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